JPS5820905B2 - 単一相セラミツク化合物の製造法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はマイクロ波誘電材料として使用する近似公称組
成りａ２Ｔｉｇ０２ｏを有する単−相セラミック化合物
の製造方法ｌこ関する。

Ｂａ０−ＴｉＯ□系の特定の組成を持つ誘電体材料は共
振素子用としてマイクロ波装置たとえば帯域通過フィル
ターや、帯域消去フィルターに使用される。

種々の電気装置は、種々の目的に対して種々の特性を持
つ誘電体材料を使用している。

たとえば、適度の高誘電率を持つ材料が、位相シックの
みならず誘電共振器フィルター・マイクロ波ス） ＩＪ
ツブ線回路、種々の発振器等の装置に使用されている。

誘電率は、そのような装置の設計上重要な変数である。

また、低損失および温度安定性も等しく重要である。

ある種の装置に対して、低損失であることは電気信号の
散逸を防ぐために必要であり、高いＱと狭い帯域幅を持
つ回路設計にも必要である。

温度安定性はこれらの装置の周波数変動を防止するため
に必要とされる。

外部からの温度安定化が使用されるときの良好な温度安
定性により、周波数特性のより緻密な制御が与えられる
。

しかし、ある物に対してはそのような安定化は不要であ
る。

さらに、外部からの温度安定化は誘電体材料のマイクロ
波加熱による温度変化を補正できない。

今日まで、高い誘電定数と低損失の材料を得ることは比
較的容易であった。

しかし、そのような材料は誘電定数の比較的大きい温度
変化を伴なう欠点があった。

この温度変化はｐｐ［１１７℃で誘電定数の変化を表わ
す温度係数によって表わされる。

たとえば周波数等の装置特性は、誘電率のわずかな変動
にも特に敏感である。

この問題は、低損失の問題と同様マイクロ波領域（０，
５Ｇ（ｚから２００ＧＨｚ）等の高周波においてより重
大である。

この理由から（約１００ｍｃ以下の）これより低い周波
領域の用途に適する誘電体材料は、マイクロ波領域では
完全に適用できなかった。

ここで関係する温度係数は、誘電共振器の共振周波数の
変化によって決定されるものである。

この実効温度係数は誘電効果と同様に熱膨張効果を含ん
でいる。

その実効温度係数は次式によって決定される。

ここで、ｆは共振周波数である。

現在知られている誘電体材料は、マイクロ波領域におけ
る誘電体共振装置に広い用途を持っていない。

たとえば（式ＢａＴｉ４０ｇにより表わされる）２０モ
ル％ＢａＯと８０モル％Ｔ ｔ ０２を有する良材料の
１つは、３８．０の誘電率、２５００に等しく、）Ｑを
持ち、２−１１ ＧＨｚで一４９ｐｐｍ／℃の（誘電率
の）温度係数を持つ（Ｄ、Ｊ 、マツセ他、ＩＥ部全会
報１９７１年１１月第１６２８頁）。

誘電率およびＱは、マイクロ波に対しても満足できるが
、温度係数は非常に高く、装置特性を安定化させるため
には非常に緻密な温度制御が必要とされる。

１４．０モル％ＢａＯと８６．０モル係Ｔｉｅ２を有す
る第２の材料でも類似した結果が得られた。

その材料は、５０．３の誘電率、１６００のＱおよびＸ
バンド周波数で−３６８ｐｐｍ／’Ｃの（誘電率の）温
度係数を持つ（８−１２ＧＨｚ 、、Ｄ、Ｗ−リーディ
他、゛マイクロ波高誘電率材料″コントラクト番号ＤＡ
ＡＢＯ７−６９−０４５５、レポート制御記号０８ＤＯ
１３６６に関する最終レポート）。

