JPS5818924A - マスク合せの方法 - Google Patents
マスク合せの方法Info
- Publication number
- JPS5818924A JPS5818924A JP56117349A JP11734981A JPS5818924A JP S5818924 A JPS5818924 A JP S5818924A JP 56117349 A JP56117349 A JP 56117349A JP 11734981 A JP11734981 A JP 11734981A JP S5818924 A JPS5818924 A JP S5818924A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- main surface
- pattern
- semiconductor substrate
- mask
- light
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体基板表面に）（ターンを焼付けするマ
スク合せ方法の改良ｖｃｌｌする。
スク合せ方法の改良ｖｃｌｌする。
半導体素子の製造工１１において、ｈＰ導体基板表面に
パターン管形成する工程は、重要な工程０ 一つである
。このパターン形成１福では、半導体表面にレジスト膜
を形成した後、マスクと半導体基板の位置合せ、いわゆ
る目合せ全行ない１スタを通して紫外線や電子線、ｘ！
Ｉｔ照射することによりマスクのパターンを半導体基板
の表面に焼付けるｅ 半導体素子は多くの場合パターンが半導体基板の２つの
主表面のうち１片方の主表面上（のみ形成されているが
、素子によっては両方の主表面にパターンを形成する″
必要のある場合がある。−例としては１面発光型発光ダ
イオードがある。Ｃの素子Ｆ１． ２つの主表面のうち
、片方の主表面上には電流注入領域を制限するえめの電
極パターンが形成されてお砂１反対側の主表面には、光
を取出すｌ１１ｆＪｘ形成されている。従って、この素
子ＯＩＩ造工程では１片方の主表面に電極パターンを形
成し友後、この既に形成された電極パターンに合せて反
対側Ｏ主表面上にパターンを形成するいわゆる両面目金
せをすることが必要となる。
パターン管形成する工程は、重要な工程０ 一つである
。このパターン形成１福では、半導体表面にレジスト膜
を形成した後、マスクと半導体基板の位置合せ、いわゆ
る目合せ全行ない１スタを通して紫外線や電子線、ｘ！
Ｉｔ照射することによりマスクのパターンを半導体基板
の表面に焼付けるｅ 半導体素子は多くの場合パターンが半導体基板の２つの
主表面のうち１片方の主表面上（のみ形成されているが
、素子によっては両方の主表面にパターンを形成する″
必要のある場合がある。−例としては１面発光型発光ダ
イオードがある。Ｃの素子Ｆ１． ２つの主表面のうち
、片方の主表面上には電流注入領域を制限するえめの電
極パターンが形成されてお砂１反対側の主表面には、光
を取出すｌ１１ｆＪｘ形成されている。従って、この素
子ＯＩＩ造工程では１片方の主表面に電極パターンを形
成し友後、この既に形成された電極パターンに合せて反
対側Ｏ主表面上にパターンを形成するいわゆる両面目金
せをすることが必要となる。
従来両面目金せ七行なう際１次の様な方法、或いは装置
を用いていえ。
を用いていえ。
第１Ｋ、両面目金せのための方策のとられていない１ス
ク合せ装置を用いた場合次の様な方法で両面目金せを行
なった。第１の主表面上に既にパターンが形成された半
導体基板を第１の主表面を下にして、薄いガラス板上に
は９つ社る。このガラス板の反対側の面にＦｉ、あらか
じめレジスト膜を形成しておく０次にこのガラス板上の
レジスト膜に半導体基板の第１の主表面のパターンに合
せてマスクパターンを焼付は形成する。続いて半導体基
板の第２の主表面上にレジスト膜を形成する。
ク合せ装置を用いた場合次の様な方法で両面目金せを行
なった。第１の主表面上に既にパターンが形成された半
導体基板を第１の主表面を下にして、薄いガラス板上に
は９つ社る。このガラス板の反対側の面にＦｉ、あらか
じめレジスト膜を形成しておく０次にこのガラス板上の
レジスト膜に半導体基板の第１の主表面のパターンに合
せてマスクパターンを焼付は形成する。続いて半導体基
板の第２の主表面上にレジスト膜を形成する。
