JPS58208997A - 誤り訂正を行なう記憶装置の部分書込みを含む連続動作方式 - Google Patents
誤り訂正を行なう記憶装置の部分書込みを含む連続動作方式Info
- Publication number
- JPS58208997A JPS58208997A JP57089845A JP8984582A JPS58208997A JP S58208997 A JPS58208997 A JP S58208997A JP 57089845 A JP57089845 A JP 57089845A JP 8984582 A JP8984582 A JP 8984582A JP S58208997 A JPS58208997 A JP S58208997A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- address
- write
- error correction
- signal
- data
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は,コンピュータ等情報処理装置に関し。
特に、記憶装置の高速連続読出し/書込み動作方式に関
する。
する。
近年,半導体集積回路技術の急速な発展に伴ない,記憶
装置に使用される半導体メモIJ I Cは。
装置に使用される半導体メモIJ I Cは。
ますます大容量化される傾向にある。とのような大容量
メモIJ I Cを記憶媒体とする記憶装置は。
メモIJ I Cを記憶媒体とする記憶装置は。
高床に読出し/書込み動作ができることが要求されるた
けでナク,高速にデータを転送することも曹求される。
けでナク,高速にデータを転送することも曹求される。
従来,高速にデータの読出し又は書込みを行なう方法と
して,異なるメモリIC群を並行して読み書き動作させ
るインターリープ動作が知られていろ。しかしながら、
メモリIC単体は、入出力ピン数を減らすために1例え
ば、64にワード×1ビ、y) 、256にワード×1
ビット等、ワード方向に大容量化される傾向にあるため
、複数個のメモIJ I C群に分割してインターリー
ブ動作を行なうと、メモリ装置の容量が増大する欠点が
あった。
して,異なるメモリIC群を並行して読み書き動作させ
るインターリープ動作が知られていろ。しかしながら、
メモリIC単体は、入出力ピン数を減らすために1例え
ば、64にワード×1ビ、y) 、256にワード×1
ビット等、ワード方向に大容量化される傾向にあるため
、複数個のメモIJ I C群に分割してインターリー
ブ動作を行なうと、メモリ装置の容量が増大する欠点が
あった。
ところで、このような大規模メモリICとして。
入力ピン数を減らすために、タイミング入力と共に、ア
ドレス信号を2回に分けて第1及び第2のアドレス信号
として受信するアドレス2回転送メモリICがよく使わ
れる。そして、この種メモリICでは、第2のアドレス
信号を変えることにより、第1のアドレス信号で指定さ
れたアドレスのうち、第2のアドレス信号によシ指定さ
れたアドレスへ高速に書込み、読出しが連続して行なえ
るようにしたものがある。
ドレス信号を2回に分けて第1及び第2のアドレス信号
として受信するアドレス2回転送メモリICがよく使わ
れる。そして、この種メモリICでは、第2のアドレス
信号を変えることにより、第1のアドレス信号で指定さ
れたアドレスのうち、第2のアドレス信号によシ指定さ
れたアドレスへ高速に書込み、読出しが連続して行なえ
るようにしたものがある。
このようなメモリICを複数個用いてメモリIC群を構
成すると、第1のアドレス1d号で指定されたメモlJ
、Ic群の任意の第2のアドレスに対し、高速に読出し
書込みが行なえるため、高速データ転送が可能となる。
成すると、第1のアドレス1d号で指定されたメモlJ
、Ic群の任意の第2のアドレスに対し、高速に読出し
書込みが行なえるため、高速データ転送が可能となる。
しかしながら、誤ジ訂正を行なう記憶装置では1部分書
込み動作(データ幅のうちの−部に書込みを行なう部分
書込み動作)を含む高速連続読出し書込み動作を行なう
場合には、第2のアドレス信号により指定されたアドレ
スから読出したデータから誤り検出誤り訂正を行なうと
共に2部分書込みデータと読出しデータの一部である再
書込みデータとから誤り訂正符号を発生させた後2部分
書込みを行なうため2部分書込みを含む読出し書込み動
作が遅くなるという欠点があった。
込み動作(データ幅のうちの−部に書込みを行なう部分
書込み動作)を含む高速連続読出し書込み動作を行なう
場合には、第2のアドレス信号により指定されたアドレ
