JPS58214259A - 試料内部電圧パターンの表示方法 - Google Patents
試料内部電圧パターンの表示方法Info
- Publication number
- JPS58214259A JPS58214259A JP57097197A JP9719782A JPS58214259A JP S58214259 A JPS58214259 A JP S58214259A JP 57097197 A JP57097197 A JP 57097197A JP 9719782 A JP9719782 A JP 9719782A JP S58214259 A JPS58214259 A JP S58214259A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- sample
- analysis
- output
- memory
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/266—Measurement of magnetic- or electric fields in the object; Lorentzmicroscopy
- H01J37/268—Measurement of magnetic- or electric fields in the object; Lorentzmicroscopy with scanning beams
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）１発明の技術分野
本発明は走査形電子顕微鏡を用いた試料内部電圧パター
ンの表示方弐罠関する。
ンの表示方弐罠関する。
（２）、技術の背景
従来から集積回路の内部電圧パターンを走葺形電子顕微
鏡で測定し、表示する技法が知られているが、この従来
の技法はそのエネルギー分析器への分析電圧の印加が次
に述べる如きものでおったため、表示される内部電圧パ
ターンの電圧像を期待通りに得られず、その改善方が要
望されている。
鏡で測定し、表示する技法が知られているが、この従来
の技法はそのエネルギー分析器への分析電圧の印加が次
に述べる如きものでおったため、表示される内部電圧パ
ターンの電圧像を期待通りに得られず、その改善方が要
望されている。
（３）、従来技術と問題点
即ち、従来における集積回路の内部電圧パターンの表示
方式は走査形電子顕微鏡内のエネルギー分析器を用いて
分析曲線を忠実に求め、そのシフト量から集積回路の内
部電圧を算定し、次いで、その内部電圧を二値化して表
示するというものである。この方式においては、エネル
ギー分析器の分析電圧を固定しておいて、現われるコン
トラスト像を電圧像としているため、集積回路の材料、
形状効果の影響が内部電圧パターンに現われてしまうの
を避けることが出来なかった。又、分析曲線を忠実に求
めるのＫは時間を要し、従って、表示までの時間がか＼
るという不具合もあった。
方式は走査形電子顕微鏡内のエネルギー分析器を用いて
分析曲線を忠実に求め、そのシフト量から集積回路の内
部電圧を算定し、次いで、その内部電圧を二値化して表
示するというものである。この方式においては、エネル
ギー分析器の分析電圧を固定しておいて、現われるコン
トラスト像を電圧像としているため、集積回路の材料、
形状効果の影響が内部電圧パターンに現われてしまうの
を避けることが出来なかった。又、分析曲線を忠実に求
めるのＫは時間を要し、従って、表示までの時間がか＼
るという不具合もあった。
（４）０発明の目的
本発明は上述したような従来技法の有する技術的課題に
鑑みて創案されたもので、その目的は材料、形状効果が
現われず、測定の簡略化、高速化を達成しつ＼試料の内
部電圧パターンを表示しうる試料内部電圧パターンの表
示方式を提供することにある。
鑑みて創案されたもので、その目的は材料、形状効果が
現われず、測定の簡略化、高速化を達成しつ＼試料の内
部電圧パターンを表示しうる試料内部電圧パターンの表
示方式を提供することにある。
（５）０発明の構成
そして、この目的は電子光学鏡筒からの電子ビームを試
料に照射し、該試料から放出された２次電子をエネルギ
ー分析器で受け、試料へ印加される基準電圧での分析曲
線から中間分析電圧を決定し、エネルギー分析器の出力
電圧に変化が現われない高低レベルの分析電圧及び上記
中間分析電圧に上記エネルギー分析器へ印加される分析
電圧を変化させ、高低レベルの分析電圧の印加時に上記
エネルギー分析器から得られる出力電圧からスライスレ
ベルを決定し、このスライスレベルと上記中間分析電圧
の印加時に上記エネルギー分析器から得られる出力電圧
との比較から上記試料の内部電圧の二値１こ出力を得、
この二値化出力を上記試料が走査される平面型態を保存
して表示メモリに記憶した後、その二値化パターンを表
示装置の光示面に表示することによって達成される。
