JP2001127325A - 電池のエネルギー増大方法並びにエネルギー増大装置及び高エネルギー電池 - Google Patents
電池のエネルギー増大方法並びにエネルギー増大装置及び高エネルギー電池Info
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Photovoltaic Devices (AREA)
- Charge And Discharge Circuits For Batteries Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 半導体基板で構成された太陽電池のエネルギ
ーを増大させる太陽電池のエネルギー増大方法。 【解決手段】 半導体基板に磁界発生手段４０により回
転磁界を発生せしめる、太陽電池のエネルギー増大方
法。
ーを増大させる太陽電池のエネルギー増大方法。 【解決手段】 半導体基板に磁界発生手段４０により回
転磁界を発生せしめる、太陽電池のエネルギー増大方
法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電池又は半導体基
板で構成された太陽電池のエネルギーを増大させる太陽
電池のエネルギー増大方法並びにエネルギー増大装置及
び高エネルギー太陽電池に関する。
板で構成された太陽電池のエネルギーを増大させる太陽
電池のエネルギー増大方法並びにエネルギー増大装置及
び高エネルギー太陽電池に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、代表的な発電システムとしては、
火力発電と水力発電がある。火力発電は、石油を燃や
し、発生した熱によって水を加熱して蒸気を発生させ、
タービンを回転させることによって発電を行っている。
しかし、火力発電の場合、石油を燃焼するために、排気
ガスや有害ガスが発生し、大気を汚染する問題がある。
火力発電と水力発電がある。火力発電は、石油を燃や
し、発生した熱によって水を加熱して蒸気を発生させ、
タービンを回転させることによって発電を行っている。
しかし、火力発電の場合、石油を燃焼するために、排気
ガスや有害ガスが発生し、大気を汚染する問題がある。
【０００３】一方、水力発電では、水の落下エネルギー
を利用してタービンを回転させることによって発電を行
っている。水力発電の場合には、火力発電の場合のよう
に排気ガスや有害ガスの発生による大気の汚染はない
が、発電システムが大がかりになる不都合がある。
を利用してタービンを回転させることによって発電を行
っている。水力発電の場合には、火力発電の場合のよう
に排気ガスや有害ガスの発生による大気の汚染はない
が、発電システムが大がかりになる不都合がある。
【０００４】これに対して、太陽エネルギーを利用して
発電する太陽電池は、太陽の光エネルギーを電気エネル
ギーに変換して電気を起こす発電システムであるが、火
力発電の如き大気を汚染することがなく、また水力発電
の如くシステムが大がかりになることもない。一般に、
火力発電や水力発電の場合は、発電所と電気を消費する
消費地が遠く離れており、したがって大がかりな送電設
備を設置して発電所から消費地まで送電しなければなら
ない。このようなことから、近年において、太陽電池の
利用が注目されている。
発電する太陽電池は、太陽の光エネルギーを電気エネル
ギーに変換して電気を起こす発電システムであるが、火
力発電の如き大気を汚染することがなく、また水力発電
の如くシステムが大がかりになることもない。一般に、
火力発電や水力発電の場合は、発電所と電気を消費する
消費地が遠く離れており、したがって大がかりな送電設
備を設置して発電所から消費地まで送電しなければなら
ない。このようなことから、近年において、太陽電池の
利用が注目されている。
【０００５】図７は、従来の太陽電池の構造を示した断
面図である。太陽電池１０は、半導体基板１１から構成
されたもので、半導体基板１１には正孔（＋電荷）が生
ずるＰ型半導体部分１２と、電子（−電荷）が生ずるＮ
