JPS5821158A - 多チヤネル磁気センサ - Google Patents
多チヤネル磁気センサInfo
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- JPS5821158A JPS5821158A JP56119726A JP11972681A JPS5821158A JP S5821158 A JPS5821158 A JP S5821158A JP 56119726 A JP56119726 A JP 56119726A JP 11972681 A JP11972681 A JP 11972681A JP S5821158 A JPS5821158 A JP S5821158A
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01V—GEOPHYSICS; GRAVITATIONAL MEASUREMENTS; DETECTING MASSES OR OBJECTS; TAGS
- G01V3/00—Electric or magnetic prospecting or detecting; Measuring magnetic field characteristics of the earth, e.g. declination, deviation
- G01V3/08—Electric or magnetic prospecting or detecting; Measuring magnetic field characteristics of the earth, e.g. declination, deviation operating with magnetic or electric fields produced or modified by objects or geological structures or by detecting devices
- G01V3/081—Electric or magnetic prospecting or detecting; Measuring magnetic field characteristics of the earth, e.g. declination, deviation operating with magnetic or electric fields produced or modified by objects or geological structures or by detecting devices the magnetic field is produced by the objects or geological structures
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
多チャネル磁気センサに関する。
近年、半導体材料を用いて作られた磁気センサは、紙弊
識別装置や磁気カード検出装置等に多用されつつある。
識別装置や磁気カード検出装置等に多用されつつある。
此の様な磁気センサは、永久磁石の一方の磁極面子に一
対の磁気抵抗素子を並設して構成され、此等磁気抵抗素
子を磁性被検出体が交互に通過した時、磁気抵抗素子を
通る磁束の磁束密度を交番的に変化させ、此に依って被
検出体の有無を検出するものである。
対の磁気抵抗素子を並設して構成され、此等磁気抵抗素
子を磁性被検出体が交互に通過した時、磁気抵抗素子を
通る磁束の磁束密度を交番的に変化させ、此に依って被
検出体の有無を検出するものである。
所で、此の種の磁気センサでは、一対の磁気抵抗素子に
作用する磁，束の磁束密度（以下磁気バイアスと言う）
が各磁気抵抗素子ごとに相違し、為に両磁気抵抗素子の
分圧として得られる出力電圧の中性点電位に温度ドリフ
トが生じる。
作用する磁，束の磁束密度（以下磁気バイアスと言う）
