JPS58194792A - 無機化合物単結晶の製造方法 - Google Patents
無機化合物単結晶の製造方法Info
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- JPS58194792A JPS58194792A JP7492282A JP7492282A JPS58194792A JP S58194792 A JPS58194792 A JP S58194792A JP 7492282 A JP7492282 A JP 7492282A JP 7492282 A JP7492282 A JP 7492282A JP S58194792 A JPS58194792 A JP S58194792A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、周期表第１ｔ）族元素及び第ｖｂ族元素から
なる無機化合物（以下ｒｌ−Ｖ族化合物」という。）の
単結晶の製造方法に関する。
なる無機化合物（以下ｒｌ−Ｖ族化合物」という。）の
単結晶の製造方法に関する。
ＧａＡｓ 、 ＧａＰ 、■ｎＰ、工ｎＡ６ 、工ｎｓ
ｂ等のＩ−Ｖ族化合物単結晶は、発光ダイオード、ガン
ダイオード、電界効果トランジスター（ＦＥＴ）等の各
種のデバイスの製造に用いられている。
ｂ等のＩ−Ｖ族化合物単結晶は、発光ダイオード、ガン
ダイオード、電界効果トランジスター（ＦＥＴ）等の各
種のデバイスの製造に用いられている。
これらの単結晶は、通常チヨコラルスキー法（Ｃ２法）
、または、温度傾斜法（ＧＦ法）、あるいは、水平ブリ
ッジマン法（ＨＢ法）等のボート成長法で製造されてい
る。
、または、温度傾斜法（ＧＦ法）、あるいは、水平ブリ
ッジマン法（ＨＢ法）等のボート成長法で製造されてい
る。
しかしながら、Ｃ２法では断面が円形の単結晶が得られ
るが、直径の制御が困難であり、また、ボート成長法で
は一定形状の単結晶が得られるが、断面が半円形となる
という問題点がある。
るが、直径の制御が困難であり、また、ボート成長法で
は一定形状の単結晶が得られるが、断面が半円形となる
という問題点がある。
一般に、発光ダイオード、ＦＥＴ等を製造する工程では
、単結晶ウェハーが一定直径の円形であることが好まし
い。これは、これらの工程で用いるデバイスの製造装置
が、一定直径の円形ウェハが容易に得られるシリコンウ
ェハを用いたデバイス類の製造用に開発されたものだか
らである。
、単結晶ウェハーが一定直径の円形であることが好まし
い。これは、これらの工程で用いるデバイスの製造装置
が、一定直径の円形ウェハが容易に得られるシリコンウ
ェハを用いたデバイス類の製造用に開発されたものだか
らである。
したがって、従来は、ポート成長法による半円形のウェ
ハから円形のウェハを切り出したり、あるいは、Ｃ２法
によるインゴット（単結晶棒）の周囲を研削して形状を
整える等の処理を行なっていた。これらの工程では、単
結晶のロスが多く歩留りの低下につながっていた。
ハから円形のウェハを切り出したり、あるいは、Ｃ２法
によるインゴット（単結晶棒）の周囲を研削して形状を
整える等の処理を行なっていた。これらの工程では、単
結晶のロスが多く歩留りの低下につながっていた。
本発明者等は、これらの従来法の問題点を解決し、一定
直径の円形のＩ−Ｖ族化合物単結晶ウェハの製造に適し
た単結晶の製造方法を開発することを目的として鋭意研
究を重ねた結果本発明に到達したものである。
直径の円形のＩ−Ｖ族化合物単結晶ウェハの製造に適し
た単結晶の製造方法を開発することを目的として鋭意研
究を重ねた結果本発明に到達したものである。
本発明の上記の目的は、ＩＩ−Ｖ族化合物の単結晶の製
造方法において、密画容器中に、上端が開口しており、
かつ、下端部に上記Ｉ−Ｖ族化合物の種結晶を設置した
円筒状の単結晶成長用ライナーを、上記１−Ｖ族化合物