本発明は誘電材料として特定の組成の材料を用いたマイ
クロ波装置に関するものである。

材料組成は王にＢａＯ−ＴｉＯ２系である。

しかしながら、ＢａＯやＴｉＯ□に代っである酸化物を
限定して置換することは、材料の誘電特性を損うことな
く作製されうる。

これらの置換された酸化物は、しばしばＢａＯとＴｉＯ
２について自然に生じる酸化物である。

したがって、意図しないこれら不純物の存在は、鈍物で
ない材料（それゆえ低価格である）が使用される大量生
産に対して、特に経済的に有利である。

また、その材料から作られるセラミックスの機械的特性
もしくは結晶の単位構造の大きさは、これらの置換によ
って改善できる。

組成を定義する便利方法は、２価の金属酸化物のモル％
と、４価の金属酸化物のモル係によっている。

誘電材料は１８−１９％の２価の金属酸化物ＸＯと、残
りが４価の金属酸化物を生じる材料から本質的に作られ
る組成よりなる。

ＸＯの総量のうち、ＸＯの０．４モル係までがＢａＯ以
ノ外Ｄ２価の金属酸化物（たとえばＭｇＯ，ＣａＱ、５
ｒＯｅ）であって残りがＢａＯである。

ＹＯ２の総量のうち、ＹＯ２の７モル係までがＴ Ｉ０
２以外の４価の金属酸化物（たとえばＺｒＯ２、ＨｆＯ
２、ＳｎＯ３、ＳｉＯ２等）であって残りがＴｉＯ２で
ある。

これらの制限をこえる場合には温度係数は著しく増大す
る。

２価および４価の金属酸化物以外の酸化物はしりぞけら
れるべきであるし、また少なくとも０．５重量％以下に
保つべきである。

何となれば、これらの酸化物が材料の誘電特性、特に低
温に於ける誘電率を変化させるからである。

当然の事ながら、１８．０−１９．０モル％ＢａＯ１残
りがＴ ｔ ０２は上記に説明した成分ｌこ含まれ、厳
密な品質管理が望まれる場合により好ましい。

１８．０−１９．０モル係のＢａへ残りがＴｌＯ２の材
料組成物はＢａ２Ｔｉ０２０化合物に密接に対応してい
る。

特許請求の範囲で請求された組成物の有益な特性は、こ
の化合物の形成から始まる。

本発明の要件とする作製方法はその特定の手順が良好な
る結果を導く。

その手順については、後で詳述する。

なお、この誘電材料を使用したマイクロ波装置は高誘電
率と低損失（高いＱ）および温度係数が特に低いといっ
た優れた性能を示す。

たとえば、マイクロ波装置の電気的特性の非常に緻密な
制御が、外部温度安定化で得らへある物に対しては、外
部温度安定化を必要としない。

これらの材料の代表的誘電特性は、３９．３の誘電率、
６０００以上のＱおよび一５ｐｐｍ／°Ｃの温度係数で
ある。

（１）組成の関数としての電気的特性 本発明は、組成の関数として誘電体材料の電気的特性を
学ぶことによって最も良く理解される。

その電気的特性はマイクロ波領域で測定される。

というのは適切な特性を得ることの困難性はこの周波数
領域にあるからである。

電気的装置への適用で重要な３つの性質は、誘電率、誘
電損失（すなわち高いＱ）および誘電率の温度係数であ
る。

これらの量は、通常の手段によって測定される。

誘電率は、特定の幾何学機構Ｊこおける誘電体材料ｌこ
関する’ｒＨａＩ□モードの合成周波数を測定すること
によって得られる。

誘電損失はＴＥｏ□８誘電共振器モードのＱを決定する
ことによって測定される。

そして誘電率の実効温度係数は、温度の関数としての誘
電共振器モードの周波数変化を決定することによって測
定される。

第１図には、誘電率、誘電損失（Ｑの見地から）および
実効温度係数が誘電体材料の組成の関数としてプロット
されている。

特に、実効温度係数の絶対値がＢａ２Ｔｉ０２０に対応
する組成に近い位置で最小になることに注目すべきであ
る。

装置という観点から、満足いく結果はさきｌこ述べたＸ
ＯおよびＹＯ２の組成に限って１８．０−１９．０モル
係の２価の金属酸化物ＸＯと残りが４価の金属酸化物Ｙ
０２組成から作られた誘電体材料により得られる。

誘電率の最小温度係数に対しては、１８．０−１８．３
モル係の２価の金属酸化物と残りが４価の金属酸化物が
好ましく、これも広い成分範囲に対して前述したような
２価の金属酸化物と４価の金属酸化物の組成に限定され
る。

