JPS5819081A - 高密度電荷結合素子撮像アレイ - Google Patents
高密度電荷結合素子撮像アレイInfo
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は比較的小ざいシリコン基板」二にＣＣＤセンサ
を互い違いに分離配置した高解像度、高密度のイメージ
センサに関するものであり、４個の線形構造のレジスタ
アレイを用いて走査情報を表わす１個のパルス列を発生
し、高解像度撮像を可能にするものある。
を互い違いに分離配置した高解像度、高密度のイメージ
センサに関するものであり、４個の線形構造のレジスタ
アレイを用いて走査情報を表わす１個のパルス列を発生
し、高解像度撮像を可能にするものある。
画像走査装置はある媒体から伯の媒体に情報を変換する
のに用いられる。例えば文書走査の場合には、文書情報
が文書の印刷物から電気信号に変換されて、他の機器に
送信されたり、情報が処理されたり、電子記憶されたり
する。
のに用いられる。例えば文書走査の場合には、文書情報
が文書の印刷物から電気信号に変換されて、他の機器に
送信されたり、情報が処理されたり、電子記憶されたり
する。
電荷転送技術を用いる電荷結合素子（ＣＯＤ）は画像走
査装置に用いられる最近の技術の１つである。ＣＯＤの
光検知器に光が当ると、素子がこの情報を検出して電気
信号に変換して次の使用に供する。１デツプの大ぎさが
縦横数分の１インチ（８ｍｉｘ ８ ｍｍ）であるよく
知られた集積回路構造はＣＯＤイメージセンサの構造に
は適さない。もし光学系がな番プれば、ＣＯＤイメージ
センザの幅は走査される文書と同じくらいの幅でなけれ
ばならず、また適当な分解能を達成するには文書から子
分の数インチ（約１００μｍ前後）以内に設置しなりれ
ばならない。このような大きい素子の製造歩留りは非常
に低いだろうから、このような素子はきわめて高価にな
ろう。したがってもっと小さいＣＯＤ素子が使われてき
たが、付随した欠点がある。同じ対象行を読むのに数個
の小さいＣＯＤイメージセンザを用いるときに、光検知
器アレイの端を光学的に又は機械的にオーバラップさせ
る。そうしないど走査文書上に狭い空白部が生ずる。そ
のうえ、文書幅を走査するのに複雑な光学系を用いなり
ればならない。
査装置に用いられる最近の技術の１つである。ＣＯＤの
光検知器に光が当ると、素子がこの情報を検出して電気
信号に変換して次の使用に供する。１デツプの大ぎさが
縦横数分の１インチ（８ｍｉｘ ８ ｍｍ）であるよく
知られた集積回路構造はＣＯＤイメージセンサの構造に
は適さない。もし光学系がな番プれば、ＣＯＤイメージ
センザの幅は走査される文書と同じくらいの幅でなけれ
ばならず、また適当な分解能を達成するには文書から子
分の数インチ（約１００μｍ前後）以内に設置しなりれ
ばならない。このような大きい素子の製造歩留りは非常
に低いだろうから、このような素子はきわめて高価にな
ろう。したがってもっと小さいＣＯＤ素子が使われてき
たが、付随した欠点がある。同じ対象行を読むのに数個
の小さいＣＯＤイメージセンザを用いるときに、光検知
器アレイの端を光学的に又は機械的にオーバラップさせ
る。そうしないど走査文書上に狭い空白部が生ずる。そ
のうえ、文書幅を走査するのに複雑な光学系を用いなり
ればならない。
小さくて高密度の線形ＣＣｌ）イメージセンサが縮小光
学系と共に用いられてぎｌζ。しかしイメージヒンリ°
を小さく ７すると、有効な光検知器の数が制限される
ために解像度が犠牲になる。この問題を解くための既知
の方法はビーム分割光学系と共にＣＯＤイメージセンザ
を使うことである。即ち所望の分解能にしたがって光学
系が走査された光情報を２個又は３個以上のビームに分
割し、各ビームを各ＣＣＩ″）顕像素子に当てる。しか
しこの技術は電子回路と光学系を余計に用いるので非常
に高価になる。
学系と共に用いられてぎｌζ。しかしイメージヒンリ°
を小さく ７すると、有効な光検知器の数が制限される
ために解像度が犠牲になる。この問題を解くための既知
の方法はビーム分割光学系と共にＣＯＤイメージセンザ
を使うことである。即ち所望の分解能にしたがって光学
系が走査された光情報を２個又は３個以上のビームに分
割し、各ビームを各ＣＣＩ″）顕像素子に当てる。しか
しこの技術は電子回路と光学系を余計に用いるので非常
に高価になる。
本発明によれば、１個の集積回路チップ上に２個の線形
光検知器アレイを有する高密瓜のＣＯＤイメージセンリ
−アレイを実装して、撮像走査装置に用いる。光検知器
を２列に分離し互いにずらして配置ｍし、それらが転送
ゲートによって４個の線形アレイ内の４個のシフトレジ
スタに送られて合成される。中間蓄積のためのレジスタ
が含まれており、別々の光検知器から発生した信号が指
定のシフ１へレジスタに進むことができるようになって
いる。これらのシフトレジスタの出力は合成されて走査
情報を表わす１個の出力パルス列を発生する。 以下本
発明の実施例につき、図面を参照して詳細に説明する。
光検知器アレイを有する高密瓜のＣＯＤイメージセンリ
−アレイを実装して、撮像走査装置に用いる。光検知器
を２列に分離し互いにずらして配置ｍし、それらが転送
ゲートによって４個の線形アレイ内の４個のシフトレジ
スタに送られて合成される。中間蓄積のためのレジスタ
が含まれており、別々の光検知器から発生した信号が指
定のシフ１へレジスタに進むことができるようになって
いる。これらのシフトレジスタの出力は合成されて走査
情報を表わす１個の出力パルス列を発生する。 以下本
発明の実施例につき、図面を参照して詳細に説明する。
第１図は撮像系でイメージセン°リ−として使用されて
いる既知のＣＣＩ）１０を示す。この種のＣＣ１〕をつ
くるには複数個の光検知器１２が通常の先行技術にした
がって形成されるだろう。これらの光検出器は自身に照
射された光の聞に応じた電荷量を下方に発生する。ＣＯ