の分解を防止するに十分な第Ｖｂ族元素の蒸気圧の存在
下に実質的に鉛直に保持し、さらに、上記ライナーに設
置した種結晶の少なくとも下端部が上記■−Ｖ族化合物
の融点以下の温度であり、上記ライナーの他の部分は上
記１−Ｖ族化合物の融点以上の温度となるように加熱し
、続いて、第Ｎす族元素を上記ライナー中に滴下しなが
ら上記ライナーの温度を徐々に降下させる方法によって
達せられる。
造方法において、密画容器中に、上端が開口しており、
かつ、下端部に上記Ｉ−Ｖ族化合物の種結晶を設置した
円筒状の単結晶成長用ライナーを、上記１−Ｖ族化合物
の分解を防止するに十分な第Ｖｂ族元素の蒸気圧の存在
下に実質的に鉛直に保持し、さらに、上記ライナーに設
置した種結晶の少なくとも下端部が上記■−Ｖ族化合物
の融点以下の温度であり、上記ライナーの他の部分は上
記１−Ｖ族化合物の融点以上の温度となるように加熱し
、続いて、第Ｎす族元素を上記ライナー中に滴下しなが
ら上記ライナーの温度を徐々に降下させる方法によって
達せられる。
本発明に用いる単結晶成長用ライナーの材料は、ＰＢＮ
（熱分解型窒化ボロン）、石英、または、Ｐ Ｂ Ｎ
、 Ｓｉ、Ｎ、あるいは、ＳｉＣ等でコーティングし
たグラファイト等が適当である。石英の場合は内面をサ
ンドブラストして粗面化するのがＳｉ等の汚染を防止す
る点から好ましい。
（熱分解型窒化ボロン）、石英、または、Ｐ Ｂ Ｎ
、 Ｓｉ、Ｎ、あるいは、ＳｉＣ等でコーティングし
たグラファイト等が適当である。石英の場合は内面をサ
ンドブラストして粗面化するのがＳｉ等の汚染を防止す
る点から好ましい。
ライナーの形状は円筒状が適当であり、内径は、２θ〜
７０閣程度が好ましい。内径が２０ｗｐｒ以 １′
下では得られた単結晶の直径が小さく、各種デバイス類
の製造に適しない。また、内径が２０陥以上であっても
差支えはないが、一般に直径が大きくなると結晶性の良
好な単結晶を得がたいので７０ＩＩ０ＩＩ蔵ツＩ好まし
い。また、長さは、６０〜４ｔｏｏｗｎの範囲が好まし
い。ライナーの長さが上記範囲外であっても特に不都合
はないが、生産効率、得られた単結晶の結晶性等の点か
ら上記範囲内であることが好ましい。
７０閣程度が好ましい。内径が２０ｗｐｒ以 １′
下では得られた単結晶の直径が小さく、各種デバイス類
の製造に適しない。また、内径が２０陥以上であっても
差支えはないが、一般に直径が大きくなると結晶性の良
好な単結晶を得がたいので７０ＩＩ０ＩＩ蔵ツＩ好まし
い。また、長さは、６０〜４ｔｏｏｗｎの範囲が好まし
い。ライナーの長さが上記範囲外であっても特に不都合
はないが、生産効率、得られた単結晶の結晶性等の点か
ら上記範囲内であることが好ましい。
上記ライナーには、下端部にＩ−Ｖ族化合物単結晶の種
結晶を設置する部分を設ける。
結晶を設置する部分を設ける。
種結晶設置部のライナーの内径は、必要に応じ、単結晶
成長部よシ小さくし、かつ、所望の成長方向が得られる
ように上記種結晶を保持できるようにする。
成長部よシ小さくし、かつ、所望の成長方向が得られる
ように上記種結晶を保持できるようにする。
上記ライナーを、密閉容器中に種結晶設置部を下にして
実質的に鉛直に保持できるように収容する。「実質的」
とは鉛直からのずれが、／θ０程度であれば差支えない
ということを意味する。
実質的に鉛直に保持できるように収容する。「実質的」
とは鉛直からのずれが、／θ０程度であれば差支えない
ということを意味する。
上記耐圧容器は上部に、第１ｂ族元素収容部及び第Ｖｂ
族元素収容部を有しこれら各収容部は、毛管により、ラ
イナーを収容した部分と連絡している。密閉容器は、加
工が容易で高温でも十分な強度を有する材料を用いて製
造するのが好ましく、通常は石英が適当である。−！だ
、りん（Ｐ）系の化合物の場合は、Ｐの蒸気圧が高いの
で金属製の容器を用いるのが好ましい。この場合は、第
ｊｂ族元素を石英容器に収容して密閉容器中に装入する
