JPS58210681A - カラ−センサ - Google Patents
カラ−センサInfo
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- JPS58210681A JPS58210681A JP57094490A JP9449082A JPS58210681A JP S58210681 A JPS58210681 A JP S58210681A JP 57094490 A JP57094490 A JP 57094490A JP 9449082 A JP9449082 A JP 9449082A JP S58210681 A JPS58210681 A JP S58210681A
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- solar batteries
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- Pending
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- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、色の識別を行うカラーセンサに関するもので
ある。
ある。
従来のカラーセンサとして第１図に示すようなものがあ
り、単結晶シリコンセンサ１１の上に赤外光による誤差
防止のための赤外フィルタ１３と色フィルタ１５とが重
ねて配設されている。色フィルタ１５はゼラチン色フィ
ルタであり、この色フィルタ１５の透過光波長を種々変
えれは、それに応じた波長の光が色フィルタ１５を透過
してシリコンセンサ１１によって検出される。従って、
色フィルタを各種変化させることによりカラーセンサと
して働くものである。
り、単結晶シリコンセンサ１１の上に赤外光による誤差
防止のための赤外フィルタ１３と色フィルタ１５とが重
ねて配設されている。色フィルタ１５はゼラチン色フィ
ルタであり、この色フィルタ１５の透過光波長を種々変
えれは、それに応じた波長の光が色フィルタ１５を透過
してシリコンセンサ１１によって検出される。従って、
色フィルタを各種変化させることによりカラーセンサと
して働くものである。
第２図は別な従来例を示し、ここで、ガラス基板２１上
にアモルファスシリコンによる太陽電池２３を形成して
おき、その入光側に色フィルタ２５のみを配設している
。この場合、太陽電池２３は赤外光には鈍感なため赤外
フィルタは不必要であるが、光検知素子と全く別個に色
フィルタを設けている点、基本的な構成は第１図のもの
と同じである。
にアモルファスシリコンによる太陽電池２３を形成して
おき、その入光側に色フィルタ２５のみを配設している
。この場合、太陽電池２３は赤外光には鈍感なため赤外
フィルタは不必要であるが、光検知素子と全く別個に色
フィルタを設けている点、基本的な構成は第１図のもの
と同じである。
しかしながら、このような構造のカラーセンサは、別個
な色フィルタを使用しているため、小型化するのに限度
があり、略３Ｉｍ口か現在のところ最小である。かりに
、三原色の検出用に３種類のフィルタを並置すれば、１
単位としてのカラーセンサの面積が大きくなり、分解能
が極めて悪くなる。
な色フィルタを使用しているため、小型化するのに限度
があり、略３Ｉｍ口か現在のところ最小である。かりに
、三原色の検出用に３種類のフィルタを並置すれば、１
単位としてのカラーセンサの面積が大きくなり、分解能
が極めて悪くなる。
また、センサ表面と色フィルタとの間隔があかざるを得
ないため方向性が悪い。さらに、小さな部品の組み合せ
なので製造上作業が困難である。
ないため方向性が悪い。さらに、小さな部品の組み合せ
なので製造上作業が困難である。
本発明の目的は、上述した欠点をすべて解消して、小型
で、方向性が良く、且つ微小パターンの認識の可能なカ
ラーセンサを提供することにある。
