JPS58186933A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS58186933A JPS58186933A JP57069403A JP6940382A JPS58186933A JP S58186933 A JPS58186933 A JP S58186933A JP 57069403 A JP57069403 A JP 57069403A JP 6940382 A JP6940382 A JP 6940382A JP S58186933 A JPS58186933 A JP S58186933A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- infrared ray
- temperature
- semiconductor
- diffusion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
- H01L21/2686—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation using incoherent radiation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は赤外線照射により半導体基板にｐ−ｎ接合を形
成する半導体素子の製造方法に関するものである。
成する半導体素子の製造方法に関するものである。
従来、太陽電池素子等の半導体素子を構成する基板にｐ
−ｎ接合を形成する手段としては、気相より不純物を
拡散するかあるいは不純物の含有された溶液を基板面に
塗布して拡散させる熱拡散法が一般的である。この熱拡
散法について第１図とともに説明する。石英管／内の石
英ボート−に半導体ウェハー３を複数個直立載置させて
収納し、ガス供給ログより雰囲気ガスを導入するととも
にヒータｊで石英管／を加熱し、半導体ウェハー３に不
純物を拡散させる。石英管／内の雰囲気ガスはガス排気
［Ｉ Ｊより排出される。半導体ウェハー３への不純物
の拡散は、雰囲気ガスよりドーパントを気相拡散させる
かあるいは予め半導体ウェハー３の表面に不純物を含有
した溶液を塗布しておき、加熱時にこの不純物を液相拡
散させることにより行なわれ、その拡散フロントで半導
体ウェハー３内にｐ−ｎ接合が得られる。
−ｎ接合を形成する手段としては、気相より不純物を
拡散するかあるいは不純物の含有された溶液を基板面に
塗布して拡散させる熱拡散法が一般的である。この熱拡
散法について第１図とともに説明する。石英管／内の石
英ボート−に半導体ウェハー３を複数個直立載置させて
収納し、ガス供給ログより雰囲気ガスを導入するととも
にヒータｊで石英管／を加熱し、半導体ウェハー３に不
純物を拡散させる。石英管／内の雰囲気ガスはガス排気
［Ｉ Ｊより排出される。半導体ウェハー３への不純物
の拡散は、雰囲気ガスよりドーパントを気相拡散させる
かあるいは予め半導体ウェハー３の表面に不純物を含有
した溶液を塗布しておき、加熱時にこの不純物を液相拡
散させることにより行なわれ、その拡散フロントで半導
体ウェハー３内にｐ−ｎ接合が得られる。
Ｌ述の熱拡散法に於いて、半導体ウェハー３への熱伝達
は、ヒータｊより石英管／を介して雰囲気ガスが加熱さ
れ、雰囲気ガスと接触している半導体ウェハー３にヒー
タｊの熱が間接的に付与されることとなり、従って半導
体ウェハー３が拡散温度に達する迄には非常に多くの時
間を要することとなる。例えば太陽電池素子を形成する
ための熱拡散条件は２θＯ℃でｌｊ分間程度の温度と時
間か必要となるが、半導体ウェハー３を７００”Ｇに昇
温させる時間が非常に長くなり、このため生産効率が低
いという問題点を有する。
は、ヒータｊより石英管／を介して雰囲気ガスが加熱さ
れ、雰囲気ガスと接触している半導体ウェハー３にヒー
タｊの熱が間接的に付与されることとなり、従って半導
体ウェハー３が拡散温度に達する迄には非常に多くの時
間を要することとなる。例えば太陽電池素子を形成する
ための熱拡散条件は２θＯ℃でｌｊ分間程度の温度と時
間か必要となるが、半導体ウェハー３を７００”Ｇに昇
温させる時間が非常に長くなり、このため生産効率が低
いという問題点を有する。
本発明は上述の問題点に鑑み、技術的手段を駆使するこ
とにより、半導体ウェノ）−の昇温時間を飛躍的に短縮
し生産効率を著しく向上せしめた新規有用な半導体素子