スから読出したデータから誤り検出誤り訂正を行なうと
共に2部分書込みデータと読出しデータの一部である再
書込みデータとから誤り訂正符号を発生させた後2部分
書込みを行なうため2部分書込みを含む読出し書込み動
作が遅くなるという欠点があった。
本発明の目的は、誤シ訂正を行なう記憶装置にオイテ、
アドレス2回転送によりアドレス信号定するメモリIC
を用いて1部分書込みを含む読出し書込み動作を高床に
行なう方式を提供することにある。
アドレス2回転送によりアドレス信号定するメモリIC
を用いて1部分書込みを含む読出し書込み動作を高床に
行なう方式を提供することにある。
本発明は、第1及び第2のアドレス信号を受け。
第1のアドレス信号で限定された第2のアドレス信号の
指定による複数のアドレスに読出し父は店込みを行なう
メモリ素子群からなる記憶部と、誤り訂正符号発生機能
及び誤り訂正機能を有するデータ制御部と、前記記憶部
に読出し又は書込み制M+ (:”、 n及びアドレス
信号を送出し、前記データ制佃1部に誤り訂正符号発生
及び誤り訂正を制御する信号を送出するメモリ制御部と
を含み、前記メモリ開山1部は、同一の第1のアドレス
信号の指定する複数のアドレスへ部分書込みを含む連続
動作を行なう際に、前記記憶部から部分書込みアドレス
の情報を読出して前記データ制御部へ入力させた後に、
第2のアドレス信号により他のアドレスに対し少なくと
も一度読出し又は書込みを行なって。
指定による複数のアドレスに読出し父は店込みを行なう
メモリ素子群からなる記憶部と、誤り訂正符号発生機能
及び誤り訂正機能を有するデータ制御部と、前記記憶部
に読出し又は書込み制M+ (:”、 n及びアドレス
信号を送出し、前記データ制佃1部に誤り訂正符号発生
及び誤り訂正を制御する信号を送出するメモリ制御部と
を含み、前記メモリ開山1部は、同一の第1のアドレス
信号の指定する複数のアドレスへ部分書込みを含む連続
動作を行なう際に、前記記憶部から部分書込みアドレス
の情報を読出して前記データ制御部へ入力させた後に、
第2のアドレス信号により他のアドレスに対し少なくと
も一度読出し又は書込みを行なって。
再び当該部分書込みアドレスに前記データ制御部から出
力される情報を書込むことを特徴とする。
力される情報を書込むことを特徴とする。
誤り訂正を行なう記憶装置の部分書込みを含む連続動作
方式である。
方式である。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図を参照すると1本発明の一実施例は、メモリ制御
部1と、記憶部2と、データ制御部3とを含む。メモリ
制御部1は、スタート信号4.読出し/書込み指定信号
5.アドレス信号6を入力とじ、アドレス信号9.読出
し/書込み制御信号10、データ制御信号11を出力と
するものである。記憶部2は、アドレス信号9.読出し
/書込み匍(信号1oを入力とし、データ12を入出力
とするものである。データ制御部3は、書込みデータ7
、データ制御信号11を入力とじ、読出しデータ8を出
力とし、情報ビット及び誤り訂正用チェックピットから
なる誤り訂正符号化されたデータ12を入出力とする誤
シ訂正符号発生兼誤り訂正用のものである。
部1と、記憶部2と、データ制御部3とを含む。メモリ
制御部1は、スタート信号4.読出し/書込み指定信号
5.アドレス信号6を入力とじ、アドレス信号9.読出
し/書込み制御信号10、データ制御信号11を出力と
するものである。記憶部2は、アドレス信号9.読出し
/書込み匍(信号1oを入力とし、データ12を入出力
とするものである。データ制御部3は、書込みデータ7
、データ制御信号11を入力とじ、読出しデータ8を出
力とし、情報ビット及び誤り訂正用チェックピットから
なる誤り訂正符号化されたデータ12を入出力とする誤
シ訂正符号発生兼誤り訂正用のものである。
次に本実施例の動作について説明する。
先ず書込み動作の場合には、メモリ制御部1に。
スタート信号4と共に、読出し/書込み指定信号5によ
り全書込み1部分書込みの指定とその順を与えると共に
、書込み開始アドレスをアドレス信号6により与え郡。
り全書込み1部分書込みの指定とその順を与えると共に
、書込み開始アドレスをアドレス信号6により与え郡。
さらに1部分書込みの場合には、読出し/書込み指定信
号5にょシその書込みバイトを、また書込み開始アドレ
スと異なるメモリICの第2のアドレスに相当するアド
レスをアドレス信号6により順次与える。
号5にょシその書込みバイトを、また書込み開始アドレ
スと異なるメモリICの第2のアドレスに相当するアド
レスをアドレス信号6により順次与える。