ガラス板上く形成されたパターンはガラス板の反対側か
らも見ることができるのでこのパターンに合せて半導体
基板の第２の主表面上にマスクパターンを焼付ける・こ
のようにして、半導体基板の第１の主表面上のパターン
に合わせて、第２の主表面上にパターンを形成していた
・しかし、この方法では、両面目金せを行なうために、
−廣ガラスにパターンを形成する必要があった。そのた
めパターン形成工程が増え、長い時間を要したり。
らも見ることができるのでこのパターンに合せて半導体
基板の第２の主表面上にマスクパターンを焼付ける・こ
のようにして、半導体基板の第１の主表面上のパターン
に合わせて、第２の主表面上にパターンを形成していた
・しかし、この方法では、両面目金せを行なうために、
−廣ガラスにパターンを形成する必要があった。そのた
めパターン形成工程が増え、長い時間を要したり。
歩留りが低下するといっ九欠点があった。又、ガラスに
パターン形成する際に半導体基板の第２の主表面を汚染
し易いという欠点があり、このこともパターン形成工程
の歩留りを悪化させていた。
パターン形成する際に半導体基板の第２の主表面を汚染
し易いという欠点があり、このこともパターン形成工程
の歩留りを悪化させていた。
第２に、２枚のマスクをあらかじめ位置合せをし、その
後この２枚のマスクの間に半導体基板を挿入し、半導体
基板の２つの主表面に同時にマスタパターンを焼付ける
装置がある。しかし、この装置では半導体基板の両面に
同時にパターンを焼付けることは出来るが半導体基板の
第１の主表面ＩＣ既に形成されたパターンに合せて第２
の主表面にパターンを形成することは不可能であった。
後この２枚のマスクの間に半導体基板を挿入し、半導体
基板の２つの主表面に同時にマスタパターンを焼付ける
装置がある。しかし、この装置では半導体基板の両面に
同時にパターンを焼付けることは出来るが半導体基板の
第１の主表面ＩＣ既に形成されたパターンに合せて第２
の主表面にパターンを形成することは不可能であった。
第３に、第１図に示すように、半導体基板１の第１の主
表面２のパタンを外側から観察しこのパターンに合せて
、第２の主表面３上にマスク７のパターンを形成する装
置が考えられる。しかし。
表面２のパタンを外側から観察しこのパターンに合せて
、第２の主表面３上にマスク７のパターンを形成する装
置が考えられる。しかし。
この方式の装置［Ｆｉ次の様な欠点がある。即ち、半導
体基板１は、第１の主表面２を下にして台４に設置され
る。従って、この第１の主表面２を顕微鏡８で観察する
ためには台４Ｋｇ察用の窓５を設ける必要がある。しか
し、半導体基板を設置する台４は半導体基板１を固定す
る丸めの機構例えば真空吸着機構６を有している。七の
九め、窓５を大きくとると吸着機能が損なわれ、又、吸
着機能を重視すると、＠Ｓが小さくなり、目合せが困−
になるといった欠点がある。この欠点は、半導体基板１
の大きさが小さくなる程顕著になる。
体基板１は、第１の主表面２を下にして台４に設置され
る。従って、この第１の主表面２を顕微鏡８で観察する
ためには台４Ｋｇ察用の窓５を設ける必要がある。しか
し、半導体基板を設置する台４は半導体基板１を固定す
る丸めの機構例えば真空吸着機構６を有している。七の
九め、窓５を大きくとると吸着機能が損なわれ、又、吸
着機能を重視すると、＠Ｓが小さくなり、目合せが困−
になるといった欠点がある。この欠点は、半導体基板１
の大きさが小さくなる程顕著になる。
第４＃ｃ、半導体基板の下側即ち第１の主表面側から半
導体基板に対して透明な光を照射し、透過した光ｔｇｚ
の主表面側から観察することにより第１の主表面上（形
成されたパターンを観察し。
導体基板に対して透明な光を照射し、透過した光ｔｇｚ
の主表面側から観察することにより第１の主表面上（形
成されたパターンを観察し。
それに合せて＄Ｉ２の主表面上にパターンを形成する方
式の装置が考えられる・しかし、この方式の装置には次
の様な欠点がある。即ち、半導体基板を設置する台に光
を照射するための窓が必要となるため、前に第３の例で
述べた装置と全く同様の欠点を有する。さらに第１の主
表面全面に金属膜が形成されている場合ＫＦｉ光が透過
し１ｋｖ′ｈため。
式の装置が考えられる・しかし、この方式の装置には次
の様な欠点がある。即ち、半導体基板を設置する台に光
