JPS58197635A - シヤドウマスク式カラ−受像管 - Google Patents
シヤドウマスク式カラ−受像管Info
- Publication number
- JPS58197635A JPS58197635A JP7819782A JP7819782A JPS58197635A JP S58197635 A JPS58197635 A JP S58197635A JP 7819782 A JP7819782 A JP 7819782A JP 7819782 A JP7819782 A JP 7819782A JP S58197635 A JPS58197635 A JP S58197635A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shadow mask
- thickness
- blackened film
- thermal expansion
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/06—Screens for shielding; Masks interposed in the electron stream
- H01J29/07—Shadow masks for colour television tubes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2229/00—Details of cathode ray tubes or electron beam tubes
- H01J2229/07—Shadow masks
- H01J2229/0727—Aperture plate
- H01J2229/0777—Coatings
- H01J2229/0783—Coatings improving thermal radiation properties
Landscapes
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はシャドウマスク式カラー受像管に係り、特に高
解像度の要求されるシャドウマスク式カラー受像管（以
下単に高解儂度管と云う）に関するものである。
解像度の要求されるシャドウマスク式カラー受像管（以
下単に高解儂度管と云う）に関するものである。
〔発明の技術的背景とその問題点Ｊ
最近コンピュータなどの普及に伴い文字や図形の情報表
示装瞳として高解儂度管の１１．１！が高まっている。
示装瞳として高解儂度管の１１．１！が高まっている。
この高解偉度管には一般に電子ビーム通過孔郷関のピッ
チ（以下孔ピッチと云う）が０．３−以下のシャドウマ
スクが使用されそいるが、漢字表示のためＫはこの孔ピ
ッチで本不充分であり、更に孔ピッチを０．２膿とした
７ヤドウマスクが使用されるようになってきている。
チ（以下孔ピッチと云う）が０．３−以下のシャドウマ
スクが使用されそいるが、漢字表示のためＫはこの孔ピ
ッチで本不充分であり、更に孔ピッチを０．２膿とした
７ヤドウマスクが使用されるようになってきている。
ところで、このようにシャドウマスクの孔ピッチを小さ
くすると、当然のことなから孔径の小さなものが要求さ
れ、例えば０．３−の孔ピッチのものでは孔径が１４３
μｍ 、 ０．２■の孔ピッチのものでは孔径が９５μ
ｍとなっている。
くすると、当然のことなから孔径の小さなものが要求さ
れ、例えば０．３−の孔ピッチのものでは孔径が１４３
μｍ 、 ０．２■の孔ピッチのものでは孔径が９５μ
ｍとなっている。
このようにシャドウマスクに極めて高精度かつ微細な電
子ビーム通過孔部を規則正しい配列で穿設するのＫは現
在フォトエツチング法に頼っているが、一般にこのフォ
トエツチング法で得られる蛾小孔径はシャドウマスクの
材厚程度となっているため、孔ピッチが０．３−のもの
に対しては材厚０．１３■乃至０．１４ｍの屯のを使用
し、孔ピッチが０．２ ｓｍのものに対しては材厚０．
１０閣のものを使用し最終的に黒化膜を形成して組み込
まれている。
子ビーム通過孔部を規則正しい配列で穿設するのＫは現