のが好ましい。単結晶成長にあたっては、上記密部容器
を電気炉に装入して必要な温度分布を与える。すなわち
、第■ｂ族元素収容部はＩ−Ｖ族化合物の分解を防止す
るのに必要な蒸気圧を与えるのに必要な温度に加熱する
。例えば、ＧａＡ、の場合６００〜６１０Ｃ程度である
。また、ライナーを収容した部分はそれぞれ独立して温
度制御できるようにしてり〜と個程度の部分に分割した
電気炉を用いて、少なくとも種結晶の下端部が融点以下
となり、ライナー上端部に向って徐々に上昇するような
温度分布を与える。この状態で第ｉｔ）族元素を滴下し
ながら温度を降下して単結晶を成長させる。ライナー中
に滴下された第１ｂ族元素は、第ｖｂ族元素蒸気と反応
してＩ−Ｖ族化合物を生成し、当該■−Ｖ族化合物は温
度の降下になって単結晶化する。第１ｂ族元素の滴下速
度は単結晶の成長速度に対応する速度が好ましい。
族元素収容部を有しこれら各収容部は、毛管により、ラ
イナーを収容した部分と連絡している。密閉容器は、加
工が容易で高温でも十分な強度を有する材料を用いて製
造するのが好ましく、通常は石英が適当である。−！だ
、りん（Ｐ）系の化合物の場合は、Ｐの蒸気圧が高いの
で金属製の容器を用いるのが好ましい。この場合は、第
ｊｂ族元素を石英容器に収容して密閉容器中に装入する
のが好ましい。単結晶成長にあたっては、上記密部容器
を電気炉に装入して必要な温度分布を与える。すなわち
、第■ｂ族元素収容部はＩ−Ｖ族化合物の分解を防止す
るのに必要な蒸気圧を与えるのに必要な温度に加熱する
。例えば、ＧａＡ、の場合６００〜６１０Ｃ程度である
。また、ライナーを収容した部分はそれぞれ独立して温
度制御できるようにしてり〜と個程度の部分に分割した
電気炉を用いて、少なくとも種結晶の下端部が融点以下
となり、ライナー上端部に向って徐々に上昇するような
温度分布を与える。この状態で第ｉｔ）族元素を滴下し
ながら温度を降下して単結晶を成長させる。ライナー中
に滴下された第１ｂ族元素は、第ｖｂ族元素蒸気と反応
してＩ−Ｖ族化合物を生成し、当該■−Ｖ族化合物は温
度の降下になって単結晶化する。第１ｂ族元素の滴下速
度は単結晶の成長速度に対応する速度が好ましい。
本発明に係る単結晶成長装置の具体例を図面により説明
する。
する。
第１図は本発明方法の実施に用いる装置の一例であって
ライナーを鉛直に設置した場合の縦断面模型図である。
ライナーを鉛直に設置した場合の縦断面模型図である。
第１図において、／は密閉容器であって、通常は石英製
の封管である。λは単結晶成長用ライナーである。３は
種結晶である。成長方向としては、〈ｌＯθ〉方向、（
／ｌ／＞Ａ８方向が適当である。ダは容器／中にライナ
ー２を保持するための保持具である。５は容器／に設け
られた第１１＋族元素、例えばＧａ 、 ■ｎ等の収容
部である。６は、同じく第ｖｂｔ元素の収容部である。
の封管である。λは単結晶成長用ライナーである。３は
種結晶である。成長方向としては、〈ｌＯθ〉方向、（
／ｌ／＞Ａ８方向が適当である。ダは容器／中にライナ
ー２を保持するための保持具である。５は容器／に設け
られた第１１＋族元素、例えばＧａ 、 ■ｎ等の収容
部である。６は、同じく第ｖｂｔ元素の収容部である。
５及び６は、容器ｌのライナー２を収容した部分と毛管
を介して連絡されている。２は電気炉である。電気炉７
は、ライナーλに所定の温度分布を与える部分と第１ｂ
族及び第■ｂ族元素収容部５及び乙を加熱する部分とか
らなり、それぞれ独立して制御される。さらに、ライナ
ー２を加熱する部分はダ〜！個程度に分割されておりシ
ーケンス制御等により所定の温度分布を形成する。電気
炉２の発熱体としては、カンタル線、スーパーカンタル
線、シリコンカー）（イト（ｓｌｃ）等か、必要とする
温度に応じて選択される。
を介して連絡されている。２は電気炉である。電気炉７
は、ライナーλに所定の温度分布を与える部分と第１ｂ
