JPS58211619A - 半導体差圧検出器 - Google Patents

半導体差圧検出器

Info

Publication number
JPS58211619A
JPS58211619A JP9320182A JP9320182A JPS58211619A JP S58211619 A JPS58211619 A JP S58211619A JP 9320182 A JP9320182 A JP 9320182A JP 9320182 A JP9320182 A JP 9320182A JP S58211619 A JPS58211619 A JP S58211619A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pressure
diaphragm
semiconductor
semiconductor diaphragm
pressure sensor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9320182A
Other languages
English (en)
Inventor
Michitaka Shimazoe
島添 道隆
Yoshitaka Matsuoka
松岡 祥隆
Yukio Takahashi
幸夫 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP9320182A priority Critical patent/JPS58211619A/ja
Publication of JPS58211619A publication Critical patent/JPS58211619A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/14Housings
    • G01L19/147Details about the mounting of the sensor to support or covering means
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/0007Fluidic connecting means
    • G01L19/0038Fluidic connecting means being part of the housing
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/0061Electrical connection means
    • G01L19/0084Electrical connection means to the outside of the housing

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は差圧検出器に係シ、特に内蔵された圧力センサ
自体が過大圧保護機能を有する差圧検出器に関する。
一般に差圧伝送器は、高いライン正向での微少な差圧を
検出する必要がある。このため、微少な差圧を検出する
高感度のセンサを有するとともに、たとえば誤操作によ
シ片側からのみ高いライン圧が加わってもセンサ自体が
破壊しない必要がある。
半導体ダイアフラム膨圧カセンサを有する従来の−+1
−− 差力伝送路では特公昭49−41835や特開昭56−
87194に示されているように、ベローズや中心ダイ
アプラム金利用した過大圧保護機能を   ゛備え、こ
れによりセンサ自体に過大圧が加わらない構造としてい
る。例えば、特公昭49−41835では半導体ダイア
フラムを固定台に接合し、この固定台をペローに固定し
ている。この構造では過大圧が加わるとベローが縮み固
定台が本体に0リングを介してあたシ、液移動を止める
ため半導体ダイアフラムに過大差圧が加わらないように
している。したがって従来の差圧伝送器は構造が複雑と
なシ、製造コストが高くなるという欠点があった。
本発明の目的は、過大差圧保護機能を持つ安価な差圧検
出器を提供することにある。
このような目的を達成するために、本発明は、過大差圧
が加わった時、たとえば半導体からなるダイアフラムの
可動部をストッパ材に6てストッパ材に形成された通気
孔をふさぐことによシ、封入液の移動をとめ、半導体ダ
イアプラムに過大差圧が加わらない構造としたものであ
る。
さらに、本発明は上記基本構成の上に、差圧検出精度及
びストップ時の衝撃による半導体ダイアフラムの破壊を
おこりにくくするために、該半導体ダイアフラムは可動
部となる肉薄起歪部の内側に少なくとも1 (vA以上
の肉厚部を有する形状としこの内側肉厚部を過大差圧印
加時にストッパ材にあたシ、通気孔をふさぐ構造として
いる。また過大差圧時の通気孔密封効果を上げるために
、該ストッパ材の一部、又は該半導体ダイアフラムの一
部にシール材を形成している。
以下、本発明の一実施例を第1図および第2図によシ説
明する。第1図は差圧検出器の全体図、第2図は半導体
圧力センサ近傍を示す図である。
各図において、二つのシールダイアフラム1,2にそれ
ぞれP、 、 P、の圧力が加わるようになっておシ、
封入液3,4を介し半導体ダイアフラム5の上下面にそ
れぞれの圧力が伝達され、その差圧ΔP=P、−P、 
i上記半導体ダイアスラム5中に形成したゲージ抵抗6
の抵抗変化として検出するように°なっている。ここで
7は圧力容器となるハウジング、8は半導体圧力センサ