在フォトエツチング法に頼っているが、一般にこのフォ
トエツチング法で得られる蛾小孔径はシャドウマスクの
材厚程度となっているため、孔ピッチが０．３−のもの
に対しては材厚０．１３■乃至０．１４ｍの屯のを使用
し、孔ピッチが０．２ ｓｍのものに対しては材厚０．
１０閣のものを使用し最終的に黒化膜を形成して組み込
まれている。
さて、このようにシャドウマスクの孔ピッチが小さくな
妙、材厚が薄くなるとカラー受偉管に組み込み稼動する
場合、シャドウマスクの材厚に比例して局部的に電子ビ
ームの射突を受けた時に７ヤドウマスクが加熱により、
いわゆるドーミング現象を起すばかりでなく、微細な孔
径の電子ビーム通過孔部を介して所定の蛍光体層に射突
する時の余裕度即ち、ガートバンドが小さくなり、その
結果ホワイトユニフォミティの余裕度が少なくなる。
妙、材厚が薄くなるとカラー受偉管に組み込み稼動する
場合、シャドウマスクの材厚に比例して局部的に電子ビ
ームの射突を受けた時に７ヤドウマスクが加熱により、
いわゆるドーミング現象を起すばかりでなく、微細な孔
径の電子ビーム通過孔部を介して所定の蛍光体層に射突
する時の余裕度即ち、ガートバンドが小さくなり、その
結果ホワイトユニフォミティの余裕度が少なくなる。
従って、一般家庭用カラー受像管に使用されるシャドウ
マスクのように材厚ｏ、１５騰乃至０．１８閣、孔ピッ
チ０．６ ｔｍＯものでは比較的問題の少なかったビユ
リティドリフトが高解像度管では致命的となるため、こ
の高解＊［管に使用するシャドウマスク素材としては、
鉄、、、・・・（Ｐａ）とニッケル（Ｎｉ ）を主成分
とする低熱膨張材を使用する必要がある。
マスクのように材厚ｏ、１５騰乃至０．１８閣、孔ピッ
チ０．６ ｔｍＯものでは比較的問題の少なかったビユ
リティドリフトが高解像度管では致命的となるため、こ
の高解＊［管に使用するシャドウマスク素材としては、
鉄、、、・・・（Ｐａ）とニッケル（Ｎｉ ）を主成分
とする低熱膨張材を使用する必要がある。
このようなｒｅと姐を主成分とする低熱膨張材としては
線膨張係数が０〜１００℃で釣部ＸＩＯ／’００３６
％ Ｎｉ−Ｆｅ 、 Ｏ〜１００ ’Ｏｆ約５．０Ｘ
１０ ／’０の４２嚢Ｎｉ−Ｆｅ等があり、いずれも０
〜１００℃で約１２．０Ｘ１０ ／’０のＦｅに比較
して充分に小さい線膨張係数を有している。
線膨張係数が０〜１００℃で釣部ＸＩＯ／’００３６
％ Ｎｉ−Ｆｅ 、 Ｏ〜１００ ’Ｏｆ約５．０Ｘ
１０ ／’０の４２嚢Ｎｉ−Ｆｅ等があり、いずれも０
〜１００℃で約１２．０Ｘ１０ ／’０のＦｅに比較
して充分に小さい線膨張係数を有している。
しかしながら、表面に黒化膜を形成したシャドウマスク
に低熱膨張材を使用することにより、ビユリティドリフ
ト問題は解決するが、このような低熱膨張材を使用する
ことにより、高解像度管としての耐電圧特性の低下を生
じる問題がある。
に低熱膨張材を使用することにより、ビユリティドリフ
ト問題は解決するが、このような低熱膨張材を使用する
ことにより、高解像度管としての耐電圧特性の低下を生
じる問題がある。
次に発明者らの行なった実験による耐電圧特性の結果ｔ
−第１表に示す、但し実験は０．３−ピッチ、１４イン
チの高解像度管で行なった。
−第１表に示す、但し実験は０．３−ピッチ、１４イン
チの高解像度管で行なった。
第１表
即ち、３６％Ｎｉ−Ｆｅ材の場合、Ｆｅ材に対して平均
耐電圧で約５ＫＶ、スパーク不良率が約１００倍増加す
る結果が得られた。そのため製造工程での高圧エージン
グ処理回数を多くしなければならず、結果として陰極の
電子放射物質を不良にするばかりでなく、エミッション
不良をも増加することになるという問題点がある。
耐電圧で約５ＫＶ、スパーク不良率が約１００倍増加す
る結果が得られた。そのため製造工程での高圧エージン
グ処理回数を多くしなければならず、結果として陰極の
電子放射物質を不良にするばかりでなく、エミッション
不良をも増加することになるという問題点がある。
本発明は前述した従来の問題点に鑑みなされたものであ
り、シャドウマスク材として低熱膨張材を使用した時の
耐電圧特性の劣化を防止し傅るンヤドウマスク式カラー
受像管を提供することを目的としている。