族及び第■ｂ族元素収容部５及び乙を加熱する部分とか
らなり、それぞれ独立して制御される。さらに、ライナ
ー２を加熱する部分はダ〜！個程度に分割されておりシ
ーケンス制御等により所定の温度分布を形成する。電気
炉２の発熱体としては、カンタル線、スーパーカンタル
線、シリコンカー）（イト（ｓｌｃ）等か、必要とする
温度に応じて選択される。
！は、電気炉２を覆う蓋である。９は、電気炉７を傾斜
させる。ちょうつがい部である。りは、電気炉７を鉛直
面内において、少なくとも約９０°回転できることが望
ましい。１０．／／及び／２は、容器／を保持するスペ
ーサーであって、温度障壁をかねる。
させる。ちょうつがい部である。りは、電気炉７を鉛直
面内において、少なくとも約９０°回転できることが望
ましい。１０．／／及び／２は、容器／を保持するスペ
ーサーであって、温度障壁をかねる。
第７図に示す装置を用いて単結晶を成長させる場合・第
４図に示す１う１・電気炉２を実質 ７・１的に
水平に保持した状態で、密閉容器／の各部が所定の温度
に達するまで昇温する。
４図に示す１う１・電気炉２を実質 ７・１的に
水平に保持した状態で、密閉容器／の各部が所定の温度
に達するまで昇温する。
上記各部が所定の温度に達した後第１図に示すように電
気炉７を鉛直にして第１ｂ族元素の滴下を開始するとと
もにライナー２を収容した部分の温度を降下させる。
気炉７を鉛直にして第１ｂ族元素の滴下を開始するとと
もにライナー２を収容した部分の温度を降下させる。
なお、第２図は、第１図に示した単結晶製造装置におい
て、電気炉７を実質的に水平に保持しだ収態での縦断面
模型図であって、各参照符号は第１図の対応する参照符
号と同一の部分を示す。
て、電気炉７を実質的に水平に保持しだ収態での縦断面
模型図であって、各参照符号は第１図の対応する参照符
号と同一の部分を示す。
第３図は、単結晶成長の際の温度変化を説明する図面で
ある。
ある。
第３図において、縦軸は、第１図におけるライナーコに
沿った長さく任意目盛）を表わし、Ａは、種結晶の下端
、Ｂは種結晶上端、また、Ｅはライナー２の上端をそれ
ぞれ示す。横軸は温度を表わし、横軸の矢印の方向に高
温となる。
沿った長さく任意目盛）を表わし、Ａは、種結晶の下端
、Ｂは種結晶上端、また、Ｅはライナー２の上端をそれ
ぞれ示す。横軸は温度を表わし、横軸の矢印の方向に高
温となる。
ＭＰはＨ−ｖ族化合物の融点である。／３及び／ダは温
度分布を示す曲線である。ライナー２の温度分布が曲線
１３の状態に達するまでは、第２図に示すように電気炉
７（したがって、密閉容器／）を実質的に水平状態に保
持し、曲線／３の温度分布を示すように、昇温した後は
、第１図に示すように実質的に鉛直状態に保持する。続
いて、温度分布の形を変化させずに、曲線／ダのように
温度を低下させて、第３図Ｅの部分が１−ｖ族化合物の
融点（す々わち、第３図ＭＰ）以下に達したときに単結
晶の成長を終了する。
度分布を示す曲線である。ライナー２の温度分布が曲線
１３の状態に達するまでは、第２図に示すように電気炉
７（したがって、密閉容器／）を実質的に水平状態に保
持し、曲線／３の温度分布を示すように、昇温した後は
、第１図に示すように実質的に鉛直状態に保持する。続
いて、温度分布の形を変化させずに、曲線／ダのように
温度を低下させて、第３図Ｅの部分が１−ｖ族化合物の
融点（す々わち、第３図ＭＰ）以下に達したときに単結
晶の成長を終了する。
なお、温度分布の形としては第９図に示すように上限と
下限の温度を制限するものでもよい。
下限の温度を制限するものでもよい。
第９図は、単結晶成長の際の温度変化の他の例である。
縦軸及び横軸は第３図と同様である。
第９図の横軸Ｈ及びＬは、それぞれ上限及び下限の温度
を表わす。１５及び／６は、温度分布を示す曲線である
。
を表わす。１５及び／６は、温度分布を示す曲線である
。