型半導体部分１３と、Ｎ型半導体部分１３上に形成され
た反射層１４とからなる。
面図である。太陽電池１０は、半導体基板１１から構成
されたもので、半導体基板１１には正孔（＋電荷）が生
ずるＰ型半導体部分１２と、電子（−電荷）が生ずるＮ
型半導体部分１３と、Ｎ型半導体部分１３上に形成され
た反射層１４とからなる。
【０００６】このような太陽電池１０においては、Ｐ型
半導体部分１２とＮ型半導体部分１３との接合部１５に
太陽光が照射されると、光エネルギーが電気エネルギー
に変換されて電気が生ずる。反射層１４は、太陽光のう
ちの主に赤外線である熱光線を反射して、熱光線が半導
体基板１１中に通過しないようにしている。この理由
は、熱光線が半導体基板１１を通過すると、半導体基板
１１を加熱して光エネルギーが電気エネルギーに変換す
る変換効率が低下するからである。
半導体部分１２とＮ型半導体部分１３との接合部１５に
太陽光が照射されると、光エネルギーが電気エネルギー
に変換されて電気が生ずる。反射層１４は、太陽光のう
ちの主に赤外線である熱光線を反射して、熱光線が半導
体基板１１中に通過しないようにしている。この理由
は、熱光線が半導体基板１１を通過すると、半導体基板
１１を加熱して光エネルギーが電気エネルギーに変換す
る変換効率が低下するからである。
【０００７】太陽電池１０に光が照射されると、半導体
基板１１の結晶中の電子は、光のエネルギー効果によ
り、格子との結合が解かれて、電子は励起されて自由電
子となって結晶中を自由に動き回り、電子が抜けた後に
は、正孔（ホール）が生じ、これも結晶中を動く。
基板１１の結晶中の電子は、光のエネルギー効果によ
り、格子との結合が解かれて、電子は励起されて自由電
子となって結晶中を自由に動き回り、電子が抜けた後に
は、正孔（ホール）が生じ、これも結晶中を動く。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
太陽電池１０においては、自由電子が不活発であり、Ｐ
型半導体部分１２とＮ型半導体部分１３との間の電位差
が小さく、そのために光電（電力）変換効率が低く、略
１０％台であるともに、エネルギー準位や発生電圧も低
くなっている。また、太陽電池１０は、反射層１４によ
って半導体基板１１を加熱する熱光線を反射している
が、なお十分に反射することができず、光起電力効果が
低い。そこで、この熱光線を半導体基板１１中にできる
だけ吸収されないようにすると、光エネルギーから電気
エネルギーに変換するに必要な有効な光線までカットし
てしまうことになる。そのために、高電圧が得られな
い。
太陽電池１０においては、自由電子が不活発であり、Ｐ
型半導体部分１２とＮ型半導体部分１３との間の電位差
が小さく、そのために光電（電力）変換効率が低く、略
１０％台であるともに、エネルギー準位や発生電圧も低
くなっている。また、太陽電池１０は、反射層１４によ
って半導体基板１１を加熱する熱光線を反射している
が、なお十分に反射することができず、光起電力効果が
低い。そこで、この熱光線を半導体基板１１中にできる
だけ吸収されないようにすると、光エネルギーから電気
エネルギーに変換するに必要な有効な光線までカットし
てしまうことになる。そのために、高電圧が得られな
い。
【０００９】本発明は、前述した状況に鑑みてなされた
ものであり、その目的は電池又は半導体基板に共振磁界
を生じさせ光起電力を高めて高電圧が得られる電池のエ
ネルギー増大方法並びにエネルギー増大装置及び高エネ
ルギー電池を提供することにある。
ものであり、その目的は電池又は半導体基板に共振磁界
を生じさせ光起電力を高めて高電圧が得られる電池のエ
ネルギー増大方法並びにエネルギー増大装置及び高エネ
ルギー電池を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明に係る請求項１又は２記載の電池又は太陽電池
のエネルギー増大方法は、電池又は半導体基板で構成さ
れた太陽電池のエネルギーを増大させる電池のエネルギ
ー増大方法において、前記電池又は半導体基板に磁界発