また、１８．１−１８．３モル係のＢａＯと残りがＴｉ
Ｏ２の化合物はこの組成範囲に含まれ、高度の質制御が
望まれる場合にしばしば有用である。

この組成は、公称組成りａ２Ｔｉｇ０２０に密接に対応
し、その組成から所望の誘電特性の多くが与えられる。

たとえば、Ｘ線研究等の他の研究により適切な誘電体特
性の特殊の組合せに対する確実な相（形態）は近似式Ｂ
ａ ２ Ｔ ｉ０９０２０を有する化合物であること
がわかっている。

たとえば、１８．１から１８．３モル％のＢａＯで残り
がＴ ｉｏ ２の（Ｂ ａ２ Ｔ １Ｏ００２０の構成
に密接に対応している）組成では、１つの相のみが検出
され、この範囲外では他の相が現われ始める。

さらに、すでに概説した制限と矛盾しない置換は、検出
しうるいかなる別の相も発生しない。

次に本発明に係わる誘電体材料を用いた装置の例を説明
する。

（２）誘電体材料を用いてた装置 この誘電体材料を用いて多種類の装置が作られる。

マイクロ波領域で従来使用されている導波装置よりも安
価で小型の装置が作られるストリップ線技術を採用でき
ることは特に有益である。

また、これらの装置に使用される誘電体材料の特性およ
び装置設計に大きい適応性があり、性能的に慶れている
。

ある種の装置は、誘電体材料を誘電共振器として使用す
る。

誘電共振器は、マイクロ波エネルギーの周波数に対して
、そのマイクロ波エネルギーが共振器の内側で共振（高
エネルギー蓄積を持つ）するような大きさおよび形状を
有する。

代表的装置が第２図と第３図に示されている。

この装置は帯域フィルターであり、ある帯域の周波数は
伝搬させ、その帯域の外側の周波数は消去する。

第２図は示された装置は、円筒形共振器２１、ストリッ
プ線導体２２セラミツク２５から作製されている。

第３図は、円筒形共振器２１およびストリップ線導体２
２を持つ同一装置を示す平面図である。

この装置の周波数および帯域特性は、これらの円筒形共
振器の直径および高さ、それとこれら共振器間の間隔に
ほぼ関連している。

第２図と第３図に示された帯域フィルター？こおいで、
ストリップ線は構造的に遮断されている、したがって、
その構造は（誘電共振器がない場合）マイクロ波エネル
ギーを伝搬しない。

エネルギーを一方のストリップ線から他方に結合させる
ために、１個あるいはそれ以上の誘電共振器が遮断され
たストリップ線間に挿入される。

誘電共振器を互いに接近させておくことにより、直接結
合がなされる。

また、共振器間にストリップ線が使用される場合は誘電
共振器を４分の１波長の奇数倍だけ離して設けても結合
しうる。

ここでいう波長とはマイクロ波フィルターの内側のマイ
クロ波波長である。

４ＧＨｚの中心帯域周波数に対する誘電共振器の大きさ
は、直径０．６インチ、高さ０．１７５インチである。

第４図は、（ある帯域周波数を伝搬しない）帯域消去フ
ィルター４０の側面図を示している。

ストリップ線導体４２およびセラミック基板４３だけで
なく円筒共振器４１も示されている。

ここでは、ストリップ線は連続しており、誘電共振器が
なくとも伝搬する構造になっている。

誘電共振器は、４分の１波長の奇数倍だけ離れておかれ
ており、誘電共振器の共振周波数付近の周波数を伝搬さ
せない構造をなしている。

第５図は、伝搬導波管５２内に誘電共振器５１を、非伝
搬導波管５５内に幾つかの誘電共振器を含む誘電共振器
コンプリメンタリ・フィルター５０を示している。

伝搬および非伝搬導波管における誘電共振器の間隔は異
っている。

その誘電共振器は、通常マイクロ波回路内を伝搬する周
波数範囲の狭い帯域の周波数が帯域消去部５３で消去さ
れるが帯域通過部５４で通過せしめられるように配列さ
れている。