を照射するための窓が必要となるため、前に第３の例で
述べた装置と全く同様の欠点を有する。さらに第１の主
表面全面に金属膜が形成されている場合ＫＦｉ光が透過
し１ｋｖ′ｈため。
第１の主表面のパターンを見ることが出来ず、目合せを
行なうことが出来ないという重大な欠点がある。
行なうことが出来ないという重大な欠点がある。
本発明は従来の方法に係るこのような欠点を除くために
なされえもので半導体基板の大きさ、第１０主表Ｎに形
成された金属膜の有無や形状によらず半導体基板の第１
の主表面に形成されたパターンに合せて第２の主表面に
パターンを形成するいわゆる両面目金せを、高い歩留り
で短時間に行なう仁とを可能にするものである。
なされえもので半導体基板の大きさ、第１０主表Ｎに形
成された金属膜の有無や形状によらず半導体基板の第１
の主表面に形成されたパターンに合せて第２の主表面に
パターンを形成するいわゆる両面目金せを、高い歩留り
で短時間に行なう仁とを可能にするものである。
本発明の方法は、第１の主表面を下に１第２の主表面を
１和した半導体基板の第２０主表面上にマスクを設置し
、この半導体基板を透過する波長の光を前記マスクを介
して照射して前記Ｗｉｌの主表面で反射した光により第
１の主表面上のパターンを検知し、このパターンと前記
マスクのパターンとを合せる工程を有する点Ｋ１１ｌｉ
黴がある。
１和した半導体基板の第２０主表面上にマスクを設置し
、この半導体基板を透過する波長の光を前記マスクを介
して照射して前記Ｗｉｌの主表面で反射した光により第
１の主表面上のパターンを検知し、このパターンと前記
マスクのパターンとを合せる工程を有する点Ｋ１１ｌｉ
黴がある。
本発明によれば、第１の主表面に形成されえパターンに
よる反射率の差で反射される光の強度が変るため１反射
光を観察するととくよや、第１０主表ＮＫ形成されたパ
ターンを職別するこきが出来る６例えば、第１の主表面
に部分的に金属膜中絶縁膜が形成１れている場合＃ｉ１
周囲との反射率Ｏ差でパターンが識別できる。又、第１
の主表面Ｋ例えばエツチングによる段差が形成されてい
る場合も１段の部分で反射角度が異なる九め、対応した
パターン形成工程することが出来る。又、第１の主表面
全面に金属膜が形成されていても１本発明でＦｉ、第２
の主表面側から光を入射させるため金属膜の下即ち、第
１の主表面上に形成されている絶縁膜やエツチングの段
差などのパターン管識別することが出来るので目合せを
することが可能となる。さらに％第１の主表面上のパタ
ーンを直接観察しながら目合せするため一回のパターン
形成工程で両面目金せが可能となった。その丸め時間を
短縮でｔｌ、又歩留りも向上した。又、パターン形成時
に第２の主表面を汚染することもなくなった・ 又％第２の主表面側から光を入射させるので半導体基板
を設置する台に窓を設ける必要はない。
よる反射率の差で反射される光の強度が変るため１反射
光を観察するととくよや、第１０主表ＮＫ形成されたパ
ターンを職別するこきが出来る６例えば、第１の主表面
に部分的に金属膜中絶縁膜が形成１れている場合＃ｉ１
周囲との反射率Ｏ差でパターンが識別できる。又、第１
の主表面Ｋ例えばエツチングによる段差が形成されてい
る場合も１段の部分で反射角度が異なる九め、対応した
パターン形成工程することが出来る。又、第１の主表面
全面に金属膜が形成されていても１本発明でＦｉ、第２
の主表面側から光を入射させるため金属膜の下即ち、第
１の主表面上に形成されている絶縁膜やエツチングの段
差などのパターン管識別することが出来るので目合せを
することが可能となる。さらに％第１の主表面上のパタ
ーンを直接観察しながら目合せするため一回のパターン
形成工程で両面目金せが可能となった。その丸め時間を
短縮でｔｌ、又歩留りも向上した。又、パターン形成時
に第２の主表面を汚染することもなくなった・ 又％第２の主表面側から光を入射させるので半導体基板
を設置する台に窓を設ける必要はない。
従って、複雑な台が不要となる他、半導体基板の大小Ｋ
かかわらず容易に両面目金せを行なうことが出来るとい
う利点がある。
かかわらず容易に両面目金せを行なうことが出来るとい
う利点がある。
パターンを慣察するための光は半導体基板のパ／ドギャ
ップエネルギー以下のエネルギーを有するものであれば