生手段により回転磁界を付与して共振磁界を発生せしめ
たことを特徴とする。
の本発明に係る請求項１又は２記載の電池又は太陽電池
のエネルギー増大方法は、電池又は半導体基板で構成さ
れた太陽電池のエネルギーを増大させる電池のエネルギ
ー増大方法において、前記電池又は半導体基板に磁界発
生手段により回転磁界を付与して共振磁界を発生せしめ
たことを特徴とする。
【００１１】この電池又は太陽電池のエネルギー増大方
法においては、電池又は太陽電池に回転磁界が付与され
ると、電池又は太陽電池が活性化されて、共振磁界が生
じて高電圧が得られる。つまり、電池又は半導体基板に
共振現象が起き、極間又はＰ型半導体部分とＮ型半導体
部分間に大きな電位差が生じて高電圧が得られる。
法においては、電池又は太陽電池に回転磁界が付与され
ると、電池又は太陽電池が活性化されて、共振磁界が生
じて高電圧が得られる。つまり、電池又は半導体基板に
共振現象が起き、極間又はＰ型半導体部分とＮ型半導体
部分間に大きな電位差が生じて高電圧が得られる。
【００１２】本発明に係る請求項３記載の太陽電池のエ
ネルギー増大装置は、半導体基板に回転磁界を付与して
共振磁界を発生せしめる３相交流磁界発生手段を備えた
ことを特徴とする。
ネルギー増大装置は、半導体基板に回転磁界を付与して
共振磁界を発生せしめる３相交流磁界発生手段を備えた
ことを特徴とする。
【００１３】この太陽電池のエネルギー増大装置におい
ては、半導体基板に３相交流電界発生手段によって回転
磁界が付与されると、特に半導体基板をコア中心部に置
いた場合、多重に回転磁界が付与されて自由電子が活発
化されて大きな共振磁界が発生する。そのために、エネ
ルギー準位や発生電圧も高まる。
ては、半導体基板に３相交流電界発生手段によって回転
磁界が付与されると、特に半導体基板をコア中心部に置
いた場合、多重に回転磁界が付与されて自由電子が活発
化されて大きな共振磁界が発生する。そのために、エネ
ルギー準位や発生電圧も高まる。
【００１４】本発明に係る請求項４記載の高エネルギー
太陽電池は、半導体基板に形成された反射層上に光エネ
ルギーから電気エネルギーに変換するに必要な有効光線
のみを吸収するフィルタを設けたことを特徴とする。
太陽電池は、半導体基板に形成された反射層上に光エネ
ルギーから電気エネルギーに変換するに必要な有効光線
のみを吸収するフィルタを設けたことを特徴とする。
【００１５】この高エネルギー太陽電池においては、反
射層上にフィルタが設けられると、不要な熱光線が除去
されて、光エネルギーから電気エネルギーに変換するの
に必要な有効光線のみが半導体基板に吸収されて光起電
力が高められる。
射層上にフィルタが設けられると、不要な熱光線が除去
されて、光エネルギーから電気エネルギーに変換するの
に必要な有効光線のみが半導体基板に吸収されて光起電
力が高められる。
【００１６】本発明に係る請求項５記載の太陽電池のエ
ネルギー増大方法は、半導体基板に形成された反射層上
にフィルタを設けた太陽電池に回転磁界を付与して共振
磁界を発生せしめることを特徴とする。
ネルギー増大方法は、半導体基板に形成された反射層上
にフィルタを設けた太陽電池に回転磁界を付与して共振
磁界を発生せしめることを特徴とする。
【００１７】この太陽電池のエネルギー増大方法におい
ては、フィルタが設けられた半導体基板に、回転磁界が
付与されると、有効光線のみが半導体基板に吸収される
ことと相俟って自由電子が活発化されて、大きな共振磁
界が生じ光起電力効果が高められ、高電圧が得られる。
ては、フィルタが設けられた半導体基板に、回転磁界が
付与されると、有効光線のみが半導体基板に吸収される
ことと相俟って自由電子が活発化されて、大きな共振磁
界が生じ光起電力効果が高められ、高電圧が得られる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る電池のエネル
ギー増大方法並びにエネルギー増大装置及び高エネルギ
ー電池の実施形態を、図面に基づいて詳細に説明する。
