JPS5818993B2 - 錫メツキ方法 - Google Patents
錫メツキ方法Info
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- JPS5818993B2 JPS5818993B2 JP54093254A JP9325479A JPS5818993B2 JP S5818993 B2 JPS5818993 B2 JP S5818993B2 JP 54093254 A JP54093254 A JP 54093254A JP 9325479 A JP9325479 A JP 9325479A JP S5818993 B2 JPS5818993 B2 JP S5818993B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Chemically Coating (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は全く新規な錫メツキ方法に関する。
近年、メッキ粉体の需要増加に伴ない種々のメッキ方法
が提案されているが、これらのうち置換法によるメッキ
法はその操作の簡易性の故に広く利用されている。
が提案されているが、これらのうち置換法によるメッキ
法はその操作の簡易性の故に広く利用されている。
粉本のメッキ方法として従来公知の置換メッキ法は、被
メツキ粉本と還元用金属粉本との混合粉に対し又はこれ
らの混合過程に対し該混合粉を攪拌しながらメッキ金属
含有溶液を添加するかもしくはメッキ金属含有溶液中に
攪拌下で被メツキ粉本と還元用金属粉体とを一緒に又は
各別匠添加することにより行なわれている。
メツキ粉本と還元用金属粉本との混合粉に対し又はこれ
らの混合過程に対し該混合粉を攪拌しながらメッキ金属
含有溶液を添加するかもしくはメッキ金属含有溶液中に
攪拌下で被メツキ粉本と還元用金属粉体とを一緒に又は
各別匠添加することにより行なわれている。
しかしながら、上述した置換法によるメッキ法ではメッ
キしようとする金属をそれより卑な金属粉で還元するこ
とを反応上の基本とするものであるから金、白金、パラ
ジウム、銀のごとき標準電極電位が非常に責な金属を対
象とする粉本のメッキにおいては、還元効率およびメッ
キ仕上りとも良好であるが、亜鉛、錫、ニッケル、コバ
ルトのごとき標準電極電位が卑な金属粉をメンキする場
合においては還元効率、メッキ仕上りがともに悪く実用
的でない。
キしようとする金属をそれより卑な金属粉で還元するこ
とを反応上の基本とするものであるから金、白金、パラ
ジウム、銀のごとき標準電極電位が非常に責な金属を対
象とする粉本のメッキにおいては、還元効率およびメッ
キ仕上りとも良好であるが、亜鉛、錫、ニッケル、コバ
ルトのごとき標準電極電位が卑な金属粉をメンキする場
合においては還元効率、メッキ仕上りがともに悪く実用
的でない。
しかして最近この対策としてニッケル、コバルト、亜鉛
等のメッキにおいてそれより卑なるマグネシウム、アル
ミニウムのごとき還元用金属粉と被メッキ体とを混合す
る過程もしくは両者の混合物にメンキ金属の塩化物結晶
粉末を添加し反応開始後若干の水および(又は)塩酸を
添加するメッキ方法が提案されている。
等のメッキにおいてそれより卑なるマグネシウム、アル
ミニウムのごとき還元用金属粉と被メッキ体とを混合す
る過程もしくは両者の混合物にメンキ金属の塩化物結晶
粉末を添加し反応開始後若干の水および(又は)塩酸を
添加するメッキ方法が提案されている。
しかし上述したいずれのメッキ方法においても還元用金
属粉はメッキ金属よりも卑なものでなければならないの
で、両者の金属は必然的に異種のものであり従ってメッ
キ終了後の液の処理が問題となる。
属粉はメッキ金属よりも卑なものでなければならないの
で、両者の金属は必然的に異種のものであり従ってメッ
キ終了後の液の処理が問題となる。
例えば銅粉を錫メンキする際銅粉とアルミニウム粉の混
合物に塩化錫酢液を添加してメッキを行なうと下記反応
式により塩化アルミニウムと塩化錫を含む溶液がメッキ
処理後液として得られることになる。
合物に塩化錫酢液を添加してメッキを行なうと下記反応
式により塩化アルミニウムと塩化錫を含む溶液がメッキ
処理後液として得られることになる。
Cu+AI+5nC12−+Cu−8n+AtCt3+
5nC4すなわち上記メッキ処理後液はそのままでは銅
粉の錫メツキ溶液として再利用できないのでその処理が
問題となりまた錫の還元率が低い等の欠点がある。
5nC4すなわち上記メッキ処理後液はそのままでは銅
粉の錫メツキ溶液として再利用できないのでその処理が
問題となりまた錫の還元率が低い等の欠点がある。
本発明者は粉体のメッキについて種々検討を重□ねた結
果従来の置換法とは異なる全く新規な方法を見いだした
。
果従来の置換法とは異なる全く新規な方法を見いだした
。
すなわち本発明はメッキ媒体用金属粉(金属粉の添加に
よってメッキが進行するのでメッキ液中の金属イオン成
