JPS58190A - 導波路型ガスレ−ザ装置 - Google Patents

導波路型ガスレ−ザ装置

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JPS58190A
JPS58190A JP56098858A JP9885881A JPS58190A JP S58190 A JPS58190 A JP S58190A JP 56098858 A JP56098858 A JP 56098858A JP 9885881 A JP9885881 A JP 9885881A JP S58190 A JPS58190 A JP S58190A
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pulse
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雅晴 鈴木
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02Constructional details
    • H01S3/03Constructional details of gas laser discharge tubes
    • H01S3/0315Waveguide lasers

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明はレーデ装置にかかわヤ、特に4波路臘ガスレ
ーデ装置に関する。
辺部、蓼i≠壽寧伝搬可能な中空導波路内で励起放電さ
せ、これによってレーデ光を発生させるようにした導波
路IIJi!スレーデ値置が開装されているが、構在こ
れO励起方式には大きくわけて2つの方式がある。
1つは従来より行なわれている1 0 (kV)穆t。
高圧直流電圧による直Rm起(以下DC励起と称する)
でTo)、もう一つは米国特許41藝9251号あるi
は特許出願公鋪昭54−103@[!号に示されている
ようtic 3 G (MHI、]〜3 (GHI)O
VHFIあるいはUIW帝における為周波励起、即ちR
FJitl起による方法である。
また、上記DC励履方式は電極1の放電路を光軸に平行
にとるか―直にとるかくよって2つの方式に分かれる。
1gも、第1図に示すように放電路2を光軸JK平行に
形成すると共に電極1を光軸3方向に離間させて配置す
る縦形励起方式及び纂2図に示す光軸Jを介して対峙さ
せる横形励起方式に分けることができる。
そして、いずれの方式のものも電極1間で放電音生しさ
せ、その放電により得た光を放電路2の絢端に設けられ
る図示しない共振ミラーで反射させて放電路z内で共振
させ、増幅してレーデ光として出力する。
ところで、上述0@形励起方式では、電極間隔が長いた
め、電Iiノに加える印加電圧を高くしなければ放電さ
せることができない、又、上述の電極1や放電路2、共
振ミラー等はレーデ管に樹人されるがこのレーデ管′k
v!i封する丸め管を封じ切9にする時はガス圧を上げ
ることによジ、長期寿曾化をはかるが、ガス圧の上昇は
放電に必要な電圧をさらに上げることになる。
これに対し、上記横形励起方式はw42図O如く放電路
にΩりた平行な一対の電極1を光軸Jを介して対峙させ
る方式でhるため、電極間隔が狭くなるから印加電圧は
縦形励起方式よりも低くすることができ、その分、ガス
圧を上げ中すい利点があるが、反間、平行な電極である
から導波路2中で一様な放電をさせることが離しいとい
った欠点4hある。
DC@起による縦形励起方式及び横形励起方式の共通の
欠点は、どちらも放電インピーダンスが負特性であるた
め、放電電流の時間的な安定化及びlR路内での空間的
な安yi!のために、パラスト抵it−直列に袈絖する
必要があや、効率の悪化、装置O大部化を蝦〈ことであ
る、又、DC励起による放電においては、@Ii降下が
存在するため、1ilI砥によるスバ、タリンダが共振
建う−を汚し、レーデ出力を減少させ、又、陰極降下領
域中でo14電場はレーデガスを分離し、装置寿命を制
限する。
初期の導波路型ガスレーデf!皺、例えば米国時1t’
F3772611号番るいは米国特許4103255号
にみられる導波路蓋ガスレーデ装置では、電源が比較的
簡単な構成で済むDCjJ匙方式で行なわれてい九が、