図１及び図２は、本発明に係る電池のエネルギー増大方
法並びにエネルギー増大装置の一実施形態を示し、図１
は太陽電池の断面図、図２は太陽電池のエネルギー増大
装置の原理図である。尚、図面に示す実施形態では、本
発明を太陽電池に適用しているが、一般の電池にも適用
可能である。
ギー増大方法並びにエネルギー増大装置及び高エネルギ
ー電池の実施形態を、図面に基づいて詳細に説明する。
図１及び図２は、本発明に係る電池のエネルギー増大方
法並びにエネルギー増大装置の一実施形態を示し、図１
は太陽電池の断面図、図２は太陽電池のエネルギー増大
装置の原理図である。尚、図面に示す実施形態では、本
発明を太陽電池に適用しているが、一般の電池にも適用
可能である。
【００１９】本発明の実施形態の太陽電池２０は、半導
体基板１１に備えたＰ型半導体部分１２とＮ型半導体部
分１３で構成されている。Ｎ型半導体部分１３上には、
不要な熱光線を反射する反射層１４が形成され、反射層
１４上には表面電極２１が形成されている。また、表面
電極２１が形成された反射層１４上には、有効光線のみ
を吸収するフィルタ３０が形成され、一方Ｐ型半導体部
分１２の裏面には、裏面電極２２が形成されている。
体基板１１に備えたＰ型半導体部分１２とＮ型半導体部
分１３で構成されている。Ｎ型半導体部分１３上には、
不要な熱光線を反射する反射層１４が形成され、反射層
１４上には表面電極２１が形成されている。また、表面
電極２１が形成された反射層１４上には、有効光線のみ
を吸収するフィルタ３０が形成され、一方Ｐ型半導体部
分１２の裏面には、裏面電極２２が形成されている。
【００２０】Ｐ型半導体部分１２は、半導体基板（シリ
コン基板）１１に、例えばボロン（ホウ素）等のＰ型不
純物を拡散し、厚さ０．３ｍｍ〜０．４ｍｍに形成す
る。Ｎ型半導体部分１３は、例えば拡散法又はイオン・
インプランテーション法により燐等のＮ型不純物をＰ型
半導体部分１２に注入することにより形成する。表面電
極２１及び裏面電極２２は、例えば真空蒸着法によって
形成し、表面電極２１は格子状に、裏面電極２２は全面
的に形成する。
コン基板）１１に、例えばボロン（ホウ素）等のＰ型不
純物を拡散し、厚さ０．３ｍｍ〜０．４ｍｍに形成す
る。Ｎ型半導体部分１３は、例えば拡散法又はイオン・
インプランテーション法により燐等のＮ型不純物をＰ型
半導体部分１２に注入することにより形成する。表面電
極２１及び裏面電極２２は、例えば真空蒸着法によって
形成し、表面電極２１は格子状に、裏面電極２２は全面
的に形成する。
【００２１】反射層１４は、電気エネルギー変換効率を
低下させる赤外線等の不要な熱光線を反射するものであ
る。また、フィルタ３０は、材料が酸化チタン又はゲル
マニウムからなり、これらの材料の粉末を安定剤で溶い
て塗布するか、又は真空蒸着で形成する。形成する厚さ
は、１μ〜５０μ、好ましくは５０μ程度がよい。フィ
ルタ３０の屈折率は、例えば１．８〜２．０が好まし
い。このフィルタ３０は、光エネルギーを電気エネルギ
ーに変換するのに有効な波長帯の光線のみを吸収するよ
うに構成されている。
低下させる赤外線等の不要な熱光線を反射するものであ
る。また、フィルタ３０は、材料が酸化チタン又はゲル
マニウムからなり、これらの材料の粉末を安定剤で溶い
て塗布するか、又は真空蒸着で形成する。形成する厚さ
は、１μ〜５０μ、好ましくは５０μ程度がよい。フィ
ルタ３０の屈折率は、例えば１．８〜２．０が好まし
い。このフィルタ３０は、光エネルギーを電気エネルギ
ーに変換するのに有効な波長帯の光線のみを吸収するよ
うに構成されている。
【００２２】本実施例で用いる太陽電池エネルギー増大
装置は、磁界発生手段４０を備えており、磁界発生手段
４０はコア４１とコア４１の周囲に配置された複数のコ
イル４２とを有する。コイル４２は、好ましくは図２に
示すように、位相が１２０°ずれた３相交流磁界発生手
段の形態を有する。この磁界発生手段４０によって、回
転磁界が生ずる。本実施形態では、一例として、４８０
メガヘルツ，２４ｗの３相交流を加えることによって、