分と同種の金属粉を以下メッキ媒体用金属粉と称する)
としてメッキ金属と同一の金属を用いることにより全く
新規で有利な錫メツキ方法を提供することを目的とする
。
よってメッキが進行するのでメッキ液中の金属イオン成
分と同種の金属粉を以下メッキ媒体用金属粉と称する)
としてメッキ金属と同一の金属を用いることにより全く
新規で有利な錫メツキ方法を提供することを目的とする
。
以下本発明の詳細な説明する。
本発明でメッキの対象となる被メッキ体は錫よりも標準
電極電位が責な金属、例えば金、銀、白金、銅のごとき
金属のほかに炭素質物質、金属炭化物、金属酸化物、金
属硫化物、窒化物などを錫よりも責な金属で予め被覆処
理したものも包含する。
電極電位が責な金属、例えば金、銀、白金、銅のごとき
金属のほかに炭素質物質、金属炭化物、金属酸化物、金
属硫化物、窒化物などを錫よりも責な金属で予め被覆処
理したものも包含する。
なおこの被覆処理には金属薄層の蒸着、パラジウム析出
のごとき公知の手法が適用し得る。
のごとき公知の手法が適用し得る。
これらの被メッキ体の形状については特に制限はなく目
的、用途に応して粉本、繊体、板木等が適宜使用される
。
的、用途に応して粉本、繊体、板木等が適宜使用される
。
本発明でメッキ媒体用金属粉として用いられる錫粉の粒
度は被メッキ体の種類、大きさ、さらにはメッキ厚さ等
を考慮して選択し得る。
度は被メッキ体の種類、大きさ、さらにはメッキ厚さ等
を考慮して選択し得る。
例えば被メッキ体として平均粒度径40μの銅粉を用い
、これに被覆量30重量パーセントのメッキを施す場合
には上記錫の粒度は数μ程度が適当である。
、これに被覆量30重量パーセントのメッキを施す場合
には上記錫の粒度は数μ程度が適当である。
錫粉の使用量はメッキ所要量の1.0〜1.05倍(重
量)でよい。
量)でよい。
また本発明で用いる錫イオンを含む水溶液としては塩酸
、硫酸もしくは殖酸水酢液であってpHが2〜3のもの
が好ましく、その使用量は該水溶液中の錫量がメッキ所
要量より過剰になるごとく調整するとよい。
、硫酸もしくは殖酸水酢液であってpHが2〜3のもの
が好ましく、その使用量は該水溶液中の錫量がメッキ所
要量より過剰になるごとく調整するとよい。
本発明では上述したごとき被メッキ体を錫粉および錫イ
オンを含む水溶液の存在下で加熱処理することにより錫
メッキを行なうものであるが、例えば被メッキ体として
粉体を使用する場合には被メッキ体に錫粉を混合する過
程もしくは被メッキ体に錫粉を混合した後、上記水溶液
を添加しメッキ反応を均一に遂行するべく攪拌Fに加熱
するとよい。
オンを含む水溶液の存在下で加熱処理することにより錫
メッキを行なうものであるが、例えば被メッキ体として
粉体を使用する場合には被メッキ体に錫粉を混合する過
程もしくは被メッキ体に錫粉を混合した後、上記水溶液
を添加しメッキ反応を均一に遂行するべく攪拌Fに加熱
するとよい。
メッキ反応は錫イオンを含む水溶液を添力口し数分間加
熱することにより完遂する。
熱することにより完遂する。
なお加熱温度は80〜100℃程度でよい。
反応が終了したメッキ生成物は濾過して液分な除去した
後希薄硫酸で洗浄し、引続き水洗して、錫メツキ粉本を
回収する。
後希薄硫酸で洗浄し、引続き水洗して、錫メツキ粉本を
回収する。
上記濾過で得られる液分は金属イオンとしては錫イオン
のみを含む水溶液であるからそのままメッキ工程へ循環
して再利用できる。
のみを含む水溶液であるからそのままメッキ工程へ循環
して再利用できる。
本発明により上述したごとくして得られる錫メッキ粉本
ニおいては被メツキ粉体への錫の析着カ粒子状とならず
ほぼ均一な厚さを有する被覆が形成する。
ニおいては被メツキ粉体への錫の析着カ粒子状とならず
ほぼ均一な厚さを有する被覆が形成する。
以上被メッキ体としてその形状が粉体の場合を説明した
が、その形状が繊体あるいは板体のものについても全く
同様のことがいえる。
が、その形状が繊体あるいは板体のものについても全く
同様のことがいえる。
ただし板木の場合は加熱処理前に被メツキ板体を錫粉が
懸濁した、錫イオンを含む水容液中に浸漬する点、およ
び反応終了後の濾過が不要な点が粉体の場合と異なる。
懸濁した、錫イオンを含む水容液中に浸漬する点、およ
び反応終了後の濾過が不要な点が粉体の場合と異なる。
本発明のメッキ方法における反応機構は未だ明らかでは
ないが反応過程で錫粉が一旦溶解し水容液中の錫イオン
が被メッキ体の表面に析出するものと推定される。
ないが反応過程で錫粉が一旦溶解し水容液中の錫イオン
が被メッキ体の表面に析出するものと推定される。
以上述べたごとく本発明によるとメンキ処理後液をその
ままメッキ工程へ循環して再利用し得るので従来法にみ
られる前述した問題点は解消される。
ままメッキ工程へ循環して再利用し得るので従来法にみ
られる前述した問題点は解消される。
以下実施例を例示して本発明をさらに具体的に説明する
。
。
実施例 1
平均粒径40μを有する銅粉10g、平均粒径数μを有
