JPS58197716A - シリコンウエハ− - Google Patents
シリコンウエハ−Info
- Publication number
- JPS58197716A JPS58197716A JP8112682A JP8112682A JPS58197716A JP S58197716 A JPS58197716 A JP S58197716A JP 8112682 A JP8112682 A JP 8112682A JP 8112682 A JP8112682 A JP 8112682A JP S58197716 A JPS58197716 A JP S58197716A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carbon
- amount
- defect
- wafer
- silicon wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
れ）発明の技術分野
本発明は半導体装Ｉｌｌを形成するシリコン（Ｓｉ）ウ
ェハーの材質に関している。
ェハーの材質に関している。
（ロ）従来技術と問題点
半導体集積回路などの半導体装贋は、シリコンウェハー
面上に形成した半導体素子によって作成されることは周
知の通りである。このようなシリコンウェハーは５ｉＪ
ｌ［子が整然と並んだ単結晶であるが、デバイス製造工
程の熱処理により内部に多数の結晶欠陥を生じ、それが
半導体素子の歩留並びに品質に悪影響を与えていて、特
に酸素（ｏ２）は結晶欠陥を誘発する直接の原因になっ
ている。
面上に形成した半導体素子によって作成されることは周
知の通りである。このようなシリコンウェハーは５ｉＪ
ｌ［子が整然と並んだ単結晶であるが、デバイス製造工
程の熱処理により内部に多数の結晶欠陥を生じ、それが
半導体素子の歩留並びに品質に悪影響を与えていて、特
に酸素（ｏ２）は結晶欠陥を誘発する直接の原因になっ
ている。
疋に詳しく説明すれば、従来より引上法（ＣＺ法）で作
成されるＳ１単結晶には１．０〜２．０ＸＩＯｒ／ｃｍ
程度の酸素量の含有が不可避であるＳ１単結晶を、６０
０〜８００℃の比較的低温度で処理すれば、例えばＳ
ｉ’、Ｏｘが析出し、これが欠陥核となる。欠陥核を會
んＩｅＳｉ、単結晶を用いて、半導体素子を製造するた
めの高温度熱処理を行なうと、転位や積層欠陥などの結
晶欠陥を発生して、半導体素子の歩留９品質を低下する
わけである。
成されるＳ１単結晶には１．０〜２．０ＸＩＯｒ／ｃｍ
程度の酸素量の含有が不可避であるＳ１単結晶を、６０
０〜８００℃の比較的低温度で処理すれば、例えばＳ
ｉ’、Ｏｘが析出し、これが欠陥核となる。欠陥核を會
んＩｅＳｉ、単結晶を用いて、半導体素子を製造するた
めの高温度熱処理を行なうと、転位や積層欠陥などの結
晶欠陥を発生して、半導体素子の歩留９品質を低下する
わけである。
したがって、このような結晶欠陥を除く方法が提案され
ており、その有力な方法に無欠陥層（デヌーデツドゾー
ンＩｄｅｎｕｄｅｄ ｚｏｎｅ ）の形成がある。この
無欠陥層は例えば厚さ４００〜５００μｍのシリコンウ
ェハー表面の１０〜２０μｍの厚さに形成され、それは
種々の条件を加えて１ｏｏｏ℃以上の高温度で数時間熱
処理することによって形成される。無欠陥層の生成理由
は、高温度処理により不純物を蒸発させるアウトデフニ
ージョン（○ｕｔＤｉｆｆｕｓｉｏｎ ）と内部の結晶
欠陥に重金属などの不純物をゲッターするイントリンシ
ックゲッタリング（工ｎｔｒｉｎ８１０ Ｇｅｔｔｅｒ
ｉｎｇ ）との両効果によると推定され、このような無
欠陥層に半導体素子を形成すれば、その歩留と品質が普
しく向上する。
ており、その有力な方法に無欠陥層（デヌーデツドゾー
ンＩｄｅｎｕｄｅｄ ｚｏｎｅ ）の形成がある。この
無欠陥層は例えば厚さ４００〜５００μｍのシリコンウ
ェハー表面の１０〜２０μｍの厚さに形成され、それは
種々の条件を加えて１ｏｏｏ℃以上の高温度で数時間熱
処理することによって形成される。無欠陥層の生成理由
は、高温度処理により不純物を蒸発させるアウトデフニ
ージョン（○ｕｔＤｉｆｆｕｓｉｏｎ ）と内部の結晶
欠陥に重金属などの不純物をゲッターするイントリンシ
ックゲッタリング（工ｎｔｒｉｎ８１０ Ｇｅｔｔｅｒ
ｉｎｇ ）との両効果によると推定され、このような無
欠陥層に半導体素子を形成すれば、その歩留と品質が普
しく向上する。
実際、半導体素子はシリコンウェハーの表面数μｍＫ形
成されるから、このような無欠陥層の形成によって充分
に目的は果されるわけである。
成されるから、このような無欠陥層の形成によって充分
に目的は果されるわけである。
そのため、シリコンウェハー内部に生ずる結晶欠陥はむ
しろ多い程イントリンシックゲッタリング効果も大きく
なると考えられる。
しろ多い程イントリンシックゲッタリング効果も大きく
なると考えられる。
（０）発明の目的
本発明はこのようなシリコンウェハー内部の結晶欠陥を
効果的に形成させることを目的とした脚素含有量ｔ−搗
案するものである。
効果的に形成させることを目的とした脚素含有量ｔ−搗
案するものである。
■ 発明の構成
その目的は、濃度ｌ×１０〜５ＸＩＯ’ｆ／−の炭素量
を含有し九Ｖリコンウエハーによって達成され、以下図
面を参照して詳しく説明する。
を含有し九Ｖリコンウエハーによって達成され、以下図
面を参照して詳しく説明する。