Ｄの転送ゲート１４ａと１４ｂを粁山して、各光検出器
１２の下に蓄積された電荷は夫々シフトレジスタｌｅａ
とＩＥｉｂどに転送される。第１図に示されるように光
検出器の奇数部分はすべてシフトレジスタ１６ｂに退散
部分はづ゛べてシフトレジスタ１６ａに接続されている
。適当な時間に、情報がＣＣＤ １０の右側（又は左側
）にシフ１−され次の回路に放出される。
いる既知のＣＣＩ）１０を示す。この種のＣＣ１〕をつ
くるには複数個の光検知器１２が通常の先行技術にした
がって形成されるだろう。これらの光検出器は自身に照
射された光の聞に応じた電荷量を下方に発生する。ＣＯ
Ｄの転送ゲート１４ａと１４ｂを粁山して、各光検出器
１２の下に蓄積された電荷は夫々シフトレジスタｌｅａ
とＩＥｉｂどに転送される。第１図に示されるように光
検出器の奇数部分はすべてシフトレジスタ１６ｂに退散
部分はづ゛べてシフトレジスタ１６ａに接続されている
。適当な時間に、情報がＣＣＤ １０の右側（又は左側
）にシフ１−され次の回路に放出される。
次の回路でシフトレジスタＮ３ａと１８ｂの出力が合成
されて出力パルス列が入力された光情報を表わすＪ：う
に／、ｒろう。これらの回路はηべて第１図の回路に示
すにうに同一の集積回路チップに実装することができＪ
：う。
されて出力パルス列が入力された光情報を表わすＪ：う
に／、ｒろう。これらの回路はηべて第１図の回路に示
すにうに同一の集積回路チップに実装することができＪ
：う。
ファクシミリ送信機や文書処理装置のような搬像走査装
置で動作するには、ＣＧＤＩＯを含む撮像走査装置と走
査される文書又はその他の表示物との間に相対的な運動
が存在するであろう。例えばＣ０ＤＩＯは第１図の描か
れている頁を下方に移動して文書の画像を走査しながら
読ｌυでいく、あるいはＣ０ＤＩＯが静止していて、文
書を上方に８ｉＩＩＩＪさせていってもよいし、または
その両者を行ってちＪ：い。撮像光ビームは文書から反
射してＣＣＤ１０の光検知器に入る。収束等の光学系（
図示ぼず）も用いられる。文書がＣＧＤＩＯを含む走査
装置に関して相対的に移動するにつれて、シフ１〜レジ
スタ１６ａどＩＢｂの出力【よ文書の情報を１行ずつ表
わしている。
置で動作するには、ＣＧＤＩＯを含む撮像走査装置と走
査される文書又はその他の表示物との間に相対的な運動
が存在するであろう。例えばＣ０ＤＩＯは第１図の描か
れている頁を下方に移動して文書の画像を走査しながら
読ｌυでいく、あるいはＣ０ＤＩＯが静止していて、文
書を上方に８ｉＩＩＩＪさせていってもよいし、または
その両者を行ってちＪ：い。撮像光ビームは文書から反
射してＣＣＤ１０の光検知器に入る。収束等の光学系（
図示ぼず）も用いられる。文書がＣＧＤＩＯを含む走査
装置に関して相対的に移動するにつれて、シフ１〜レジ
スタ１６ａどＩＢｂの出力【よ文書の情報を１行ずつ表
わしている。
第２ａ図は第１図と似ているが大きく異なるＣＯＤイメ
ージゼンサを示す。１個のＣＯＤ集積回路チップ２Ｂの
上に２列の光検知器３０．３２があり、互いにずれてい
る。図示したように光検知器をずらして配置することに
より１個のＣＯＤイメージセンザの光検知器の密度が増
し、また光検知器間にある情報が今度はイ」加した列の
光検知器にＪ：って検知されるので、走査解像度もあが
る。
ージゼンサを示す。１個のＣＯＤ集積回路チップ２Ｂの
上に２列の光検知器３０．３２があり、互いにずれてい
る。図示したように光検知器をずらして配置することに
より１個のＣＯＤイメージセンザの光検知器の密度が増
し、また光検知器間にある情報が今度はイ」加した列の
光検知器にＪ：って検知されるので、走査解像度もあが
る。
すなわち、列３２の光検知器は列３２の光検知器の中心
にある撮像データをサンプリング１“ることにＪ：り得
られる情報の部分を検出するし、列３０の光検知器は列
３２の検知器の中間にある列３０の検知器の中心にある
撮像データをサンプリングすることにより得られる別の
情報を検出する。これらの情報を後述づ゛るように後で
電気的に結合づ−る。
にある撮像データをサンプリング１“ることにＪ：り得
られる情報の部分を検出するし、列３０の光検知器は列
３２の検知器の中間にある列３０の検知器の中心にある
撮像データをサンプリングすることにより得られる別の
情報を検出する。これらの情報を後述づ゛るように後で
電気的に結合づ−る。
第１図で説明したと同様に、Ｃ０Ｄ２Ｂと文書等とは走
査の際に相対的に移動する。ここでは説明のために文書
画像が上方に移動し、Ｃ０Ｄ２Ｂ静止しているものとす
る。１０時に走査される第１行目の情報が列３２の光検
出器に現われる。この光情報を得る手段は任意のものを
用いることができる。即ち反Ｃｌ’ｌ光学系、透過光学
系又はＣＣｌ）への直接投影を用いることができる。こ
のどき又はその前（こ、Ｃ０Ｄ２Ｂに蓄積されていたす
べての他の情報がクリアされているかあるいは以後無視
ざる。ｔＱ時に第１走査行の情報が列３２の光検知器に
Ｊ、り検出される０、その行のデータを右から左へと見
ると、光検知器３２ａは（の行の第１ピツｌ〜のデータ
を検出し、光検知器３２１）はその行の第３ピツトのデ
ータを検出する。
査の際に相対的に移動する。ここでは説明のために文書
画像が上方に移動し、Ｃ０Ｄ２Ｂ静止しているものとす
る。１０時に走査される第１行目の情報が列３２の光検
出器に現われる。この光情報を得る手段は任意のものを
用いることができる。即ち反Ｃｌ’ｌ光学系、透過光学
系又はＣＣｌ）への直接投影を用いることができる。こ
のどき又はその前（こ、Ｃ０Ｄ２Ｂに蓄積されていたす
べての他の情報がクリアされているかあるいは以後無視
ざる。ｔＱ時に第１走査行の情報が列３２の光検知器に
Ｊ、り検出される０、その行のデータを右から左へと見
ると、光検知器３２ａは（の行の第１ピツｌ〜のデータ
を検出し、光検知器３２１）はその行の第３ピツトのデ
