JPS58199519A - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサの製造方法Info
- Publication number
- JPS58199519A JPS58199519A JP8349882A JP8349882A JPS58199519A JP S58199519 A JPS58199519 A JP S58199519A JP 8349882 A JP8349882 A JP 8349882A JP 8349882 A JP8349882 A JP 8349882A JP S58199519 A JPS58199519 A JP S58199519A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide film
- solid electrolytic
- producing solid
- electrolytic condenser
- capacitance
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は固体電解コンデンサの固体電解質層（以下Ｍｎ
Ｏ２と称する）を形成する方法に関し、静電容量の減少
およびバラツキを小さくすることを目的としたものであ
る。
Ｏ２と称する）を形成する方法に関し、静電容量の減少
およびバラツキを小さくすることを目的としたものであ
る。
従来弁作用金属粉末たとえばタンタル粉末を成形して焼
結したタンタル固体電解コンデンｔｗｔ子などの表面に
陽極酸化によ）酸化皮膜を形成し、該酸化皮膜上に硝酸
マンガン溶液を含浸し、これを熱分解してＭｎＯｓを生
成させることが知られている◎しかしながら前記酸化皮
膜を生成後は約１００°Ｃで乾燥し硝酸マンガン溶液に
浸漬して含浸するまでの量大気中に装置されていた。こ
の大気中に放置された禦子にＭｎＱ２を付智するべく硝
酸マンガン溶液に浸漬−含浸し熱分解してＭ ｎ Ｏｔ
ｘを生成すると酸化皮膜の撥水性のために酸化皮膜とＭ
ｎＯｓとの接触が全面かつ完全に行われないので静電容
量の減少およびバラツキが大となる欠点を有していた。
結したタンタル固体電解コンデンｔｗｔ子などの表面に
陽極酸化によ）酸化皮膜を形成し、該酸化皮膜上に硝酸
マンガン溶液を含浸し、これを熱分解してＭｎＯｓを生
成させることが知られている◎しかしながら前記酸化皮
膜を生成後は約１００°Ｃで乾燥し硝酸マンガン溶液に
浸漬して含浸するまでの量大気中に装置されていた。こ
の大気中に放置された禦子にＭｎＱ２を付智するべく硝
酸マンガン溶液に浸漬−含浸し熱分解してＭ ｎ Ｏｔ
ｘを生成すると酸化皮膜の撥水性のために酸化皮膜とＭ
ｎＯｓとの接触が全面かつ完全に行われないので静電容
量の減少およびバラツキが大となる欠点を有していた。
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので静電容量の減
少およびバラツキを小ならしめる固体電相いた酸化皮膜
の撥水性を乾燥温度との関連において真青した結果を第
１図に示す。なお酸化皮膜の撥水性は酸化皮膜上へのＭ
ｎ０ｎの被覆率によって判断し、該被覆率の算出は下式
による。
少およびバラツキを小ならしめる固体電相いた酸化皮膜
の撥水性を乾燥温度との関連において真青した結果を第
１図に示す。なお酸化皮膜の撥水性は酸化皮膜上へのＭ
ｎ０ｎの被覆率によって判断し、該被覆率の算出は下式
による。
試料 タンタル箔寸法２０Ｘ１５Ｘ０．１ｔ（１１１１
）を化成１００Ｖ−２ｈを行ったものについて電解液中
で静電容量を測定し、これを分母のＭｎＯｓ生成前の試
料としたのち各々８５°０ 、１００’０．１２５°０
で３０ ｗｉｎ乾燥したものについて硝ＦＩＩ′Ｉｒン
ガン溶液中に浸漬−含浸し２５０°０２０ ｗｉｎで焼
成したものを分子のＭｎ０ａ生成後の試料とした。
）を化成１００Ｖ−２ｈを行ったものについて電解液中
で静電容量を測定し、これを分母のＭｎＯｓ生成前の試
料としたのち各々８５°０ 、１００’０．１２５°０
で３０ ｗｉｎ乾燥したものについて硝ＦＩＩ′Ｉｒン
ガン溶液中に浸漬−含浸し２５０°０２０ ｗｉｎで焼
成したものを分子のＭｎ０ａ生成後の試料とした。
この結果から明らかなように酸化皮膜の撥水性すなわち