大出力のレーデ光を得るためには、導波路長即ち、放電
路at艮くとることが必要となり、そのために縦形Jl
!I起方式では電礁関隔がよシ長くな夛、放電1を圧が
必然的に^くなる問題を生じ、まえ、横形励起方式では
放電の空間的一様性が得にくく、5III卓の面で問題
を生じている。
このようなことからDC@起による導波路渥ガスレーデ
装置で得られる出力は数Wが上限であったO これに対し、RP励起方式は第3図に示すように絶縁体
4t−介在させて平行に一対の電極1を対峙させ配設し
、導波路を形成し、前記電極l VC30Mkix 〜
36GHs C1いわゆるVHF帝あるいはUHF偕の
一周波電界を印加することにより、放電を起こさせる方
式であり、次のような長所がある。即ち 1、 無電極放電であや、陰極降下が存在しないため、
陰極のスΔ、!リングがなく、共#R器イミラ汚れが少
なく、ガスの解離も少ない。
したがって長寿命。
2、陰極降下がないため、励起エネルギの損失が少ない
3、横形励起にすれば励起電圧1100VlllJ[の
低電圧にすることがで自電源装置の故障を少なくで會る
4、放電インピーダンスが正の丸め、放電安定化に必要
なパラスト抵抗が不資、したがって装置の小蓋化、効率
O肉上に役立つ。
1 放電が9間的に一壷に分布する。
6、&出力化、小皺軽量化しやすい。
などである。
これに対し短所は以下に示す点である。
1.0C11源の他にRF励起源を必要とする。
2、4披路とRr#起源とのインピーダンス!−プチン
グをとる必要があり、これを行なわなりと、エネルギが
前動に伝送されず、効率が愚くなる。
3、DCからRFへの愛換効率が発生する周波数tこよ
っても変わるがおおよそ60−前後のため、RF励起源
での発熱量が多い。
4、 レーデ出力の制御性が愚い、即ち、導波路とのマ
、チンダをとる会費があるため大幅なJlili&数7
7トはとれず周波数変調では十分なレーデ出力の可変幅
1祷られない、又、印加l1li周波電圧値の可t′を
行なうAM変l1ll(振幅変調)ではRF@C)損失
が大きく、発熱量が多く、放熱の九めO対策が会費とな
ル装置の小型、a量化を―しくする。
本発明は上記事情Kmみて成されたもので、その目的と
するところは、前記RFmFm式の長Ffr′にその1
ま備えつつ、短所をすべて解決したハイ・リヒテ牟シセ
ン・パルス・トランスバース・f4スチャージ・イクサ
イテーション(HIGHREPETITION PUL
SICTRANliiVlCR8K DI8−CHAR
(J■CITATION )法(以下HRP法と呼ぶ)
による尋波路戯ガスレーデ装置を提供せんとするもので
あり、以下、そのW7P細t−図面及び実施例に基づ^
て説−する。
纂4図は、本発鴫装置のうち、導波路部分につhての一
夷at例を示す斜II衝面図である0図中41鉱上下に
離間して配設された縦長の一対の電極であ勺、この電*
41は金属製で且クレープ光の光軸4z方向に沿って配
設されている。
また、この一対O11@4s閏にはその側端縁辺#に前
記光軸42に沿って絶縁材4Jが配設されておル、この
絶縁材41と電極41とによって包囲されて形成される
酋le光軸42に沿り友空関が導波路44とな為、普九
上起電1h41はその導波路壁am分となる部分は5−
以下0ラフネス即ち仕上けl11度で光1#研磨されて
^る。
また前記絶縁材4JはそO@献絡路11面なる部分につ
いて5j1j11以下のう7ネスで光学研磨されており
、且つこの絶縁材4J#i熱伝導特性と絶縁特性の優れ
丸材群で作られている。45は4波路を形成する電極4
1、絶縁材4Jt−包一し、導波路部分を外部よ勺Wi
麹し、保題する封入カバーである。レーデガスは導波路
内及び対人カバー45で囲まれ之空関内に封じ込まれて
いる。
レーデガスとしてはCO□(二酸化炭素)、N。
(ちり嵩)、H・(ヘリウム)の三11[温合ガスを使
用し得るが他のレーデガスもしくは、他の1合ガスにお
いても使用され得る。
このような構成の導波路44#i基本的にはRF励起法
の4波路と同じであシ、電極41に三値−塩プレ式の高
圧・母ルス電圧を印加して放電させ、これを導波路44
0両端側に設けられる図示しない共振iラーで光共振さ
せてレーデ光をkiJJ起さぞ、光軸方向にレーデ光を
放出する。
ところで、放電時には放電による発熱のため、4波路内
で高熱が発生し導波路内面が加熱されレーデガスIN!