り、シャドウマスク材として低熱膨張材を使用した時の
耐電圧特性の劣化を防止し傅るンヤドウマスク式カラー
受像管を提供することを目的としている。
〔発明の概要Ｊ
即ち本発明はシャドウマスク、フレーム、インナーシー
ルドのうち少くともシャドウマスク力ＦｅとＮｉを主成
分とする低熱膨張材からなると共に、この低熱膨張材の
表面に１０μｍ以下の厚さの黒化膜が形成されてなるこ
とを特徴としている。
ルドのうち少くともシャドウマスク力ＦｅとＮｉを主成
分とする低熱膨張材からなると共に、この低熱膨張材の
表面に１０μｍ以下の厚さの黒化膜が形成されてなるこ
とを特徴としている。
発明者らは低熱膨張材からなる表面が黒化されたシャド
ウマスクを使用したシギドゥ育スク式カラー受像管の耐
電圧特性が悪い原因を調査するため３６％Ｎｉ−Ｆｅ材
とＰｅ材からなる表面が黒化されたシャドウマスクを使
用し、孔ピッチ０．３ ｍの１４インチＳ＆解像度管の
パイルとシャドウマスク組立後、パネルと７アンネルの
フリット７−ル後排気後の各工程において、パネル外面
を木ハン÷−により１８撃力約２０００でｌｏｏ回叩い
て発生する大きさ４０μｍ以上のダストの総数と黒化膜
ダストの総数の各平均数量／Ｐを求めたところ、第２表
の結果が得られた１゜ 第２表 但し、上段はダストの総数、下段は黒化膜ダストの総数
である。
ウマスクを使用したシギドゥ育スク式カラー受像管の耐
電圧特性が悪い原因を調査するため３６％Ｎｉ−Ｆｅ材
とＰｅ材からなる表面が黒化されたシャドウマスクを使
用し、孔ピッチ０．３ ｍの１４インチＳ＆解像度管の
パイルとシャドウマスク組立後、パネルと７アンネルの
フリット７−ル後排気後の各工程において、パネル外面
を木ハン÷−により１８撃力約２０００でｌｏｏ回叩い
て発生する大きさ４０μｍ以上のダストの総数と黒化膜
ダストの総数の各平均数量／Ｐを求めたところ、第２表
の結果が得られた１゜ 第２表 但し、上段はダストの総数、下段は黒化膜ダストの総数
である。
即ち、パネル・シャドウマスク組立俵のダスト量はわず
かに３６％Ｎ１−Ｆｅ材の方が多いだけであるが、工程
を軽るに従って３６％Ｎｉ“−Ｆｅ材の方は黒化膜ダス
トが増加している。そこで７ヤドウマスクの黒化膜の表
面奢調査したところ、悪化直後のシャドウマスクでは黒
化膜にごくわずかのクラッタがＦｅ材、３６％Ｎｉ−Ｆ
ｅ材共ｖｃｙめらｒ’するが、ノリットシールや排気工
程のような熱工程を経ると黒化膜のクラックが拡大する
の示確認され、その拡大速度はＮｉ −Ｆ ｅ材の方が
２〜３倍大きく、これが黒化膜ダストの増加の原因と推
定された。
かに３６％Ｎ１−Ｆｅ材の方が多いだけであるが、工程
を軽るに従って３６％Ｎｉ“−Ｆｅ材の方は黒化膜ダス
トが増加している。そこで７ヤドウマスクの黒化膜の表
面奢調査したところ、悪化直後のシャドウマスクでは黒
化膜にごくわずかのクラッタがＦｅ材、３６％Ｎｉ−Ｆ
ｅ材共ｖｃｙめらｒ’するが、ノリットシールや排気工
程のような熱工程を経ると黒化膜のクラックが拡大する
の示確認され、その拡大速度はＮｉ −Ｆ ｅ材の方が
２〜３倍大きく、これが黒化膜ダストの増加の原因と推
定された。
、この原因を調査するためシャドウマスク表面の黒化膜
をＸ線回析した結果、Ｆｅ材の場合にはα−ｒｅ、Ｏ，
とＦｅ１０４とが堅められるが、Ｎ ｉ −Ｆ ｅ材の
方はこの他にＮｉＯが認められる。即ち、下地の金属と
黒化膜との熱膨張に差があると、黒化膜の方が塑性変形
量が小さく、熱膨張差により生じた応力は黒化膜を破壊
する方向に働く、従って低熱膨張材のシャドウマスクの
方が熱工程を軽た時に黒化膜のクラック拡大の大きいこ
とが理解された。
をＸ線回析した結果、Ｆｅ材の場合にはα−ｒｅ、Ｏ，
とＦｅ１０４とが堅められるが、Ｎ ｉ −Ｆ ｅ材の
方はこの他にＮｉＯが認められる。即ち、下地の金属と
黒化膜との熱膨張に差があると、黒化膜の方が塑性変形
量が小さく、熱膨張差により生じた応力は黒化膜を破壊
する方向に働く、従って低熱膨張材のシャドウマスクの
方が熱工程を軽た時に黒化膜のクラック拡大の大きいこ
とが理解された。
参考に各悪化膜の線膨張係数を昭和５４年１１月２５日