料に照射し、該試料から放出された２次電子をエネルギ
ー分析器で受け、試料へ印加される基準電圧での分析曲
線から中間分析電圧を決定し、エネルギー分析器の出力
電圧に変化が現われない高低レベルの分析電圧及び上記
中間分析電圧に上記エネルギー分析器へ印加される分析
電圧を変化させ、高低レベルの分析電圧の印加時に上記
エネルギー分析器から得られる出力電圧からスライスレ
ベルを決定し、このスライスレベルと上記中間分析電圧
の印加時に上記エネルギー分析器から得られる出力電圧
との比較から上記試料の内部電圧の二値１こ出力を得、
この二値化出力を上記試料が走査される平面型態を保存
して表示メモリに記憶した後、その二値化パターンを表
示装置の光示面に表示することによって達成される。
＋６１、発明の実施例
以下、添付図面を参照しながら、不発明の詳細な説明す
る。
る。
第１図は本発明を実施する一実施例を示す。
１は走査形電子顕微鏡（その全体を図示せず）に設けら
れる減速電界形エネルギー分析器で、これは試料２から
離隔してこれを覆うように設けられる分析グリッド３と
、２次電子検知器４とを有し、分析グリッド３にはスイ
ッチ５を介して分析グリッド電圧源６．７．８が接続さ
れる。電圧源６，７．８の電圧は夫々、Ｖ、、Ｖ、。
れる減速電界形エネルギー分析器で、これは試料２から
離隔してこれを覆うように設けられる分析グリッド３と
、２次電子検知器４とを有し、分析グリッド３にはスイ
ッチ５を介して分析グリッド電圧源６．７．８が接続さ
れる。電圧源６，７．８の電圧は夫々、Ｖ、、Ｖ、。
ｖｏで、Ｖｏは例えば第２図に示すように、試料（例え
ば、集積回路）へ供給される基準電圧（例えば、０ボル
ト及び５ボルト）での分析面ｍ Ｌｌ 。
ば、集積回路）へ供給される基準電圧（例えば、０ボル
ト及び５ボルト）での分析面ｍ Ｌｌ 。
Ｌｔとの交点Ｐ１＋ ｈから求められる分析グリノ、ド
電圧Ｖ。Ｉ ＋ ｖｏ２間の中点での中間分析グリッド
電圧として求められる。又、Ｖ、、Ｖ、はいずれの基準
電圧においても、エネルギー分析器１の出力に変化を生
せしめない電圧領域での分析グリッド電圧として求めら
れる。
電圧Ｖ。Ｉ ＋ ｖｏ２間の中点での中間分析グリッド
電圧として求められる。又、Ｖ、、Ｖ、はいずれの基準
電圧においても、エネルギー分析器１の出力に変化を生
せしめない電圧領域での分析グリッド電圧として求めら
れる。
検知器４の出力はアナログ−ディジタル（Ａ−Ｄ）変換
器９を経てスイッチ１０へ接続されている。Ａ−Ｄ変換
器９には、走査形電子顕微鏡のスキャンゼネレータ１１
へ供給されるクロック信号（ＣＬＫ）が供給されて試料
２の走査と同期するように構成されている。スイッチ１
０は図示の如くスイッチ５と連動するように構成されて
いる。スイッチ１０の出力接点１２．１３゜１４は各別
に、メモリ１５，１６．１７へ接続されている。これら
のメモリは試料２の各走査点と１対１の対応関係にあっ
てその走査点で得られるディジタル値を記憶するように
構成されている。
器９を経てスイッチ１０へ接続されている。Ａ−Ｄ変換
器９には、走査形電子顕微鏡のスキャンゼネレータ１１
へ供給されるクロック信号（ＣＬＫ）が供給されて試料
２の走査と同期するように構成されている。スイッチ１
０は図示の如くスイッチ５と連動するように構成されて
いる。スイッチ１０の出力接点１２．１３゜１４は各別
に、メモリ１５，１６．１７へ接続されている。これら
のメモリは試料２の各走査点と１対１の対応関係にあっ
てその走査点で得られるディジタル値を記憶するように
構成されている。
メモリ１５．１６の対応する出力は演算回路１８を経て
比較回路１９へ接続され、メモリ１７の出力は又比較回
路へ接続される。演算回路１８はメモ’）１５，１６の
対応する出力を夫々、ＤＩｌ）とすると、Ｄｒ ＋ｋｙ
２なる演算をなす。
比較回路１９へ接続され、メモリ１７の出力は又比較回
路へ接続される。演算回路１８はメモ’）１５，１６の
対応する出力を夫々、ＤＩｌ）とすると、Ｄｒ ＋ｋｙ
２なる演算をなす。
比較回路１９の出力は表示メモリ２０へ接続されており
、比較回路１９の二値化信号は試料２の各走査点に対応
する表示メモリの記憶位置に記憶される。表示メモリ２
０はその読出しと同期している表示装置２１へ接続され
ている。
、比較回路１９の二値化信号は試料２の各走査点に対応
する表示メモリの記憶位置に記憶される。表示メモリ２
０はその読出しと同期している表示装置２１へ接続され
ている。
ＥＢは走査形電子顕微鏡のスキャンゼネレータ１１の走
査制御の下に試料２上へ照射される電子ビームを表わし
ている。
査制御の下に試料２上へ照射される電子ビームを表わし
ている。
次に、上記構成装置の動作を説明する。
電子ビームＥＢによる試料、例えば集積回路２の走査に
先立って、先ず、分析グリッド電圧源６がスイッチ５を
経て分析グリッド３に接続される。分析グリッド電圧Ｖ