これは、通信システムにおいである狭い帯域の周波数あ
るいは大きい帯域の周波数からチャネル、もしくは多く
のチャネルを取り除く効果を持つ。

最後に本発明に係わる単−相セラミック化合物よりなる
誘電体材料製造の例を説明する。

（３）誘電体材料の作製 誘電体材料の作製には多種類の方法がある。

たとえば、単結晶は電気装置で作製さね、かつ使用する
ことができた。

しかし、この方法では大量の単結晶を作製することは困
難であり、かつ特殊の形あるいは大きさの電気装置を必
要とするため、しばしば経済的不利益を有する。

このような理由で、セラミック状の誘電体材料の作製に
は多結晶技術が有益である。

２価の金属酸化物がＢａＯ１４価の金属酸価物がＴ ｉ
０２の場合の作製方法について説明する。

初期材料は、作製された状態でＢａＯとＴ １０２を与
えるものであれば、どのような試薬であってもよい。

試薬用として、たとえばＢａＣＯ２とＴｌＯ２が好都合
である。

試薬の分量を測定し、この試薬をボール・ミル、フリー
ズ・ドライ、スプレー・ドライ等の慣用手段により混合
する。

混合された試薬は、酸素を含む雰囲気中で１〜４８時間
にわたり１０００℃から１２００℃の間の一定温度で乾
燥され、選別され、そして反応を生起せしめられる。

良好な生産物を得るためには、２〜６時間にわたって１
１２５°Ｃ〜１１７５℃の温度で反応させるのが好まし
く、また、酸素に富んだ雰囲気、たとえば少なくとも９
０％の酸素を含んでいる雰囲気が好ましい。

Ｘ線解析は分解してＢａＯとＴｉＯ２を与える試薬の分
解および反応生産物の形成状態をモニターするために使
用されうる。

反応で生じた粉末をさらに混合することもまた有益であ
る。

上記に関する混合を行う１つの方法は、たとえばポリエ
チレン等からできている容器中にアセトン等の有機液体
あるいは水等を入れて、その中でボール・ミル（たとえ
ばＬ−Ｈ−Ｖｃｎ Ｖｌａｃｋ 。

Ａｄｄ １ｓｏｎ−Ｗｅｓ ｌｅｙ １著” Ｐｈｙｓ
ｉｃａｌ ＣｅＶｒａｍ−ｉｃｓ ｆｏｒ Ｅｎｇｉｎ
ｅｅｒｓ”参照）する方法がある。

この場合のボールはアルミニウム、ケイ酸塩および酸化
アルミニウム等のごとき種々の材料からでさている。

単にわずかな一定量の誘電体材料が作られる場合のごと
く、価格を問題としない場合には有機液体を用いる方が
好ましい。

有機液体はその中で反応体が溶解しえないから反応体の
化学量論を変えない。

水は価格が問題となる場合には好ましい。

この場合、一部の反応体が水に溶け、反応体の初期量に
対して幾分かの調整を行い、ボール・ミルした後の組成
物を化学量論的組成に対応させる必要がある。

この問題を避けるために、ボール・ミルに使用される前
に水を反応体で飽和させておくようにする（あるいは連
続的にその水を再使用する）ことができる。

焼結したり高温圧縮したりすることによって誘電体に変
換する前に、反応済出発物質を酸で浸出することが好ま
しい。

この方法は、最終生成物（誘電体）のＱを改良し、かつ
製造面においてＱの均等性をよくする。

また、この方法によれは最終生成物のエージング品質（
特に温度サイクルに対するＱの安定性）を改良する。

ｉｏ’以上の解離定数を有する酸であるならば、どんな
ものでも浸出に使用することができるが、最適なものと
してはＨＮＯ３、Ｈ２ＳＯ４およびＨＣｌ等の強酸（解
離定数が１０−２以上）があげられる。