例えば1部分書込み7部分書込みの場合には。
第2図のタイミングチャートのように、メモリ制御部1
より、読出し/書込み制御信号10として。
より、読出し/書込み制御信号10として。
記憶部2へ与える第1のアドレスを選択するロウアドレ
ス選択信号RAS 、第2のアドレス信号を選択するコ
ラムアドレス信号で罷、書込み指定信号WEが、アドレ
スAoに相当する第1.第2のアドレスAと共に出力さ
れる。まず、当該アドレスA。
ス選択信号RAS 、第2のアドレス信号を選択するコ
ラムアドレス信号で罷、書込み指定信号WEが、アドレ
スAoに相当する第1.第2のアドレスAと共に出力さ
れる。まず、当該アドレスA。
より誤り訂正用チェックピットを含む出力データDou
tがデータ12としてデータ制御部3に、データ制御信
号11により保持される。次に、アドレス信号6により
第2のアドレスの異なるアドレスA!が指定されて、誤
り訂正用チェックピットをaむ出力データDoutがデ
ータ12としてデータ制m1部3に、データ制御信号1
1により保持される。
tがデータ12としてデータ制御部3に、データ制御信
号11により保持される。次に、アドレス信号6により
第2のアドレスの異なるアドレスA!が指定されて、誤
り訂正用チェックピットをaむ出力データDoutがデ
ータ12としてデータ制m1部3に、データ制御信号1
1により保持される。
次に、アドレス信号9によりアドレスA0ついでA、が
指定されると共に、書込み指定信号汀が与えられて、デ
ータ制御部3よりデータ制御信号11により、データ1
2が淋込まれる。このとき。
指定されると共に、書込み指定信号汀が与えられて、デ
ータ制御部3よりデータ制御信号11により、データ1
2が淋込まれる。このとき。
記憶部2よりの揃出しデータ12に誤りがあれば訂正さ
れており、これより得られる再書込みデータと、書込み
データ7とから作成された。誤り訂正用チェックピット
の付加された書込み用データが、アドレスA。及びA1
に順次書込まれる。Dinが記憶部への入力データであ
る。
れており、これより得られる再書込みデータと、書込み
データ7とから作成された。誤り訂正用チェックピット
の付加された書込み用データが、アドレスA。及びA1
に順次書込まれる。Dinが記憶部への入力データであ
る。
同様にして、第2のアドレスのみ異なるアドレスAo、
AI + A2へ部分書込み、全書込み1部分書込み
の順で行なう場合には、第3図に示すようなタイミング
及びアドレス指定により行なう。即ち。
AI + A2へ部分書込み、全書込み1部分書込み
の順で行なう場合には、第3図に示すようなタイミング
及びアドレス指定により行なう。即ち。
アドレスAoの読出し、アドレスA1への書込み。
アドレスA2の読出し、アドレスA。への書込み(部分
書込み)、アドレスA2への書込み(部分書込み)によ
り、書込みデータ7として与えられたデータが、スター
ト信号4より始るアドレス信号6の指定するアドレスへ
、読出し/書込み指定信号5にしだがって、書込まれる
。
書込み)、アドレスA2への書込み(部分書込み)によ
り、書込みデータ7として与えられたデータが、スター
ト信号4より始るアドレス信号6の指定するアドレスへ
、読出し/書込み指定信号5にしだがって、書込まれる
。
さらに、アドレスAoへの部分書込み、アドレスA、へ
の全書込み、アドレスA2への全書込み、アドレスA3
への部分書込みは、第4図に示すようなタイミング及び
アドレス指定により、第2及び第3図の説明と同様にし
て行なわれる。即ち、アドレスAOO読出し、アドレス
AIへの全書込み。
の全書込み、アドレスA2への全書込み、アドレスA3
への部分書込みは、第4図に示すようなタイミング及び
アドレス指定により、第2及び第3図の説明と同様にし
て行なわれる。即ち、アドレスAOO読出し、アドレス
AIへの全書込み。
アドレスAoへの直込み(部分書込み)、アドレスA3
の読出し、アドレスA2への全書込み、アドレスA3へ
の卦込み(部分書込み)として、メモリ制御部1が、記
憶部2及びデータ制御部3を動作させて行なわれる。
の読出し、アドレスA2への全書込み、アドレスA3へ
の卦込み(部分書込み)として、メモリ制御部1が、記
憶部2及びデータ制御部3を動作させて行なわれる。
また、連続読出し動作の場合には、スタート信号4と共
にアドレス信号6として与えられるアドレス開始アドレ
ス、読出し/書込み指定信号5として与えられる読出し
アドレス数、さらに順次アドレス信号6の一部として与
えられる第2のアドレスにより、順次、記憶部2ヘアド
レス信号9゜読出し/書込み制御信号10が与えられる
