JPS5818923A - 直接露光装置 - Google Patents

直接露光装置

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Publication number
JPS5818923A
JPS5818923A JP56117073A JP11707381A JPS5818923A JP S5818923 A JPS5818923 A JP S5818923A JP 56117073 A JP56117073 A JP 56117073A JP 11707381 A JP11707381 A JP 11707381A JP S5818923 A JPS5818923 A JP S5818923A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical fiber
exposure
ray tube
cathode ray
exposed
Prior art date
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Pending
Application number
JP56117073A
Other languages
English (en)
Inventor
Tatsuo Inoue
龍雄 井上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP56117073A priority Critical patent/JPS5818923A/ja
Publication of JPS5818923A publication Critical patent/JPS5818923A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03BAPPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B15/00Special procedures for taking photographs; Apparatus therefor
    • G03B15/003Apparatus for photographing CRT-screens

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、ICチップ内の配線や、配線基板の配線パタ
ーンtフォトリノダラフイ技術によって形成させろ場合
に使用する露光装置に関する。
ICチップ内部の配線パターンを形成し友ル、配線基板
の配線パターンを形成しえりする方法として、近年フォ
トリングラフィが用いられて−る。
フォトリングラフィとは、基板の表面を感光性O膜で覆
い、この膜を所望の形状に従って露光し先後現俸して所
望の形状に削除することによ如、とO膜の下層にあらか
じめ形成された金属膜の一部を露出させて、該露出部分
にめっきを施し、又は露出部分をエツチング法により除
去する事ellKよって所望の形状パターンの金属膜を
得る方法である。所望の形状に露光する技術としては、
従来、以下にのべる様なものがあった。
第1図は、ガラス又はセルロイド等の透明板15に、所
望の形状のクロム膜16を蒸着したマスクを、光源11
と感光剤17を被露光基板18Km布した被露光面との
間に置くことによシ、マスクの形状を被露光面の感光剤
17の膜に転写する方法を示す、こJ1法は、パターン
が異なるごとに、新丸なマスクを作らなければならない
ため、パターン化の所要期間が長くなるという欠点があ
る・第2図は、光源21からの光線を凹面鏡23で反射
させた平行光線24を遮光板25126の透光窓を通し
て凸レンズ27で集光して、被露光基板30に塗布した
感光剤290面Kf/14点を結ばせ、基板設置台20
を移動させることによって、被露光面に所望の形状パタ
ーンの露光を得る方法を示す、この場合は、マスクを作
る必要がないから、パターン化の所要期間は短いが、レ
ンズ系や嬉蔽板に高度の機械的精度が要求されるため、
装置の作成が困難で高価に&るという欠点がある・壇た
、フォトリソグラレイではないが、これから派生し丸技
術として第3図に示すような方法も用いられている。す
なわち、被露光基板39を電子線に対して反応する膜3
8で覆う友ものを、真空容器31内に置き、カソード3
3から射出する電子ビーム37によって照射する方法で
ある。電子ビーム37は、グリッド34で集束され、偏
向電極板35.36に与えられた電圧によって偏光され
て所望の形状パターンを画く。この方法は、コンピュー
タ42で制御される′1源41から与えられる電圧によ
って任意の形状パターンを画くことが可能であるが、基
板を露光する度に、真空容器内にセットし、真空引きを
しなければならないから、露光に要する作業時間が長く
なるという欠点がある。
本発明の目的は、上述の従来の欠点を解決し、マスクを
必要とせず、露光に要する作業時間が短く、かつ安価な
露光装置を提供することにある。
本発明の露光装置は、ブラウン管と、該ブラウン管の前
面ガラス表面に光学繊維束の端面が密接するように光学
繊維束を固定保持する手段と、腋光学繊藻束の前記ブラ
ウン管と反対側の端面に被露光基板をvR振させる丸め
の基板設置台とを備えて、前記ブラウン管の螢光面の発
光を前記光学繊維束を介して被露光基板の感光面に入射
させるように構成したことを特徴とする。
次に、本発明について、図面を参照して詳細に説明する
第4図は、本発明の一実施例を示す断面図であ如、第2
図はその斜視図である。すなわち、ブラウン管s1の前
面ガラス6GK密接して、光学繊維束61を、その軸が
前面ガラス60に垂直になるように密接固定する。光学
