JPS58211616A - 半導体式圧力センサ - Google Patents

半導体式圧力センサ

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Publication number
JPS58211616A
JPS58211616A JP9547982A JP9547982A JPS58211616A JP S58211616 A JPS58211616 A JP S58211616A JP 9547982 A JP9547982 A JP 9547982A JP 9547982 A JP9547982 A JP 9547982A JP S58211616 A JPS58211616 A JP S58211616A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pressure
semiconductor
pedestal
pressure sensor
container
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9547982A
Other languages
English (en)
Inventor
Shunji Miura
俊二 三浦
Fukashi Kibune
木船 深志
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Fuji Electric Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd, Fuji Electric Manufacturing Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Priority to JP9547982A priority Critical patent/JPS58211616A/ja
Publication of JPS58211616A publication Critical patent/JPS58211616A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/0007Fluidic connecting means
    • G01L19/003Fluidic connecting means using a detachable interface or adapter between the process medium and the pressure gauge
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/14Housings
    • G01L19/147Details about the mounting of the sensor to support or covering means

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は一面に導圧管を通じて導入される測定圧力が加
わり、他面に基準圧力が加わる半導体感圧ダイヤフラム
が導圧管と台座を介して結合される半導体式圧力センサ
に関する。
第1図はそのような半導体式圧力センサの一例で、シリ
コン感圧ダイヤフラムチップ1は、円筒状台座2の上に
固定され、この台座2の反ダイヤフラムチップ側に導圧
管3が接合されている。この導圧管3は密閉容器の一部
を形成する環状支持体4により容器底板5に固定され、
容器底板5と容器箸休6の形成する内部空間7内の基準
圧力と導圧管3を介して導入される測定圧力の差によつ
センサ出力として外部へ取り出される。台座2はダイヤ
フラムに熱歪を与えないためにダイヤフ゛ラムチッグ1
の半導体材料と熱膨張係数が近似している材料、例えば
シリコンまたはガラスを用いて作られる。しかしシリコ
ンを用いる場合には感圧ダイヤフラムチップ1と容器と
を絶縁するためにシリコン台座2の表面に酸化膜を形成
するか、あるいは第2図に拡大して示すように台座2と
導圧管3との間に中間層として絶縁体11を挾むか、も
しくは第3図に示すように導圧管3と容器の一部を形成
する環状支持体4との間にカラス管12を弁傘させて絶
縁する必要があり、高価になる。
また台座2にガラスを2使用した場合は絶縁する必要は
ないが、例えば圧力センサを自動車エンジン制御に使用
する場合、排ガス腐食の懸念がある。
本発明はこれに対し電気絶縁性を有するとともに、排ガ
ス等に対する耐食性にすぐれ、感圧ダイヤフラムの材料
と熱膨張係数が近似的に等しく、さらに導圧管、容器の
熱歪のタイヤフラムに及ぼす影響を少なくして感圧セン
サの特性を良好ならしめる半導体式圧力センサの台座を
安価に提供することを目的とする。
この目的は、台座がジルコン(Zr02・5int)か
らなることによって達成される。
以下図を引用して本発明の実施例について説明する。第
4図において、例えばシリコンからなるによって固着さ
れており、台座21.は例えばコバールからなる導圧管
3と同じく接着層13によって固着されている。導圧管
3は従来と同様容器の一部を形成する環状支持体4によ
って図示しない容器底板5に固定されている。このよう
にジルコンからなる台座を用いることにより次の効果が
得られる。
fil  ZrO,・S10.焼結体は電気的絶縁性に
すぐれているため、シリコン台座に絶縁性酸化被膜要が
なく工数を低減できる。
(21ZrO,・S10.焼結体の熱膨張係数は37〜
4.2X10(/”0       ”で、半導体(シ
リコン)の熱膨張係数4 X l O=/ ”0←G=
−←←争七と近似しているためダイヤプラムに熱歪を与
えることが少ない。
(3)  他の構造部品、例えば導圧管や容器からの熱
歪の影響を吸収し、感圧センサの特性を良好に維持でき
る。
(41ZrO,・Sin、焼結体は耐食性が良好である
ため、圧力センサの一使用例として自動車エンジン制御
に用いる場合−も、排ガス腐食に対して充分な信頼性が
得られる。
(5)台座の材料を変更するのみであるから他の部品は
そのまま使用でき、外形寸法など従来と全く同様の半導
体圧力センサを得ることができる。
すなわち、本発明によりすべての分野に使用できる信頼
性高い半導体式圧力センサが得られるので、その効果は
極めて大きい。
【図面の簡単な説明】
第1図は半導体式圧力センサの一例を示す断面図、第2
図、第3図はそれぞれ感圧ダイヤフラムおよび台座部の
異なる構造を示す断面図、第4図は本発明の一実施例に
おける同様の部分の構造を示す断面図である。 1・・・感圧ダイヤプラムチツグ、3山導圧管、13・
・・接着層、21・ 1ro2・8i02台座。 才1閃

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 】)−面に導圧管を通じて導入される圧力が加わり、他
    面に基準圧力が加わる半導体感圧ダイヤフラムが台座を
    介して導圧管と結合されるものにおいて、台座がジルコ
    ン(ZrO2・SiQ、)からなることを特徴とする半
    導体式圧力センサ。
JP9547982A 1982-06-03 1982-06-03 半導体式圧力センサ Pending JPS58211616A (ja)

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JPS58211616A true JPS58211616A (ja) 1983-12-09

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS595931A (ja) * 1982-07-02 1984-01-12 Nippon Denso Co Ltd 半導体圧力センサ
JPS6157826A (ja) * 1984-08-29 1986-03-24 Hitachi Ltd 圧力変換器
JPS62207923A (ja) * 1986-03-07 1987-09-12 Taiheiyo Kogyo Kk 圧力検知装置
JPS63151832A (ja) * 1986-12-17 1988-06-24 Fuji Electric Co Ltd 半導体圧力センサ装置
JPH0319939U (ja) * 1989-02-22 1991-02-27

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