の電気出力を外部に取シ出すハーメビンである。通常、
ライン圧力P、、P、は50 Kf/ tザ程度である
半導体ダイアフラム5は第2図に示すようにシリコン単
結晶ニジなシ周縁の肉厚固定部9と可動部となる円環状
の肉薄起歪部10、内側肉厚部11を有する。該肉薄部
10の上面にはたとえば拡散法−あるいはイオンインプ
ランテーション法により4本のゲージ抵抗6が形成され
、これら各ゲージ抵抗6はホイトストンブリッジを組む
ように結線され、リード線12、ハーメピン8を介し、
ハウジング7の外部に電気出力を取り出している。
この半導体ダイアフラム5は、周縁肉厚部9の裏面をシ
リコンあるいはシリコンと熱膨張係数の類似したガラス
などよシなり、かつ中心に通気孔13を有する固定台1
4に接合されている。更にこの固定台14は前記通気孔
13と同軸配置される通気孔が形成された支持体15に
接合され、この支持体15の他端はハウジングの一部と
なるシール金具16に溶接されている。
さらに、該固定台14において前記半導体ダイアフラム
5と対向する面の前記通気孔15のまわりに金属膜など
よシなる円環状のシール材17が形成されている。中心
に通気孔18のある金属蓋19が前記シール金具16に
取シ付けられ、この金属蓋19の前記半導体ダイアフラ
ム5と対向する面の前記通気孔18のまわシにも円環状
のシール材20が形成されている。なお、この金属蓋1
9の中央部には高さ微調整用部材21が設けられ、上記
通気孔18及びシール材20はこの部材に設けられてい
る。ここでシール材17.20とシリコンダイアプラム
の内側肉厚部間のクリアランスは10〜70μmとなっ
ている。
このように構成した差圧検出器は、PI側からの過大圧
力が加わると、半導体ダイアフラム5が図中下側に大き
くたわみ、その内側肉厚部11がシール材17に干渉し
そのたわみが抑制される。
すると半導体ダイアフラム5直下(肉薄起歪部10と固
定台14との間)の封入液4は通気孔13tl−通して
移動でき雇<なり、この部分の圧力が上昇し、半導体ダ
イアフラム5上下の圧力差がなくなり、半導体ダイアフ
ラム5の破壊を防止することができる。
一方、P、側から過大圧力が加わると、半導体ダイアフ
ラムは図中上側に大きくたわみ、半導体ダイアフラムの
内側肉厚部11がシール材20に干渉し半導体ダイアフ
ラム5上の封入液3の移動を止Rその破壊全防止できる
上述した実施例では、通気孔18は高さ微調整用部材2
1に設けられているものである。しかし第3図に示すよ
うに中心に通気孔のあるシリコン□ 又はガラス材より
なる上側蓋部材22が直接半導体ダイアフラム5の周縁
固定部上に接合されて、かつ、シール材20はこの蓋部
材22に設けてるようにしてもよい。かかる構成では半
導体ダイアフラム5と上側蓋部材間とのクリアランスの
制御が容易となシ製造が容易で製造コストを低減できる
利点を有する。
また、上述した各実施例では、半導体ダイアフラム5の
上面に対向する蓋材にシール材20を形成したものであ
るが、第4図に示すように、上側蓋部材23がストッパ
材を兼ねるようにしてもよい。この場合、半導体ダイア
フラムのゲージと反対面から過大圧が加わった際は封入
液3の移動を止めるものではなく、半導体ダイアフラム
5の動きをストッパ材で止め、これにより過大変形を防
ぎ、半導体ダイアフラム5の破壊を防止できるものであ
る。
さらに、第4図に示す実施例では、蓋部材23は半導体
ダイアフラム5に取シ付けられたものであるが、第5図
に示すように第4図のものに比べ、ストッパ材を兼ねる
蓋部材24を固定台14に接合されてあってもよい。こ
の例において、ストッパ材が半導体ダイアフラム5に接
合されることによるセンサ出力特性の低下がなくなると
ともに、半導体ダイアフラム5の下側からの過大圧印が
時におこる固定台14をシリコンダイアフラム5から剥
離させる力を弱めることができる。
以上、本発明を実施例を揚げて説明したが、本発明はこ
の限りではなく、圧力を電気出力に変換するセンサ機能
を持つダイアフラム自体またはその可動部に接合された
部材で少なくとも一方向の過大圧印加時に、密封箇所を
作シ、封入液の移動を止めるものであればよいことはあ
きらかである。
すなわち半導体ダイアフラムが平板でもよく、特にシー
ル材を用いなくても過大圧印加時に、半導体ダイアプラ
ムが他の部材に形成した通気孔をふさぎ′封入液が移動
しなければよい。またシール材は通気孔のある部材に形
成するものではなく、半導体ダイアフラムに形成しても
よいことはあきらかであろうまた、この半導体ダイアフ
ラムはピエゾ抵抗素子を持つものに限らず、物理量を電
気出力に変換するセンシングダイアプラムであっても良
いこともあきらかである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る差圧検出器の一実施例を示す断面
図、第2図は前記差圧検出器のセンサ部の断面図、第3
図ないし第5図は本発明による差圧検出器の他の実施例
を示すセンサ部の断面図である。 1.2・・・シールダイアフラム、3,4・・・封入液
、5・・・半導体ダイアフラム、6・・・ゲージ抵抗、
7・・・ハウジング、8・・・ハーメピン、9・・・肉
厚固定部、10・・・肉薄起歪部、11・・・内側肉厚
部、12・・・リード線、13.18・・・通気孔、1
4・・・固定台、15・・・支持体、16・・・シール
金具、17.20・・・シール材、19・・・金属蓋、
21・・・高さ調整用部材、躬10 夢2目 I ?