直−上昇する。一方利得の点から考えるとレーデガス編
度の上昇とともに利得が下がpレーデ出力が下がる。こ
のため、亀惚4)及び導波路44f十分冷却することに
よりレーデ出力の低下を防ぐ必費がある。そこで本発明
にあっては電441に#i島伝導%性が優れ、なおかつ
導電性の優れた金属を使用していみ、即ち、鋼、アルミ
ニウムなどがこれに適している。一方絶縁材4 JKt
J光学研磨することにより十分な反射特性が祷られるこ
とはもちろん、熱伝導特性が優れ、絶縁性の優れた素材
を選択することが必費である。
即ち、これにはB・0が最適てあ夛、ついでBN。
810 、ム120H%などが優れている。又、本発明
にしっては電極41と絶縁材41との間の熱的な結合を
円1’lK行なうようにしている。即ち、熱抵抗を夕な
くするに電極41とam材4Jとの接する屑につ^て十
分な予#1ftもたせ、両面を機械的に1!Ftiiせ
ている。
また、本発@i4の導波路層ガスレーデ装置にお匹て祉
、交書/fルス電界は重電電子の相互作用を無視できる
程度の十分早い時間で反転する′″H# 、 l1lo
#、″L#の三つのレベルを有する3値論壇形式の・f
ルスとして電極41の間に印加させる0mち、これはR
IP$g方式の意味するところと、全く同一でToシ、
亀4i41は導波路中の交番ノfルス電界による放電中
O電子及び陽イオンの移動を制御する機能のみを有し、
放電電fiを与えない。
したがって陰極降下が存在しないためスノ9゜タリンダ
がなく、ガスの解離も少ない長寿命動作が可能であシ、
陰極降下による励起エネルギの損失もなくなる。
又、放電維持電圧は低下し、低電圧動作を可能にし、放
電インピーダンスは正の特性を示し、放電の空間的一様
性が得られる。
さらに放電インピーダンスが正特性であることから放電
安定化のためのバラスト抵抗が不要となり、パラスト抵
抗で消費されるエネルギ損失もなくなる。
本発明において電@41に印加される交番パルス電圧は
第5図に示すような3値論理形式の賦形をしている。即
ち一周期TOうちT1の期間+v@c〔v〕(論理レベ
ル1H”)にな)つづいY−TmOM関O(V)に14
7痺*r、o期間V** (V〕(論理レベル“L”)
になるパルス波形でるる、このようなIIL形のパルス
を電&41に印加することによpつぎのような特性を得
ることができる。即ち、この時の最適パルス振幅値はガ
ス圧電極間隔によってかtk)変わるが一例としてあげ
るとガス圧100 (T@rr)電極間隔1〔■〕では
(1)式で示される。
100 (Y) (1士v、、 1 < 200 (V
) −1)範囲の低電圧値で十分動作可能である。
又、Δルス繰シ返し周期!は(2)式で示されるが’f
 rat 2 * T1十T、          □
傭)この時のΔルス繰夛返し屑JITは次の(3)式で
示されるIl!mであることが望ましい、即ち30ns
  く T(,10100O0−(3)ノ4ルス繰ヤ返
し周期TO下限が30 am1度で制限されるのは現在
得られるパルス発生素子即ちスイ、デンダ素子の最も蛾
かい応答時間が数nsl!度であるためである。しかし
パルス繰シ返し周期TKつiてはΔルス発生素子O関i
lを除いて考えれば下限は、導波路が分壽定IjXI&
I回路として見做し得る値、即ち10 as程度となる
一方/4ルス繰)返し周期iの上限値は特に明確な境界
があるわけでなく、10000m100O0[:以下で
あればほとんど問題なく放電を開始する。
次に菖6図は本発明によるハイ・リビテイシャン・i?