。これにより、記憶部2から、誤り訂正用チェックピッ
トを含むデータ12が連続的に出力されて、データ制御
信号11によりデータ制御部3へ入力されだ後、誤りが
あれば訂正されて読出しデータ8として出力される。こ
のようにして、アドレス信号9の指定する第1.第2の
アドレスから読出しデータ8が連続して出力される。
にアドレス信号6として与えられるアドレス開始アドレ
ス、読出し/書込み指定信号5として与えられる読出し
アドレス数、さらに順次アドレス信号6の一部として与
えられる第2のアドレスにより、順次、記憶部2ヘアド
レス信号9゜読出し/書込み制御信号10が与えられる
。これにより、記憶部2から、誤り訂正用チェックピッ
トを含むデータ12が連続的に出力されて、データ制御
信号11によりデータ制御部3へ入力されだ後、誤りが
あれば訂正されて読出しデータ8として出力される。こ
のようにして、アドレス信号9の指定する第1.第2の
アドレスから読出しデータ8が連続して出力される。
正を行なう記憶装置において、同一の第1のアドレス信
号で指定される任意の第2のアドレスへの連続読出し/
書込み動作が、アドレス2回転送と第2のアドレスとに
より第1のアドレスの指定する範囲で高速読出し/書込
み可能なメモリIC群を用いて1部分書込みの際の誤り
訂正及び誤り訂正用チェックビット発生と別の読出し又
は書込みとを並行して行なうことにより2部分書込みを
含む連続読出し書込み動作を高速に行なうことができる
効果がある。
号で指定される任意の第2のアドレスへの連続読出し/
書込み動作が、アドレス2回転送と第2のアドレスとに
より第1のアドレスの指定する範囲で高速読出し/書込
み可能なメモリIC群を用いて1部分書込みの際の誤り
訂正及び誤り訂正用チェックビット発生と別の読出し又
は書込みとを並行して行なうことにより2部分書込みを
含む連続読出し書込み動作を高速に行なうことができる
効果がある。
第1図は1本発明の一実施例のブロック図、第2図〜第
4図は2本発明の実施例の動作例を示すタイムチャート
である。 1・・・メモリ制御師部、2・・・記憶部、3・・・デ
ータ制御部、4・・スタート信号、5・・・読出し/書
込み指定信号、6・・・アドレス信号、7・・・書込み
データ。 8・・・読出しデータ、9・・・アドレス信号、 I
O・・・読出し/書込み制(財)信号、11・・・デー
タ制御信号。 12・・・データ。
4図は2本発明の実施例の動作例を示すタイムチャート
である。 1・・・メモリ制御師部、2・・・記憶部、3・・・デ
ータ制御部、4・・スタート信号、5・・・読出し/書
込み指定信号、6・・・アドレス信号、7・・・書込み
データ。 8・・・読出しデータ、9・・・アドレス信号、 I
O・・・読出し/書込み制(財)信号、11・・・デー
タ制御信号。 12・・・データ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 第1及び第2のアドレス信号を受け、第1のアド
レス信号で限定された第2のアドレス信号の指定による
複数のアドレスに読出し又は書込みを行なうメモリ素子
群からなる記憶部と、誤り訂正符号発生機能及び誤シ訂
正機能を有するデータ制御皿部と、前記記憶部に読出し
又は書込み制御信号及びアドレス信号を送出し、前記デ
ータ制御部に誤り訂正符号発生及び誤り訂正を制御する
信号を送出するメモリ制御部とを含み、前記メモリ制御
′1lIlj部は、同一の第1のアドレス信号の指定す
る複数のアドレスへ部分書込みを含む連続動作を行なう
際に、前記記憶部から部分書込みアドレスの情報を読出
して前記データ制御部へ入力させた後に。 第2のアドレス信号により他のアドレスに対し少なくと
も一度読出し又は書込みを行なって、再び当該部分H込
みアドレスに前記データ制御部から出力される情報を書
込むことを特徴とする。誤り訂正を行なう記憶装置の部
分書込みを含む連続動作方式。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57089845A JPS58208997A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | 誤り訂正を行なう記憶装置の部分書込みを含む連続動作方式 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57089845A JPS58208997A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | 誤り訂正を行なう記憶装置の部分書込みを含む連続動作方式 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58208997A true JPS58208997A (ja) | 1983-12-05 |
