JPS58200508A - 非直線抵抗体の製造方法 - Google Patents
非直線抵抗体の製造方法Info
- Publication number
- JPS58200508A JPS58200508A JP57083651A JP8365182A JPS58200508A JP S58200508 A JPS58200508 A JP S58200508A JP 57083651 A JP57083651 A JP 57083651A JP 8365182 A JP8365182 A JP 8365182A JP S58200508 A JPS58200508 A JP S58200508A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- heat treatment
- sintering
- hours
- nonlinear resistor
- Prior art date
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- Granted
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＺｎＯｋ主成分とする非直線抵抗体の製造方法
に関する。
に関する。
ＺｎＯｋ主成分とするＺｎＯ系素子は、優れた非直線性
？呈し、ギャップレス避雷器など常時課電状態の使用を
可能にする。しかし、 ＺｎＯ系素子は課電状態で微小
な漏れ電流を生い、この漏れ電流は長期間にわたる課電
で次第に増加し、熱暴走することがある。この定め、Ｚ
ｎＯ系素子の寿命同上には漏れ電流の増加率が小さいこ
とが重要となる。
？呈し、ギャップレス避雷器など常時課電状態の使用を
可能にする。しかし、 ＺｎＯ系素子は課電状態で微小
な漏れ電流を生い、この漏れ電流は長期間にわたる課電
で次第に増加し、熱暴走することがある。この定め、Ｚ
ｎＯ系素子の寿命同上には漏れ電流の増加率が小さいこ
とが重要となる。
特に、近年には直流で使用できる非直線抵抗体の要望も
高く、寿命特性の良い素子開発が望まれている。
高く、寿命特性の良い素子開発が望まれている。
これまでのＺｎＯｔ−主成分とする非直線抵抗体は、焼
結に１０５０〜１３００℃の高温で１〜１２時間保持し
ｔ後、１００℃／ｈｒ以下の降温速度で徐冷し、その後
寿命特性の同上の定めに５００〜７００ ℃で１〜２時
間の熱処理で施している。しかし、従来方法では直流系
統に高課を軍使用するためには信頼性の点で不充分であ
るし、熱処理によって素子の低電流域での電圧−電流特
性が大きく低下する問題もあつｔｏ 本発明の目的は、寿命及び電圧−電流特性を向上しｔ製
造方法？提供することにある。
結に１０５０〜１３００℃の高温で１〜１２時間保持し
ｔ後、１００℃／ｈｒ以下の降温速度で徐冷し、その後
寿命特性の同上の定めに５００〜７００ ℃で１〜２時
間の熱処理で施している。しかし、従来方法では直流系
統に高課を軍使用するためには信頼性の点で不充分であ
るし、熱処理によって素子の低電流域での電圧−電流特
性が大きく低下する問題もあつｔｏ 本発明の目的は、寿命及び電圧−電流特性を向上しｔ製
造方法？提供することにある。
本発明方法は１０５０℃〜１３００ ’Ｃで焼結された
素子のその後の熱処理上複数回に分けて行なうことで特
徴とする。
素子のその後の熱処理上複数回に分けて行なうことで特
徴とする。
本発明においては、第１図に示す焼結と熱処理パターン
にする。ＺｎＯ’（主成分とする原材料を混合成形しｔ
素体は、まず１０５０〜１３００℃で１〜２時間の情侍
で施す。この焼結工程での焼結温度までの昇温速度及び
焼結温度からの降温速度は素子が熱破壊しない程度に早
くシ、例えば３００ ℃／ ｈｒにして時間短ｌｉｅ図
る。
にする。ＺｎＯ’（主成分とする原材料を混合成形しｔ
素体は、まず１０５０〜１３００℃で１〜２時間の情侍
で施す。この焼結工程での焼結温度までの昇温速度及び
焼結温度からの降温速度は素子が熱破壊しない程度に早
くシ、例えば３００ ℃／ ｈｒにして時間短ｌｉｅ図
る。
上記焼結終了時の降温は３００℃以下まで冷却させ、素
子の結晶２粒界構造の安定化７図る。３ｏ。
子の結晶２粒界構造の安定化７図る。３ｏ。
℃里子までの降温後、保持時間Ｔｈ ’ｊｚ待ってもし
くは焼結に続いて直ちに熱処理工程に入る。その第１段
ｊ層として、焼結素子？８５０〜９５０ ’Ｃまで昇温
しで１〜２時間の熱処理を施し、素子内のＢｊ＊Ｏ＊層
？再融解させる。この熱処理における昇降温速度は焼結
時と同様の理由から３００℃／ｈｒ程度にする。この第
１段階の熱処理において、８５０’Ｃ以下ではＢ １１
Ｑ３層が充分融尊しないしｓ ９５０ ℃以上ではＺ
ｎＯ結晶の熱活性化が高くをり丁ぎてＢ１２ｏｓ’ｔ＠
融解が粒界領域にとどまらないので思わしくなｌＡ。