繊維束61は、直接前面ガラス60に接着固定しても良
く、又は、適尚な支持体によって一体に保持されて、そ
の端面が前面ガラス60KIf接するように形成され九
光学繊維板によって前面ガラスに密接できるようにして
もよい、勿論、光学繊維束61のブラウン管とは反対側
の面は平面に形成され、被露光基板630表面表面布し
た感光膜62に密接することができる。被露光基板63
は基板設置台64に載置され位置合わせのつめ6sによ
って位置決めされている。そして、上記ブラウン管のカ
ソード53から射出する電子ビーム57を、グリッド5
4で集束し偏向電極[55,56によって偏向させ螢光
面s8の所望の位置を照射して輝点59を生じさせ、螢
光面58上に任意の形状パターンを画かせることができ
る。これらは、コンピュータ67の制御によ)、電源6
6から与えられる電圧によって、任意に制御される。
輝点59によシ、感光面62に感光させる状態を第6図
に示す。すがわち、電子ビームs7で螢光面58を照射
すると輝点S9を生じる。輝点59からの光線は前面ガ
ラス60中を図中矢印のように進向するが光学縁m61
mの端面に対して一定の臨界角以上で入射した光は全反
射されるため、光学繊維61mに入射しない。このため
、輝点59の図中真下KToる少数の光学繊維61亀に
よって感光JII62を照射し、露光させる。図中62
1sが露光され九部分であり、112mは露光されない
部分を示す0以上のように1輝点59が殆んど拡大され
ない状憩で露光させることが可能であ為。光学繊維束と
しては、セルフォックレンズをアレイ状に配し九竜ル7
オツクレ/ズアレイ等を用いろことができる。セルフォ
ックレンズの直径が数十ンクロン以下のものを使用すれ
ば、最小寸法が数十建クロン程度の露光パターンを得る
ことができる。本実施例では、露光パターンは、コンピ
ュータ内に記憶させることができるから、マスクの作成
は必要でなく、パターン化の所要期間が短くてすむとい
う効果がある。また、露光作業に要する時間は短くてす
み、かつ高精度を要する可動部分がないから安価に提供
することができる・第7図(a)および伽)ilt、本
発明の他の実施例を示す断面図および側断面図である。
すなわち、この場合は、値蔽板82にスリットを穿設し
て、該スリット内に光学砿維束81を配設固着している
光学繊維束81の端面は勿論前面ガラス80に密接可能
である。第7図(、)において、電子ビーA77は図中
左右方向に走査され、図中前後方向に副走査される。そ
して、蓮幣板82は、そのスリット位置が電子ビームの
副走査に同期して第7図(&)の図中前後方向、すなわ
ち同図(b)の図中左右方向に移動する。該スリットの
幅を適当に選定すれば、副走査位置に対して余裕がある
から、さほど精密な位置制御は必要でない。また、光学
繊維の量が少々くてすむから安価に提供することができ
る。
その他の点については前述の実施例と同様表効果を奏す
る。
以上のように、本発明においては、ブラウン管の前面に
光学繊維束を密接して配列し、該光学繊維束を介して被
露光基板の露光面を照射するように構成されているから
、露光操作が簡単で短時間に可能7であシ、また1、、
露光用のマスク作成を必要としないから、パターン化の
所要期間を短縮できる効果がある。さらに、機械的に高
精度な可動部分がないから安価に提供することができる
【図面の簡単な説明】
第1図〜第3図はそれぞれ従来の露光装置の一例を示す
側面図、@4図は本発明の一実施例を示す断面図、第5
図は上記実施例を示す斜視図、第6図は輝点付近の巻路
および露光の状態を示す断面図、第7図(a)および(
b)は本発明の他の実施例を示す断面図および側断面図
である。 図において、11.21−・・・・光源、13p27−
・・・凸レンズ、15−透明板、16・−クロムマスク
パターン、17*2e*38s62t62at62に、
83・・・感光膜、18,30,39,63゜86−・
被露光基板、23−凹面鏡、25,24i。 [トー鑑蔽板、20,64.84−・基板設置台、65
.85−・位置合わせのりめ、31−真空容器、$8#
5173−・カソード、34t54#74−グリッド、
51.71−ブラウン管、35,36゜!$l5eS6
t75t76−・偏向電極板、37,57゜77−電子
ビーム、58.78−螢光面、59゜79−・輝点、6
0.80・・・前面ガラス、e 1.at−光学繊維束
、61 m =・光学繊維、61b−・隔壁、66−電
源、67−コyピユータ。 代理人弁理士 住田俊宗 10 第1図 5 第2図 第7図(b)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)  ブラウン管と、該ブラウン管の前面ガラス表
    面に光学繊維束の端面が密接するように光学繊維束を固
    定保持する手段と、誼光学繊維束の前記ブラウン管と度
    対側の端面に被露光基板を密接させるための基板設置台
    とを備えて、前記ブラウン管の螢光面の発光を前記光学
    繊維束を介して被露光基板の感光面に入射させるように
    構成したことを特徴とする直接露光装置(2、特許請求
    の範囲第1項記載の直接露光装置において、前記光学繊
    維束は、スリットを有するm*板のスリット中に配設さ
    れ、上記鍵蔽板はそのスリット位置を前記ブラウン管の
    走査位置に合わせるようにブラウン管走査に同期して移
    動するように構成され九ことを特徴とするもの。
JP56117073A 1981-07-28 1981-07-28 直接露光装置 Pending JPS5818923A (ja)

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