Family
ID=13982098
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57089845A Pending JPS58208997A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | 誤り訂正を行なう記憶装置の部分書込みを含む連続動作方式 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58208997A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62278651A (ja) * | 1986-05-28 | 1987-12-03 | Hitachi Ltd | 部分書込制御装置 |
-
1982
- 1982-05-28 JP JP57089845A patent/JPS58208997A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62278651A (ja) * | 1986-05-28 | 1987-12-03 | Hitachi Ltd | 部分書込制御装置 |
JPH0586576B2 (ja) * | 1986-05-28 | 1993-12-13 | Hitachi Ltd |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5509132A (en) | Semiconductor memory device having an SRAM as a cache memory integrated on the same chip and operating method thereof | |
EP1415304B1 (en) | Memory device having different burst order addressing for read and write operations | |
US4910614A (en) | Disk controller for a plurality of magnetic disk drives | |
JPS6167154A (ja) | 半導体記憶装置 | |
US6035381A (en) | Memory device including main memory storage and distinct key storage accessed using only a row address | |
JP2669303B2 (ja) | ビットエラー訂正機能付き半導体メモリ | |
JPH1198462A (ja) | データ再生装置 | |
JPH0589663A (ja) | 半導体記憶装置およびその出力制御方法 | |
JPH10134576A (ja) | 半導体メモリ装置 | |
JPS58208997A (ja) | 誤り訂正を行なう記憶装置の部分書込みを含む連続動作方式 | |
JPS6129024B2 (ja) | ||
US7363460B2 (en) | Semiconductor memory device having tag block for reducing initialization time | |
US5864567A (en) | Data memory apparatus | |
JPH01124193A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JPH01181137A (ja) | 記憶装置 | |
JPS6226120B2 (ja) | ||
JPH01273154A (ja) | Ecc回路付記憶装置 | |
JPH04351788A (ja) | 半導体メモリ | |
JPS58208996A (ja) | 誤り訂正を行なう記憶装置の部分書込みを含む連続アドレスへの連続動作方式 | |
JPH04351787A (ja) | 半導体メモリ | |
JPH0550078B2 (ja) | ||
JPH0672910B2 (ja) | テストパタ−ンメモリ回路 | |
JPH0477948A (ja) | メモリアクセス制御方式およびそれを用いた情報処理装置 | |
JPS60254477A (ja) | メモリシステム | |
JPH04112252A (ja) | 記憶制御方法 |