Ｍｎ伽の被覆率に酸化皮膜形成後の乾燥温度に左右され
ることが明らかである。また他方の前記酸化皮膜形成後
の乾燥のみでなく、該乾燥後の放置時間について検討し
た結果を第２図に示す。
Ｍｎ伽の被覆率に酸化皮膜形成後の乾燥温度に左右され
ることが明らかである。また他方の前記酸化皮膜形成後
の乾燥のみでなく、該乾燥後の放置時間について検討し
た結果を第２図に示す。
すなわち乾燥後の放置条件を水蒸気中（記号Ａ）。
湿度４０％中（記号Ｂ）、デシケータ中（記号Ｃ）の３
１１１とし、それぞれの時間放置したのちのＭｈｏｓ被
慣率について第２図に示した。なお試料は第１図に示し
たタンタル箔を用い１００Ｖ−２ｈの化成を行ったもの
をそれぞれ２４ｈ 、４８ｈ放置したものである０ 第
２図から明らかなように水蒸気中（３） ゛ に放置した試料（記号ム］は放置時間に影響されず８０
％のＭＩＩＩＯＩ被置率を示被覆、記号Ｂ、Ｃは放置時
間につれて急激な鼓涜串の低下を示す。
１１１とし、それぞれの時間放置したのちのＭｈｏｓ被
慣率について第２図に示した。なお試料は第１図に示し
たタンタル箔を用い１００Ｖ−２ｈの化成を行ったもの
をそれぞれ２４ｈ 、４８ｈ放置したものである０ 第
２図から明らかなように水蒸気中（３） ゛ に放置した試料（記号ム］は放置時間に影響されず８０
％のＭＩＩＩＯＩ被置率を示被覆、記号Ｂ、Ｃは放置時
間につれて急激な鼓涜串の低下を示す。
次いで第３図に本発明（記号ム）と従来例（記号Ｂ〕と
による定格６．３ＷＶ −１０００〆の貌結形のタンタ
ル固体１ｉｉｃｅコンデンサについて静電容量の比較を
ボした。試料作製条件は下記のとおシである。
による定格６．３ＷＶ −１０００〆の貌結形のタンタ
ル固体１ｉｉｃｅコンデンサについて静電容量の比較を
ボした。試料作製条件は下記のとおシである。
本発明 リン酸水浴液中で素子に３０Ｖ−５ｈの電圧を
印加したのち水蒸気中に２４ｈｌ１ｇ管し、取出して硝
酸マンガンを含浸− ２５０’０２０ｍ１ｎ ｍ成する。コノ化成−焼成を７
回繰返してＭｎ０ａを生成し、以下公知の手段で金属ケ
ースに収面したもの。
印加したのち水蒸気中に２４ｈｌ１ｇ管し、取出して硝
酸マンガンを含浸− ２５０’０２０ｍ１ｎ ｍ成する。コノ化成−焼成を７
回繰返してＭｎ０ａを生成し、以下公知の手段で金属ケ
ースに収面したもの。
従来例 本発明と同様の化成を行ったのち８５°０３０
ｍ１ｎの乾燥を行い大気中に８ｈ放置し、取出して硝酸
マンガンを含浸− ２５０°０２０ｍ１ｎ焼成する。この化成−焼成を７回
繰返してＭｎ伽を生成し、本発明と同様にして収面した
もの。
ｍ１ｎの乾燥を行い大気中に８ｈ放置し、取出して硝酸
マンガンを含浸− ２５０°０２０ｍ１ｎ焼成する。この化成−焼成を７回
繰返してＭｎ伽を生成し、本発明と同様にして収面した
もの。
この第３図から明らかなように本発明は素子を化（４）
成後水蒸気中に保管し、取出して硝酸マンガンを含浸す
ることによって酸化皮膜の撥水性が緩和されてＭｎＯｓ
の鼓櫃串が向上するので従来例に比して１５％のｆ＃電
容蓋増加′およびバラツキの小さなコンデンサを得るこ
とができる。
ることによって酸化皮膜の撥水性が緩和されてＭｎＯｓ
の鼓櫃串が向上するので従来例に比して１５％のｆ＃電
容蓋増加′およびバラツキの小さなコンデンサを得るこ
とができる。
以上述べたように本発明によれば酸化皮膜生成後水蒸気
中に保管して酸化皮膜の撥水性を緩和しこれによってＭ
ｎ０ａの被覆率を高め静電容量の増加およびバラツキを
小さく抑える効果を有する固体電解コンデンサのｍ遣方
法を提供することがで右る。
中に保管して酸化皮膜の撥水性を緩和しこれによってＭ
ｎ０ａの被覆率を高め静電容量の増加およびバラツキを
小さく抑える効果を有する固体電解コンデンサのｍ遣方
法を提供することがで右る。
第１図にタンタル箔を用いた酸化皮膜の乾燥温度とＭＬ
Ｏａの関係を示す曲線図、第２図は酸化皮膜の乾燥条件
を変えた放置時間とＭｎ０ａの被覆率との関係を示す曲
線図、第３図は本発明および従来例によル作製したタン
タル固体電解；ンデンサの静電容量のバラツキを示す特
性図である。 特許出願人 マルコン電子株式会社
Ｏａの関係を示す曲線図、第２図は酸化皮膜の乾燥条件
を変えた放置時間とＭｎ０ａの被覆率との関係を示す曲
線図、第３図は本発明および従来例によル作製したタン