ルス・トランスバース・ディスチャージ・エキサイテー
シ、ン(HRP )法による励起源の基本構成を示した
ものである。
図においてdlはi4ルス発生回路で二系統の出力層子
61m、61bを有し、出力端子11m及び出力層子6
1bには第7図(a)、伽)に示すスイ、デンダ僅号が
あられれる。52及び61はスイッチング素子であ夛ス
イッチング素子#zFim配パルス発生回路61の出力
端子fi1mに心られれるスイ7チング僅号によりて制
御され、ま友、スイッチング素子61bは出力層子61
bにあられれるスイ、デング信号によってオン、オフI
III御されている。#4は正O[を電圧+■(lco
加わるグラスの電源趨子で6)、65#i負直流電圧−
v、cの加わる1イナスの電II趨子である。ggI;
を励起源の出力層子であり前記スイッチング素子#J、
#Jの出力側が接続されてその合成出力として臨7因の
(a) K示すタイムチャートに従2良、3値論理形式
のノ曽ルス技形を出力する。
本発明において、このような液形O交番・奇ルス電界を
*@41に印加することにより、装置自体は次のような
性能を実現することがで龜る。
即ち、纂1にRF励起源よ)も回路的に非常に肩車かつ
小部かつ場景安価な/fルス発生源により、8F励起と
同じ#超効果を遂行で龜る。即ち菖8図は一般的な50
0WC)RF@起源の基本構成図であるが、まずオシレ
ータ(O4,C)81によJWF帯あるいはUliF蕾
の^周波を発生し、これをバ、7アアンデ1zを遇し増
幅後小電力増帳R8Jを通して増−する、さらに大電力
増Is段14で増幅する。篇8図中ではこの大電力増一
段84は一例としてパラレル方式で増幅し合成−85で
合成しているが他の方式でも実現可能であることはいう
までもなi。
一方、500W出力の本発明による励起源では316図
に示し次ようにΔルス発生回路6ノとスイッチング素子
g2.ilからなる/4ルス発生誰たけて#I成するこ
とができる・#I2にRF動起力式で#′1D01に源
からのエネルギを高周波顧ちRFのエネルギに叢換する
効率は増幅器の増幅形態によっても異なるがB級あるい
はA1級増幅器で増幅した場合、塩論上78−であシ、
実際にはその他の付属回路あるいは周辺回路でのエネル
ギロスであるため、効率60−〜70チである。したか
って40−〜30−がRF励起隷内で熱と、して消費さ
れることになる。
ところか、RF励起源の出力が大きな場合、例えば数白
Wの出力を扱うような励起源ではこの慣矢は無視できな
一叙憾になる。即ち500Wの出力を発生している状崖
では210 (W)へ330 LW)のエネルギが励起
源内部で熱の形で発生するため、十分な放熱対策を行な
う必要が生じ、その結末、輌皺自体の大型化を招くこと
にもなる。
又、叢換効卓が想すということは省エネルギに反するこ
とでもあり、500[:W]の高周波出力を得るのりこ
約800 CW)のエネルギt−DC電源から供給しな
ければならないことを意味する。
−力、本発明によるHRP法による励起源では導波路へ
供給する電圧波形が交番−fロスであり、励起源内のア
クティブ・rバイス、mち、能動素子はオンかオフの動
作を行なうところのD級動作を行なっている。D級動作
は履論上損失がゼロでめ夛、最も損失の発生しやすい、
最M段でこのDW1動作を行なわせている本装置励起源
は究極的かつ理想的な動作形動であるといえる。
ただし実際にはこのD級動作もスイッチンダ周期が短か
くなるにつれて損失が増加する傾向にある。(これをT
RAMSIENT LOB& ; トtンノエント・ロ
スと呼ぶ)これ扛オフからオンに至る期間あるいはオン
からオフに至る期間で実質上人截罠近い動作をする丸め
である。又、スイ。
チング素子自体にも飽和領域が存在するため、実際には
オンの状態で一過千の損失がある。
(これを8ATURATION LOgJi ;サチ^
レージ、ン・ロスと呼ぶ) このような損失をすべて加え合わせ、なおかつ七の他周
辺回路でのエネルギ消費4加えた試聴での情夫は人力直
流エネルギの1011程度でおる。
一方繰り返し回数が10’以上の高速度な二値si壇形
式のパルスを作る場合、W、6図の基本構成rcてg9
図(&)及び(b)で示されるスイ、チングf!1号で
スイ、テング素子を制御すれば第6図回路の出力1子6
gには第9図(C)で示される二値−塩形式の方形・ヂ
ルス波形を得ることができるが、このような・9ルス波