コア４１の中心に多重回転磁界を生じさせることができ
る。
装置は、磁界発生手段４０を備えており、磁界発生手段
４０はコア４１とコア４１の周囲に配置された複数のコ
イル４２とを有する。コイル４２は、好ましくは図２に
示すように、位相が１２０°ずれた３相交流磁界発生手
段の形態を有する。この磁界発生手段４０によって、回
転磁界が生ずる。本実施形態では、一例として、４８０
メガヘルツ，２４ｗの３相交流を加えることによって、
コア４１の中心に多重回転磁界を生じさせることができ
る。
【００２３】以下、上記太陽電池エネルギー増大装置を
用いた本実施形態のエネルギー増大方法の作用について
説明する。コア４１の略中心部の位置に太陽電池２０又
は半導体基板のモジュール（集合体）を配置すると、図
２の破線で示す回転磁界の雰囲気下に置かれ、太陽電池
２０に回転磁界が付与されて共振磁界が発生する。この
回転磁界の付与は、例えば約２５分間付与した後、一定
時間経過させ、再び２５分間付与する。この操作は、複
数回繰り返し行うことが好ましい。
用いた本実施形態のエネルギー増大方法の作用について
説明する。コア４１の略中心部の位置に太陽電池２０又
は半導体基板のモジュール（集合体）を配置すると、図
２の破線で示す回転磁界の雰囲気下に置かれ、太陽電池
２０に回転磁界が付与されて共振磁界が発生する。この
回転磁界の付与は、例えば約２５分間付与した後、一定
時間経過させ、再び２５分間付与する。この操作は、複
数回繰り返し行うことが好ましい。
【００２４】このようにして、太陽電池２０に共振磁界
が発生すると、半導体基板中の分子が一定の方向に整列
され、自由電子の動きが活発化され、Ｐ型半導体部分１
２とＮ型半導体部分１３の電位差が大きくなって、光電
変換効率が向上すると共に、エネルギー準位が向上する
ことになる。従って、光の照射が低いレベルにおいて
も、十分な電気が発生し、高エネルギーの太陽電池２０
が得られる。
が発生すると、半導体基板中の分子が一定の方向に整列
され、自由電子の動きが活発化され、Ｐ型半導体部分１
２とＮ型半導体部分１３の電位差が大きくなって、光電
変換効率が向上すると共に、エネルギー準位が向上する
ことになる。従って、光の照射が低いレベルにおいて
も、十分な電気が発生し、高エネルギーの太陽電池２０
が得られる。
【００２５】太陽電池２０を回転磁界雰囲気下に置くた
めに、コンベア又は板状のテーブルからなる搬送手段５
０が設けられている。そして、太陽電池２０は、搬送手
段５０によって、回転磁界を付与する近傍の位置と回転
磁界を付与するコア４１中心位置との間を繰り返し移動
されて、回転磁界が付与される。
めに、コンベア又は板状のテーブルからなる搬送手段５
０が設けられている。そして、太陽電池２０は、搬送手
段５０によって、回転磁界を付与する近傍の位置と回転
磁界を付与するコア４１中心位置との間を繰り返し移動
されて、回転磁界が付与される。
【００２６】図３は、太陽電池エネルギー増大装置の一
実施形態を示したものである。このエネルギー増大装置
１００は、フロア１０１上を移動可能なケーシング１０
２と、ケーシング１０２内に配置された磁界発生手段
（図示せず）とを有する。なお、この磁界発生手段は、
図２で示した磁界発生手段４０と同様である。太陽電池
２０は、エネルギー増大装置１００の磁界発生手段の上
方に配置されて、磁界発生手段によって回転磁界が付与
される。このようにして、太陽電池（製品）２０又は使
用済の太陽電池の半導体基板（モジュールを含む）に回
転磁界が付与されて共振磁界が発生し、光電交換効率を
向上させることができる。
実施形態を示したものである。このエネルギー増大装置
１００は、フロア１０１上を移動可能なケーシング１０
２と、ケーシング１０２内に配置された磁界発生手段
（図示せず）とを有する。なお、この磁界発生手段は、
図２で示した磁界発生手段４０と同様である。太陽電池
２０は、エネルギー増大装置１００の磁界発生手段の上
方に配置されて、磁界発生手段によって回転磁界が付与
される。このようにして、太陽電池（製品）２０又は使