よく、通常波長１〜数ｊ１１１１赤外党が使用できるの
で簡便な光源を用いることができる。又、この様な波長
領域の赤外光はレジスト膜九対して影等を与えることけ
りい。
ップエネルギー以下のエネルギーを有するものであれば
よく、通常波長１〜数ｊ１１１１赤外党が使用できるの
で簡便な光源を用いることができる。又、この様な波長
領域の赤外光はレジスト膜九対して影等を与えることけ
りい。
以下図面を用いて１本発明の実施例の一部について説明
する。
する。
ＩＩ２図は、本発明のマスク合せの方法を実現する九め
の装置のマスク０合せ部を示すブロック図である１台４
のとに設置し先手導体基板１及びマスク７を観察する次
めの顕微楚８の対物レンズ９と接眼レンズ１０の間にビ
ームスプリッタ−１１を設は赤外発光ダイオード１２の
光をビームスプリッタ１１で反射させ半導体基板１に第
２の主表面３から入射させる・半導体内部を透過し、第
１の主表面２で反射した光をＩｉＩ做饋８を通して、例
えば赤外用ＩＴＶなどの受光器１４で受光し、モニター
テレビ１５に写し出す、モニターテレビ１５に写し出さ
れた半導体基板１のｌｌｌ０主表面２のパターン及ヒマ
スク７のパターンを見ながら半導体基板１の位置を調整
し、マスクのパターンと第１０主表ｔヴターンを合せる
。マスク７を通して紫外ａｔ熱照射ることにより第１の
主表面２のパターンに合せ友パターンを第２の主表面３
の上に焼付けることができる。
の装置のマスク０合せ部を示すブロック図である１台４
のとに設置し先手導体基板１及びマスク７を観察する次
めの顕微楚８の対物レンズ９と接眼レンズ１０の間にビ
ームスプリッタ−１１を設は赤外発光ダイオード１２の
光をビームスプリッタ１１で反射させ半導体基板１に第
２の主表面３から入射させる・半導体内部を透過し、第
１の主表面２で反射した光をＩｉＩ做饋８を通して、例
えば赤外用ＩＴＶなどの受光器１４で受光し、モニター
テレビ１５に写し出す、モニターテレビ１５に写し出さ
れた半導体基板１のｌｌｌ０主表面２のパターン及ヒマ
スク７のパターンを見ながら半導体基板１の位置を調整
し、マスクのパターンと第１０主表ｔヴターンを合せる
。マスク７を通して紫外ａｔ熱照射ることにより第１の
主表面２のパターンに合せ友パターンを第２の主表面３
の上に焼付けることができる。
本実施例により一回のパターン形成工程で容易（かつ短
時間に半導体基板の第１の主表面に形成されたパターン
に合せて第２の主表面にマスクパターンを焼付は形成す
ることが出来た・又、装置の構成も簡単化することが出
来た。又本実施例では光源として赤外発光ダイオードを
用いている。
時間に半導体基板の第１の主表面に形成されたパターン
に合せて第２の主表面にマスクパターンを焼付は形成す
ることが出来た・又、装置の構成も簡単化することが出
来た。又本実施例では光源として赤外発光ダイオードを
用いている。
発光ダイオードとしては例えば発行波長１−１．５声園
のＩｎＧａＡｓＰ系の発光ダイオードの様な化合物半導
体を用いたものが使用できる０発光ダイオードを用いる
ことにより、光源部を小型、簡略化することが出来、装
置全体の大きさを小さく出来。
のＩｎＧａＡｓＰ系の発光ダイオードの様な化合物半導
体を用いたものが使用できる０発光ダイオードを用いる
ことにより、光源部を小型、簡略化することが出来、装
置全体の大きさを小さく出来。
消費電力も小さくできるという利点がある。
第３図は１本発明の方法を実現するための別の装置例を
示す図である。第２１１１１０例と興なり、光６１１３
と顕微鏡８の間にフィルター１５１設けており、半導体
基板ｌに対し透明な波長の光を選択的に第２の主表面３
に入射させている。フィルタとが出来る・又、フィルタ
ーの透過特性の異なるものを用いることにより、種々の
バンドギャップエネルギーの半導体基板でも本発明の効
果を得ることが出来るという利点がある。父、フィルタ
ーを設ける位置は顕微鏡８の内部でも、接置レンズｌＯ
と受光器１４の間でも同様の効果を得ることができる、 以上述べたように１本発明により半導体基板の大きさ、
第１の主表面に形成された金属膜の有無。
示す図である。第２１１１１０例と興なり、光６１１３
と顕微鏡８の間にフィルター１５１設けており、半導体
基板ｌに対し透明な波長の光を選択的に第２の主表面３
に入射させている。フィルタとが出来る・又、フィルタ