酸による濾過は１０秒間乃至６時間にわたって行われる
。

特に２時間乃至４時間程度の時間が好ましい。

温度は酸の凍結温度から約５０℃までの範囲で行われて
もよいが、便宜上室内温度でもよい。

５０°Ｃ以上の酸による浸出は不都合で５０℃以下の酸
による浸出以上の効果を持たない。

酸濃度は０．１モルから通常の酸濃度（普通１０−１８
モル）の範囲内のものを使用することができ、通常の酸
濃１（１０−１８モル）のものが便宜上好ましい。

典型的な方法としては酸と粉末とを２００ｍ１対１００
グの割合で濃硝酸（１４−１７モル）を使用し、室内温
度で３時間酸浸出を行うことである。

この浸出方法では、出発物言よりもバリウム（Ｂａ）に
富んでいる物質を除去してしまうから、最終生成物は最
少絶対値τｅｆｆに相当する所望する組成物とならない
。

酸浸出が使用される場合には、初期組成物はこのバリウ
ム（Ｂａ）損失を補償するように与えられなければなら
ない。

典型的には、上記のごとき条件のもとでは、１８．４−
１８．６モル％の酸化バリウム（Ｂａｄ）と残りが２酸
化チタン（ＴｉＯ２）から初期組成物が絶対値τｅｆｆ
の最少値を生ずる。

第６図は初期組成物を変えることによるτｅｆｆの最小
化方法を説明しており、（ｐｐｍ／℃）の単位のτｅｆ
ｆ対ＴｉＯ２のモルチで示す誘電体の初期組成との関係
のグラフを示す。

初期濃度を変えて夫々のτｅｆｆ ’２測定することに
よって、図に示す最小τｅｆｆに対する初期濃度の関係
が特定の酸溶解法について得られる。

この実施例では、濃硝酸を浸出酸として使用し上の章に
記載した方法で行った。

同様な結果が濃塩酸でも得られる。

同じ程度に良好な結果が硫酸でも得られるが、最適の初
期濃度は、浸出処理しない方法の最適濃度の２酸チタン
がリッチな側に現われる。

浸出せぬ物質に比べてのＱの典型的改良は次のとおりで
ある。

浸出せぬ物質のＱが４９００に対し硝酸 （ＨＮＯ３）浸出；９４００．塩酸（ＨＣ，／、）浸出
；９２００、硫酸（Ｈ２Ｓ ０４ ）浸出； ９６００
とＱが改良される。

酸浸出はＢａＯ−ＴｉＯ２系の他の組成の誘電特性をも
改良する。

たとえば、１９−２１モル係の酸化バリウム（Ｂａｄ）
残りが２酸化チタン（ＴｉＯ２）の組成分を本質的に上
述のごときセラミックに与えて酸による浸出を行わない
場合、４ＧＨｚの周波数では６４００のＱが生じ、ここ
で酸浸出を行った場合には、Ｑは９４００になった。

この組成範囲内で、有効的化合物はチタン酸バリウム（
Ｂ ａ Ｔ ｉ０４０９）であると考えられる。

この理由として、チタン酸バリウム（Ｂ ａＴ １４０
９ ）〔２０モル％のＢａＯと残りがＴｉ０２）の組成
に近い組成は、たとえは１９．５−２０．５モ／ｌ／％
のＢａＯ残りがＴ ｉ０２であるものであるからである
。

これらの物質の特性および参考資料は以下の刊行物に与
えられている。

１、 ” Ｐｒｏｏｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ
ＩＥＢＥ”Ｖｏｌ、 ５９．Ｎｏｖ−１９７１−ＰＰ
−１６２８−１９２９Ｄ−Ｊ−Ｍａｓｓｅ他著 ２、゛′マイクロウェーブ高誘電電定数材料パ（Ｍｉｃ
ｒｏｗａｖｅ Ｈｉｇｈ ＤｉｅｌｅｃｔｒｉｅＣｏｎ
ｓｔａｎｔ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ）レイソン社（ｔ
ｈｅ Ｒａｙｔｈｅｏｎ Ｃｏ−）のＤ−Ｗ−Ｒｅａｄ
ｙ他によるファイナル レポート（契約番号ＤＡＡＢＯ
７−６９−０４５５テクニカルレポート ＢＣＯＭ−０４５５Ｆ ・レポート整理シンボル０８０
−１３６６．１９７１年６月 装置！に適用する特定の形状をもつ誘電体は、熱プレス
あるいは焼結かの２つの方法のうちいずれか一方によっ
て作られる。