用済の太陽電池の半導体基板（モジュールを含む）に回
転磁界が付与されて共振磁界が発生し、光電交換効率を
向上させることができる。
【００２７】図４は、太陽電池エネルギー増大装置の他
の実施形態を示したものである。この実施形態では、エ
ネルギー増大装置２００が設置されたフロア２０１に太
陽電池２０を載置し、フロア２０１等に置かれた太陽電
池２０の上部から回転磁界を付与する形態である。この
形態は、エネルギー増大装置２００により、屋根等設置
されている太陽電池に回転磁界を付与するのに便利であ
る。
の実施形態を示したものである。この実施形態では、エ
ネルギー増大装置２００が設置されたフロア２０１に太
陽電池２０を載置し、フロア２０１等に置かれた太陽電
池２０の上部から回転磁界を付与する形態である。この
形態は、エネルギー増大装置２００により、屋根等設置
されている太陽電池に回転磁界を付与するのに便利であ
る。
【００２８】図５は、太陽電池エネルギー増大装置の更
に他の実施形態を示したものである。この実施形態で
は、エネルギー増大装置３００はハンドル３０１を有
し、エネルギー増大装置３００を手で持って太陽電池２
０に回転磁界を付与可能にした携帯形式のものである。
このエネルギー増大装置３００は、手で持てるので、ソ
ーラーカーに取り付けられた太陽電池に回転磁界を付与
するのに便利である。
に他の実施形態を示したものである。この実施形態で
は、エネルギー増大装置３００はハンドル３０１を有
し、エネルギー増大装置３００を手で持って太陽電池２
０に回転磁界を付与可能にした携帯形式のものである。
このエネルギー増大装置３００は、手で持てるので、ソ
ーラーカーに取り付けられた太陽電池に回転磁界を付与
するのに便利である。
【００２９】図６は、本発明の太陽電池（回転磁界を付
与する処理を施したもの）と、その処理を施さない従来
の太陽電池との光電変換効率を比較した図である。この
図から判るように、従来の太陽電池の光電変換効率（線
ｂで示す）は、１７％であったが、本発明の太陽電池の
場合は、光電変換効率（線ａで示す）は、２５％と飛躍
的に向上した。また、光源が太陽光，蛍光灯，写真撮影
用ランプのいずれの場合にも、本発明の太陽電池は、従
来の太陽電池と比較して光電電力効果が向上し、特に太
陽光差角度９０°で、動作点電力（最大出力）が従来の
太陽電池に比べて凡そ１０Ｗ／ｍ２弱上昇できる。
与する処理を施したもの）と、その処理を施さない従来
の太陽電池との光電変換効率を比較した図である。この
図から判るように、従来の太陽電池の光電変換効率（線
ｂで示す）は、１７％であったが、本発明の太陽電池の
場合は、光電変換効率（線ａで示す）は、２５％と飛躍
的に向上した。また、光源が太陽光，蛍光灯，写真撮影
用ランプのいずれの場合にも、本発明の太陽電池は、従
来の太陽電池と比較して光電電力効果が向上し、特に太
陽光差角度９０°で、動作点電力（最大出力）が従来の
太陽電池に比べて凡そ１０Ｗ／ｍ２弱上昇できる。
【００３０】以上、本発明の実施形態を説明したが、本
発明は上述した実施形態に限定されることなく、適宜変
更、改良等が可能である。例えば、磁界発生手段は、３
相に限定されない。半導体基板は、単結晶又は多結晶に
限らず、アモルファ基板等にも同様に適用できるもので
ある。また、本発明の電池は、電気卓上計算器や時計等
の電子機器に用いる電池又は太陽電池として最適である
が、屋内用電源，屋外用電源等の太陽電池としても、好
適である。
発明は上述した実施形態に限定されることなく、適宜変
更、改良等が可能である。例えば、磁界発生手段は、３
相に限定されない。半導体基板は、単結晶又は多結晶に
限らず、アモルファ基板等にも同様に適用できるもので
ある。また、本発明の電池は、電気卓上計算器や時計等
の電子機器に用いる電池又は太陽電池として最適である
が、屋内用電源，屋外用電源等の太陽電池としても、好
適である。
【００３１】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、電池又は半導体基板に回転磁界を付与したため、