ータを検出する。
次の走査行のデータに移る、即ら列３２の光検知器によ
り走査される位買に次の走査行のデータが移動ザる前に
、即ち１１時に、列３２の光検知器により検出されて蓄
積された情報が転送ゲー１゛・３６により蓄積レジスタ
３８に転送される。こうしてレジスタ３８は光検知器３
２の下に蓄積されるべく用いられる情報を蓄積したこと
になる。この時点で列３２の光検知器は第２走査行を待
つことになり、列３０の光検知器は第１走査行を持つこ
とになる。
り走査される位買に次の走査行のデータが移動ザる前に
、即ち１１時に、列３２の光検知器により検出されて蓄
積された情報が転送ゲー１゛・３６により蓄積レジスタ
３８に転送される。こうしてレジスタ３８は光検知器３
２の下に蓄積されるべく用いられる情報を蓄積したこと
になる。この時点で列３２の光検知器は第２走査行を待
つことになり、列３０の光検知器は第１走査行を持つこ
とになる。
１２時に第２行目の走査データが列３２により検出され
、第１行目の走査データが列３０に到達している。列３
２は第２行目の走査データの情報を読む。列３０は列３
２の光検知器の間の情報を読ｌυでいる。即ち第２ビツ
トと第４ビツトの情報が夫々光検知器３０ａと３０ｂに
よって読まれる。
、第１行目の走査データが列３０に到達している。列３
２は第２行目の走査データの情報を読む。列３０は列３
２の光検知器の間の情報を読ｌυでいる。即ち第２ビツ
トと第４ビツトの情報が夫々光検知器３０ａと３０ｂに
よって読まれる。
光検知Ｚ３２ａど３２ｈは夫々第２走査行のデータから
第１ビツトと第３ピツ１〜を読んでいる。
第１ビツトと第３ピツ１〜を読んでいる。
１３時に、次の走査行のデータがＣＯＤイメージセンリ
−の前に来る前に、レジスタ３８の内容が転迄ゲー１〜
４０を経由してシフトレジスタ４４に転送される。列３
２の光検知器の内容は転送ゲー１へ３６を経由して蓄積
レジスタ３８に転送される。
−の前に来る前に、レジスタ３８の内容が転迄ゲー１〜
４０を経由してシフトレジスタ４４に転送される。列３
２の光検知器の内容は転送ゲー１へ３６を経由して蓄積
レジスタ３８に転送される。
列３０の光検知器の内容は転送ゲート３４を経由してシ
フ１〜レジスタ４２に転送される。この時点でシフトレ
ジスタ４４は第１走査行のデータのうち偶数ピッ］−の
データを含み、シフトレジスタ４２は同じ第１走査行の
データのうち奇数ピッ］・のデータを含む。
フ１〜レジスタ４２に転送される。この時点でシフトレ
ジスタ４４は第１走査行のデータのうち偶数ピッ］−の
データを含み、シフトレジスタ４２は同じ第１走査行の
データのうち奇数ピッ］・のデータを含む。
１−／１時に次の行のγ−タが列３０．３２の光検知器
の前に来る。シフトレジスタ４２．４４は高周波のシフ
１へ信号を加えられて蓄積した信号を出力Ｊる。こうし
て２個のシフ１〜１ノジスタの内容が出力され、同じ集
積回路チップ又は次の外部回路で結合されて即ら多重化
されて１個のパルス列となる。
の前に来る。シフトレジスタ４２．４４は高周波のシフ
１へ信号を加えられて蓄積した信号を出力Ｊる。こうし
て２個のシフ１〜１ノジスタの内容が出力され、同じ集
積回路チップ又は次の外部回路で結合されて即ら多重化
されて１個のパルス列となる。
列３０．３２の光検知器が前述のように順次所望の行を
ザベて読／Ｖて、走査、シフ１−１転送という手順がく
り返される。ｂし例えば各行の検知器が３０００個のＣ
ＯＤ検知器から成るならば、１インチ当り６０００点′
？ｌなわら６０００個のデータピクレルを読むことがで
きる。縮小光学系を用いれば他の解像度となる。
ザベて読／Ｖて、走査、シフ１−１転送という手順がく
り返される。ｂし例えば各行の検知器が３０００個のＣ
ＯＤ検知器から成るならば、１インチ当り６０００点′
？ｌなわら６０００個のデータピクレルを読むことがで
きる。縮小光学系を用いれば他の解像度となる。
第２ａ図の蓄積レジスタ３８は１列の検知器と同じもの
に光遮蔽を施したものでよい。この領域ではシフトレジ
スタ４２．４４と違って水平にシフトＪる必要はない。
に光遮蔽を施したものでよい。この領域ではシフトレジ
スタ４２．４４と違って水平にシフトＪる必要はない。
２個の線形光センザアレイが同じ画像の隣接部分（又は
近接部分）をサンプリングして、データの蓄積の必要性
を最小にして１行の走査線を再１１４成することができ
るうに、一般に２個の線形光センザアレイはお互いに密
接して配置される。同じ基板上の２個の光センリアレイ
間の間隔を大幅に大きくして、データ蓄積を不要にする
ことは可能である。それには光学系により同一画像を２
個に分離し、各アレイに１個ずつ結像させ、各光セン９
に同じ行の画像情報を読ませるようにする。しかしこの
技術では、光学系に対して精確にビーム分割部品を配置
することが必要となり、且つ理想的に同一の画像を２個
に分離して発生することのできるレンズが必要となる。
近接部分）をサンプリングして、データの蓄積の必要性
を最小にして１行の走査線を再１１４成することができ
るうに、一般に２個の線形光センザアレイはお互いに密
接して配置される。同じ基板上の２個の光センリアレイ
間の間隔を大幅に大きくして、データ蓄積を不要にする
ことは可能である。それには光学系により同一画像を２
個に分離し、各アレイに１個ずつ結像させ、各光セン９
に同じ行の画像情報を読ませるようにする。しかしこの
技術では、光学系に対して精確にビーム分割部品を配置
することが必要となり、且つ理想的に同一の画像を２個
に分離して発生することのできるレンズが必要となる。
したがって２個の線形光センザアレイを隣接させて光学
系では１個の画像だ（づを発生させ、高価なビーム分割
部品をなくした方がはるかに有利である。またレンズの
画像形成能力に厳密さをあまり要求されないので、コス
１〜の安いレンズを使うことができる点も利点である。