（１３） 発明の実施例
ところで、酸素量は引上法でＶリコン単結晶を作成すれ
ば、その濃度は５ＸＩＯ１７から２×１０１８外ｊの範
囲にあって、通常はＩＪＸ１０１８〜１．８Ｘ１０１８
外−の酸素量が含まれており、この酸素量の混入を避け
ることはできない。且つ、結晶欠陥の析出Ｍｔ、を酸素
含有量に１′１［接関係しており、′ｔた内部欠陥の形
成にも１．ｇＸＩＯ外−程度以上の酸素量が必要とされ
ている。
ば、その濃度は５ＸＩＯ１７から２×１０１８外ｊの範
囲にあって、通常はＩＪＸ１０１８〜１．８Ｘ１０１８
外−の酸素量が含まれており、この酸素量の混入を避け
ることはできない。且つ、結晶欠陥の析出Ｍｔ、を酸素
含有量に１′１［接関係しており、′ｔた内部欠陥の形
成にも１．ｇＸＩＯ外−程度以上の酸素量が必要とされ
ている。
しかし、この酸素量を一定としても、炭素量の多少によ
って結晶欠陥の発生が大きく違ってくることが実験結果
によって判明した。図はそれを図示しており、縦軸は熱
処理後の結晶欠陥の析出量、換言すれば析出酸素量で、
横軸は熱処理前即ち初期のシリコンウェハーに含有され
る酸素量、線ｌＯは炭素量かｌ ＯＸＩ Ｏ外−の場合
のデータ、線５は６刈０”ｌ−／ａｔ、線２は２ＸＩ
Ｏ”ケ１．線ｌはＩＸＩ Ｏ”外ｊ のそれぞれの炭素
量のデータを示す。
って結晶欠陥の発生が大きく違ってくることが実験結果
によって判明した。図はそれを図示しており、縦軸は熱
処理後の結晶欠陥の析出量、換言すれば析出酸素量で、
横軸は熱処理前即ち初期のシリコンウェハーに含有され
る酸素量、線ｌＯは炭素量かｌ ＯＸＩ Ｏ外−の場合
のデータ、線５は６刈０”ｌ−／ａｔ、線２は２ＸＩ
Ｏ”ケ１．線ｌはＩＸＩ Ｏ”外ｊ のそれぞれの炭素
量のデータを示す。
し九がって、炭素量は多い程、欠陥の析出量は多くなる
ことを示している。しかしその炭素ｔを１０ＸＩＯ”ケ
１日Ｉ Ｘｉ ０１７外ｊまで多く含有させると、表面
にも炭素による欠陥が発生して無欠陥層の形成が難しく
なる。
ことを示している。しかしその炭素ｔを１０ＸＩＯ”ケ
１日Ｉ Ｘｉ ０１７外ｊまで多く含有させると、表面
にも炭素による欠陥が発生して無欠陥層の形成が難しく
なる。
その友め、ｌ ＸＩ Ｏ１６〜５刈０１６）ｒ／ａｄの
炭素量を含有させるもので、Ｉ Ｘｉ Ｏ”以下と炭素
量が少なければ、酸素量をわざと多くしても結晶欠陥の
析出が少なくて、インドリンＶツクゲッタリング効果は
充分ではない。
炭素量を含有させるもので、Ｉ Ｘｉ Ｏ”以下と炭素
量が少なければ、酸素量をわざと多くしても結晶欠陥の
析出が少なくて、インドリンＶツクゲッタリング効果は
充分ではない。
炭素は単結晶に引き上げる時、カーボンるっほなどから
混入するもので、これを避けることはできないが、本発
明では引上時に特に混入させることがｌ１ｌｔＬい添加
方法である。
混入するもので、これを避けることはできないが、本発
明では引上時に特に混入させることがｌ１ｌｔＬい添加
方法である。
（ト）発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明はシリコンウェ
ハーに定量の炭素量を含有させるもので、かくして半導
体装置を高品質化することができるものである。
ハーに定量の炭素量を含有させるもので、かくして半導
体装置を高品質化することができるものである。
図は炭素量による酸素量と析出欠陥との関係デーｌを示
す。 燭 に 績 梢 七 量 碑 を 酸 業 藪雫！パ
す。 燭 に 績 梢 七 量 碑 を 酸 業 藪雫！パ
Claims (1)
- 濃度ｌＸｌ０”〜５ＸＩＯ”ケ、４−の次素量を含有さ
せたことを特徴とするシリコンウェハー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8112682A JPS58197716A (ja) | 1982-05-13 | 1982-05-13 | シリコンウエハ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8112682A JPS58197716A (ja) | 1982-05-13 | 1982-05-13 | シリコンウエハ− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58197716A true JPS58197716A (ja) | 1983-11-17 |
Family
ID=13737694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8112682A Pending JPS58197716A (ja) | 1982-05-13 | 1982-05-13 | シリコンウエハ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58197716A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62202900A (ja) * | 1986-03-03 | 1987-09-07 | Toshiba Corp | 半導体シリコンウエハ及びその製造方法 |
| JPH1050715A (ja) * | 1996-07-29 | 1998-02-20 | Sumitomo Sitix Corp | シリコンウェーハとその製造方法 |