電池が活発化されて共振磁界が生じて高電圧が得られ
る。即ち、共振現象が起き、極間又はＰ型半導体部分と
Ｎ型半導体部分との間に大きな電位差が生じて高電圧が
得られる。
れば、電池又は半導体基板に回転磁界を付与したため、
電池が活発化されて共振磁界が生じて高電圧が得られ
る。即ち、共振現象が起き、極間又はＰ型半導体部分と
Ｎ型半導体部分との間に大きな電位差が生じて高電圧が
得られる。
【００３２】また、本発明によれば、３相交流電界発生
手段により半導体基板に回転磁界を付与するため、半導
体基板をコア中心に置いた場合に、多重に回転磁界が付
与されて自由電子が活発化され大きな共振磁界が発生す
る。従って、エネルギー準位や発生電圧も高まる。
手段により半導体基板に回転磁界を付与するため、半導
体基板をコア中心に置いた場合に、多重に回転磁界が付
与されて自由電子が活発化され大きな共振磁界が発生す
る。従って、エネルギー準位や発生電圧も高まる。
【００３３】本発明によれば、半導体基板の反射層上に
光エネルギーから電気エネルギーに変換するに必要な有
効光線のみを吸収するフィルタが設けられているため、
不要な熱光線が除去され、電気エネルギーに変換するの
に必要な有効光線のみが半導体基板に吸収されて光起電
力が高められる。
光エネルギーから電気エネルギーに変換するに必要な有
効光線のみを吸収するフィルタが設けられているため、
不要な熱光線が除去され、電気エネルギーに変換するの
に必要な有効光線のみが半導体基板に吸収されて光起電
力が高められる。
【００３４】しかも、本発明によれば、反射層上にフィ
ルタを設けた太陽電池に回転磁界を付与するため、有効
光線のみが半導体基板に吸収されると相俟って自由電子
が活発化されて、大きな共振磁界が生じて光起電力効果
が高められ、高電圧が得られる。
ルタを設けた太陽電池に回転磁界を付与するため、有効
光線のみが半導体基板に吸収されると相俟って自由電子
が活発化されて、大きな共振磁界が生じて光起電力効果
が高められ、高電圧が得られる。
【図１】本発明に係る高エネルギー太陽電池の一実施形
態を示す断面図である。
態を示す断面図である。
【図２】本発明に係る太陽電池エネルギー増大装置の原
理図である。
理図である。
【図３】本発明に係る太陽電池エネルギー増大装置の一
実施形態の構成図である。
実施形態の構成図である。
【図４】本発明に係る太陽電池エネルギー増大装置の他
の実施形態の構成図である。
の実施形態の構成図である。
【図５】本発明に係る太陽電池エネルギー増大装置の更
に他の実施形態の構成図である。
に他の実施形態の構成図である。
【図６】本発明の係る太陽電池の効率と従来の太陽電池
の効率を比較した図である。
の効率を比較した図である。
【図７】従来の太陽電池の断面図である。
１１ 半導体基板 １４ 反射層 ２０ 太陽電池 ３０ フィルタ ４０ 磁界発生手段（３相交流磁界発生手段）
Claims (5)
- 【請求項１】 電池に回転磁界を付与して共振磁界を発
生せしめたことを特徴とする電池のエネルギー増大方
法。 - 【請求項２】 半導体基板で構成された太陽電池のエネ
ルギーを増大させる太陽電池のエネルギー増大方法にお
いて、 前記半導体基板に磁界発生手段により回転磁界を付与し
て共振磁界を発生せしめたことを特徴とする太陽電池の
エネルギー増大方法。 - 【請求項３】 半導体基板に回転磁界を付与して共振磁
界を発生せしめる３相交流磁界発生手段を備えたことを
特徴とする太陽電池のエネルギー増大装置。 - 【請求項４】 半導体基板に形成された反射層上に光エ
ネルギーから電気エネルギーに変換するに必要な有効光
線のみを吸収するフィルタを設けたことを特徴とする高
エネルギー太陽電池。 - 【請求項５】 半導体基板に形成された反射層上にフィ
ルタを設けた太陽電池に回転磁界を付与して共振磁界を
発生せしめることを特徴とする請求項２に記載の太陽電
