JPS5821120U - 調光ミラ− - Google Patents

調光ミラ−

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Publication number
JPS5821120U
JPS5821120U JP11589281U JP11589281U JPS5821120U JP S5821120 U JPS5821120 U JP S5821120U JP 11589281 U JP11589281 U JP 11589281U JP 11589281 U JP11589281 U JP 11589281U JP S5821120 U JPS5821120 U JP S5821120U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
transparent
oxidized
electrode layer
redox reaction
Prior art date
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Granted
Application number
JP11589281U
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English (en)
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JPS622587Y2 (ja
Inventor
宣昭 吉田
陽介 高橋
Original Assignee
株式会社ニコン
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Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社ニコン filed Critical 株式会社ニコン
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Publication of JPS5821120U publication Critical patent/JPS5821120U/ja
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Granted legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図及び第２図は本考案の一実施例を示す調光ミラー
の断面図である。矢印は入反射光を表わす。 〔主要部分の符号の説明〕、Ａ・・・・・・透明電極、
Ｂ・・・・・・電解還元性薄膜（酸化タングステン）、
Ｃ・・・・・・固体中間層、Ｄ・・・・・・電解酸化性
薄膜（水酸化イリジウム）、Ｅ・・・・・・鏡面反射性
を有する電極層（アルミニウム）、Ｆ・・・・・・支持
体（ガラス板）、Ｇ・・・・・・保護層（ガラス板）。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. Ａ透明電極層、Ｂ可逆的に電解酸化還元反応可能な透明
    薄膜、Ｃイオン電導性で電子絶縁性の透明固体中間層、
    Ｄ可逆的に電解酸化還元反応可能な透明薄膜、Ｅ鏡面反
    射性を有する対向電極層からなり、前記Ｂ薄膜とＤ薄膜
    は一方が酸化された場合には他方は還元され、一方が還
    元された場合には他方は酸化され、そしてＢ薄膜、Ｄ薄
    膜のいずれか一方は酸化タングステンであり、Ｂ及びＤ
    薄膜が透明なとき全体の反射率を５０％以上としたこと
    を特徴とする調光ミラー。
JP11589281U 1981-08-04 1981-08-04 調光ミラ− Granted JPS5821120U (ja)

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JP11589281U JPS5821120U (ja) 1981-08-04 1981-08-04 調光ミラ−

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JP11589281U JPS5821120U (ja) 1981-08-04 1981-08-04 調光ミラ−

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Publication Number Publication Date
JPS5821120U true JPS5821120U (ja) 1983-02-09
JPS622587Y2 JPS622587Y2 (ja) 1987-01-21

Family

ID=29910140

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JPS622587Y2 (ja) 1987-01-21

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