で、方向性が良く、且つ微小パターンの認識の可能なカ
ラーセンサを提供することにある。
このような目的は、透光性基板上に干渉フィルタを設け
、前記透光性基板および干渉フィルタを透過した光を受
けて電気信号に変換するように太陽電池を配置して構成
することによって達成される。
、前記透光性基板および干渉フィルタを透過した光を受
けて電気信号に変換するように太陽電池を配置して構成
することによって達成される。
以下図面に基づいて本発明の詳細な説明する。
第３園内および（Ｂ１１こ本発明実施例を示す。本実施
例カラーセンサを作るには、第３図（Ａ）に示す如く、
先ずガラスのような透明基板３１上に青、緑および赤色
用フィルタ３３Ｂ、３３Ｇおよび３３Ｒとしてのファプ
リー・ペロー干渉フィルタを形成する。青色用フィルタ
３３Ｂは２つの銀薄膜３５Ｂ１．３５Ｂ２の間に透明誘
電体３７Ｂを、緑色用フィルタ３３Ｇは両銀薄膜３５（
！１．３５Ｇ２の間に透明誘電体３７Ｇを、同様にして
赤色用フィルタ３３Ｒも両銀薄膜３５Ｒ１，３５Ｒ２の
間に別な透明誘電体３７Ｋをそれぞれ介在させた構成と
している。フィルタ相互間には一定間隔の隙間をとり、
透明誘電体３７Ｂ、３７Ｇ、３７Ｒのそれぞれの膜厚を
、青色用、緑色用、赤色用のそれぞれのフィルタとして
適合するように加減している。なお、透明誘電体の材質
としては例えばフッ化マグネシウム（Ｍｇｋ’２）かあ
る。かようにして、形成されたフィルタ３３Ｂ、３３Ｇ
および３３剋は、色識別用のフィルタとなる。
例カラーセンサを作るには、第３図（Ａ）に示す如く、
先ずガラスのような透明基板３１上に青、緑および赤色
用フィルタ３３Ｂ、３３Ｇおよび３３Ｒとしてのファプ
リー・ペロー干渉フィルタを形成する。青色用フィルタ
３３Ｂは２つの銀薄膜３５Ｂ１．３５Ｂ２の間に透明誘
電体３７Ｂを、緑色用フィルタ３３Ｇは両銀薄膜３５（
！１．３５Ｇ２の間に透明誘電体３７Ｇを、同様にして
赤色用フィルタ３３Ｒも両銀薄膜３５Ｒ１，３５Ｒ２の
間に別な透明誘電体３７Ｋをそれぞれ介在させた構成と
している。フィルタ相互間には一定間隔の隙間をとり、
透明誘電体３７Ｂ、３７Ｇ、３７Ｒのそれぞれの膜厚を
、青色用、緑色用、赤色用のそれぞれのフィルタとして
適合するように加減している。なお、透明誘電体の材質
としては例えばフッ化マグネシウム（Ｍｇｋ’２）かあ
る。かようにして、形成されたフィルタ３３Ｂ、３３Ｇ
および３３剋は、色識別用のフィルタとなる。
次いで、第３図（Ｂ）に示す如く、すべてのフィルタ３
３Ｂ、３３Ｇ、３３Ｈの上から全体的に透光性材料（例
えばシリコン窒化物、シリコン炭化物）をスパッタリン
グ等によって被徨して透光膜４１を形成する。さらに、
個々の太陽電池４３Ｂ、４３ｏ、４３ｔｔを対応するフ
ィルタ３３Ｂ、３３Ｇ。
３Ｂ、３３Ｇ、３３Ｈの上から全体的に透光性材料（例
えばシリコン窒化物、シリコン炭化物）をスパッタリン
グ等によって被徨して透光膜４１を形成する。さらに、
個々の太陽電池４３Ｂ、４３ｏ、４３ｔｔを対応するフ
ィルタ３３Ｂ、３３Ｇ。
３３にの上方に、フォトファブ工程で形成する。
青色用の太陽電池４３Ｂは両電極として作用する透明導
電膜４５Ｂ１裏電極４７Ｂの間ｌこアモルファスシリコ
ンによる非晶質半導体層４９Ｂ、緑色用の太陽電池４３
Ｇは透明導電膜４５Ｇ、裏電極４７Ｇの間に非晶質半導
体ｊ１４９Ｇ、同様にして赤色用の太陽電池４３にも透
明導電膜４５Ｒ１裏電極４７にの間に非晶質半導体層４
９Ｋをそれぞれ介在させて構成している。ここで、個々
の太陽電池の非晶質半導体層は、隣りのセンサからの雑
音を除去するために分離している。
電膜４５Ｂ１裏電極４７Ｂの間ｌこアモルファスシリコ
ンによる非晶質半導体層４９Ｂ、緑色用の太陽電池４３
Ｇは透明導電膜４５Ｇ、裏電極４７Ｇの間に非晶質半導
体ｊ１４９Ｇ、同様にして赤色用の太陽電池４３にも透
明導電膜４５Ｒ１裏電極４７にの間に非晶質半導体層４
９Ｋをそれぞれ介在させて構成している。ここで、個々