| JPH10229093A (ja) * | 1997-02-17 | 1998-08-25 | Sumitomo Sitix Corp | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| JP2002176058A (ja) * | 2000-12-11 | 2002-06-21 | Sumitomo Metal Ind Ltd | シリコン半導体基板の製造方法 |
| JP2006332689A (ja) * | 2006-07-10 | 2006-12-07 | Sumco Corp | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
-
1982
- 1982-05-13 JP JP8112682A patent/JPS58197716A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62202900A (ja) * | 1986-03-03 | 1987-09-07 | Toshiba Corp | 半導体シリコンウエハ及びその製造方法 |
| JPH0463839B2 (ja) * | 1986-03-03 | 1992-10-13 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
| JPH1050715A (ja) * | 1996-07-29 | 1998-02-20 | Sumitomo Sitix Corp | シリコンウェーハとその製造方法 |
| JPH10229093A (ja) * | 1997-02-17 | 1998-08-25 | Sumitomo Sitix Corp | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| JP2002176058A (ja) * | 2000-12-11 | 2002-06-21 | Sumitomo Metal Ind Ltd | シリコン半導体基板の製造方法 |
| JP2006332689A (ja) * | 2006-07-10 | 2006-12-07 | Sumco Corp | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8323403B2 (en) | SOI wafer and method for producing it | |
| JPH01202828A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2004304095A (ja) | シリコンウェーハおよびその製造方法 | |
| WO2001079593A1 (fr) | Plaquette de silicium, plaquette de silicium epitaxiale, plaquette de recuit et procede de production de ces plaquettes | |
| US6277715B1 (en) | Production method for silicon epitaxial wafer | |
| US6117231A (en) | Method of manufacturing semiconductor silicon single crystal wafer | |
| JPH09199416A (ja) | 半導体基板とその製造方法 | |
| JP4196602B2 (ja) | エピタキシャル成長用シリコンウエーハ及びエピタキシャルウエーハ並びにその製造方法 | |
| JPS58197716A (ja) | シリコンウエハ− | |
| JPH05291097A (ja) | シリコン基板およびその製造方法 | |
| JP2010287885A (ja) | シリコンウェーハおよびその製造方法 | |
| JP2002198375A (ja) | 半導体ウェーハの熱処理方法及びその方法で製造された半導体ウェーハ | |
| JPH03275586A (ja) | シリコン単結晶ウェーハの製造方法 | |
| JP2762183B2 (ja) | シリコン基板の製造方法 | |
| JPS639745B2 (ja) | ||
| JPS59121193A (ja) | シリコン結晶 | |
| JPS63112488A (ja) | 単結晶シリコンの成長方法 | |
| JPS63198334A (ja) | 半導体シリコンウエ−ハの製造方法 | |
| JPH05121319A (ja) | 半導体装置の製造法 | |
| JPS63142822A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP7384264B1 (ja) | エピタキシャル成長用シリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハ | |
| JPS6097619A (ja) | 半導体製造方法 | |
| JPH08290995A (ja) | シリコン単結晶及びその製造方法 | |
| JP4414012B2 (ja) | シリコン単結晶ウェハの熱処理方法 | |
| JPS594128A (ja) | 半導体装置の製造方法 |