系では１個の画像だ（づを発生させ、高価なビーム分割
部品をなくした方がはるかに有利である。またレンズの
画像形成能力に厳密さをあまり要求されないので、コス
１〜の安いレンズを使うことができる点も利点である。
各光検知器の光検出領域である個々の光検知器のアパー
ヂャ即ち窓は走査系に合うように選択された垂直と水平
のデータサンプリングピッチに依存して好ましい形状に
する。これらの関係を第２ｂ図に承り。実効的な水平ザ
ンプリングピッヂＳ×は両光レンリ゛アレイ３０ど３２
の同時サンプリングをＦ 、ｈして、第２ｂ図の水平方
向のピクセルの中心間の実効距離である。垂直リンプリ
ングピッヂＳｙは搬像面の隣接走査行間の中心間距離で
ある。止（ｔｔｒに光レンリーアレイを隣接させた場合
、第２ｂ図に示づように２個の光レンザアレイの中心は
垂直方向に削れている。パラメータＳ×とＳｙは走査系
の基本的な設泪什様ににり典型的に決められ、光検知器
のアパーブヤ形状は窓の中心が水平方向と垂直方向に夫
々３ｘとＳＶだｃ）実効的に頭れるＪ、うに選択される
。
ヂャ即ち窓は走査系に合うように選択された垂直と水平
のデータサンプリングピッチに依存して好ましい形状に
する。これらの関係を第２ｂ図に承り。実効的な水平ザ
ンプリングピッヂＳ×は両光レンリ゛アレイ３０ど３２
の同時サンプリングをＦ 、ｈして、第２ｂ図の水平方
向のピクセルの中心間の実効距離である。垂直リンプリ
ングピッヂＳｙは搬像面の隣接走査行間の中心間距離で
ある。止（ｔｔｒに光レンリーアレイを隣接させた場合
、第２ｂ図に示づように２個の光レンザアレイの中心は
垂直方向に削れている。パラメータＳ×とＳｙは走査系
の基本的な設泪什様ににり典型的に決められ、光検知器
のアパーブヤ形状は窓の中心が水平方向と垂直方向に夫
々３ｘとＳＶだｃ）実効的に頭れるＪ、うに選択される
。
検知器の伝号対雑音比を最大にづ−るために、必要な１
ノンブ°リングピツヂＳ×とＳｙにＪ：・）で決まる制
限内で光検知器の面積を最大にすることが一般的に望ま
しい。各検知器の窓は第２ｂ図に示すにに幅Ｗ１高ざ１
１の適当な長方形であると仮定づる。リーベての光検知
器の窓はおｎいに（Ｊぽ同一の形をしていると仮定する
。例えば、垂直と水平のサンプリング間隔を等しくして
画像を検出することがしばしば要求される。即ち ５ｘ＝Ｓｙ （１） この条ｆ１の下では第２ｂ図から ５Ｘ＝Ｗ／２ Ｓｙ＝ｈ （２＞ であることが明らかである。また典型的な光検知器の好
ましい形状比は ｗ＝２ｈ （３） であることも第２ｂ図から明らかである。
ノンブ°リングピツヂＳ×とＳｙにＪ：・）で決まる制
限内で光検知器の面積を最大にすることが一般的に望ま
しい。各検知器の窓は第２ｂ図に示すにに幅Ｗ１高ざ１
１の適当な長方形であると仮定づる。リーベての光検知
器の窓はおｎいに（Ｊぽ同一の形をしていると仮定する
。例えば、垂直と水平のサンプリング間隔を等しくして
画像を検出することがしばしば要求される。即ち ５ｘ＝Ｓｙ （１） この条ｆ１の下では第２ｂ図から ５Ｘ＝Ｗ／２ Ｓｙ＝ｈ （２＞ であることが明らかである。また典型的な光検知器の好
ましい形状比は ｗ＝２ｈ （３） であることも第２ｂ図から明らかである。
例えば、もし搬像面のサンプリング間隔が１０１０ｌ１
水平、重直共に）ならば、各光検知器の窓の高さは１０
μｍで幅は２０μｍとなる。こうすることにより選択さ
れた（等しい）サンプリング中心刊近に適当に窓の中心
が配置されて、窓の面積が最大になる。
水平、重直共に）ならば、各光検知器の窓の高さは１０
μｍで幅は２０μｍとなる。こうすることにより選択さ
れた（等しい）サンプリング中心刊近に適当に窓の中心
が配置されて、窓の面積が最大になる。
もっと一般的には、もしサンプリング間隔が正確に等し
くなくて、水平方向のサンプリング間隔が垂直方向のサ
ンプリング間隔のに倍であるならば、すなわち ５ｘ−ｋＳｙ （４） 好ましい窓の形状比は前の例と異なる。この一般的な例
では、（２）式と（／Ｉ）式とを合わせると次の好ｊニ
ジい条件が得られる。
くなくて、水平方向のサンプリング間隔が垂直方向のサ
ンプリング間隔のに倍であるならば、すなわち ５ｘ−ｋＳｙ （４） 好ましい窓の形状比は前の例と異なる。この一般的な例
では、（２）式と（／Ｉ）式とを合わせると次の好ｊニ
ジい条件が得られる。
ｗ＝２ｋ１１ （５）
例えばもし水平サンプリング間隔が垂直リンブリング間
隔の０．７５倍であるように選択されているならば（ｋ
＝０．７５）、好ましい形状比はＷ ＝２ （０，７
５）ｈ 即ち ｗ＝１．５ｈ （６） どなるだろう。例えばもし水平サンプリング間隔を９７
１ｍとげると、垂直サンプリング間隔は９１０．７５＝
１２／１ｍとなる。
隔の０．７５倍であるように選択されているならば（ｋ
＝０．７５）、好ましい形状比はＷ ＝２ （０，７
５）ｈ 即ち ｗ＝１．５ｈ （６） どなるだろう。例えばもし水平サンプリング間隔を９７
１ｍとげると、垂直サンプリング間隔は９１０．７５＝
１２／１ｍとなる。
（２）式によれば窓の幅は１８μｍで高さは１２μｍと
なる。即ち（６）式に示すようにｗ／ｈ＝１．５である
。
なる。即ち（６）式に示すようにｗ／ｈ＝１．５である
。
前述の如く選択されたリーンプリング間隔にしたがって
窓を中心に置くことは必要ではイｒい。しかしもし窓が
中心になかったら、系の垂直と水平のイ８率を変えるこ
とが必要になる。このような歪んだ光学系を設計リ−る
のは難しく、一般に製造Ｊるの一〇非常に高価になる。
窓を中心に置くことは必要ではイｒい。しかしもし窓が
中心になかったら、系の垂直と水平のイ８率を変えるこ
とが必要になる。このような歪んだ光学系を設計リ−る
のは難しく、一般に製造Ｊるの一〇非常に高価になる。
好ましい窓の形状比を（５）式のようにすることと、選
択されたサンプリング中心に窓の中心を配置することに
より、低コストの普通の球面光学系を用いることができ