好ましくは、これらの工程は酸素に富んだ雰囲気中で行
うのが良い。

これらの方法はセラミック体を密にする過程（以下テン
スフイーケーションという）を含むので、この誘電性の
密度は、たとえば単結晶の誘電材料によって表わされる
理論密度に近づく。

熱プレス方法では、密な物を得るためにセラミックを高
圧高温にさらせる。

代表的圧力は１０００−６０００ｐｓｉすなわち７０．
３−４２２ｋｇ／ｃｉｔ、あるいは６．８９４．８００
−４１３６８８０ＯＮ／ｍ２である。

この下限圧力は理にかなったデンスフイケーションを保
証するためである。

上限は、より高い圧力がそれ以上の利益をもたらさない
ことから便宜上設けたものであり、さらに加圧ダイスの
破砕を防止するためでもある。

温度は１１５０°Ｃ−１４００℃である。

この下限はデンスフイケーションを保証するためである
。

上限は、より高温にすることが付加的利益をもたらさな
いことから便宜上定めである。

完全な反応を保証するための最小時間は３０分で、反応
が完全である最大時間は１０時間である。

到達した密度は理論値の９９チである。

必要な場合、再酸化処理がなされる。

この処理は、１０−１００時間にわたり酸素に富んだ雰
囲気中で９００−１４００℃間の一定温度で実行される
。

この下限は反応を保証するために設けられる。

上限は、より高い温度あるいはより長い反応時間を与え
て付加利益がないために便宜上設けられている。

焼結作業においては、誘電体材料は最初に２０００−１
００００ｐｓｉすなわち１４０．６−７０３、 ｌ ｋ
ｇｉ＝あるいはｌ ３．’７８９，６（１０−６８、９
４８，００ＯＮ／ｍ”の圧力で鋼鉄ダイス内で加圧され
る。

その後、１３００°Ｃ−１４２０°Ｃ間の一定温度で加
熱され、■−２４時間保持され、その後冷却される。

上述の圧力、温度および時間範囲において、下限は、誘
電体材料から作られた物質の適当なテンスフイケーショ
ンを保証するために課せられており、上限はその限度を
越えても得る利益がないため便宜上設けられている。

毎時３００℃よりも高い加熱および冷却速度は生産物に
損傷を与えるが、下限は便宜上だけの意味しかない。

また、これらの生産物は前述したような後燃焼（Ｐｏｓ
ｔ−ｆｉｒ−ｉｎｇ）再酸化処理を施される。

以下に本発明の実施態様について述べる。

（１）マイクロ波誘電材料として使用する近似公称組成
り ａ ２ Ｔ ｔ ｇ ０２０を有する単−相セラミ
ック化合物の製造方法に於て、１８．０−１９．０モ）
Ｌ／チのＢａＯと残りがＴｉＯ□からなる化合物を生ず
る出発物質を１１２５乃至１１７５℃の温度で、少くと
も９０係の酸素を含む酸素リッチの雰囲気で反応せしめ
；引続き反応生成物を酸で浸出し；次に６，８９４，８
００乃至４１，３６８，８０ＯＮ／ｍ”（１０００−６
０００ｐｓｉ ）の圧力下、１１５０乃至１４００℃の
温度で０．５乃至１０時間熱圧するか、あるいは先づ１
３，７８９，６００と６８．９４８，００ ＯＮ／ｍ”
の間の圧力（２０００−１００００ｐｓｉ）で圧縮した
後、１３００から１４２０℃の範囲の温度に１から２４
時間維持することにより成形および高密化し、その後冷
却することを特徴とする単−相セラミック化合物の製造
方法。