が各磁気抵抗素子ごとに相違し、為に両磁気抵抗素子の
分圧として得られる出力電圧の中性点電位に温度ドリフ
トが生じる。
此の欠点を除去するには、両磁気抵抗素子に加える磁気
バイアスを均等にす４事で解決出来るが、此の問題を解
決しない限り、一対の磁気抵抗素子（以下チャネル素子
ＣＨと言う）で磁気情報を検出する場合でも、湿度特性
の悪い出力が発生し、実用に供し難い。従って、単に永
久磁石の上に一対の磁気抵抗素子の多数組、ｊｉ’＋７
ち多チャネル分を配設しても良好な多チヤネル磁気セン
サは得られない。
バイアスを均等にす４事で解決出来るが、此の問題を解
決しない限り、一対の磁気抵抗素子（以下チャネル素子
ＣＨと言う）で磁気情報を検出する場合でも、湿度特性
の悪い出力が発生し、実用に供し難い。従って、単に永
久磁石の上に一対の磁気抵抗素子の多数組、ｊｉ’＋７
ち多チャネル分を配設しても良好な多チヤネル磁気セン
サは得られない。
例えば、第１図及び第２図に示す妬く、一対の磁気抵抗
素子ＭＲ，、ＭＲ，から成るチャネル素子ＣＨを複数個
（図では５個）を長方体の永久磁石ＭＯの長さｌ、幅Ｗ
の同一磁極面（図ではへ極面）ＰＮに等間隔に固着した
例を考える事が出来る。各チャネル素子Ｃ比、ＣＨ，，
ＣＨ，、ＣＨ，、ＣＨ，は電ｉＢに対し並列に接続され
、各々を構成する磁気抵抗素子ＭＲ，、ＭＲ，は、其れ
ぞれ直流電源Ｅに対し面列に接続され、画素子間に設け
た各々の分圧端子Ｔ Ｉ 、 Ｔｔ 、 ’ｒｓ 、
’Ｉ”４、Ｔｏ と′ｍ源Ｅの負端子Ｔ。から各々の
出力電圧ＯＵＴ、、ＯＵＴ、、０ＵＴ１，０ＵＴ４．Ｏ
ＵＴ、を得る。
素子ＭＲ，、ＭＲ，から成るチャネル素子ＣＨを複数個
（図では５個）を長方体の永久磁石ＭＯの長さｌ、幅Ｗ
の同一磁極面（図ではへ極面）ＰＮに等間隔に固着した
例を考える事が出来る。各チャネル素子Ｃ比、ＣＨ，，
ＣＨ，、ＣＨ，、ＣＨ，は電ｉＢに対し並列に接続され
、各々を構成する磁気抵抗素子ＭＲ，、ＭＲ，は、其れ
ぞれ直流電源Ｅに対し面列に接続され、画素子間に設け
た各々の分圧端子Ｔ Ｉ 、 Ｔｔ 、 ’ｒｓ 、
’Ｉ”４、Ｔｏ と′ｍ源Ｅの負端子Ｔ。から各々の
出力電圧ＯＵＴ、、ＯＵＴ、、０ＵＴ１，０ＵＴ４．Ｏ
ＵＴ、を得る。
出力電圧の発生を、第３図に示す如く、１チヤネル素子
のみを取出して説明する。磁性の被検出体Ｍは磁気抵抗
素子ＭＲ，、ＭＲ，を矢印方向へ順に横冑１すると仮定
すると、其の出力電圧（、−） Ｕ Ｔ １は被検出体
Ｍの移動時間Ｔに対し、第４図に示す様に変ｊヒする。
のみを取出して説明する。磁性の被検出体Ｍは磁気抵抗
素子ＭＲ，、ＭＲ，を矢印方向へ順に横冑１すると仮定
すると、其の出力電圧（、−） Ｕ Ｔ １は被検出体
Ｍの移動時間Ｔに対し、第４図に示す様に変ｊヒする。
此の場合、中性点電圧Ｐは、磁気抵抗素子Ｍ札、ＭＲ，
，が被検出体Ｍの影箒を等しく受けている時の出力電圧
で・被検出体Ｍが存在しない場合の電圧と等価である。
，が被検出体Ｍの影箒を等しく受けている時の出力電圧
で・被検出体Ｍが存在しない場合の電圧と等価である。
所で、被検出体Ｍが磁気抵抗素子ＭＲ，、ＭＲ。
に等しく影響しても、対と成る磁気抵抗素子Ｍｌ（、。
、ＭＲ，に加えられる磁気バイアスに差があると、中性
点電圧Ｐに温度ドリフトが生じる。即ち、両磁気抵抗素
子Ｍｌ−ｔ、 、 ＭＲ，の温度係数をαとすると、此
の係数αは磁束密度を変数として変化する。
点電圧Ｐに温度ドリフトが生じる。即ち、両磁気抵抗素
子Ｍｌ−ｔ、 、 ＭＲ，の温度係数をαとすると、此
の係数αは磁束密度を変数として変化する。
第１図の如く永久磁石ＭＧを長方体に形成すると、第５
図に示す如く、磁極面に於ける長手方向の磁束分布盃は
、磁石ＭＧの両端で山を影成し中央部で谷を形成する特
性を示し、又、磁石の短手方向の第５図の点線ａ−ａと
点線ｅ−θの位置に於ける磁束分布盃は、第６図に示す
如く、磁石の両端で山になり中央で谷になる分布を示し