るのできわめで右利である。
択されたサンプリング中心に窓の中心を配置することに
より、低コストの普通の球面光学系を用いることができ
るのできわめで右利である。
第３図は第２ａ図、第２ｂ図に示した実施例に改良を加
えたものである。第３図では４個の線形アレイの中に４
個のシフトレジスタがある。出カシストレジスタを２個
の代わりに４個用いると、１個の集積回路チップに実装
されるＣＯＤ部品の密度が前のものＪ：り追かに大とな
り、もつと小型で高密度のＣＯＤ素子どなる。
えたものである。第３図では４個の線形アレイの中に４
個のシフトレジスタがある。出カシストレジスタを２個
の代わりに４個用いると、１個の集積回路チップに実装
されるＣＯＤ部品の密度が前のものＪ：り追かに大とな
り、もつと小型で高密度のＣＯＤ素子どなる。
次に、動作を説明すると、１０時に第１行目のデータが
光検知器の列６０に接近する。前）ホの如く、イメージ
セン°す′５８と走査される文書等とが相対的に移動す
る。第３図では第１行目の情報が下方に相対的に移動し
ていると仮定する。１０時に各光検知器に入射した光の
量に応じて各光検知器の下に電荷が発生する。列６０の
光検知器は偶数の光検知器６０８１６０ｂを走査して検
出し、右から什へと読んで行く。ｔ１時に、第１行目の
γ−夕が列６２の光検知器に到達する前に、列６０の光
検知器に蓄積された電荷の内容が転送ゲート６４を経由
して蓄積レジスタ７２に転送される。１−２時に、第１
行目のデータが列６２の光検知器に到達し、第２行目の
データが列６０の光検知器に達する。このどぎ列６２の
光検知器は第１行目のデータのうち奇数ピッ１〜のデー
タ６２ａ１６２ｂを走査して検出し、列６０の光検知器
は第２行目のデータのうち偶数ピクセル、即ち偶数ビッ
トを走査して検出する。
光検知器の列６０に接近する。前）ホの如く、イメージ
セン°す′５８と走査される文書等とが相対的に移動す
る。第３図では第１行目の情報が下方に相対的に移動し
ていると仮定する。１０時に各光検知器に入射した光の
量に応じて各光検知器の下に電荷が発生する。列６０の
光検知器は偶数の光検知器６０８１６０ｂを走査して検
出し、右から什へと読んで行く。ｔ１時に、第１行目の
γ−夕が列６２の光検知器に到達する前に、列６０の光
検知器に蓄積された電荷の内容が転送ゲート６４を経由
して蓄積レジスタ７２に転送される。１−２時に、第１
行目のデータが列６２の光検知器に到達し、第２行目の
データが列６０の光検知器に達する。このどぎ列６２の
光検知器は第１行目のデータのうち奇数ピッ１〜のデー
タ６２ａ１６２ｂを走査して検出し、列６０の光検知器
は第２行目のデータのうち偶数ピクセル、即ち偶数ビッ
トを走査して検出する。
ｔ３時に、γ−タの走査行が次の行に進む前にいくつか
のことが起る。第１走査行のデータのうち偶数ビットの
データの内容がレジスタ７２に蓄積されている。ｔ３時
に、これらのビットのデータはレジスタ７４ど７６に交
互に転送される。即ち光検知器６０ａから発生してレジ
スタ７２に蓄積されているデータビットはシフ１〜レジ
スタ７６に転送される。光検知器６０ｂから発生してレ
ジスタ７２に蓄（＾されているデータピッ１−はシフ１
〜レジスタ７４に転送される。このことが列６０の光検
知器に沿って交互に行われ、光検知器６０ａｎから発生
してレジスタ７２に蓄積されていたデータビットがシフ
トレジスタ７６に転送され、光検知器６０ｂ口から発生
してレジスタ７２に蓄積されていたデータビットがシフ
トレジスタ７４に転送される迄続りられる。前述の如く
これらは第１行［１の走査データのうち偶数ビットであ
る。
のことが起る。第１走査行のデータのうち偶数ビットの
データの内容がレジスタ７２に蓄積されている。ｔ３時
に、これらのビットのデータはレジスタ７４ど７６に交
互に転送される。即ち光検知器６０ａから発生してレジ
スタ７２に蓄積されているデータビットはシフ１〜レジ
スタ７６に転送される。光検知器６０ｂから発生してレ
ジスタ７２に蓄（＾されているデータピッ１−はシフ１
〜レジスタ７４に転送される。このことが列６０の光検
知器に沿って交互に行われ、光検知器６０ａｎから発生
してレジスタ７２に蓄積されていたデータビットがシフ
トレジスタ７６に転送され、光検知器６０ｂ口から発生
してレジスタ７２に蓄積されていたデータビットがシフ
トレジスタ７４に転送される迄続りられる。前述の如く
これらは第１行［１の走査データのうち偶数ビットであ
る。
ｔ４時に、光検知器ｅ２ａ 、６２ｂに検出される奇数
ビットが同様に交互に夫々シフトレジスタ７０．６８に
転送される。こうしてＢ２ａから６２ａＯ迄の走査ピッ
１〜がｔ４時にシフトレジスタ７０に転送され、６２ｂ
から６２ｂｎ迄の走査ピッ（〜が１４時にシフトレジス
タ６８に転送される。
ビットが同様に交互に夫々シフトレジスタ７０．６８に
転送される。こうしてＢ２ａから６２ａＯ迄の走査ピッ
１〜がｔ４時にシフトレジスタ７０に転送され、６２ｂ
から６２ｂｎ迄の走査ピッ（〜が１４時にシフトレジス
タ６８に転送される。
ｔ４時の終りには、第１行目のデータビットがシフトレ
ジスタ６８．７０．７４．７６に蓄積されている。また
１４時に、列６０の光検知器で検出された第２行目のデ
ータの偶数ビットは転送ゲート６４を経由して蓄積レジ
スタ７２に転送される。
ジスタ６８．７０．７４．７６に蓄積されている。また
１４時に、列６０の光検知器で検出された第２行目のデ
ータの偶数ビットは転送ゲート６４を経由して蓄積レジ
スタ７２に転送される。
これらの信号を合成して１行の走査画像データを表わ寸
１個の出力パルス列をつくるために、高速のクロックを
用いてこれらの信号をシフトして、この１個の集積回路
チップ上又は以外の回路に出力することができる。列６
０と６２の光検知器の前に次の行のデータが到達し、す
べての行のデータが走査されてレジスタ７４．７６．６
８．７０から読出される迄このサイクルが続く。