発行「最近酸化物便覧１（日ソ通信社発行・サムノノフ
監修）から抜すいし第３表に示す。
発行「最近酸化物便覧１（日ソ通信社発行・サムノノフ
監修）から抜すいし第３表に示す。
第３表
この結果を基にＬ７て熱応力を緩和するために黒化膜の
厚さを薄くし実験を行なったところ、第４表ｒｒｃ示す
結果が得られた。
厚さを薄くし実験を行なったところ、第４表ｒｒｃ示す
結果が得られた。
（辺１・゛余白）
第４表
但し、使用したカラー受像管は孔ピッチ０．３１の３６
％Ｎｉ−Ｆｅ材のシャドウマスクを使用した高解像度管
であり、黒化膜厚１．７〜２．３μｍは従来品の場合で
ある。
％Ｎｉ−Ｆｅ材のシャドウマスクを使用した高解像度管
であり、黒化膜厚１．７〜２．３μｍは従来品の場合で
ある。
即ち、排気後の管内ダスト中の黒化膜ダストは悪化膜の
厚さを薄くするほど著しく１減少し、特に黒化膜厚が１
Ｐｍ以下では従来のＩ’ｅ材力＼らなるシャドウマスク
よりもわずかではあるが良い結果が得られた。
厚さを薄くするほど著しく１減少し、特に黒化膜厚が１
Ｐｍ以下では従来のＩ’ｅ材力＼らなるシャドウマスク
よりもわずかではあるが良い結果が得られた。
ところで従来から黒化膜の厚さは１〜３μｍのものを使
用してきたが、これは′待開昭５４−１３９４６３号に
述べられているように１μｍより薄いと錆が発生し、３
Ｐより厚いとフレームに溶接する時にスプラッシュが多
発するためである。
用してきたが、これは′待開昭５４−１３９４６３号に
述べられているように１μｍより薄いと錆が発生し、３
Ｐより厚いとフレームに溶接する時にスプラッシュが多
発するためである。
本発明者らも黒化膜の厚さを１μｍ以下とするために錆
の発生を懸念したが、幸いなことにＮｉとＦｅ を主
成分とする低熱膨張材では、Ｎ１が多量に含有されてい
るため、悪化膜が無くても錆の進行は非常に遅く、製造
工程雰囲気の湿度を６０ｔｓ１（、Ｈ以下に管理すれば
錆の発生には問題がないことが判明し７た。
の発生を懸念したが、幸いなことにＮｉとＦｅ を主
成分とする低熱膨張材では、Ｎ１が多量に含有されてい
るため、悪化膜が無くても錆の進行は非常に遅く、製造
工程雰囲気の湿度を６０ｔｓ１（、Ｈ以下に管理すれば
錆の発生には問題がないことが判明し７た。
また悪化膜がないと、電子の弾性反射が多くなること本
懸念されたが、実際に高解像度管で評価した結果では何
ら問題がなかった。
懸念されたが、実際に高解像度管で評価した結果では何
ら問題がなかった。
前述のよって製造工程雰囲気の湿度を６０１ａＨ以下に
管理すれば錆の発生には問題がないが全体の製］Ａ工程
の湿度を６０％Ｉ’ＬＨ以下にすることは難かしいので
、０．５μ程度の厚さの黒化膜を形成しておけば通常の
ＲＨ６０〜９０％では錆発生の問題は々い。従って悪化
膜の厚みは製造工程雰囲気の湿度に応じて決定すればよ
い。
管理すれば錆の発生には問題がないが全体の製］Ａ工程
の湿度を６０％Ｉ’ＬＨ以下にすることは難かしいので
、０．５μ程度の厚さの黒化膜を形成しておけば通常の
ＲＨ６０〜９０％では錆発生の問題は々い。従って悪化
膜の厚みは製造工程雰囲気の湿度に応じて決定すればよ
い。
Ａｉｌ述の実施例では特にＮＩとＦｅを主成分とする低
熱膨張材からなるシャドウマスク［２いて述べたが、こ
のシャドウマスクを溶接支持するフレームや更にインナ
ーシールドに同様な成分の低熱膨張材を使用した時も同
様である。
熱膨張材からなるシャドウマスク［２いて述べたが、こ
のシャドウマスクを溶接支持するフレームや更にインナ
ーシールドに同様な成分の低熱膨張材を使用した時も同
様である。
上述のように本発明のシャドウマスク式カラー受像管特
に高解像度ｆ＃ｉピユリティドリフトがたく、かつ耐電
圧特性が良好となるのでその工業的価値は極めて大であ
る。
に高解像度ｆ＃ｉピユリティドリフトがたく、かつ耐電
圧特性が良好となるのでその工業的価値は極めて大であ
る。
代理人 弁理士 井 上 −男
Claims (1)
- シャドウマスク、フレーム、インナーシールドのうち少
くとも前記シャドウマスクがＦｅとＮｉｔ主成分とする
低熱膨張材からなると共に、前記低熱膨張材の表面ＷＣ