の製造方法を提供することを目的とするものである。
とにより、半導体ウェノ）−の昇温時間を飛躍的に短縮
し生産効率を著しく向上せしめた新規有用な半導体素子
の製造方法を提供することを目的とするものである。
以下本発明を実施例に従って図面を参照しながら詳説す
る。
る。
第一図は本発明の一実施例を説明する赤外線拡散装置の
要部構成図である。
要部構成図である。
半導体ウェハー７は搬送ベルト！上に載置されて装置内
へ順次供給される。半導体ウニ／Ｘ−７の直上にはグ本
の赤外線ランブタが列設されている。
へ順次供給される。半導体ウニ／Ｘ−７の直上にはグ本
の赤外線ランブタが列設されている。
またこの赤外線ランプ２にはそれぞれ出力光線を半導体
ウェハー２方向へ反射する反射鏡１０が配設され、赤外
線ランブタより出力される赤外線は効率良く半導体ウェ
ノ１−２に照射される。半導体ウェハー７の周囲には第
１図同様雰囲気ガスが導入される。赤外線ランプ２は本
実施例では直径約コ０鵡、長さ約／、５０ｍ、出力／ｊ
ＫＷのものが使用され、各赤外線ランプ２に対応する反
射鏡１０は金属板内面に金メッキした放物面鏡が用いら
れる。半導体ウニ／％−７は太陽電池となるシリコンウ
ェハーが実施に供され、このシリコンウェハーを搬送す
るための搬送ベルト♂は耐熱金属で作製されたメツシュ
ベルトで構成されている。
ウェハー２方向へ反射する反射鏡１０が配設され、赤外
線ランブタより出力される赤外線は効率良く半導体ウェ
ノ１−２に照射される。半導体ウェハー７の周囲には第
１図同様雰囲気ガスが導入される。赤外線ランプ２は本
実施例では直径約コ０鵡、長さ約／、５０ｍ、出力／ｊ
ＫＷのものが使用され、各赤外線ランプ２に対応する反
射鏡１０は金属板内面に金メッキした放物面鏡が用いら
れる。半導体ウニ／％−７は太陽電池となるシリコンウ
ェハーが実施に供され、このシリコンウェハーを搬送す
るための搬送ベルト♂は耐熱金属で作製されたメツシュ
ベルトで構成されている。
半導体ウェハー２を搬送ベルト♂で赤外線ランプ２の、
に丁に配置し、雰囲気ガスを導入した後、赤外線ランプ
２の各々を駆動する。赤外線ランプ２がフルパワーで駆
動された場合、約／θ秒程度゛で半導体ウェハー７は常
温から／θＯθ℃程度迄昇温度迄昇温赤外線を半一体つ
・・・−７に照射することにより半導体ウェハー７は雰
囲気ガスからの熱伝導を必要とすることなく直接温度上
昇するため雰囲気ガスを加熱する必要がなく、直接加熱
に準する方式で半導体ウニ／％−７を極めて短時間に拡
散温度に迄昇温させることかできる。従って半導体ウェ
ハー２の昇温時間は第１図の方式に比較すると將〜臀。
に丁に配置し、雰囲気ガスを導入した後、赤外線ランプ
２の各々を駆動する。赤外線ランプ２がフルパワーで駆
動された場合、約／θ秒程度゛で半導体ウェハー７は常
温から／θＯθ℃程度迄昇温度迄昇温赤外線を半一体つ
・・・−７に照射することにより半導体ウェハー７は雰
囲気ガスからの熱伝導を必要とすることなく直接温度上
昇するため雰囲気ガスを加熱する必要がなく、直接加熱
に準する方式で半導体ウニ／％−７を極めて短時間に拡
散温度に迄昇温させることかできる。従って半導体ウェ
ハー２の昇温時間は第１図の方式に比較すると將〜臀。
程度に短縮される。
第３図は半導体ウェハー２の温度と作業時間の関係を示
す説明図である。赤外線を照射してから約１０秒程度で
半導体ウェハー２は／θθＯ℃程度に昇温され、以後こ
の温度が持続されて半導体ウェハー２に不純物が拡散さ
れｐ −ｎ接合が形成される。不純物の拡散は前述した
如く雰囲気ガスからの気相拡散あるいは予め半導体ウェ
ハー２表面に拡散溶液を塗布する液相拡散により行なわ
れ拡散方法及びｐ−ｎ接合深さに応じて拡散時間が決定
される。
す説明図である。赤外線を照射してから約１０秒程度で
半導体ウェハー２は／θθＯ℃程度に昇温され、以後こ
の温度が持続されて半導体ウェハー２に不純物が拡散さ
れｐ −ｎ接合が形成される。不純物の拡散は前述した
如く雰囲気ガスからの気相拡散あるいは予め半導体ウェ
ハー２表面に拡散溶液を塗布する液相拡散により行なわ
れ拡散方法及びｐ−ｎ接合深さに応じて拡散時間が決定
される。
赤外線ランプ２は半導体ウェハー２の上方のみならず、
下方にも配設し、搬送ベルトｒのメツシュ間隙を介して
上下両方向から赤外線を半導体ウェハー２に照射する構
成とすれば、昇温時間はより一層短縮される。
下方にも配設し、搬送ベルトｒのメツシュ間隙を介して
上下両方向から赤外線を半導体ウェハー２に照射する構