、同様に、第５図の点線ｂ−ｂと点線ｄ−ｄの位置に於
ける磁束分布盃は、第７図に示す如く、はぼ平担な分布
となり、更に、第５図の点線Ｃ−９の位置に於ける磁束
分布亜は、第８図に示す如く、中央で山になる分布を示
す。
図に示す如く、磁極面に於ける長手方向の磁束分布盃は
、磁石ＭＧの両端で山を影成し中央部で谷を形成する特
性を示し、又、磁石の短手方向の第５図の点線ａ−ａと
点線ｅ−θの位置に於ける磁束分布盃は、第６図に示す
如く、磁石の両端で山になり中央で谷になる分布を示し
、同様に、第５図の点線ｂ−ｂと点線ｄ−ｄの位置に於
ける磁束分布盃は、第７図に示す如く、はぼ平担な分布
となり、更に、第５図の点線Ｃ−９の位置に於ける磁束
分布亜は、第８図に示す如く、中央で山になる分布を示
す。
従って、第６図と第８図の様な磁束分布を生じる位置で
、対となる磁気抵抗素子ＭＲ，＋、 ＭＲ。
、対となる磁気抵抗素子ＭＲ，＋、 ＭＲ。
の磁束分布に対する対称性が得られないと、其の温度係
数αは相違したものになる。換言すれば、出力電圧に温
度係数が付与され温度ドリフトを生ずる。
数αは相違したものになる。換言すれば、出力電圧に温
度係数が付与され温度ドリフトを生ずる。
今、磁気抵抗素子ＭＲ，，ＭＬ に対する磁気バイアス
が均一でなく、磁気抵抗素子Ｍル がα１、ＭＲ，がα
、（α、〉α、）の温度係数を備えるに至ったとすると
、中性点電圧Ｐは次式の様になる。
が均一でなく、磁気抵抗素子Ｍル がα１、ＭＲ，がα
、（α、〉α、）の温度係数を備えるに至ったとすると
、中性点電圧Ｐは次式の様になる。
即ち、中性点電圧は温度を変数として変化する。
以上の説明から明らかな様に、第１図の如く、 ６−
複数のチャネル素子を長方体の永久磁石上に配設すると
、其れ其れの出力電圧の条件が相違し、実用上の障害が
犬きく好ましくなかった。
、其れ其れの出力電圧の条件が相違し、実用上の障害が
犬きく好ましくなかった。
本発明は、上記に鑑み、温度ドリフトが発生せず、又各
チャネル素子の出力電圧が均等の条件となる多チヤネル
磁気センサを提供するものである。
チャネル素子の出力電圧が均等の条件となる多チヤネル
磁気センサを提供するものである。
以下本発明の実施例を第９図及び第１０図を参照して詳
細に説明する。両端を開放した長方形状の外部筐体ＨＧ
の一方の開放端は、遮蔽板ＳＨで塞がれている。筐ＫＨ
Ｇは、合成樹脂、アルミニウム、燐青銅、ステンレス等
の非磁性材料で構成され、遮蔽板ＳＨは非磁性金属の内
の燐青銅、タングステン、モリブデン等の耐磨耗特性の
良好な素材が用いられ、厚さ５０〜１００μｍ程度に構
成される。遮蔽板８ Ｈの筐体への固定は、其の両端を
折り曲げ、其れを合成樹脂で作られた筐体壁中に埋設し
て行っても良く、又は両端を折り曲げる事なく接着剤で
接着しても良い。
細に説明する。両端を開放した長方形状の外部筐体ＨＧ
の一方の開放端は、遮蔽板ＳＨで塞がれている。筐ＫＨ
Ｇは、合成樹脂、アルミニウム、燐青銅、ステンレス等
の非磁性材料で構成され、遮蔽板ＳＨは非磁性金属の内
の燐青銅、タングステン、モリブデン等の耐磨耗特性の
良好な素材が用いられ、厚さ５０〜１００μｍ程度に構
成される。遮蔽板８ Ｈの筐体への固定は、其の両端を
折り曲げ、其れを合成樹脂で作られた筐体壁中に埋設し
て行っても良く、又は両端を折り曲げる事なく接着剤で
接着しても良い。
同じ寸法形状をし、且つ同等の表面磁束密度を有する複
数の永久磁石ＭＧ、 、 ＭＧ、 、 ＭＯ，。
数の永久磁石ＭＧ、 、 ＭＧ、 、 ＭＯ，。
６−
Ｍ（）、、ＭＯ，が枠体ＳＴに対し一定間隔に一列配設
されている。枠体ＳＴは、筐体ＨＧと同様の非磁性材料
が使用され、永久磁石ＭＯ，乃至ＭＯ−。
されている。枠体ＳＴは、筐体ＨＧと同様の非磁性材料
が使用され、永久磁石ＭＯ，乃至ＭＯ−。
を嵌挿する貫通孔ＡＲが備えられている。
枠体８Ｔの貫通孔Ａ Ｒには、其れ其れ永久磁石ＭＯ，
乃至ＭＯ，が同じ磁極を孔方向に向けて嵌挿されている