１，Ｏμｍ以下の厚さの黒化膜が形成されてなることを
４Ｇ黴とする７ヤドウマスク式カラー受像管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7819782A JPS58197635A (ja) | 1982-05-12 | 1982-05-12 | シヤドウマスク式カラ−受像管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7819782A JPS58197635A (ja) | 1982-05-12 | 1982-05-12 | シヤドウマスク式カラ−受像管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58197635A true JPS58197635A (ja) | 1983-11-17 |
Family
ID=13655280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7819782A Pending JPS58197635A (ja) | 1982-05-12 | 1982-05-12 | シヤドウマスク式カラ−受像管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58197635A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1989009481A1 (en) * | 1988-03-29 | 1989-10-05 | Zenith Electronics Corporation | Blackening of non iron-based flat shadow masks |
| US4900976A (en) * | 1987-12-02 | 1990-02-13 | Zenith Electronics Corporation | Material and assemblies for tensioned foil shadow masks |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49131779A (ja) * | 1973-04-23 | 1974-12-17 | ||
| JPS5058977A (ja) * | 1973-09-19 | 1975-05-22 | ||
| JPS54139463A (en) * | 1978-04-21 | 1979-10-29 | Toshiba Corp | Color braun tube |
-
1982
- 1982-05-12 JP JP7819782A patent/JPS58197635A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49131779A (ja) * | 1973-04-23 | 1974-12-17 | ||
| JPS5058977A (ja) * | 1973-09-19 | 1975-05-22 | ||
| JPS54139463A (en) * | 1978-04-21 | 1979-10-29 | Toshiba Corp | Color braun tube |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4900976A (en) * | 1987-12-02 | 1990-02-13 | Zenith Electronics Corporation | Material and assemblies for tensioned foil shadow masks |
| WO1989009481A1 (en) * | 1988-03-29 | 1989-10-05 | Zenith Electronics Corporation | Blackening of non iron-based flat shadow masks |
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