くは焼結に続いて直ちに熱処理工程に入る。その第１段
ｊ層として、焼結素子？８５０〜９５０ ’Ｃまで昇温
しで１〜２時間の熱処理を施し、素子内のＢｊ＊Ｏ＊層
？再融解させる。この熱処理における昇降温速度は焼結
時と同様の理由から３００℃／ｈｒ程度にする。この第
１段階の熱処理において、８５０’Ｃ以下ではＢ １１
Ｑ３層が充分融尊しないしｓ ９５０ ℃以上ではＺ
ｎＯ結晶の熱活性化が高くをり丁ぎてＢ１２ｏｓ’ｔ＠
融解が粒界領域にとどまらないので思わしくなｌＡ。
まｔ１熱処理時間は１時間以下ではその温度に保持しｔ
効果が少なく、２時間以上ではＺｎＯ、＠晶の活性化の
問題が起きる。
効果が少なく、２時間以上ではＺｎＯ、＠晶の活性化の
問題が起きる。
次に、熱処理のに２段階として、上記熱処理での降温が
３００ ℃以下に達して適当な保持時間Ｔ’ｈ？待って
もしくは直ちに、 ５００〜７００ ’Ｃまで昇温し、
この温度に１−＝２時間保持して降温処！に入る。この
第２段階の熱処理にｊｔ７、Ｂｔ、０．層２ｒ相に変慢
石せる。このとさの温ｖ５００〜γｏｏ’ｃはＢｉ２０
ｇがｒ相に変化するのに必要な温度であジ、まｔその保
持時間１〜２時間に前記と同様の理由から決められる。
３００ ℃以下に達して適当な保持時間Ｔ’ｈ？待って
もしくは直ちに、 ５００〜７００ ’Ｃまで昇温し、
この温度に１−＝２時間保持して降温処！に入る。この
第２段階の熱処理にｊｔ７、Ｂｔ、０．層２ｒ相に変慢
石せる。このとさの温ｖ５００〜γｏｏ’ｃはＢｉ２０
ｇがｒ相に変化するのに必要な温度であジ、まｔその保
持時間１〜２時間に前記と同様の理由から決められる。
ま之、昇降温速度については、昇温には前記と同様に３
００’Ｃ／ｈｒ程度にし、降温速度は５０〜ｂ で取除くなど素子特性向上に重畳となる。
００’Ｃ／ｈｒ程度にし、降温速度は５０〜ｂ で取除くなど素子特性向上に重畳となる。
以上の焼結と熱処理？施す本発明方法による素子は、低
電流域での電圧−電流特性では第２図（ＡＪに示すよう
に特性（イ）のものになり、従来方法による特性（ロ）
のものに比して同じ課電圧に対する漏れ電流の増加も小
さく後述のように課電特性同、上となる実験結果七得ｔ
０図中特性（ハ）は焼結後の電圧−電流特性である。
電流域での電圧−電流特性では第２図（ＡＪに示すよう
に特性（イ）のものになり、従来方法による特性（ロ）
のものに比して同じ課電圧に対する漏れ電流の増加も小
さく後述のように課電特性同、上となる実験結果七得ｔ
０図中特性（ハ）は焼結後の電圧−電流特性である。
まｔ１本発明方法による素子は、直流印加による漏れ電
流の経時変化が第２図（ＢＪ心示す特性（イ２のものに
なり、従来方法による特性（ロ）のものに比して漏れ電
流の増加が少なく、長寿命が期待できる実験結果？得ｔ
０図中特性（ハ）は１暁結後のもれ、電流の経時変化特
性である。なお、第２図（Ｂ）の実験において、直流印
加は１４０℃温度雰囲気中で７０チＶ＋ｍＡ 課ｔｌ
ｃＬｍ。
流の経時変化が第２図（ＢＪ心示す特性（イ２のものに
なり、従来方法による特性（ロ）のものに比して漏れ電
流の増加が少なく、長寿命が期待できる実験結果？得ｔ
０図中特性（ハ）は１暁結後のもれ、電流の経時変化特
性である。なお、第２図（Ｂ）の実験において、直流印
加は１４０℃温度雰囲気中で７０チＶ＋ｍＡ 課ｔｌ
ｃＬｍ。
こうし定効果は、ＺｎＯ素子の配−８−ＶＣ依らず認め
ら九た。
ら九た。
以上のとおり、本発明方法によれば、焼結と熱処理の間
に１回の熱部理工８を増すことによρ、従来方法に比し
て電圧−電Ｒｅ性に優れ、寿命開立？期待でさる効果か
ある。まｔ１焼結と熱処理の連続処理にして処理時間の
増分上軽減できる。
に１回の熱部理工８を増すことによρ、従来方法に比し
て電圧−電Ｒｅ性に優れ、寿命開立？期待でさる効果か
ある。まｔ１焼結と熱処理の連続処理にして処理時間の
増分上軽減できる。
第１図は本発明方法における焼結と熱処理パターン図、
第２図は本発明方法による素子特性上従来方法のものと
併せて示す図である。 １０ 第１図 特許庁長官殿 １．事件の表示 昭和５７年特許頌第８３６５１号 ２、発明の名称 非直線抵抗体の製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 出願人 （６１０） 株式会社 明 電 舎 ４・代理人〒１０４ 東京都中央区明石町１番２９号 液済会ビル（１）明細
書「特許請求の範囲」の欄 （２） 明細書「発明の詳細な説明ＪＩＤｍ（３）
図 面 ６、補正の内容 （１） ′４許晴求の範囲を別紙のとおり補正４する
。 （２）明細香第３頁第１４行目「１〜２」を「１〜１２
」と補正する。 （３） 第１図を別紙のとおり補正する。 別 紙 特許請求の範囲 ［Ｚｎｏを主成分とする原材料を混合成形し、７焼結と
熱処理を施して得る非直線抵抗体の製造方法において、
１０５０〜１３００℃で１〜１２時間保持し温し、次い