形生成において過渡状MjlLIち片刃のスイ、チ/グ
素子がオンからオフもう一方のスイ7チング嵩子がオフ
からオンに同時に変化する場合、i化遍根の中間で両ス
イ、ナング嵩子が共に導通し、−量的に大きな電11 
t +Vccから−VCCに向って流す現象が存在する
このような時、両スイッチング素子には人力エネルギー
の10s〜20%の損失が発生する。
さて本発明による励起源ではこうした二*iim理形式
の方形・fルス制−のもつ低効率特性を除去しなおかつ
D級動作の特性を十二分に生かした三値−塩形式によ)
交番Δロス波形を生成している。
本方式によればトランジェント・ロス (TRANSIENT LO88)とサテ無レージ、ン
・ロス(8ATURATION LO1!8 )と周辺
回路でのエネルギロスが全損失であるため、効率90襲
という今までKない^い値を得ることができる。レーデ
出力の制御は次のような2つの方式で行なうことができ
る。即ち、aI5図において2Tt+Tmを一定として
T1を可変することによ)放電電流を変化させ、レーデ
出力を制御するパルス−可質方式とTIを一定としてT
3つ筐り2Ts+T*を可変とすることKよp放電域a
ti化させ、レーデ出力を制御するan返し爛期可変方
式の2つの方式である。
纂10図は本111制御方式のうちパルス幅可質方式に
ついて、具体化した一形態としての!ロック回路図であ
る0図中xoxFi方形波発振器でToや、Or −v
coの振幅を有し崗期T++T2/2で方形板を発失す
る。また102は電流値工。
の尾篭1iL#であシ、1θJはこの定電flt#tI
0の出力−に入力11を誉絖された電flt値2■。の
定電1!1tdlである。104はこれら両足電流源1
02゜103の接続点と接続点との間に接続されたコン
アンサ、101はコレクタmを前記定電流源103の出
力−に、また、エミ、り@を負の直流−鍬−vcc’l
’−巌絖されスイ、すの役目をは九j−NPN型のトラ
ンジスタであり、方形波発振器101の出力をベース人
力としてスイ、テング動作するもので、方形波発振器1
01の出方が一■ceO時オフになシコ/7′ンサI0
4には定電流#102よ)一定電流■。が流れこみt −51I。dtK従い、光電電圧は直細的に上昇する。
一方トランノスタlo5がオンのときはt =(°(’o −21o)dt = −4/’Z0dt
ン(促い尤IILWIL圧は直線的に下降する。但しC
はコンデンサー04の容量である。即ち、コンデンサー
04の端子電圧は正負両方向に変化する三角波の電圧が
生じる。1o5はこのコンアンサ104の端子出カt−
非反転一人カ端子の人カドするコンノずレータでlj)
、 このコン/中レータ10gの非反転備入カ趨子には
プラス、マイナス両方向に振れる三角#Lが加わる。一
方コ7 i4レータl0fiの反転側人力端子は二回路
適択益のスイッチJOIK接続されておシ、このスイ、
テ101の一方の経路には@流電位十V。ヘ−Vceに
可変できるメグ9110gが、を次他方の経路には久方
端子101が接続されている。
従ってこのスイッチ10flにょ多経路を選択すること
によル例えはスイッチ・101をIリウム10rO1i
jに倒した時、:ff ン、−f L/−タ101cI
反転側人力趨子には一定な直流電圧が印加されることに
な)これを基準に非反転貴入方端子に入力される三角波
がこの一定直流電圧饅よシも大t1(なりた時、コンパ
レータ106の出力はマイナスからグラスに反転し再び
三角波が一定直流電圧箇よシも小さくなった時、プラス
からiイナスに戻る。この時直流電圧値を大きくすると
コンパレーメ出カのグラスの方形パルス暢tよ少さくな
り、直流電圧値を小さくするとコン・ずレータ出力のグ
ラスの方形ノダルスーは大キくなる。細ちこのメグ91
10gによシ、コンパレータ106の出力)4ルスO幅
を可変することかで龜る。一方、110はコンパレータ
106の出力を1/2分周して出力する1/2分周器、
111はパルス信号分配器で69、この分配器1ツノは
1/2分g4器110の出力により出力端子112及び
3Iiに交互に前記コンパレータ106のパルス出力を
送る役目’を果している。
これにより、ボリウム1011により設定した電圧値を
基単にコンパレータ106の人力三角波がこの基準以上
のレベルのとき正の所定の直流出力t1また基準以下の
とき負の所定の直流出力t−軸生することになるから方
形発振器101の@振#阪叙でzリウム10Bの電圧を