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、半導体材料からなりその裏面の外周部を残して凹陥
    部を形成することによシ薄肉のダイヤフラム部と厚肉の
    支持部とを有する圧カセyすと、この圧力センサを載置
    する基板と前記圧力センサ間の前記凹陥部に形成される
    第1圧力室と、前記圧力センサの主表面上に形成される
    第2圧力室とからなり、前記各圧力室は前記圧力センサ
    のダイヤフラム部と対向する壁面に孔が設けられ、この
    孔の周辺に前記圧力センサと対向するシールリングが被
    着形成されていることを特徴とする半導体差圧検出器。 ′ 2 半導体材料からなシその裏面の外周部を残して凹陥
    部を形成することによシ薄肉のダイヤプラム部と厚肉の
    支持部とを有する圧カセ/すと、この圧力センサを載置
    する基板と前記圧力センサ間の前記凹陥部に形成される
    第1圧力室と、前記圧力センサの主表面上にこれと近接
    する壁面を有する第2圧力センナとからなり、前記第1
    圧力室は前記圧力センサのダイヤ、プラム部と対向する
    壁面に孔が設けられ、この孔の周辺に前記圧力センサと
    対向するシールリングが被着形成されていることを特徴
    とする半導体差圧検出器。
JP9320182A 1982-06-02 1982-06-02 半導体差圧検出器 Pending JPS58211619A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9320182A JPS58211619A (ja) 1982-06-02 1982-06-02 半導体差圧検出器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9320182A JPS58211619A (ja) 1982-06-02 1982-06-02 半導体差圧検出器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS58211619A true JPS58211619A (ja) 1983-12-09

Family

ID=14075954

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9320182A Pending JPS58211619A (ja) 1982-06-02 1982-06-02 半導体差圧検出器

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS58211619A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5064165A (en) * 1989-04-07 1991-11-12 Ic Sensors, Inc. Semiconductor transducer or actuator utilizing corrugated supports
JPH0469536A (ja) * 1990-07-10 1992-03-04 Yokogawa Electric Corp 差圧測定装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5064165A (en) * 1989-04-07 1991-11-12 Ic Sensors, Inc. Semiconductor transducer or actuator utilizing corrugated supports
JPH0469536A (ja) * 1990-07-10 1992-03-04 Yokogawa Electric Corp 差圧測定装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4454771A (en) Load cell
US4800758A (en) Pressure transducer with stress isolation for hard mounting
EP0164413B1 (en) Pressure transducer
US7183620B2 (en) Moisture resistant differential pressure sensors
JP2843667B2 (ja) 半導体圧力センサ
US4321578A (en) Pressure transducer
US4519255A (en) Pressure transducer
US5999082A (en) Compensated oil-filled pressure transducers
US5932809A (en) Sensor with silicon strain gage
JPH09126934A (ja) 内燃機関の燃焼室内の圧力を検出するための圧力検出器
JPH0375537A (ja) 感圧要素
JPS59125032A (ja) 差圧測定装置
JPS58211619A (ja) 半導体差圧検出器
US6055865A (en) Semiconductor pressure sensor
JPH10148593A (ja) 圧力センサ及び静電容量型圧力センサチップ
JPS58151536A (ja) 差圧検出器
JPH04370726A (ja) 半導体圧力センサ
JPH0436425Y2 (ja)
JPH0212581Y2 (ja)
JP2001159573A (ja) 圧力検出装置
JPS63243830A (ja) 半導体圧力検出装置
JPS6333150Y2 (ja)
JP3047503B2 (ja) 差圧測定装置
JP2988077B2 (ja) 差圧測定装置
JPH081468Y2 (ja) 差圧測定装置