で５００〜７００℃に昇温して１〜２時間の第２の熱処
理を強し、この熱処理後の降温は沁〜１５０℃／ ｈｒ
の隆温速変で冷却することを特徴とする非直線抵抗体の
＃遣方法。
第２図は本発明方法による素子特性上従来方法のものと
併せて示す図である。 １０ 第１図 特許庁長官殿 １．事件の表示 昭和５７年特許頌第８３６５１号 ２、発明の名称 非直線抵抗体の製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 出願人 （６１０） 株式会社 明 電 舎 ４・代理人〒１０４ 東京都中央区明石町１番２９号 液済会ビル（１）明細
書「特許請求の範囲」の欄 （２） 明細書「発明の詳細な説明ＪＩＤｍ（３）
図 面 ６、補正の内容 （１） ′４許晴求の範囲を別紙のとおり補正４する
。 （２）明細香第３頁第１４行目「１〜２」を「１〜１２
」と補正する。 （３） 第１図を別紙のとおり補正する。 別 紙 特許請求の範囲 ［Ｚｎｏを主成分とする原材料を混合成形し、７焼結と
熱処理を施して得る非直線抵抗体の製造方法において、
１０５０〜１３００℃で１〜１２時間保持し温し、次い
で５００〜７００℃に昇温して１〜２時間の第２の熱処
理を強し、この熱処理後の降温は沁〜１５０℃／ ｈｒ
の隆温速変で冷却することを特徴とする非直線抵抗体の
＃遣方法。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｚｎ０ で主成分とする原材料【混合成形し、焼結と熱
処理？施して得る非直線抵抗体の製造方法において、１
０５０〜１３００℃で１〜２時間保持しｔ焼結後、一旦
３００℃以下に降温し、次いで８５伊〜９５０ ′ＣＶ
Ｃ昇温して１〜２時間の第１の熱処理七施し、この熱処
理後一旦３００℃以下に降温し、次いで５０ｆ）〜７０
０℃に昇温しで１〜２時間の第２の熱処理を施し、この
熱処理後の降温は５０〜ｂｈｒの降温速度で冷却するこ
と？特徴とする非直線抵抗体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57083651A JPS58200508A (ja) | 1982-05-18 | 1982-05-18 | 非直線抵抗体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57083651A JPS58200508A (ja) | 1982-05-18 | 1982-05-18 | 非直線抵抗体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58200508A true JPS58200508A (ja) | 1983-11-22 |
| JPH0121604B2 JPH0121604B2 (ja) | 1989-04-21 |
Family
ID=13808349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57083651A Granted JPS58200508A (ja) | 1982-05-18 | 1982-05-18 | 非直線抵抗体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58200508A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04322402A (ja) * | 1991-04-23 | 1992-11-12 | Hitachi Ltd | 電圧非直線抵抗体の製造方法および避雷器 |
| US5614138A (en) * | 1994-02-10 | 1997-03-25 | Hitachi Ltd. | Method of fabricating non-linear resistor |
-
1982
- 1982-05-18 JP JP57083651A patent/JPS58200508A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04322402A (ja) * | 1991-04-23 | 1992-11-12 | Hitachi Ltd | 電圧非直線抵抗体の製造方法および避雷器 |
| US5614138A (en) * | 1994-02-10 | 1997-03-25 | Hitachi Ltd. | Method of fabricating non-linear resistor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0121604B2 (ja) | 1989-04-21 |
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