１が分析グリッド３−に印加されている状態において、
試料２が電子ビームＥＢＫよって走査される。この走査
はクロック信号によって制御され、これによって各走査
点が摘出され、その走査によって放出される２次電子が
２次電子検出器４によって検出され、そのアナログ信号
がＡ−Ｄｉ換器９によってディジタル化される。そのデ
ィジタル値はメモリ１５の、試料の走査領域の各走査点
と１対１め対応を有する記憶位置に記憶される。この記
憶動作は各走査点毎に生ぜしめられていく。
先立って、先ず、分析グリッド電圧源６がスイッチ５を
経て分析グリッド３に接続される。分析グリッド電圧Ｖ
１が分析グリッド３−に印加されている状態において、
試料２が電子ビームＥＢＫよって走査される。この走査
はクロック信号によって制御され、これによって各走査
点が摘出され、その走査によって放出される２次電子が
２次電子検出器４によって検出され、そのアナログ信号
がＡ−Ｄｉ換器９によってディジタル化される。そのデ
ィジタル値はメモリ１５の、試料の走査領域の各走査点
と１対１め対応を有する記憶位置に記憶される。この記
憶動作は各走査点毎に生ぜしめられていく。
この記憶動作の終了後、分析グリッド電圧源７を分析グ
リッド３へ接続させるスイッチ５の切換え、並びにＡ−
Ｄ変換器９の出力をメモリ１６へ接続させるスイッチ１
０の切換えを生じさせて分析グリッド電圧ｖｌで行った
記憶動作を分析グリッド電圧ｖ２についても生じさせる
。
リッド３へ接続させるスイッチ５の切換え、並びにＡ−
Ｄ変換器９の出力をメモリ１６へ接続させるスイッチ１
０の切換えを生じさせて分析グリッド電圧ｖｌで行った
記憶動作を分析グリッド電圧ｖ２についても生じさせる
。
その終了後、分析グリッド電圧源８を分析グリッド３へ
接続させるスイッチ５の切換え、並びＫＡ−Ｄ変換器９
の出力をメモリ１７へ接続させるスイッチ１０の切換え
を生じさせて上述の分析グリッド電圧について生じさせ
たと同様の記憶動作を分析グリッド電圧Ｖ。についても
生じさせる。
接続させるスイッチ５の切換え、並びＫＡ−Ｄ変換器９
の出力をメモリ１７へ接続させるスイッチ１０の切換え
を生じさせて上述の分析グリッド電圧について生じさせ
たと同様の記憶動作を分析グリッド電圧Ｖ。についても
生じさせる。
これらの記憶動作終了後、メモ！ｊ１５，１６゜１７か
ら夫々の対応する記憶位置から記憶てれているディジタ
ル値を読み出し、メモリ１５゜１６からのディジタル値
について演算回路１８で上述のような相加平均値（スラ
イスレベル）を求めると共Ｋ、メモリ１７からのディジ
タル値がそのスライスレベルを超えているか否かを比較
回路１９で判定する。もし超えているならば、その走査
点は”０”Ｋ二値化され、逆ならば、“１＃に二値化さ
れる。
ら夫々の対応する記憶位置から記憶てれているディジタ
ル値を読み出し、メモリ１５゜１６からのディジタル値
について演算回路１８で上述のような相加平均値（スラ
イスレベル）を求めると共Ｋ、メモリ１７からのディジ
タル値がそのスライスレベルを超えているか否かを比較
回路１９で判定する。もし超えているならば、その走査
点は”０”Ｋ二値化され、逆ならば、“１＃に二値化さ
れる。
このような二値化におけるスライスレベルは各走査点に
おける分析グリッド電圧Ｖ、、Ｖ、につき得られる値の
相加平均としているから、その値の二値化を誤ることを
防止しうる。これを具体的に説明すると、例えば、走置
点が標準的なものである場合には、その分析曲線は第２
図の実ＭＬ□（０ボルト）、Ｌ２（５ボルト）の７口く
なり、これから上述の如く求められるスライスレベルも
５０％固定スライスレベル（Ｌ、）と同じになる。そし
て、分析グリッド電圧Ｖ。におけるメモリ１７から比較
回路１９へ供給されるディジタル値がＳＭＯであるなら
ば、比較回路１９からの二値化出力は”０″となるが、
メモリ１７から比較回路１９へ供給されるディジタル値
が融、５であるならば、二値化出力は１”となり、その
二値化に誤動作は生じない。
おける分析グリッド電圧Ｖ、、Ｖ、につき得られる値の
相加平均としているから、その値の二値化を誤ることを
防止しうる。これを具体的に説明すると、例えば、走置
点が標準的なものである場合には、その分析曲線は第２
図の実ＭＬ□（０ボルト）、Ｌ２（５ボルト）の７口く
なり、これから上述の如く求められるスライスレベルも
５０％固定スライスレベル（Ｌ、）と同じになる。そし
て、分析グリッド電圧Ｖ。におけるメモリ１７から比較
回路１９へ供給されるディジタル値がＳＭＯであるなら
ば、比較回路１９からの二値化出力は”０″となるが、
メモリ１７から比較回路１９へ供給されるディジタル値
が融、５であるならば、二値化出力は１”となり、その
二値化に誤動作は生じない。
これに対し、走査点が凹凸を含み、２次電子の放出し易
い非標準的な点である場合には、その分析曲線は第２図
の点線Ｌ４の如くなる。この場合におけるスライスレベ