１個の出力パルス列をつくるために、高速のクロックを
用いてこれらの信号をシフトして、この１個の集積回路
チップ上又は以外の回路に出力することができる。列６
０と６２の光検知器の前に次の行のデータが到達し、す
べての行のデータが走査されてレジスタ７４．７６．６
８．７０から読出される迄このサイクルが続く。
このＣＣＤアレイの典型的な寸法は光検知器の幅が１０
／１ｍで高さが５μｍであろう。装置の長さは約１．２
インチ（３Ｃ７ｒＬ）であろう。
／１ｍで高さが５μｍであろう。装置の長さは約１．２
インチ（３Ｃ７ｒＬ）であろう。
第３図では、装置５８をつくるとぎに、ずれて配置され
た光検知器の列６０．６２の周囲にアルミニュウム又は
その他のシールド材を付着させる。
た光検知器の列６０．６２の周囲にアルミニュウム又は
その他のシールド材を付着させる。
光検知器の列の位置と大ぎさを正確に決めるためにシー
ルド材を付着させる。もし製造時にアルミニコウムの領
域が不正確であるならば、即ち仕様限界以外であるなら
ば、図の垂直方向に一方の列の光検知器の寸法が使方−
一り大きくなるであろう。
ルド材を付着させる。もし製造時にアルミニコウムの領
域が不正確であるならば、即ち仕様限界以外であるなら
ば、図の垂直方向に一方の列の光検知器の寸法が使方−
一り大きくなるであろう。
もしこのことが１個又は２個以上の集積回路ＣＯＤチッ
プー１二で起こったならば、一方の列に入射した情報変
調された光の和が他方に入射する光の■よりも多くなる
であろう。このように入射光が不平等になると２列の光
検知器から読出される信号が異なり、例えば文書から実
際に反射した光の相対的な笛を表わさないことになって
しまう。
プー１二で起こったならば、一方の列に入射した情報変
調された光の和が他方に入射する光の■よりも多くなる
であろう。このように入射光が不平等になると２列の光
検知器から読出される信号が異なり、例えば文書から実
際に反射した光の相対的な笛を表わさないことになって
しまう。
第４図に示した実施例はこの問題を解決するものである
。２列の光検知器を離して、その間に反射又は不透明な
列又は層を形成することにより、マクス層を正確に位置
決めする必要性が少くなる。
。２列の光検知器を離して、その間に反射又は不透明な
列又は層を形成することにより、マクス層を正確に位置
決めする必要性が少くなる。
即ち、光検知器の列９０．９４がアルミニュウム又はそ
の他の適当な材料で作られた層９２により囲まれる、即
ち領域が規定される。すると例え反射又は不透明層９２
に関してはいくらか不正確であっても、両列の光検知器
の面積は装置の限度内で同一のままである。実際の製造
に際しては、不透明な列９２は１個のＣＯＤチップ上で
光検知器月利を１列分おおっていることになろう。
の他の適当な材料で作られた層９２により囲まれる、即
ち領域が規定される。すると例え反射又は不透明層９２
に関してはいくらか不正確であっても、両列の光検知器
の面積は装置の限度内で同一のままである。実際の製造
に際しては、不透明な列９２は１個のＣＯＤチップ上で
光検知器月利を１列分おおっていることになろう。
しかし２列の光検知器間に不透明な層を加えるど、余分
の蓄積レジスタを必要とする。もし不透明層が光検知器
アレイに投影される又は入射する１走査行のデータの規
定幅であるならば、光検知器の列９０から列９４に進む
走査行のデータのｌＬ’ｉ間間隔が増す。例え余分の蓄
積層があっても、このＣＯＤイメージセンサは製造工程
の能力を上げイ【１ノればならないので高価になる。
の蓄積レジスタを必要とする。もし不透明層が光検知器
アレイに投影される又は入射する１走査行のデータの規
定幅であるならば、光検知器の列９０から列９４に進む
走査行のデータのｌＬ’ｉ間間隔が増す。例え余分の蓄
積層があっても、このＣＯＤイメージセンサは製造工程
の能力を上げイ【１ノればならないので高価になる。
次に、動作を説明Ｊ゛るど、第４図では２列の検知器９
０．９４が不透明な材ｒ１でおおわれた領域９２にＪ、
り分離され−Ｃいる。この領域９２は光検知器を１列お
おったものである。走査情報が第４図で下方に相対的に
動いているならば、１０時に第１走査行のｆ−夕が列９
０の光検知器の上に投影されるかさもなくば結像される
。第４図で右から読むと、この列９０は偶数の１最像ビ
ツト領域を検出覆ることになる。したがって［０時に各
光検知器の下に発生した電荷は第１走査行のデータを表
わしている。１１時に、検出された信号は転送グー１−
９８を経由して第１の蓄積層１０４に転送される。同時
に、第１行口のデータは不透明な列９２の所に進み、第
２走査行のデータが列９０の光検知器に達゛する。
０．９４が不透明な材ｒ１でおおわれた領域９２にＪ、
り分離され−Ｃいる。この領域９２は光検知器を１列お
おったものである。走査情報が第４図で下方に相対的に
動いているならば、１０時に第１走査行のｆ−夕が列９
０の光検知器の上に投影されるかさもなくば結像される
。第４図で右から読むと、この列９０は偶数の１最像ビ
ツト領域を検出覆ることになる。したがって［０時に各
光検知器の下に発生した電荷は第１走査行のデータを表
わしている。１１時に、検出された信号は転送グー１−
９８を経由して第１の蓄積層１０４に転送される。同時
に、第１行口のデータは不透明な列９２の所に進み、第
２走査行のデータが列９０の光検知器に達゛する。
１３時に、蓄積レジスタ１０４に蓄積されている第１走
査行のデータを表わす電荷は転送ゲート１０６を経由し
て第２の蓄積レジスタ１０８に転送される。このとぎま
た第２走査行のデータから検出された信号は転送ゲート
９８を経由して第１の蓄積レジスタ１０４に転送される
。更に第１走査行のデータが列９４の光検知器に達して
おり、今や第１走査行の奇数ビットを読んで検出する。
査行のデータを表わす電荷は転送ゲート１０６を経由し