（２）上記第（１）項記載のプロセスにおいて、酸浸出
には強酸が使用されることを特徴とする。

（３）上記第（２）項記載のプロセスにおいて、酸の濃
度は０．１モルから通常の濃厚な酸（１ｏ−、ｔｓモル
）の濃度の間のものであることを特徴とする。

（４）上記第（２）項記載のプロセスにおいて、前記濃
厚な酸として硝酸が使用されることを特徴とする。

（５）上記第（２）項記載のプロセスにおいて、前記濃
厚な酸として塩酸が使用されることを特徴とする。

（６）上記第（４）項記載のプロセスにおいて、濃（１
０−１５モル）硝酸が使用され、かつ酸浸出は室内温度
で２−４時間行われることを特徴とする。

（７）上記第（１）項記載のプロセスにおいて、さらに
別のプロセスで酸バリウム（ＢａＯ）と２酸化チタン（
Ｔ１０２ ）とを生ずる測定された量の材料が本質的に
１８．０−１９．０モル％の酸化バリウム（Ｂａｄ）と
残りが２酸化チタン（ＴｌＯ２）とを有する組成からな
る誘電材料を生ずるようにすることを特徴とする。

（８）上記簾１）項記載のプロセスにおいて、前記誘電
体材料は本質的に近似式Ｂ ａ２Ｔ ｉｎ ０２０ ｉ
有する化合物からなることを特徴とする。

（９）上記第（１）項記載のプロセスにおいて、さらに
別のプロセスで酸化バリウム（Ｂａｄ）および２酸化チ
タン（Ｔｉ０２）とを生ずる測定された量の材料が本質
的に１９．０−２１．０モル％の酸化バリウム（Ｂａｄ
）と残りが２酸化チタン（Ｔ ｉ０２ ）とを有する組
成からなる誘電体材料を生ずるようにすることを特徴と
する。

α０）上記策９）項記載のプロセスにおいて、前記誘電
体材料は本質的に近似式Ｂ ａＴ １４０９を有する化
合物からなることを特徴とする。

【図面の簡単な説明】

第１図は、誘電率に１Ｑ、温度係数Ｃについてのデータ
を材料組成の関数として示している図、第２図は誘電体
材料を含んでいる帯域フィルターの側面図、第３図は第
２図示フィルターの平面図、第４図はストリップ線導体
および誘電共振器を有する帯域消去フィルターの側面図
、第５図は誘電体材料を有するコンプリメンタリ−・フ
ィルターの平面図、第６図は酸ｌこ溶解させ、沢過した
場合および酸に溶解濾過させなかった場合に対する温度
係数のデータを初期の材料組成の関数として示している
グラフ図である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ マイクロ波誘電材料として使用する近似公称組成り
   ａ２Ｔｉｇ０２ｇを有する単一セラミック化合物の製造
   方法において、１８．０−１９．０モル係のＢａＯと残
   りがＴｉＯ２からなる化合物を生ずる出発物質を１１２
   ５乃至１１７５°Ｃの温度で、酸素リッチの雰囲気で２
   −６時間反応せしめ；引続き反応生成物を強酸で浸出し
   ；次に６８９４８００ないし４１３６８８０ＯＮ／ｍ”
   の圧力下、１１５０乃至１４００℃の温度で０．５乃至
   １０時間誘電材料を加圧することにより行なう熱圧によ
   って、酸で溶解した材料を成形し、高密度化し；引続き
   ９００°と１４００°Ｃの間の温度で酸素リッチの雰囲
   気で１０−１００時間行なう再酸化処理することを特徴
   とする単−相セラミック化合物の製造方法。 ２ マイクロ波誘電材料として使用する近似公称組成り
   ａ ２ Ｔ ｌ ９０２０を有する単一セラミック化
   合物の製造方法において、１８．０−１９．０モル％Ｂ
   ａＯと残りがＴｉＯ２からなる化合物を生ずる出発物質
   を１１２５乃至１１７５℃の温度で、酸素リッチの雰囲
   気で２−６時間反応せしめ；反応生成物を強酸で浸出し
   ；酸で溶解した材料を所望の形に成形し；次に酸素リッ
   チの雰囲気で焼成した後、引続き酸素リッチの雰囲気で
   ９００°と１４００°Ｃの間の温度で、１０−１００時
   間行なう再酸化処理することを特徴とし、該焼成が先づ
   １３７８９６００と６８９４８０００ Ｎ ／ ｍ”の
   間の圧力で誘電材料を圧縮した後、１３００から１４２
   ０℃の範囲の温度に１から２４時間維持することにより
   行なわれる単−相セラミック化合物の製造方法。