。此の場合、磁石の磁極面が枠体ＳＴの端面から突出す
る事なく四部ＡＰを形成する如く固定される。
乃至ＭＯ，が同じ磁極を孔方向に向けて嵌挿されている
。此の場合、磁石の磁極面が枠体ＳＴの端面から突出す
る事なく四部ＡＰを形成する如く固定される。
一対の磁気抵抗素子から成るチャネル素子ＣＨ。
乃至ＣＨ，の駆動回路及び使用方法は、従来技術、例え
ば第１図及び第３図と同様である。
ば第１図及び第３図と同様である。
永久磁石ＭＧ、 、 ＭＧ、の磁極表面には、チャネル
素子は取付けられない。即ち、此等の磁石は磁束分布制
限用の為に配置される。
素子は取付けられない。即ち、此等の磁石は磁束分布制
限用の為に配置される。
磁気センサが被検出体Ｍに接触して使用される場合には
、枠体８Ｔの端面と遮蔽板ＳＨの間に機械的ショックア
ブソーバ、例えばゴムシートを挿入し、被検出体の摺動
の際発生する圧力を防ぎ、チャネル素子からピエゾ効果
に依る電圧が発生するのを阻止する。
、枠体８Ｔの端面と遮蔽板ＳＨの間に機械的ショックア
ブソーバ、例えばゴムシートを挿入し、被検出体の摺動
の際発生する圧力を防ぎ、チャネル素子からピエゾ効果
に依る電圧が発生するのを阻止する。
夕１部筐体ＨＧの他方の開放端は、図示しない蓋板に依
って密封されるか或は樹脂充填剤を注入して塞がれる。
って密封されるか或は樹脂充填剤を注入して塞がれる。
チャネル素子ＣＨのリード線ＬＤは、第１１図に示す如
く、枠体ＳＴを貫通して一方の先端が筐体ＨＧ外に突出
する端子ビンＴＰに接続する構成とする事が出来る。此
の場合、枠体Ｓ １’の端面には永久磁石ＭＧ表面と面
一の表面を有する切欠部Ｃ１）を作り、其の部分に端子
ピンＴＰの使方の先端を突出させる。
く、枠体ＳＴを貫通して一方の先端が筐体ＨＧ外に突出
する端子ビンＴＰに接続する構成とする事が出来る。此
の場合、枠体Ｓ １’の端面には永久磁石ＭＧ表面と面
一の表面を有する切欠部Ｃ１）を作り、其の部分に端子
ピンＴＰの使方の先端を突出させる。
」ユ述の如き構成に於て□、各永久磁石ＭＧ、乃至Ｍ０
・から発散される全磁束は、磁気反発に依って第９図の
図面上の上方向の磁路を取って各チャネル素子ＣＨ，、
ＣＨ，、ＣＨ，を通過する。従って、チャネル素子ＣＨ
を構成する一対の磁気抵抗素子ＭＲ，、Ｍ１’Ｌ＊ を
通る磁束の磁束密度は同じになるので、磁束密度の差に
帰因する温度係数の相違は生ぜず、出力電圧は温度ドリ
フトに依って変動しない。
・から発散される全磁束は、磁気反発に依って第９図の
図面上の上方向の磁路を取って各チャネル素子ＣＨ，、
ＣＨ，、ＣＨ，を通過する。従って、チャネル素子ＣＨ
を構成する一対の磁気抵抗素子ＭＲ，、Ｍ１’Ｌ＊ を
通る磁束の磁束密度は同じになるので、磁束密度の差に
帰因する温度係数の相違は生ぜず、出力電圧は温度ドリ
フトに依って変動しない。
第９図に於て永久磁石Ｍ（）、、ＭＧ、を設けないとす
れば、永久磁石ＭＯ，、ＭＧ、の磁束が、図面上の左及
び右に発散する磁路を形成する事に成る。即ち、磁石Ｍ
Ｇｔの磁束は磁石ＭＯ，の方向へ大きく分散した磁路と
なり、又磁石ＭＧ、の磁束は磁石ＭＯ，の方向へ大きく
分散した磁路となるが、本発明に依ればチャネル素子を
貼着した磁石ＭＧ、、ＭＯ，，ＭＯ４が磁束分布制限用
の磁石ＭＯ，、ＭＯ，に挾まれた態様であるから、磁石
ＭＯ，乃至ＭＯ，の磁束の分散は磁気反発に依って制限
され、磁気抵抗素子ＭＲ，、ＭＲ，に対する磁気バイア
スは等しくなると共に、各チャネル素子の出力電圧も同
等になる。
れば、永久磁石ＭＯ，、ＭＧ、の磁束が、図面上の左及
び右に発散する磁路を形成する事に成る。即ち、磁石Ｍ
Ｇｔの磁束は磁石ＭＯ，の方向へ大きく分散した磁路と
なり、又磁石ＭＧ、の磁束は磁石ＭＯ，の方向へ大きく
分散した磁路となるが、本発明に依ればチャネル素子を
貼着した磁石ＭＧ、、ＭＯ，，ＭＯ４が磁束分布制限用
の磁石ＭＯ，、ＭＯ，に挾まれた態様であるから、磁石