て第２の蓄積レジスタ１０８に転送される。このとぎま
た第２走査行のデータから検出された信号は転送ゲート
９８を経由して第１の蓄積レジスタ１０４に転送される
。更に第１走査行のデータが列９４の光検知器に達して
おり、今や第１走査行の奇数ビットを読んで検出する。
したがってこの時点では第１走査行のデータから検出さ
れた偶数ビットが蓄積レジスタ１０８に現われ、同じ走
査行のデータから検出された奇数ビットが列９４の光検
知器の所にある。
れた偶数ビットが蓄積レジスタ１０８に現われ、同じ走
査行のデータから検出された奇数ビットが列９４の光検
知器の所にある。
次の時間１４時に、第２蓄積レジスタ１０８に蓄積され
ている第１走査行から検出された信号は交互にシフトレ
ジスタ１１０．１１２に転送される。即ち９０ａから９
Ｑ ａｎ迄１個おぎに光検知器の内容がシフトレジス
タ１１２に転送され、９０ｂから９ Ｑ ｂｎ迄１個お
きに光検知器の内容がシフトレジスタ１１０に転送され
る。同様に、１５時に、光検知器９４の下の電荷は転送
ゲート９６を経由して交互にシフトレジスタ１００．１
０２に転送される。即ち光検知器９４ａから９４ａｎま
での内容がシフトレジスタ１０２に転送され、光検知器
９４ｂから９４ ｂｎまでの内容がシフトレジスタ１０
０に転送される。残りの行のデータを読むために新しい
時間間隔↑０が来る前に、高速のクロックをシフｌ−レ
ジスタ１００．１０２．１１０．１１２に加えて、集積
回路デツプ上の又は以外の次の回路にデータビットを出
力し、合成して第１走査行の情報を表ねり１個の信号列
を発生することができる。
ている第１走査行から検出された信号は交互にシフトレ
ジスタ１１０．１１２に転送される。即ち９０ａから９
Ｑ ａｎ迄１個おぎに光検知器の内容がシフトレジス
タ１１２に転送され、９０ｂから９ Ｑ ｂｎ迄１個お
きに光検知器の内容がシフトレジスタ１１０に転送され
る。同様に、１５時に、光検知器９４の下の電荷は転送
ゲート９６を経由して交互にシフトレジスタ１００．１
０２に転送される。即ち光検知器９４ａから９４ａｎま
での内容がシフトレジスタ１０２に転送され、光検知器
９４ｂから９４ ｂｎまでの内容がシフトレジスタ１０
０に転送される。残りの行のデータを読むために新しい
時間間隔↑０が来る前に、高速のクロックをシフｌ−レ
ジスタ１００．１０２．１１０．１１２に加えて、集積
回路デツプ上の又は以外の次の回路にデータビットを出
力し、合成して第１走査行の情報を表ねり１個の信号列
を発生することができる。
第４図の光検知器の典型的な寸法は幅１０μｍで高さが
５μｍであり、不透明材料でできている列９２の高さも
５μｍである。
５μｍであり、不透明材料でできている列９２の高さも
５μｍである。
以上、本発明は特定の実施例について説明されたが当業
者は本発明の真の精神と範囲から逸脱することなく種々
の変更を行い、均等物に代替し得ることは明らかであろ
う。
者は本発明の真の精神と範囲から逸脱することなく種々
の変更を行い、均等物に代替し得ることは明らかであろ
う。
第１図は従来の撮像系で用いられている典型的なＣＣＤ
イメージセンサの概略図、第２ａ図は本発明の原理にＪ
こる藏像系で用いられるＣＣＤイメージレンザの一実施
例の概略図、第２ｂ図は第２ａ図の一部の拡大図であっ
て、個々の光検知器の窓の好ましい形状を示ず第３図は
本発明の原理にしたがって撮像系で用いられるＣＯＤの
他の実施例の概略図、および第４図は本発明の原理にし
たがって撮像系で用いられるＣＯＤの更に伯の実施例の
概略図である。。 符号の説明 ２８．５８．８８・・・Ｃ０Ｄ ３０．３２．Ｇｏ、６２，９０．９４・・・光検知器の
列 ３Ｂ、７２，１０４．１０８・・・蓄積レジスタ４２．
４４．６Ｂ、７０．７４．７６．１００゜１０２．１１
０．１１２・・・シフトレジスタ代理人 浅 村
皓 外４名 第１頁の続き 優先権主張 ＠１９８１年７月２０日［相］米国（ＵＳ
）■２８４７７０ ＠１９８１年７月２０日［相］米国（ＵＳ）■２８４７
４２ ０発 明 者 ジャグディツシュ・シー・タントン アメリカ合衆国ニューヨーク州 フェアーポート・ロックアウト ・ビュー・ロード３１ ０発 明 者 ジェームス・シー・ストラフエル アメリカ合衆国ニューヨーク州 ロチニスター・カランスル・ロ ツク・アベニュー３６８ ０発 明 者 ネット・ジエイ・シーチマンアメリカ合
衆国ニューヨーク州 ペンフィールド・ジャクソン・ ロード１９３４ ４４１−
イメージセンサの概略図、第２ａ図は本発明の原理にＪ
こる藏像系で用いられるＣＣＤイメージレンザの一実施
例の概略図、第２ｂ図は第２ａ図の一部の拡大図であっ
て、個々の光検知器の窓の好ましい形状を示ず第３図は
本発明の原理にしたがって撮像系で用いられるＣＯＤの
他の実施例の概略図、および第４図は本発明の原理にし
たがって撮像系で用いられるＣＯＤの更に伯の実施例の
概略図である。。 符号の説明 ２８．５８．８８・・・Ｃ０Ｄ ３０．３２．Ｇｏ、６２，９０．９４・・・光検知器の
列 ３Ｂ、７２，１０４．１０８・・・蓄積レジスタ４２．
４４．６Ｂ、７０．７４．７６．１００゜１０２．１１
０．１１２・・・シフトレジスタ代理人 浅 村
皓 外４名 第１頁の続き 優先権主張 ＠１９８１年７月２０日［相］米国（ＵＳ
）■２８４７７０ ＠１９８１年７月２０日［相］米国（ＵＳ）■２８４７
４２ ０発 明 者 ジャグディツシュ・シー・タントン アメリカ合衆国ニューヨーク州 フェアーポート・ロックアウト ・ビュー・ロード３１ ０発 明 者 ジェームス・シー・ストラフエル アメリカ合衆国ニューヨーク州 ロチニスター・カランスル・ロ ツク・アベニュー３６８ ０発 明 者 ネット・ジエイ・シーチマンアメリカ合
衆国ニューヨーク州 ペンフィールド・ジャクソン・ ロード１９３４ ４４１−
Claims (4)
- （１） １個の集積回路デツプ十に形成され、印加され