基準にlkl配ミ角波で所定されるノヤルス幅の出力を
出力端子112,113に交互に出力することができる
。促って、これによシ第8図(D/4ルス発生回路6)
を大現できる。
51!11図は本制御方式のうち、繰シ返し崗期可変方
式について具体化した一形−としてのプロ、り回路図で
ある* $111図の繰シ返し周期可変方式は第1θ図
の・量ルス幅可錠方式に着干の変更を加えることにょ)
構成することができる。即ち薦11図は萬10図回路の
定電流源102.103及びコンデンサ1040回路部
分をトランジスタ105のコレクタと+Vee間に前記
コンデンサ104を接続し、そのコンアンサ104の両
趨子関にFET (電界効果トランジスタ)1140ソ
ース−ドレイ/を接続してこ0FET 1ノ4によ)コ
ンデンサ104の充放電を行なう三角波発生回路に置換
えたもので一すウム108は一定直流電圧[を作シ、端
子 −toIIKは変−信号ある髄はネガティブフィー
ドパ、りによる負*、t*号が加わる。ス1νデ107
はこれら両者の選択會行なう、トランジスタ105はペ
ースKmわる入力電圧を抵抗1)5で鯛りた電Rfli
をコレクターエン、夕関に流す電圧−電流変換器として
−〈、コンデンす104はトランジスタ101の;レク
メ電流によp正の直流電源+v、、から負の直流電源−
■、。に向ってほぼ直麹的に充電が行なわれ為。
ところがトランジスタ101のコレクタにはコンパレー
タ10#O反転側入力端子が接続畜れており、さらKm
反転側入力端子にはV、なるレベルの基準電圧1ノーが
印加されて−ゐ九もコレクタ電圧がV、以下になるとコ
ンパレータJ##0出力扛ローレベルからハイレベルに
反転するφコンパレーク出力は単安定マルチパイプレー
ク111に与えられてお夛、この出力によ)単安定Tル
テバイツレータ出力は一定時間ハイレペルになると同時
にリセット用FMT114を導通の次層にさせ、コンr
ンナ104會放電させもとの次層に戻す、一方単安定マ
ルチパイfレータ11Fの出力は1l2分周@11−及
びΔルス値号分配置に111に111続され1l2分周
器110の出力は制御信号入力4sK二つの出力端子に
λ力信号を交IK出力する/fルス僅号分配8111に
制御信号として与えられる。一方、パルス信号分配@I
JIKは単安定!ルテパイプレーメJ J 10出力が
人力として与えられるため、Δルス信勺分配−7770
出力端子112及びIIJKはζO単安fil−tルテ
パイプレー1111の出力パルスが交!に分配され出力
され為・又、出力端子11、JJLび111はIIM6
mlIO端子izhegxbK@轟すゐ%0 c′h 
1 、出力端子111及び1110次段にはスイッチン
グ素子がf、シ&7”ル(ff1l[−FULL ) 
0形でつながる。
このような構成O装置はスイッチ101を一すウム11
)a9aK設定す為、これによ)−リクム10#よ)所
定電位O畠力がトランジスタ1010ペースにλ力11
九トランジス11121線導通して+v1.と−V@、
MO電位葺がコンTンt104に印加され、:27f”
79104はFツyt)、x、I 1 a J()ペー
ス電位をIIkItltJIIで御2九mot#1値で
充電される参この充電電位はコンパレータ1fj#t)
ML&側入力端子に入力され、コン/量し−タJ#l紘
非反転側入力端子に2IllJLられている基準電圧v
1を基準に前記入力を比較し、該入力が基準電圧v1以
上のときは正の出力を、を九以下のときは負の出力を発
生する。
この出力は単安定マルチパイプレータ11rK与えられ
、単安定マルチパイプレーメ111はその入力の立上ヤ
時に所定時間幅のパルスを発生すルm COt4 ルx
はFli’r 114.1l2分周器1101パルス信
号分配811ノに入力される。
するとFET I J 4はこのパルスの一発生期間、
導通状崖となり、これによりてコンr7す104の充電
電荷は放電されるa FET i J 4はパルスの発
生期間経過後は非導通となるため、コンデンサ104は
再充電されるが、光電開始時はその端子電圧は小さいの
でコンパレータ10−の出力はコンr7す104の充電
が過みその端子電圧が基準電位V、 t−超えるまでは
負の出力となる。
コンデンサ104の端子電圧がvsを超えるとコンパレ
ータ11Fの出力は再び正となるので、この時点で単安
定マルチバイブレータrxrは所定時間幅のパルスを発