する錫粉4gおよび錫濃度50g/lの塩化錫水溶液2
00rrLtをメッキ槽に仕込み(仕込液のpH0,4
)、攪拌Fに90 ’Cで5分間加熱して反応させる。
する錫粉4gおよび錫濃度50g/lの塩化錫水溶液2
00rrLtをメッキ槽に仕込み(仕込液のpH0,4
)、攪拌Fに90 ’Cで5分間加熱して反応させる。
得られた反応生成物を炉別しpH2〜3の希薄硫酸で塩
素イオンの存在が認められなくなるまで洗浄し水洗し、
たのち乾燥する。
素イオンの存在が認められなくなるまで洗浄し水洗し、
たのち乾燥する。
その結果13.98gの錫メッキ粉が得られた。
この錫メッキ粉は錫の白色光沢を有し、顕微鏡Fの観察
ではメッキ前の銅粉の枡形に相似しており、錫粉そのも
のと思われる微小粉本は認められなかった。
ではメッキ前の銅粉の枡形に相似しており、錫粉そのも
のと思われる微小粉本は認められなかった。
上記濾過により得られるp液は塩化錫水酸液であるので
上記メッキ槽へ循環してメッキ反応に再利用する。
上記メッキ槽へ循環してメッキ反応に再利用する。
実施例 2
濃度201/、f−の硝酸塩水溶液200m、tと平均
粒径数μの錫粉5g、および被メッキ体として直径2v
urt厚さ4關の銅線20本をメッキ槽に入れ撹拌丁で
85°Cに加熱し5分間メッキを行なった。
粒径数μの錫粉5g、および被メッキ体として直径2v
urt厚さ4關の銅線20本をメッキ槽に入れ撹拌丁で
85°Cに加熱し5分間メッキを行なった。
以上実施例1と同様の操作を行なった。得られたメッキ
体は400倍の顕微鏡下でも銅素地面の全く見えぬ美麗
なメッキ面を有していた。
体は400倍の顕微鏡下でも銅素地面の全く見えぬ美麗
なメッキ面を有していた。
Claims (1)
- 1 錫よりも責な金属よりなる被メッキ体を錫粉および
錫イオンを含む水溶液の存在下で加熱処理することを特
徴とする錫メツキ方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP54093254A JPS5818993B2 (ja) | 1979-07-24 | 1979-07-24 | 錫メツキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP54093254A JPS5818993B2 (ja) | 1979-07-24 | 1979-07-24 | 錫メツキ方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5620156A JPS5620156A (en) | 1981-02-25 |
JPS5818993B2 true JPS5818993B2 (ja) | 1983-04-15 |
Family
ID=14077356
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP54093254A Expired JPS5818993B2 (ja) | 1979-07-24 | 1979-07-24 | 錫メツキ方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5818993B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6318081A (ja) * | 1986-07-09 | 1988-01-25 | Tsurumi Soda Kk | 錫メツキ方法 |
JPS6347374A (ja) * | 1986-08-18 | 1988-02-29 | Tsurumi Soda Kk | 鉛メツキ方法 |
FR2867198B1 (fr) * | 2004-03-05 | 2007-09-14 | Trefimetaux | Procede d'etamage de pieces tubulaires en cuivre |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5199632A (ja) * | 1975-02-28 | 1976-09-02 | Nippon Mektron Kk | Kagakusuzumetsukiho |
-
1979
- 1979-07-24 JP JP54093254A patent/JPS5818993B2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5199632A (ja) * | 1975-02-28 | 1976-09-02 | Nippon Mektron Kk | Kagakusuzumetsukiho |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5620156A (en) | 1981-02-25 |
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