た光情報を検出する第１列の光検知器く９０）と、前記
第１列の光検知器に平行であって前記第１列の光検知器
とは分離して前記集積回路チップ上に形成された第２列
の光検知器（９４）とを含み、前記第２列の光検知器（
９４）は前記第１列の個々の光検知器の約半分の長さだ
り前記第１列の光検知器からずれており、それによって
前記第１列の光検知器にお（プる光検知器の中間に印加
された光情報を前記第２列の光検知器が検出し、前記第
１列と第２列の光検知器は２個の線形光検知器アレイか
ら成ることを特徴どする。１個の集積回路チップ上に形
成された高密度電荷結合素子Ｗｉ像デアレイ - （２） １個の集結回路デツプ上に形成され、印加され
た光情報に応じて電荷を前記ブツブの基板−１−Ａ＾り 内に発生させることににリデータピットの形で１走査行
の前記印加された光情報を検出する第１列の光検知器（
９０）と、前記同じ集結回路チップ−にに形成され、前
記第１列の光検知器〈９０〉と平行であって前記第１列
の光検知器（９０）から約１走査行分だ（プ離れている
第２列の光検知器（９４）とを含み、前記第２列の光検
知器（９４）は前記第１列の光検知器の中心間の中間に
来るＪ：うに前記第１の列の光検知器（９０）からずれ
ており、それによって前記第１列の光検知器の中間点に
印加された光情報に応じて電荷を前記チップの基板内に
発生させることによりデータビットの形で１走査行の前
記印加された光情報を検出し、前記第１列と第２列の光
検知器は２個の線形光検知器アレイから成り、ラスク走
査方式で同じ行の情報を引続き走査することを特徴とす
る行走査をくり返して含まれている情報を検出するのに
用いられる１個の集積回路チップ上に形成された高密度
電荷結合素子搬像アレイ。 - （３） １個の集積回路チップ上に形成され、印２− 加された光情報を検出する第１列の光検知器（３２）ど
、前記集積回路チップ上に形成され、前記第１列の光検
知器に隣接しで接触している第２列の光検知Ｚｉ（３０
）とを含み、前記第２列の光検知器（３０）は前記第１
列の個々の光検知器の約半分の長さだｔ１前記第１列の
光検知器からずれており、それによって前記第１列の光
検知器にＪ３りる光検知器の中間に印加された光情報を
前記第２夕１１の光検知器が検出し、前記第１列ど第２
列の光検知器は２個の線形光検知器アレイから成ること
を１ξ［徴とする１個の集積回路チップ上に形成された
高密度電荷結合素子搬像アレイ。 - （４） 第１列ど第２列の光検知潔ど、第１、第２、第
３、第４、第５の蓄積レジスタとを１個の集積回路チッ
プ上に含Δ、で形成された高密度電荷結合素子搬像アレ
イ（５８）であって、前記第１列の光検知器（６０）は
印加された光情報を検出し、前記第２列の光検知器（６
２）は前記第１列の光検知器に隣接して接触してａ３す
、前記第１列の個々の光検知器の約半分の長さだｔ−１
前記第１列の光検知器からずれており、それによって前
記第１列の光検知器における光検知器の中間点に印加さ
れた光情報を前記第２列の光検知器が検出し、前記第１
列ど第２列の光検知器は２個の線形光検知器アレイから
成り、前記第１の蓄積レジスタ（７２）は前記第１列の
光検知器（６０）に隣接していて、前記第１列の光検知
器（６０）により検出されて電荷情報に変換されたビッ
トの光情報を受信して蓄積し、前記第２の蓄積レジスタ
（６８）は前記第２列の光検知器（６２）に隣接してい
て、前記第２列の光検知器（６２）ににり検出されて電
荷情報に変換された交互のビットの光情報を受信して蓄
積し、前記第３の蓄積レジスタ（７０）は前記第２の蓄
積レジスタ（６８）に隣接していて、前記第２列の光検
知器ににり検出されて電荷情報に変換された残りのビッ
トの光情報を受信して蓄積し、前記第４の蓄積レジスタ
（７４）は前記第１の蓄積レジスタ（７２）に隣接し、
前記第１列の光検知器（６０）により検出されて電荷情
報に変換され前記第１の蓄積レジスタ（７２）に受信さ
れた交互の中間点のビットの光情報を受イｔして蓄積し
、前記第５の蓄積レジスタ（７６）は前記第４の蓄積レ
ジスタ（７４）に隣接していて、前記第１列の光検知器
（６０）により検出されて電荷情報に変換され前記第１
の蓄積レジスタ（７２）に受信された残りのビットの光
情報を受信して蓄積することを特徴とづ−る、１個の集
積回路チップ上に形成された高密度電荷結合素子１１ｉ
ｉ像アレイ。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US284770 | 1981-07-20 | ||
| US284742 | 1981-07-20 | ||
| US06/285,250 US4712137A (en) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | High density CCD imager |
| US285250 | 1999-04-02 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5819081A true JPS5819081A (ja) | 1983-02-03 |
Family
ID=23093430
Family Applications (1)
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| JP57121972A Pending JPS5819081A (ja) | 1981-07-20 | 1982-07-13 | 高密度電荷結合素子撮像アレイ |
Country Status (3)
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| JP (1) | JPS5819081A (ja) |
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