第９図に記載されているその他の参照符号は第３図と同
様である。
様である。
単結晶の成長にあたっては、電気炉７を実質的に水平に
保持して温度分布曲線／ｊまで昇温し、しかる後、電気
炉７を鉛直状態にして第１ｂ族元素を滴下させるととも
に温度を曲Ｈ／ｊから／６へと降下させて単結晶を成長
させる。ライナー２の上端（第９図Ｅ）がＭＰ以下とな
った時点で単結晶の成長が終了する。
保持して温度分布曲線／ｊまで昇温し、しかる後、電気
炉７を鉛直状態にして第１ｂ族元素を滴下させるととも
に温度を曲Ｈ／ｊから／６へと降下させて単結晶を成長
させる。ライナー２の上端（第９図Ｅ）がＭＰ以下とな
った時点で単結晶の成長が終了する。
第９図の例ではライナー２の温度はＨ以上に上昇しない
ので、ライナー材料等からの汚染、ライナーの変形等の
問題が少なくまたＬ以下に低下しないのでアニーリング
効果があり単結晶の結晶欠陥が減少する。
ので、ライナー材料等からの汚染、ライナーの変形等の
問題が少なくまたＬ以下に低下しないのでアニーリング
効果があり単結晶の結晶欠陥が減少する。
本発明方法によると、使用したライナーの形状に応じ一
定形状の単結晶が得られ、かつ、単結晶の結晶欠陥も少
ない。さらに、双晶、多結晶等の生成も少ない。
定形状の単結晶が得られ、かつ、単結晶の結晶欠陥も少
ない。さらに、双晶、多結晶等の生成も少ない。
次に実施例に基づいて本発明をさらに具体的に説明する
。
。
実施例／
密閉容器として第１図／に示した形状の石英封管を用い
、これに、内径２夕頭、長さ／り０問、種結晶設置部の
内径／ＩＴｒａＲ１長さｓｏｒｍの石英ライナーであっ
て、内面をサンドブラストにより粗面化したものを設置
した。種結晶として結晶成長面が（／／／）Ａ８面であ
るＧａ’Ａｓ単結晶（融点／、２３♂Ｃ）を設置した。
、これに、内径２夕頭、長さ／り０問、種結晶設置部の
内径／ＩＴｒａＲ１長さｓｏｒｍの石英ライナーであっ
て、内面をサンドブラストにより粗面化したものを設置
した。種結晶として結晶成長面が（／／／）Ａ８面であ
るＧａ’Ａｓ単結晶（融点／、２３♂Ｃ）を設置した。
第ｖｂ族元素収容部に、ＡＢ／９０ｆ及び第１ｂ族元素
収容部にＧａ ／ ７θＶをそれぞれ収容した。この石
英封管を水平状態に保持したまま電気炉に装入した。電
気炉としては、ライナー加熱部が５個の部分に分割され
ているものを用い、シーケンス制御により第り図に示す
温度分布曲線を形成した。
収容部にＧａ ／ ７θＶをそれぞれ収容した。この石
英封管を水平状態に保持したまま電気炉に装入した。電
気炉としては、ライナー加熱部が５個の部分に分割され
ているものを用い、シーケンス制御により第り図に示す
温度分布曲線を形成した。
この場合、上限温度（すなわち、第り図Ｈ）を／２’１
２Ｃ１下限温度（すなわち、第９図Ｌ）を／、２３０Ｃ
に設定した。また、温度勾配は／、０Ｃ／ｃｒｎに設定
し、種結晶下端部の温度を／２３’ｌ’ｌ：：に設定し
た。まだ、Ａ日及びＧａを収容した部分の温度は６１０
’Ｑに設定した。電気炉の温度が所定の温度に達しだ後
、電気炉を鉛直状態にして、Ｇａを滴下させながら、温
度を１ ０．２Ｃ／ｈｒの降下速度で降下させた。Ｇａの滴下速
度はコ、！ｆ／ｈｒに設定した。７０時間で単結晶の成
長を終了した。直径ｊｊｌ＋０１１、全長／りθ咽のイ
ンゴットが得られた。この単結晶のうち、種結晶側から
？ｔａｗｎｉでか単結晶化していた。
２Ｃ１下限温度（すなわち、第９図Ｌ）を／、２３０Ｃ
に設定した。また、温度勾配は／、０Ｃ／ｃｒｎに設定
し、種結晶下端部の温度を／２３’ｌ’ｌ：：に設定し
た。まだ、Ａ日及びＧａを収容した部分の温度は６１０
’Ｑに設定した。電気炉の温度が所定の温度に達しだ後
、電気炉を鉛直状態にして、Ｇａを滴下させながら、温
度を１ ０．２Ｃ／ｈｒの降下速度で降下させた。Ｇａの滴下速
度はコ、！ｆ／ｈｒに設定した。７０時間で単結晶の成