ＭＯ，乃至ＭＯ，の磁束の分散は磁気反発に依って制限
され、磁気抵抗素子ＭＲ，、ＭＲ，に対する磁気バイア
スは等しくなると共に、各チャネル素子の出力電圧も同
等になる。
永久磁石ＭＯ，、ＭＧ、の磁束が大きく分散する為、其
れが磁石ＭＧ、 、 ＭＧ、の磁束分布に悪影蕾を与え
る時には、磁石ＭＧ、 、 ＭＧ、 の脇にもう１個づ
つ永久磁石を第９図同様の配列で配置する。尚、チャネ
ル素子の数は６個に限る事なく、所望個数設ける事が出
来るのは言うまでもなく、其れに対応して磁石の数も増
減する。
れが磁石ＭＧ、 、 ＭＧ、の磁束分布に悪影蕾を与え
る時には、磁石ＭＧ、 、 ＭＧ、 の脇にもう１個づ
つ永久磁石を第９図同様の配列で配置する。尚、チャネ
ル素子の数は６個に限る事なく、所望個数設ける事が出
来るのは言うまでもなく、其れに対応して磁石の数も増
減する。
−９＝
以上の様に構成すれば、出力電圧が温度ドリフトで変動
しないばかりか、各永久磁石は磁気反発する配列である
から、各磁石から発散する磁束は隣接する磁石上に貼着
したチャネル素子を通過しないので、チャネル間の相互
干渉はなく密集した多チャネル化を計る事が出来る。
しないばかりか、各永久磁石は磁気反発する配列である
から、各磁石から発散する磁束は隣接する磁石上に貼着
したチャネル素子を通過しないので、チャネル間の相互
干渉はなく密集した多チャネル化を計る事が出来る。
所で、２つの被検出体Ｍ、 、 Ｍ、が第９図のチャネ
ル素子例えばＣＨ，上を図面の垂直方向に横切ると、チ
ャネル素子ＣＨ，の出力は、第１２図の様に４Ｃだらか
に立下り或は立上る部分を有する波ルａ、 ｄと、会
激な変化をする波形す、ｃを備える。即ち、波形ａ、
ｄは低周波信号となり、又波形す、 ｃは高周波１
６号になる。此の為、チャネル素子付属の増幅器を高周
波信号す、 ｃで動作する如く設定すると、低周波信
号ａ、 ｄでは動作しない事になる。従って、２つの
被検出体Ｍ、 、 Ｍ。
ル素子例えばＣＨ，上を図面の垂直方向に横切ると、チ
ャネル素子ＣＨ，の出力は、第１２図の様に４Ｃだらか
に立下り或は立上る部分を有する波ルａ、 ｄと、会
激な変化をする波形す、ｃを備える。即ち、波形ａ、
ｄは低周波信号となり、又波形す、 ｃは高周波１
６号になる。此の為、チャネル素子付属の増幅器を高周
波信号す、 ｃで動作する如く設定すると、低周波信
号ａ、 ｄでは動作しない事になる。従って、２つの
被検出体Ｍ、 、 Ｍ。
が順番にチャネル素子ＣＨ，十を通過しても、図示しな
い信号回路は唯一回しか動作しない為、微分回路等の付
属回路を必要としていた。
い信号回路は唯一回しか動作しない為、微分回路等の付
属回路を必要としていた。
此の様な場合には、第１６図に示す様に、チャ＝１０−
ネル素子を貼着した永久磁石ＭＧ、 、 ＭＯ，、ＭＧ
、の図面上の上下に磁束分布制限用の永久磁石Ｍ （１
３１１、Ｍ Ｇｓ＋ 、 ＭＧ４１ 、 Ｍ （）！ｆ
、 Ｍ ＯｌＭ 、 Ｍ （）４１を其れ其れ配役す
る。磁極の向は磁石ＭＧ、乃至ＭＧ４ と同じである。
、の図面上の上下に磁束分布制限用の永久磁石Ｍ （１
３１１、Ｍ Ｇｓ＋ 、 ＭＧ４１ 、 Ｍ （）！ｆ
、 Ｍ ＯｌＭ 、 Ｍ （）４１を其れ其れ配役す
る。磁極の向は磁石ＭＧ、乃至ＭＧ４ と同じである。
此の様に構成すると、磁極の反発に依って磁石ＭＧ、乃
至ＭＧ４から発散される磁束の分布は制限され、チャネ
ル素子、例えばＣＨｌ から得られる出力電圧は、第１
２図の点線で示した如く改善される。又、此に伴って分
解能が良く成る。
至ＭＧ４から発散される磁束の分布は制限され、チャネ
ル素子、例えばＣＨｌ から得られる出力電圧は、第１
２図の点線で示した如く改善される。又、此に伴って分
解能が良く成る。
尚、中性点電圧Ｐより高い電圧で信号回路を動作させる
場合は、永久磁石ＭＧ、、を除去する事が出来、又、低
い電圧で動作させる場合には、永久磁石Ｎ Ｇ、、乃至