ルはり、の如くになるから、たとえ分析電圧Ｖ。Ｋおけ
るメキリ１７からのディジタル値がＳ′つの如く大きな
値になったとしても、その値を誤って１０＃と二値化す
ることなく″１”と正しく二値化することが出来る。曲
線Ｌ４の如きシフトは材料によっても生ぜしめられる。
い非標準的な点である場合には、その分析曲線は第２図
の点線Ｌ４の如くなる。この場合におけるスライスレベ
ルはり、の如くになるから、たとえ分析電圧Ｖ。Ｋおけ
るメキリ１７からのディジタル値がＳ′つの如く大きな
値になったとしても、その値を誤って１０＃と二値化す
ることなく″１”と正しく二値化することが出来る。曲
線Ｌ４の如きシフトは材料によっても生ぜしめられる。
このように、二値化は３つの分析グリッド電圧について
の測定から得られるから、その手段の簡略化を得つ＼、
二値化の高速化を達成し得る。
の測定から得られるから、その手段の簡略化を得つ＼、
二値化の高速化を達成し得る。
上述のようにして得られる二値信号は、その二値化と同
期している表示メモリ２０へ記憶されて表示装置２１に
表示される。
期している表示メモリ２０へ記憶されて表示装置２１に
表示される。
（７）０発明の効果
以上要するに、本発明によれば、試料の材料、形状効果
の影響を排除しつ３回路の簡略化、処理の高速化の達成
の下で試料の内部電圧パターンを表示し得る。
の影響を排除しつ３回路の簡略化、処理の高速化の達成
の下で試料の内部電圧パターンを表示し得る。
第１図は本発明を実施する装置構成図、第２図は第１図
装置の動作を説明するための特性曲線図である。 図において、１はエネルギー分析器、５．１０はスイッ
チ、６，７．８は分析グリッド電圧源、９はＡ−Ｄ変換
器、１５，１６．１７はメモリ、１８は演算回路、１９
は比較回路、２０は表示メモリ、２１は表示装置である
。 特許出願人 富士通株式会社 ｉｊり卦、′ 第１図 第２図 ｑシ Ｍ５
装置の動作を説明するための特性曲線図である。 図において、１はエネルギー分析器、５．１０はスイッ
チ、６，７．８は分析グリッド電圧源、９はＡ−Ｄ変換
器、１５，１６．１７はメモリ、１８は演算回路、１９
は比較回路、２０は表示メモリ、２１は表示装置である
。 特許出願人 富士通株式会社 ｉｊり卦、′ 第１図 第２図 ｑシ Ｍ５
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）電子光学鏡筒からの電子ビームを試料に照射し、該
試料から放出された２次電子をエネルギー分析器で受け
、上記試料へ印加される基準電圧での分析曲線から中間
分析電圧を決定し、上記エネルギー分析器の出力電圧に
変化が現われない高低レベルの分析電圧及び上記中間分
析電圧に上記エネルギー分析器へ印加される分析電圧を
変化させ、上記高低レベルの分析電圧の印加時に上記エ
ネルギー分析器から得られる出力電圧からスライスレベ
ルを決定し、このスライスレベルと上記中間分析電圧の
印加時に上記エネルギー分析器から得られる出力電圧と
の比較から上記試料の内部電圧の二値化出力を得、この
二値化出力を上記試料が走査される平面型態を保存して
表示メモリに記憶した後、その二値化パターンを表示装
置の表示面に表示することを特徴とする試料内部電圧パ
ターンの表示方式。 ２）上記高低レベルの分析電圧及び中間分析電圧の印加
時に上記エネルギー分析器から得られる出力電圧値を対
応するメモリに記憶した後、上記スライスレベルの決定
及び比較を上記メモリの対応する電圧値について生ぜし
めて二値化出力を発生し、その二値化出力を対応する上
記表示メモリの記憶位置に記憶するようにしたことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の試料内部電圧パタ
ーンの表示方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57097197A JPS58214259A (ja) | 1982-06-07 | 1982-06-07 | 試料内部電圧パターンの表示方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57097197A JPS58214259A (ja) | 1982-06-07 | 1982-06-07 | 試料内部電圧パターンの表示方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58214259A true JPS58214259A (ja) | 1983-12-13 |
| JPH0425663B2 JPH0425663B2 (ja) | 1992-05-01 |
Family