長を終了した。直径ｊｊｌ＋０１１、全長／りθ咽のイ
ンゴットが得られた。この単結晶のうち、種結晶側から
？ｔａｗｎｉでか単結晶化していた。
種結晶側から１０ｔｔａａ及び７０ｔａｎでのエッチ・
ピット密度（ＥＰＤ ）は♂×１０２／ｒｙ／ｌ及びハ
ク×１０３／ｃｒ／ｌであった。また、キャリア濃度は
、上記の位置でそれぞれｊ×／θ１６ ／ ｃｒＡｌ及
び９Ｘ／θ１６／ ｃｒＡであった。
ピット密度（ＥＰＤ ）は♂×１０２／ｒｙ／ｌ及びハ
ク×１０３／ｃｒ／ｌであった。また、キャリア濃度は
、上記の位置でそれぞれｊ×／θ１６ ／ ｃｒＡｌ及
び９Ｘ／θ１６／ ｃｒＡであった。
実施例２
ＰＢＮ製のライナーを用いた黒星外は実施例／と同様に
してＧａＡｓ単結晶を成長させた。得られたインゴット
全長／ダθ闘のうち、種結晶側から７６闘までが単結晶
化していた。ＢＰＤは種結晶側から１０ＷＩＡ及び７０
ｒａｎの位置で、それぞれ、２．λ×／θ３／ｄ及び３
．９Ｘ ／ ｏ３／ｃｌであった。また比抵抗は同一の
位置で、それぞれ、／、、２×１０７Ω・σ及びコ、Ｏ
Ｘ ／ ０”Ω・σであった。
してＧａＡｓ単結晶を成長させた。得られたインゴット
全長／ダθ闘のうち、種結晶側から７６闘までが単結晶
化していた。ＢＰＤは種結晶側から１０ＷＩＡ及び７０
ｒａｎの位置で、それぞれ、２．λ×／θ３／ｄ及び３
．９Ｘ ／ ｏ３／ｃｌであった。また比抵抗は同一の
位置で、それぞれ、／、、２×１０７Ω・σ及びコ、Ｏ
Ｘ ／ ０”Ω・σであった。
実施例３
種結晶の成長面を（ｔＯθ）面としだ黒星外は実施例２
と同様にしてＧａＡ３単結晶を成長させた。
と同様にしてＧａＡ３単結晶を成長させた。
得られたインプット全長／ｌｉｔＯｒｒｍのうち、種結
晶側から６．２ｍａまでが単結晶化していた。
晶側から６．２ｍａまでが単結晶化していた。
ＫＰＤは種結晶側から／θ闘及び夕θ閣の位置で３×１
０３／Ｃｆｔ及び９．６×／θ３／ｄ、また、比抵抗は
２×／θ７Ω・ｍ及び／、／ Ｘ ／θ８Ω・ｍであっ
た。
０３／Ｃｆｔ及び９．６×／θ３／ｄ、また、比抵抗は
２×／θ７Ω・ｍ及び／、／ Ｘ ／θ８Ω・ｍであっ
た。
第１図は、本発明に係る単結晶成長装置の７例であって
ライナーを鉛直に設置した場合の縦断面模型図である。 第２図は、本発明に係る単結晶成長装置の水平状態にお
ける縦断面模型図である。第３図及び第９図は温度分布
曲線の変化を示す図である。 ｌ・・・・・・密閉容器 コ・・・・・・ライナー
３・・・・・・種結晶 ７・・・・・・電気炉（
は力）１名フ 第 ２ 図 弼 ３ 図 男４図
ライナーを鉛直に設置した場合の縦断面模型図である。 第２図は、本発明に係る単結晶成長装置の水平状態にお
ける縦断面模型図である。第３図及び第９図は温度分布
曲線の変化を示す図である。 ｌ・・・・・・密閉容器 コ・・・・・・ライナー
３・・・・・・種結晶 ７・・・・・・電気炉（
は力）１名フ 第 ２ 図 弼 ３ 図 男４図
Claims (2)
- （１）周期表第１ｂ族元素及び第Ｖｂ族元素からなる無
機化合物の単結晶の製造方法において、密閉容器中に、
上端が開口しており、かつ、下端部に上記無機化合物の
種結晶を設置した円筒状の単結晶成長用ライナーを、上
記無機化合物の分解を防止するに十分な第Ｖｂ族元素の
蒸気圧の存在下に、実質的に鉛直に保持し、さらに、上
記ライナーに設置した種結晶の少なくとも下端部が上記
無機化合物の融点以下の温度であり、上記ライナーの他
の部分は上記無機化合物の融点以上の温度となるように
加熱し、続いて、第１ｂ族元素を上記ライナー中に滴下
しながら上記ライナーの温度を徐々に降下させることを
特徴とする方法。 - （２）周期表第１ｂ族元素及び第Ｖｂ族元素からなる無
機化合物がひ化ガリウム（ｏａＡｓ ）である特許請求