の太陽電池の非晶質半導体層は、隣りのセンサからの雑
音を除去するために分離している。
以上詳述した本発明実施例において、来入党が青色光な
らば、当該青色光は干渉フィルタ３３Ｂのみを透過する
ので、このフィルタ３３Ｂに対応する太陽電池４３Ｂの
みが来人光の光強度に応じた電気信号を、その透明導電
膜４５Ｂと裏電極４７Ｂとの間に発生する。緑色光、赤
色光についても同様にして太陽電池４３Ｇ、４３にのそ
れぞれによって、その光強度に応じた電気信号が得られ
る。
らば、当該青色光は干渉フィルタ３３Ｂのみを透過する
ので、このフィルタ３３Ｂに対応する太陽電池４３Ｂの
みが来人光の光強度に応じた電気信号を、その透明導電
膜４５Ｂと裏電極４７Ｂとの間に発生する。緑色光、赤
色光についても同様にして太陽電池４３Ｇ、４３にのそ
れぞれによって、その光強度に応じた電気信号が得られ
る。
つまり、カラーセンサとして作用する。また、青、緑お
よび赤色の複合した光の場合、それらの成分の強度に応
じて太陽電池４３Ｂ、４３Ｇおよび４３Ｒから電気信号
が得られる。
よび赤色の複合した光の場合、それらの成分の強度に応
じて太陽電池４３Ｂ、４３Ｇおよび４３Ｒから電気信号
が得られる。
本実施例によれば、フォトファブ工程によって製作して
いるので、工程が簡略していると共に、その工程によっ
てフィルタおよび太陽電池の形成密度が定まり、極めて
小製化できる。そのため、色感知部分が微小であるので
、１単位のカラーセンサの構成が非常に小さくなり、Ｎ
（３等の装置の「目」としての応用が可能である。個々
のセンサを多数集積した大面積カラーセンサも容易に実
現でき、情栂分野への応用が期待できる。
いるので、工程が簡略していると共に、その工程によっ
てフィルタおよび太陽電池の形成密度が定まり、極めて
小製化できる。そのため、色感知部分が微小であるので
、１単位のカラーセンサの構成が非常に小さくなり、Ｎ
（３等の装置の「目」としての応用が可能である。個々
のセンサを多数集積した大面積カラーセンサも容易に実
現でき、情栂分野への応用が期待できる。
また、干渉フィルタと太陽電池とが極めて接近している
ので、斜めの来入党に対して正確に作用する。この太陽
電池にアモルファスシリコンを採用しているので、コス
ト低減化もでき、低コストで大型カラーセンサの実現が
可能である。
ので、斜めの来入党に対して正確に作用する。この太陽
電池にアモルファスシリコンを採用しているので、コス
ト低減化もでき、低コストで大型カラーセンサの実現が
可能である。
【図面の簡単な説明】
第１図および第２図はそれぞれ従来のカラーセンサを示
す概略構成図、ｉ８３図（Ａｌおよび（Ｂｌは本発明に
よるカラーセンサの一実施例を説明するためのファプリ
ー・ペロー干渉フィルタ記よび実施例の断面構造図であ
る。 １１・・・単結晶シリコンセンサ、１３・・・赤外フィ
ルタ、１５．２５・・・色フィルタ、２１・・・ガラス
基板、２３・・・太陽電池、３１・・・透明基板、３３
Ｂ。 ３３Ｇ、３３Ｒ−・・ファプリー・ペロー干渉フィルタ
、３５Ｂ１．３５Ｂ２．３５Ｇ１．３５Ｇ２゜３５ｆｔ
１．３５１ｔ２・・・銀薄膜、３７Ｂ、３７Ｇ。 ３７Ｒ・・・透明誘電体、４１・・・透光膜、４３Ｂ、
４３ｏ、４３ｎ・・・太陽電池、４５Ｂ、４５Ｇ、４５
Ｒ・・・透明導電膜、４７Ｂ、４７Ｇ、４７Ｒ・・・裏
電極、４９Ｂ、４９Ｇ、４９３（・・・非晶質半導体層
。 特許出願人 京都セラミック株式会社 第１図 ３ 第２図 ９Ｉ：１
す概略構成図、ｉ８３図（Ａｌおよび（Ｂｌは本発明に
よるカラーセンサの一実施例を説明するためのファプリ
ー・ペロー干渉フィルタ記よび実施例の断面構造図であ
る。 １１・・・単結晶シリコンセンサ、１３・・・赤外フィ
ルタ、１５．２５・・・色フィルタ、２１・・・ガラス
基板、２３・・・太陽電池、３１・・・透明基板、３３
Ｂ。 ３３Ｇ、３３Ｒ−・・ファプリー・ペロー干渉フィルタ
、３５Ｂ１．３５Ｂ２．３５Ｇ１．３５Ｇ２゜３５ｆｔ