ーの透過特性の異なるものを用いることにより、種々の
バンドギャップエネルギーの半導体基板でも本発明の効
果を得ることが出来るという利点がある。父、フィルタ
ーを設ける位置は顕微鏡８の内部でも、接置レンズｌＯ
と受光器１４の間でも同様の効果を得ることができる、 以上述べたように１本発明により半導体基板の大きさ、
第１の主表面に形成された金属膜の有無。
形状にかかわらず、第１の主表面のパターンに合せて、
＠２の主表面にパターンを形成する。いｔゆる両面目金
せを、短時間に高い歩留りでかつ簡単な装置で実現する
ことが１３Ｔ能となった。
＠２の主表面にパターンを形成する。いｔゆる両面目金
せを、短時間に高い歩留りでかつ簡単な装置で実現する
ことが１３Ｔ能となった。
第１図Ｆよ従来の袈ｌｆを、第２図及び第３図は本発明
の実権例をそれぞれテす。 ｌＦ１半導体等板を％ ２Ｆｉ半導体基板の第１の主表
面ｔ−１３Ｆｉ第２の主表面を、４ｉｄひ全、５け窓を
、６は真空吸着機構を、７はマスクを、８は顕微鏡ｔ−
１９け対物レンズを、１０は接眼レンズを１１はビーム
スグリツタを、１２は赤外発光ダイオードを％ １３は
光源を、１４は受光器を、１５はモニターテレ１？４１
６はフィルターをそれぞれ示す。 攪理人弁理士内原 晋
の実権例をそれぞれテす。 ｌＦ１半導体等板を％ ２Ｆｉ半導体基板の第１の主表
面ｔ−１３Ｆｉ第２の主表面を、４ｉｄひ全、５け窓を
、６は真空吸着機構を、７はマスクを、８は顕微鏡ｔ−
１９け対物レンズを、１０は接眼レンズを１１はビーム
スグリツタを、１２は赤外発光ダイオードを％ １３は
光源を、１４は受光器を、１５はモニターテレ１？４１
６はフィルターをそれぞれ示す。 攪理人弁理士内原 晋
Claims (1)
- 第１の主表面を下にし、ＷＥ２の主表面を上にした半導
体基板の第２の主表面上にマスクを設置し、前記半導体
基板を透過する波長の光を前記マスタを介して前記半導
体基板に照射して前記半導体基板の第１１１０主表面で
反射した前記光により第１の主表面上のパターンを検知
し、第１の主表面上のパターンと前記マスクのノ（ター
ンと會合せる工Ｓｔ有すること１＊黴とするマスク合せ
Ｏ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56117349A JPS5818924A (ja) | 1981-07-27 | 1981-07-27 | マスク合せの方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56117349A JPS5818924A (ja) | 1981-07-27 | 1981-07-27 | マスク合せの方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5818924A true JPS5818924A (ja) | 1983-02-03 |
Family
ID=14709486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56117349A Pending JPS5818924A (ja) | 1981-07-27 | 1981-07-27 | マスク合せの方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5818924A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03282303A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-12 | Toppan Printing Co Ltd | 表裏パターン検査装置 |
-
1981
- 1981-07-27 JP JP56117349A patent/JPS5818924A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03282303A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-12 | Toppan Printing Co Ltd | 表裏パターン検査装置 |
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