JPS5819853Y2 - オフセツト形アンテナ - Google Patents

オフセツト形アンテナ

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Publication number
JPS5819853Y2
JPS5819853Y2 JP2638082U JP2638082U JPS5819853Y2 JP S5819853 Y2 JPS5819853 Y2 JP S5819853Y2 JP 2638082 U JP2638082 U JP 2638082U JP 2638082 U JP2638082 U JP 2638082U JP S5819853 Y2 JPS5819853 Y2 JP S5819853Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sub
reflector
curve
antenna
central cross
Prior art date
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Expired
Application number
JP2638082U
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English (en)
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JPS57148909U (ja
Inventor
水沢丕雄
田中宏和
Original Assignee
三菱電機株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by 三菱電機株式会社 filed Critical 三菱電機株式会社
Priority to JP2638082U priority Critical patent/JPS5819853Y2/ja
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Description

【考案の詳細な説明】 この考案は二枚の反射鏡と一次放射器とで構成されたオ
フセット形アンテナの改良に関するものである。
従来のこの種のアンテナは第1図に示すように、主反射
鏡1および副反射鏡2の二枚の反射鏡と一次放射器3と
で構成される。
オフセット形アンテナの特長は一次放射器3からの電波
ビームの軸WW′、副反射鏡2と主反射鏡1との間の電
波ビームの軸V■′、および主反射鏡1から開口面Aに
向う電波ビームの軸UU’の三つの軸が一致していない
ことであんこうすることにより、−次放射器3からの電
波が副反射鏡2および主反射鏡1により反射されて空間
に向うとき、その電波の通過位置に副反射鏡2やその支
柱を設けないようにすることができる。
したがって、それらによる電波の散乱を避けることがで
き、アンテナの性能を向上させることができる。
しかし、従来のオフセット形アンテナでは主反射鏡1に
放物面鏡、副反射鏡2に双曲面鏡または楕円鏡などの二
次曲面鏡に限って用いられていた。
従来のオフセット形アンテナにおいて、開口面Aにおけ
る電界分布はほぼ一次放射器3からの電波ビームの形状
によってほぼ決ってし1う。
−次放射器3からの電波ビームはビーム軸から離れると
電界が弱くなるいわゆるテーパ分布をもち、そのビーム
を副反射鏡2に照射するとき、副反射鏡20周辺照射レ
ベルを上げ、開口面Aにおける電界分布を均一に近づけ
、アンテナの開口能率を上げようとすると、副反射鏡2
からの洩れ電力が犬きぐなり、かえって開口能率が低下
してし1う。
一方、洩れ電力を小さくするため、副反射鏡20周辺照
射レベルを下げ、−次放射器3からのほとんどの電力を
副反射@2に当てると、こんどは開口面Aにおける電界
分布は均一からずれ、アンテナの開口能率は低下してし
まう。
すなわち、アンテナの開口能率には限界が存在し、その
値は約70優である。
また、従来のオフセット形アンテナの開口面Aにおける
電界分布は、−次放射器3に回転対称なビームをもたし
ても、一般には反射鏡系によって対称性はくずへ回転対
称とならない。
すなわち第1図の開口面Aにおける等電界線Gは非回転
対称となる。
また、反射鏡系に起因する交差偏波成分も発生する。
この考案はこれらの欠点を除去するため、回転対称であ
り、テーパをもつ一次放射器からの電波ビームを、回転
対称性をくずさず、テーパの度合を任意に変えうるよう
な鏡面を用いることにより、アンテナの開口能率の向上
および交差偏波識別度の向上をはかったもので、以下図
面について詳細に説明する。
第2図はこの考案の一実施例であって、1は主反射鏡、
2は副反射鏡、3は一次放射器である。
主反射鏡1においてCmCm’は非二次曲線の中心断面
曲線であり、主反射鏡1の鏡面は、中ノー断面曲線Cm
Cm’に2点で直交する楕円群Emで構成される。
捷た、副反射鏡2においてCsCsは非二次曲線の中心
断面曲線であり、副反射鏡2の鏡面は中/−類面曲線C
sCs’に2点で直交する楕円群Esで構成される。
ここで主反射鏡1および副反射鏡2の中心断面曲線Cm