Ｍ Ｏ，、を除く事が出来る。
場合は、永久磁石ＭＧ、、を除去する事が出来、又、低
い電圧で動作させる場合には、永久磁石Ｎ Ｇ、、乃至
Ｍ Ｏ，、を除く事が出来る。
叙上の様に、本発明は各チャネル素子を構成する一対の
磁気抵抗素子に等しい磁気バイアスを印加するので、チ
ャネル素子の出力電圧に温度ドリフトは生ぜず、信号回
路を正しく動作させる事が出来る。又、各チャネル素子
に印加される磁気バイアスは等しくなるので、各チャネ
ル間の出力電圧差は生じなく、余分の増幅器を必要とし
ない。
磁気抵抗素子に等しい磁気バイアスを印加するので、チ
ャネル素子の出力電圧に温度ドリフトは生ぜず、信号回
路を正しく動作させる事が出来る。又、各チャネル素子
に印加される磁気バイアスは等しくなるので、各チャネ
ル間の出力電圧差は生じなく、余分の増幅器を必要とし
ない。
史に又、磁気バイアスを作る永久磁石群は磁気１ｙ発す
る如く配設したから、各チャネル間の相互干渉が全くな
く、多チャンネルを密集して構成する事が出来る。
る如く配設したから、各チャネル間の相互干渉が全くな
く、多チャンネルを密集して構成する事が出来る。
第１図は従来の多チヤネル磁気センタの概略説明図、第
２図は第１図の磁気センサの側面図、第６図は磁気セン
サの動作説明図、第４図は第３１図の出力波形図、第５
図は第２図の永久磁石から発散する磁束の分布図、第６
図は第５図の点線ａ−ａ及びｅ −ｅに於ける磁束分布
図、第７図は第５図の点線ｂ−ｂ及びｄ−ｄに於ける磁
束分布図、第８図は第５図の点線ｃ−ｃに於ける磁束分
布図、第９図は本発明の多チヤネル磁気センサの側断面
構成図、第１０図は第９図の線Ｘ−−Ｘに於ける断面図
、第１１図は第１０図の一部分を取出した断面構成図、
第１２図は愉数の被検出体を検出したチャネル素子の出
力波形倒置、第１３図は本発明の他の実施例の説明図で
ある。 図中のＭＲ，、ＭｉＲ，、は磁気抵抗素子、ＣＨ，。 ＣＨ，、ＣＨ，、はチャネル素子、ＨＧは外部筐体、８
ｌ−ＩＧｔ遮１＆、ｓ ’ｒ ハ枠体、Ｍｔ’ｊ、 、
Ｍ（３，。 ｈ□＋ｏ、、へ４（］４． ＭＧ３は永久磁石である。 特許用１１１Ｉ！１人 電気音響株式会ネ１“ １６− 才１図 第４図 、８５図 才３図 ｇｃｄｅ オ６図 オフ図 才８図
２図は第１図の磁気センサの側面図、第６図は磁気セン
サの動作説明図、第４図は第３１図の出力波形図、第５
図は第２図の永久磁石から発散する磁束の分布図、第６
図は第５図の点線ａ−ａ及びｅ −ｅに於ける磁束分布
図、第７図は第５図の点線ｂ−ｂ及びｄ−ｄに於ける磁
束分布図、第８図は第５図の点線ｃ−ｃに於ける磁束分
布図、第９図は本発明の多チヤネル磁気センサの側断面
構成図、第１０図は第９図の線Ｘ−−Ｘに於ける断面図
、第１１図は第１０図の一部分を取出した断面構成図、
第１２図は愉数の被検出体を検出したチャネル素子の出
力波形倒置、第１３図は本発明の他の実施例の説明図で
ある。 図中のＭＲ，、ＭｉＲ，、は磁気抵抗素子、ＣＨ，。 ＣＨ，、ＣＨ，、はチャネル素子、ＨＧは外部筐体、８
ｌ−ＩＧｔ遮１＆、ｓ ’ｒ ハ枠体、Ｍｔ’ｊ、 、
Ｍ（３，。 ｈ□＋ｏ、、へ４（］４． ＭＧ３は永久磁石である。 特許用１１１Ｉ！１人 電気音響株式会ネ１“ １６− 才１図 第４図 、８５図 才３図 ｇｃｄｅ オ６図 オフ図 才８図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １間磁極を同方向に向けて一列に配設された複数の第１
の永久磁石群でチャネル区分を形成し、該各チャネルご
とに前記各々の永久磁石から個別に磁気バイアスされる
複数のチャネル素子を設け、前記永久磁石から発散する
磁束の分布を制限する複数の第２の永久磁石群を付設し
て前記各チャネル素子の出力を安定にする様構成した事
を特徴とする多チヤネル磁気センサ。 ２前記第２の永久磁石群は、前記第１の永久磁石群と同