タル固体電解；ンデンサの静電容量のバラツキを示す特
性図である。 特許出願人 マルコン電子株式会社
Claims (1)
- （１）弁作用金属を焼結した固体電解コンデンサ巣子生
成する工程と、該工程ののち半導体層、陰極層を形成す
る工程からなる固体電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8349882A JPS58199519A (ja) | 1982-05-17 | 1982-05-17 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8349882A JPS58199519A (ja) | 1982-05-17 | 1982-05-17 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58199519A true JPS58199519A (ja) | 1983-11-19 |
| JPS6257249B2 JPS6257249B2 (ja) | 1987-11-30 |
Family
ID=13804137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8349882A Granted JPS58199519A (ja) | 1982-05-17 | 1982-05-17 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58199519A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014222752A (ja) * | 2013-05-13 | 2014-11-27 | エイヴィーエックス コーポレイション | プレコート層を含む固体電解コンデンサー |
| US9824826B2 (en) | 2013-05-13 | 2017-11-21 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor containing conductive polymer particles |
| US9865401B2 (en) | 2012-08-30 | 2018-01-09 | Avx Corporation | Method for manufacturing solid electrolytic capacitor, and solid electrolytic capacitor |
-
1982
- 1982-05-17 JP JP8349882A patent/JPS58199519A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9865401B2 (en) | 2012-08-30 | 2018-01-09 | Avx Corporation | Method for manufacturing solid electrolytic capacitor, and solid electrolytic capacitor |
| JP2014222752A (ja) * | 2013-05-13 | 2014-11-27 | エイヴィーエックス コーポレイション | プレコート層を含む固体電解コンデンサー |
| US9824826B2 (en) | 2013-05-13 | 2017-11-21 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor containing conductive polymer particles |
| US9892862B2 (en) | 2013-05-13 | 2018-02-13 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor containing a pre-coat layer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6257249B2 (ja) | 1987-11-30 |
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