生し、上述の動作が繰)返されることになる。
一方、単安定マルテパイプレーメ111の出カッ4ルス
を受は九v2分周III J oはこのパルスt−1l
2分周してパルス信号分配器111に与え、これによっ
てパルス信号分配器111は出力端子111.111を
交互に切換え、単安定マルチバイブレータ111の出力
パルスを出力端子112.111に交互に出力する。そ
の結果、出力端子112には菖γ閣(&)O加電、ま九
出力端子113に紘菖yaia伽)の加電、出力が表わ
れる。
即ち、上記構成において104.101m114.1a
g、l1ls、11σ、 J I FKよる回路によ〕
Δルス発振を行ない、これをWk段の1l2分周回路1
10、パルス信号分配@ 111により二つの出力端子
に交互に分配してパルスを出力する。このような回路に
よりJII6aに示すノfルス発生回路6ノを形成し、
その出力によってスイッチング素子iz、ixを交互に
動作させることによp菖7園(−)の如き出力が得られ
る、この−路ではコン1ンサ104の充電速度はトラン
ジスタ1010ペース電圧と抵抗111により定まる丸
め、この両省のいずれかを可変することにより充電速度
が変化するから単安定マルチパイグレータ117の動作
限界を限度として繰シ返えし周期を可変できる。
ところで、38101m、j111図に示し九二つの制
御力式の特徴は制御1lIIfIIi囲が十分広いこと
からレーデ出力の−svt光電変換し基準設定値との差
をと夛これを増幅した後層子iojに加えることによル
ネガティfフィードパ、りを行なうことができる点KT
oる。即ち、レーデ出力が設定基準値より小さい時は端
子109に加わる電圧も小さくな夛、その結果パルス−
が大きくなpレーデ出力が増えるように動作し、レーデ
出力が大きい時KFiΔルスパル小さくなルレーデ出力
【数少させるように動作するのである。
したがってこのようなことから光出力の安定化及び設定
が簡単処しかも高速度で行なえるといつ危機aを一つこ
とが可能になる。又、端子zosK*小交f11信号を
加えることによシパルスー変脚を行なうことも可能にな
る。:5らに、これら2方式ではレーデ出力可変−がほ
ぼ〇−近辺から1001i1で可能であるKもかかわら
ず、こうした制@にともなう特別な損失が発生すること
なく、高効率でl1all可能であるため省エネルギ的
であnimt放熱器の省略化あるhは藺嵩化にともなう
装置自体の小麿、II量化が可能となる。
以上評述したように本発明はレーデ光の光軸に沿って配
設され九一対0電極及びこれら電極間に*述光軸に沿っ
て配設された絶縁体とにょシ前記光−を−むように滲I
ftされ九導披路を備え、前配電41MK電圧を印加し
て放電させることKより前記導波路を遇して光共龜させ
レーデ光を励起させるようにし九導絖路履ガスレーデ装
置におhて、前記電極は鵬電導皐が^〈導電性の良い金
属#を箇た*g絶縁体は熱伝導皐の良い材料を用^ると
共Km記電極及び前記絶縁体の前記導波路形成内11′
FIiは光学研磨させて仕上げるとともにレベルが正、
負及び零の三つの次層をとる三値論!IOパルス電圧を
前記電極に与える励起回路を設けて構成し、前記三値論
理のパルス電圧によシ正、零、負の電界変化を繰4kp
I#下がないからこれによる励起エネルギ損失を減るこ
とがてきるなど高エネルプ効率で長寿−04献路戯レー
デ装置を提供することができる。
尚、本発明は上記し且つ図面に示す実施flK限定する
ことなくそoyH旨を変更しない範囲内で適宜変形して
実施し得る奄Oであ)、例えば本発明装置における導皺
路断両形状社属3図に示す長方形のほか、正四角形、正
六角形、正八角形など0jEjIN角形(友だしNsw
+l、2.3・・・)等あるいは必ずしも対称形状をな
す必要性はなく、単なる多角形でh9てもよい他、また
前記3値論履形式O交I/4ルス波形は+vma eO
t −”@@として規定しこれを+V凰 、0゜−v寓
で表わした*Vs *v、″t”あることが菫ましいが
、こうし九正負印加電圧値の適用I!題はlK@上嘴蓚
に、amできるものではなく、正負印加電圧が等しい場
合以外でも、放電は可能でToJ7レーデ光の発生も可
能である。tた、本発v4に&hて菖101m及びjl
llllにdkA幅可変方式及び繰)返し周期′wI変
方式の具体例をあげたがこれら構成以外でもパルス帳変
IIあるhはパルス数11”lll (pHll@ N
umber Modulation )の行なえる構成