池のエネルギー増大方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34517299A JP2001127325A (ja) | 1999-10-29 | 1999-10-29 | 電池のエネルギー増大方法並びにエネルギー増大装置及び高エネルギー電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34517299A JP2001127325A (ja) | 1999-10-29 | 1999-10-29 | 電池のエネルギー増大方法並びにエネルギー増大装置及び高エネルギー電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001127325A true JP2001127325A (ja) | 2001-05-11 |
Family
ID=18374786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34517299A Pending JP2001127325A (ja) | 1999-10-29 | 1999-10-29 | 電池のエネルギー増大方法並びにエネルギー増大装置及び高エネルギー電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001127325A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006186340A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-07-13 | Denso Corp | 太陽電池 |
| JP2007095370A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Sony Corp | 色素増感光電変換素子、光電変換素子モジュール、電子機器、移動体および発電システム |
| US7358621B2 (en) * | 2006-06-13 | 2008-04-15 | Tseng-Shen Lee | Using sound waves and photic energy for electric power |
| JP2013090306A (ja) * | 2011-10-23 | 2013-05-13 | Hiroshi Kubota | 長波長光反射膜を設けた太陽電池付き携帯電話 |
| CN103477552A (zh) * | 2011-01-27 | 2013-12-25 | 布尔诺科技大学 | 具有内置谐振器的光伏元件 |
-
1999
- 1999-10-29 JP JP34517299A patent/JP2001127325A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006186340A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-07-13 | Denso Corp | 太陽電池 |
| JP2007095370A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Sony Corp | 色素増感光電変換素子、光電変換素子モジュール、電子機器、移動体および発電システム |
| US7358621B2 (en) * | 2006-06-13 | 2008-04-15 | Tseng-Shen Lee | Using sound waves and photic energy for electric power |
| CN103477552A (zh) * | 2011-01-27 | 2013-12-25 | 布尔诺科技大学 | 具有内置谐振器的光伏元件 |
| JP2013090306A (ja) * | 2011-10-23 | 2013-05-13 | Hiroshi Kubota | 長波長光反射膜を設けた太陽電池付き携帯電話 |
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