Cm’およびCsCs’ 、および−次放射器3のビ
ーム軸ww’は同一平面内にある。
主反射鏡1および副反射鏡2の中、t、a面曲線CmC
m’ およびCsCs’は次の3つの条件より決する。
(a) −次放射器3からの電波ビームと開口面Aに
おける電界分布との関係を決める電力の条件。
(b) −次放射器3の位相中心F から開口面Aに
到る光路長が一定となる条件。
(c) 主反射鏡1および副反射鏡2でのスネルの法
則を満足するための条件。
この考案のアンテナにおける中心断面曲線CmCm’お
よびCsCs’は、−次放射器3からの回転対称な電波
ビームWp(のが開口面Aにおいて軸UU’に関し回転
対称な電力分布Wa(j’に変換されるように決めてい
る。
すなわち、第3図に示すように、軸WW′ を中心軸と
する円錐状の光線群Rpは主反射鏡1および副反射鏡2
によって開口面Aの軸UU’を中心軸とする円筒状の光
線群Raに変換される。
中心断面曲線CmCm’およびCsCs を含む面内
において考えると、−次放射器3の軸WW′に関し対称
な光線は開口面Aにおいても軸UU’に関し対称な光線
となる。
lた、−次放射器3からの副反射鏡2に吹付ける全電力
Wpmに対する角度θ内に含捷れる電力の割合p(θ)
は であり、一方、開口面Aにかける全電力Wamに対する
半径f内に含1れる電力の割合Q(P)はである。
ここでP(のとQ(J’)とは等しいから、からθに対
応するfは これ として求めることができる。
すなわち−次放射器3の電波ビームWp(のを非常に低
いレベル1で副反射鏡2に吹付けても、θとアとの関係
を式3から求めることにより、開口面における電力分布
Wa(f)を任意の分布を与えることができる。
このときθとfとの関係は簡単な関数系では表わせず、
通常は数値計算より与えらへ したがって中心断面曲線
も従来の二次曲線とはならず、複雑な非二次曲線となる
このようにすることにより、−次放射器3からのビーム
を非常に低いレベル1で吹付けて、副反射鏡2からの洩
れ電力を小さくできる。
しかも開口面Aにおける分布は高能率が要求されるとき
は均一分布に、また低サイドロープ特性が要求されると
きは適当なテーパ分布に選ぶことができ、要求性能に応
じた高性能のアンテナを容易に得ることができる。
筐た、このような中心断面曲線を用いることにより、開
口面Aに訃いて電界分布を回転対称とすることができ、
従来の非回転対称になったことによる能率の低下を避け
ることができ、さらに交差偏波成分の発生も避けること
ができる。
以上述べたように、この考案はオフセット形アンテナの
鏡面の中心断面曲線として、開口面の中心軸に対し対称
な任意の電界分布を得られるようにした非二次曲線を用
い、かつ主反射鏡および副反射鏡の中心断面以外の鏡面
をそれぞれの中/−斬断面曲線対し二点で直交する楕円
の曲線群で構成することにより、オフセット形アンテナ
の開口能率を高くすること、反射鏡からの洩れ電力を小
さくすること、および交差偏波識別度を高くすることが
できるようになった。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のオフセット形アンテナを示す構成図、第
2図はこの考案の一実施例を示す構成図、第3図はこの
考案の原理を説明するための構成図である。 1は主反射鏡、2は副反射鏡、3は一次放射器である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 非回転対称な主反射鏡および副反射鏡と、−次放射器と
    によって構成されたオフセット形アンテナにおいて、主
    反射鏡および副反射鏡の中心断面曲線として開口面の中
    心軸に対し対称な任意の電界分布が得られるようにした
    非二次曲線を用い、かつ上記主反射鏡および副反射鏡の
    中心断面曲線以外の鏡面をそれぞれの中心断面曲線に対
    し二点で直交する楕円の曲線群で構成したことを特徴と
    するオフセット形アンテナ。
JP2638082U 1982-02-25 1982-02-25 オフセツト形アンテナ Expired JPS5819853Y2 (ja)

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JP2638082U JPS5819853Y2 (ja) 1982-02-25 1982-02-25 オフセツト形アンテナ

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JP2638082U JPS5819853Y2 (ja) 1982-02-25 1982-02-25 オフセツト形アンテナ

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JPS57148909U JPS57148909U (ja) 1982-09-18
JPS5819853Y2 true JPS5819853Y2 (ja) 1983-04-23

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