であればよ<41に近年IC(集積回路)の見違により
v7y!R換(電圧・周皺赦変換) 、 v/IPw変
換(電圧−ノルスー変換)が瀾単に行なえることから、
これらを用いえ構成によっても岡等な機能を這成し得る
ことはかうまでもない。
tた、本発fIi4における導波路溢ガスレーデ装置は
尭振鵡として使用され得るだけでなく増幅−とじて−便
眉し得る他、また本発明にあっては励起源と411L路
電極閾でのインピーダンス!、チングは行なっていない
がこれを行なうこともできる。
【図面の簡単な説明】
第1図は放電路が光軸に平行な縦が励起方式について示
した導波路断面図、纂2図は放電路が光軸に麹直な横形
励起方弐忙ついて示した導波路fr面図、第3fjAは
8F励起方式の導波路横llIr面図、′第4図は本発
明装置のうち導波路について示した導波路構成斜視断a
i図、315図は本発明において導波路の電極に印加さ
れる交番p4ルス電圧波形を示した図、 1fk6図は
本発明における励起源の基本構Jit図、第7図は纂6
図で示される基本構成回路における各部の電圧波形を示
したタイムチャート、厘8〜は従来ORF励起で500
WOMJ趨原を作る場合O基本構成図、第9図は2値論
履形式の場合Oタイムチャート、第10図は、本発明の
うち、Δルス幅可変方弐について^体化したツa!タ回
路図、第11図は本発明Oうち、繰〕返し周期可変方式
につ込て具体化したプロ、ター略図である。 1.41−・・金属電極、!、44−4波路、S。 42−・光−14、4J−・絶縁材、5 、45−・・
封入カバー、#J−/4ルス脅患−路、gl&+61b
、−ε−出力端子、iz、gs−・・スイッチング素子
、sl−・オシレータ、82−バッファアン1%#S・
−・小電力増幅段、84−・大電力増幅段、ti s−
・・合成器、1ml・・・方形tIJL発振器、102
.101一定電R源、104−1;/f7す、105・
−トツンジスメ%10g−・コンパレータ、10 F 
”−スイッチ、1011−・−リウム、10#・・・入
力端子、11−・−1/2分j@器、111・・・Δル
ス儒号分配器、111.111−・出力端子、114・
−・リセット用FM、115・・・抵抗、116・・・
基準電圧Vい111−単安定マルチ/4イブレータ。 出願人代層人  弁思士 鈴 江 武 彦手続補正書 68.ψ6.lj、198 特許庁長官  島 1)春 樹  殿 1、事件の表示 特願昭56−98858号 2 発明の名称 。 導波路型ガス\レーデ装置 、3.補IFをする音 事件との関係 特許81人 (307)東京芝浦電気株式会社 4、代理ノ、 5 自発補正 (11明細書第12頁第5行m1:記載のrloo(V
)(:1±Wee l < Zoo(V) −1ll 
Jをr too(V)< I ±Vcc l < to
o(V)  −Ill J ト訂正する。 (2:  願書添付図面第8図を別紙の通り補正する。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1ン  し〜デ光の光軸に沿って配設された一対の電
    極及びこれら電極間Km紀光軸に沿って配設された絶縁
    体とによ)#記光軸を囲むように形成された導波路を備
    え、前記電極間に電圧を印加して放電させること罠より
    前記導波路を通して光共熾させ、レーデ光を励起させる
    ようにした導波路m装スソー1M置にお^て、前記電極
    は熱電導率が高く導電性の良い金属材を、を九、llI
    r配絶縁体は熱伝導皐の良い材料を用りると共に前記電
    極及び前記絶縁体の前記導波路形成内壁面は光字研磨さ
    せて仕上け、また、レベルが正。 負及び零〇三つの状Mをとゐ三値論理の・臂ルス電圧を
    前記電極に与える励起回路とを設けて構成し友ことを特
    徴とする導波jIffiガスレーデ装置。 (2Jm起崩起胞路は前記パルス電圧の)々ルス暢を可
    変可能な構成とすることを特徴とする特許MIII求の
    II趨菖1項記載O導献路謹ガスレ〜デ鱗装。 (3)  jig記US回路は前記ノぐルス電圧出力の
    繰ヤ返えし周期を可変可能を構成とすることを特徴とす
    る特許請求e)Ilill11項記載の導波路層ガスレ
    ーデ装置。
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