１．３５１ｔ２・・・銀薄膜、３７Ｂ、３７Ｇ。 ３７Ｒ・・・透明誘電体、４１・・・透光膜、４３Ｂ、
４３ｏ、４３ｎ・・・太陽電池、４５Ｂ、４５Ｇ、４５
Ｒ・・・透明導電膜、４７Ｂ、４７Ｇ、４７Ｒ・・・裏
電極、４９Ｂ、４９Ｇ、４９３（・・・非晶質半導体層
。 特許出願人 京都セラミック株式会社 第１図 ３ 第２図 ９Ｉ：１
Claims (1)
- １ 透光性基板上に干渉フィルタを設け、前記透光性基
板および干渉フィルタを透過した光を受けて電気信号に
変換するように太陽電池を配置して構成したことを特徴
とするカラーセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57094490A JPS58210681A (ja) | 1982-06-01 | 1982-06-01 | カラ−センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57094490A JPS58210681A (ja) | 1982-06-01 | 1982-06-01 | カラ−センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58210681A true JPS58210681A (ja) | 1983-12-07 |
Family
ID=14111733
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57094490A Pending JPS58210681A (ja) | 1982-06-01 | 1982-06-01 | カラ−センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58210681A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6136978A (ja) * | 1984-07-28 | 1986-02-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 触視覚センサ |
| JPH08204226A (ja) * | 1995-01-23 | 1996-08-09 | Agency Of Ind Science & Technol | 受光素子 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5068787A (ja) * | 1973-10-22 | 1975-06-09 | ||
| JPS54116890A (en) * | 1978-03-03 | 1979-09-11 | Hitachi Ltd | Photoelectric converter |
-
1982
- 1982-06-01 JP JP57094490A patent/JPS58210681A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5068787A (ja) * | 1973-10-22 | 1975-06-09 | ||
| JPS54116890A (en) * | 1978-03-03 | 1979-09-11 | Hitachi Ltd | Photoelectric converter |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6136978A (ja) * | 1984-07-28 | 1986-02-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 触視覚センサ |
| JPH08204226A (ja) * | 1995-01-23 | 1996-08-09 | Agency Of Ind Science & Technol | 受光素子 |
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