JPS5821181Y2 - 反射型光電センサ− - Google Patents

反射型光電センサ−

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Publication number
JPS5821181Y2
JPS5821181Y2 JP8004778U JP8004778U JPS5821181Y2 JP S5821181 Y2 JPS5821181 Y2 JP S5821181Y2 JP 8004778 U JP8004778 U JP 8004778U JP 8004778 U JP8004778 U JP 8004778U JP S5821181 Y2 JPS5821181 Y2 JP S5821181Y2
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JP
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light
photoelectric sensor
light source
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Expired
Application number
JP8004778U
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JPS54181882U (ja
Inventor
英夫 菊地
Original Assignee
株式会社リコー
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Publication date
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、被検出物の存在を充電的に検知するセンサー
に関するものである。
光電センサーには、光源と光電変換器とを対向配置して
充電変換器への光線の入射を、被検出物が遮蔽すること
により、被検出物の存在を検知する型式のものと、光源
と光電変換器とを並置して、被検出物からの反射光を充
電変換器で検出して、被検出物の存在を検知する型式の
ものとがある。
後者の反射型充電センサーは、光源と充電変換器とが被
検出物の同一側に配置される点でまとまりが良いという
特徴を有しているが、それをさらに取扱いやすくするた
めに、光源と光電変換器とを検知場所から離れた位置に
配置し、検知場所との間をオプチカルファイバーで継な
いだものが提案されている。
この型式のものは、光電変換器を検知場所に配置する必
要がないので、微弱な検出出力を長いリード線を用いる
ことなく、直接増巾器に入力でき、信号伝送は化学的に
行なわれるため、雑音信号の混入がないという特徴を有
している。
しかし、オプチカルファイバーによる光の伝送量はきわ
めてわずかのものであるから、それにより被検出物に照
射される光量は微小なものとなる。
しかも、この微小な光量が被検出物で反射され、オプチ
カルファイバーに入射する率は、きわめてわずかである
ので、反射率の低い被検出物の場合には、検出不能の事
態も生じかねない。
本考案は、前記の問題点を解決することを目的とするも
のであって、充電変換器はオプチカルファイバーを利用
して検出湯所から離れた位置に配置するが、光源は検出
湯所に配置することを特徴とするものである。
第1図は本考案の実施例を示すものである。
1はオプチカルファイバーであって、その端部は、発光
素子2と共にホルダー5に取付けられている。
ホルダー5は、被検出物4の通路となる支持台6に接近
して配置されている。
3は増巾器7に接続された充電変換器であって、これに
オプチカルファイバー1の他端が対向配置されている。
8は、発光素子2を付勢用電源に接続するリード線であ
って、オプチカルファイバー1と共に束ねられている。
発光素子2が点灯されると、その光は支持台6に向って
照射されるが、支持台6上に被検出物4が存在しない場
合には、該光は支持台6に吸収され、反射光を生じない
したがって、オプチカルファイバー1への入射光は無く
、充電変換器3は出力を生じない。
支持台6上に被検出物4が存在する場合には、発光素子
2から発した光は、被検出物4によって反射され、その
一部がオプチカルファイバー1に入射し、充電変換器3
に出力を生じさせる。
オプチカルファイバー1は、その軸線方向を主軸とする
指向性を有しており、かつ、スリーブを有しているので
、発光素子2からの直接光がオプチカルファイバー1に
入射して誤動作を生じるおそれはない。
第2図は本考案の第2の実施例を示すものである。
この例においては、オプチカルファイバー1と光電素子
2とを、それらの指向性主軸が被検出物4の面上におい
て交叉し、かつ該交叉点における法線に関して対称にな
るよう配置しである。
そして、支持台6に孔8が設けられている。
光電素子2から発した光は、被検出物4が存在しない場
合には、孔8を通過するための反射光を生じない。
被検出物4が存在する場合には、被検出物4で反射が生
じ、オプチカルファイバー1に入射する。
この反射光は、オプチカルファイバー1と充電素子2と
の各指向性主軸が、正反射の関係を満足するように配置
されているため、効率よくオプチカルファイバー1に入
射する。
したがって、被検出物4の反射率が多少低くても、検出
が可能である。
本考案は以上のように、光源を検出湯所に直接配置した
ので、被検出物表面の照度を明るくすることができ、充
電変換器に強い反射光を入射させることができるので、
反射率の低い被検出物に対しても応答できる。
そして、光電変換器は検出湯所から離れた位置、すなわ
ち幅巾器に近い位置に配置し、検出湯所との間をオプチ
カルファイバーで接続するので、電気的な雑音が信号伝
送路から混入するおそれがない。
光源は検出湯所に配置される結果リード線が必要になる
が、これは、信号を伝送するものではないので雑音混入
のおそれはない。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は本考案の二つの実施例をそれぞれ
示す正面図である。 1・・・・・・オプチカルファイバー、2・・・・・・
発光素子、3・・・・・・光電変換器、4・・・・・・
被検出物。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 被検出物の通路に対して接近配置させた光源と、該光源
    に隣接する位置において、一端を被検出物の通路に対向
    配置させたオプチカルファイバーと、その他端に対向配
    置させた光電変換器とからなる反射型充電センサー
JP8004778U 1978-06-13 1978-06-13 反射型光電センサ− Expired JPS5821181Y2 (ja)

Priority Applications (1)

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JP8004778U JPS5821181Y2 (ja) 1978-06-13 1978-06-13 反射型光電センサ−

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JP8004778U JPS5821181Y2 (ja) 1978-06-13 1978-06-13 反射型光電センサ−

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Publication Number Publication Date
JPS54181882U JPS54181882U (ja) 1979-12-22
JPS5821181Y2 true JPS5821181Y2 (ja) 1983-05-04

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JP8004778U Expired JPS5821181Y2 (ja) 1978-06-13 1978-06-13 反射型光電センサ−

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JPH09229764A (ja) * 1996-02-23 1997-09-05 Omron Corp 光電センサ

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JPS54181882U (ja) 1979-12-22

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