成とすれば、昇温時間はより一層短縮される。
以上詳説した如く、本発明によれば半導体ウェハーの昇
温時間が大幅に短縮されるため、生産効率が向上し、所
要電力も少なくなる。また自動化に適するため量産ライ
ンに組み込むことも容易である。
温時間が大幅に短縮されるため、生産効率が向上し、所
要電力も少なくなる。また自動化に適するため量産ライ
ンに組み込むことも容易である。
第１図は従来の熱拡散法を説明する構成図であ第２図は
本発明の一実施例を説明する拡散法の構成図である。 第３図は＄−図の実施例に於ける半導体ウニ／％−の温
度と時間の関係を説明する説明図である。 ７・・・半導体ウェハー、！・・・搬送ベルト、２・・
・赤外線ランプ、１０・・・反射鏡。 代叶人 弁理士 福 土受 彦（他−名）、Ｗ ♂く−唖兼
本発明の一実施例を説明する拡散法の構成図である。 第３図は＄−図の実施例に於ける半導体ウニ／％−の温
度と時間の関係を説明する説明図である。 ７・・・半導体ウェハー、！・・・搬送ベルト、２・・
・赤外線ランプ、１０・・・反射鏡。 代叶人 弁理士 福 土受 彦（他−名）、Ｗ ♂く−唖兼
Claims (1)
- １、 半導体ウェハーに赤外線を照射して該半導体ウェ
ハーを昇温させ不純物を前記半導体ウニ／Ｘ−に拡散す
ることによりｐ−ｎ接合を形成することを特徴とする半
導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57069403A JPS58186933A (ja) | 1982-04-23 | 1982-04-23 | 半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57069403A JPS58186933A (ja) | 1982-04-23 | 1982-04-23 | 半導体素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58186933A true JPS58186933A (ja) | 1983-11-01 |
Family
ID=13401597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57069403A Pending JPS58186933A (ja) | 1982-04-23 | 1982-04-23 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58186933A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6174377A (ja) * | 1984-09-20 | 1986-04-16 | Hamamatsu Photonics Kk | 赤外線照射による光センサの製造方法 |
| JPS62226671A (ja) * | 1986-03-24 | 1987-10-05 | エバラ ソーラー インコーポレイテッド | 半導体の接合形成方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56100412A (en) * | 1979-12-17 | 1981-08-12 | Sony Corp | Manufacture of semiconductor device |
-
1982
- 1982-04-23 JP JP57069403A patent/JPS58186933A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56100412A (en) * | 1979-12-17 | 1981-08-12 | Sony Corp | Manufacture of semiconductor device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6174377A (ja) * | 1984-09-20 | 1986-04-16 | Hamamatsu Photonics Kk | 赤外線照射による光センサの製造方法 |
| JPS62226671A (ja) * | 1986-03-24 | 1987-10-05 | エバラ ソーラー インコーポレイテッド | 半導体の接合形成方法 |
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