ID=14185865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57097197A Granted JPS58214259A (ja) | 1982-06-07 | 1982-06-07 | 試料内部電圧パターンの表示方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58214259A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5006795A (en) * | 1985-06-24 | 1991-04-09 | Nippon Telephone and Telegraph Public Corporation | Charged beam radiation apparatus |
-
1982
- 1982-06-07 JP JP57097197A patent/JPS58214259A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5006795A (en) * | 1985-06-24 | 1991-04-09 | Nippon Telephone and Telegraph Public Corporation | Charged beam radiation apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0425663B2 (ja) | 1992-05-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Jeanguillaume et al. | Spectrum-image: the next step in EELS digital acquisition and processing | |
| US4573008A (en) | Method for the contact-free testing of microcircuits or the like with a particle beam probe | |
| US4989082A (en) | Image processing system for comparing a test article with a master article to determine that an object is correctly located on the test article | |
| US5757198A (en) | Method and apparatus for detecting an IC defect using charged particle beam | |
| JP4062527B2 (ja) | Ｔｆｔアレイ検査装置 | |
| JPS58214259A (ja) | 試料内部電圧パターンの表示方法 | |
| US4820977A (en) | Method and apparatus for identifying points on a specimen having a defined time-dependent signal | |
| JPS6329785B2 (ja) | ||
| Flemming | The display of information from scanned measuring systems by contour mapping | |
| JPH0582606A (ja) | 半導体集積回路試験装置 | |
| JPS59177846A (ja) | 電子ビ−ム装置 | |
| JPS5960579A (ja) | パタ−ン検査装置 | |
| JPS60142527A (ja) | 回路パタ−ン検査装置 | |
| JPS6177243A (ja) | 面分析可能な走査電子顕微鏡 | |
| JPH03108349A (ja) | Ｌｓｉ評価装置 | |
| JPH0820237B2 (ja) | 電子顕微鏡用画像計測・検査装置 | |
| JPH02140609A (ja) | 荷電ビームを用いたパタン寸法測定方法およびその装置 | |
| JP2620307B2 (ja) | エネルギー分析装置 | |
| JPH0329867A (ja) | 電子ビーム装置による電圧分布像の観測法 | |
| SU805406A1 (ru) | Устройство дл отображени ин-фОРМАции | |
| JPS54130891A (en) | Tomograph using analogue picture memory | |
| JPS63281038A (ja) | 回路基板の欠陥検出装置 | |
| JPS597270A (ja) | 電子ビ−ムを用いた試料電位測定装置 | |
| JPH0554605B2 (ja) | ||
| SU1739277A1 (ru) | Магнитотелевизионный дефектоскоп |