の範囲第１項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7492282A JPS58194792A (ja) | 1982-05-04 | 1982-05-04 | 無機化合物単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7492282A JPS58194792A (ja) | 1982-05-04 | 1982-05-04 | 無機化合物単結晶の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58194792A true JPS58194792A (ja) | 1983-11-12 |
| JPH0233680B2 JPH0233680B2 (ja) | 1990-07-30 |
Family
ID=13561343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7492282A Granted JPS58194792A (ja) | 1982-05-04 | 1982-05-04 | 無機化合物単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58194792A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2024111297A (ja) * | 2019-06-07 | 2024-08-16 | フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | Ａｉｉｉ－ｂｖ単結晶またはウエハ |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50154199A (ja) * | 1974-04-30 | 1975-12-11 | ||
| JPS5241226A (en) * | 1975-09-25 | 1977-03-30 | Takasago Corp | Repellant against mites |
| JPS5731556A (en) * | 1980-08-04 | 1982-02-20 | Toyo Keesu Kk | Automatic glueing assembling machine for corrugated cardboard box |
-
1982
- 1982-05-04 JP JP7492282A patent/JPS58194792A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50154199A (ja) * | 1974-04-30 | 1975-12-11 | ||
| JPS5241226A (en) * | 1975-09-25 | 1977-03-30 | Takasago Corp | Repellant against mites |
| JPS5731556A (en) * | 1980-08-04 | 1982-02-20 | Toyo Keesu Kk | Automatic glueing assembling machine for corrugated cardboard box |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2024111297A (ja) * | 2019-06-07 | 2024-08-16 | フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | Ａｉｉｉ－ｂｖ単結晶またはウエハ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0233680B2 (ja) | 1990-07-30 |
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