列配設して成る事を特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の多チヤネル磁気センサ。 ３、前記第２の永久磁石群は、前記第１の永久磁石群の
其れ其れに相対して付設した事を特徴とする特許請求の
範囲第１項及び第２項記載の多チヤネル磁気センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56119726A JPS5821158A (ja) | 1981-07-30 | 1981-07-30 | 多チヤネル磁気センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56119726A JPS5821158A (ja) | 1981-07-30 | 1981-07-30 | 多チヤネル磁気センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5821158A true JPS5821158A (ja) | 1983-02-07 |
| JPS6324271B2 JPS6324271B2 (ja) | 1988-05-19 |
Family
ID=14768597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56119726A Granted JPS5821158A (ja) | 1981-07-30 | 1981-07-30 | 多チヤネル磁気センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5821158A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7157905B1 (en) * | 2004-02-27 | 2007-01-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Long magnetic sensor |
| JP2008286588A (ja) * | 2007-05-16 | 2008-11-27 | Alps Electric Co Ltd | 位置検知装置 |
| CN103576101A (zh) * | 2012-07-31 | 2014-02-12 | 北京嘉岳同乐极电子有限公司 | 一种多通道集成式磁传感器 |
| JPWO2015174409A1 (ja) * | 2014-05-13 | 2017-04-20 | 三菱電機株式会社 | 磁気センサ装置 |
-
1981
- 1981-07-30 JP JP56119726A patent/JPS5821158A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7157905B1 (en) * | 2004-02-27 | 2007-01-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Long magnetic sensor |
| JP2008286588A (ja) * | 2007-05-16 | 2008-11-27 | Alps Electric Co Ltd | 位置検知装置 |
| CN103576101A (zh) * | 2012-07-31 | 2014-02-12 | 北京嘉岳同乐极电子有限公司 | 一种多通道集成式磁传感器 |
| JPWO2015174409A1 (ja) * | 2014-05-13 | 2017-04-20 | 三菱電機株式会社 | 磁気センサ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6324271B2 (ja) | 1988-05-19 |
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