JPS58186255A - 画像読取り装置 - Google Patents
画像読取り装置Info
- Publication number
- JPS58186255A JPS58186255A JP57068294A JP6829482A JPS58186255A JP S58186255 A JPS58186255 A JP S58186255A JP 57068294 A JP57068294 A JP 57068294A JP 6829482 A JP6829482 A JP 6829482A JP S58186255 A JPS58186255 A JP S58186255A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charging
- photodiodes
- light
- circuit
- switches
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/40—Picture signal circuits
- H04N1/40056—Circuits for driving or energising particular reading heads or original illumination means
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は雑音を@減し九鮮明なii俸出力を得ることの
できる半導体型の画像読取)装置に関する。
できる半導体型の画像読取)装置に関する。
近時、フォトダイオードやフォトトランジスタ勢の接合
型光検出素子とMOS−FiCTアナログ・スイッチと
を用いた1ii1*絖取シ装置が注目されている。この
装置については、例えば P、に、W@irn@r @t−ml。
型光検出素子とMOS−FiCTアナログ・スイッチと
を用いた1ii1*絖取シ装置が注目されている。この
装置については、例えば P、に、W@irn@r @t−ml。
−8elf−8cann@d Itnag* 5ens
ors Ba5ed onCbarge Transf
@r by th@Buck@t−Br1gad*Me
thod、’ IEEE Transaction o
n ElsotromDevleem Vol、 ED
−18N111(Nov、1971)Pp991−1t
+03 等に評しく紹介される。このW&置は、基本的には第1
図に示すように、複数のフォトダイオード(フォトトラ
ンノスタ) 1 m 、 1 b′Itsを充電制鋼)
用のMOS−1’ETアナログeスイ、チ21゜2b〜
2nを各別に介して並列接続し、負荷抵抗3t−介して
バイアス電源4より電圧を供給する構成を有する。そし
て、前記アナログ・スイ。
ors Ba5ed onCbarge Transf
@r by th@Buck@t−Br1gad*Me
thod、’ IEEE Transaction o
n ElsotromDevleem Vol、 ED
−18N111(Nov、1971)Pp991−1t
+03 等に評しく紹介される。このW&置は、基本的には第1
図に示すように、複数のフォトダイオード(フォトトラ
ンノスタ) 1 m 、 1 b′Itsを充電制鋼)
用のMOS−1’ETアナログeスイ、チ21゜2b〜
2nを各別に介して並列接続し、負荷抵抗3t−介して
バイアス電源4より電圧を供給する構成を有する。そし
て、前記アナログ・スイ。
チ2 m + 1 b〜2nをシフトレジスタ5の出力
により順次導通制御していくようにしたものでめる。し
かして、この装置によれば、アナログ・スイッチj a
m J b 〜J nの導通によシ、7オトトランゾ
スタIhalb〜1nは電#4の電圧vlで充電され、
前記アナログ拳スイ、チ1a、Ibへ11の非導通によ
りフォトダイオード11.1b〜IrAの端子電圧(充
電電圧)は、その入射光による光電流によって対数的に
低下する。この電圧低下分νは、l Vol>Il+な
る条件において略リニアとなシ、このときその絶対ff
fi 191は上記入射光蓋の積分値に比例した本のと
なる。従って@記シフトレゾスタ6によりアナログ・ス
イッチJ a * j b〜Jul順次導通していけば
、前記負荷抵抗30両端に上klνIK比例した電圧、
つt)入射光量に比的した・譬ルス電流の通電による出
力電圧を得ることが可能となる。
により順次導通制御していくようにしたものでめる。し
かして、この装置によれば、アナログ・スイッチj a
m J b 〜J nの導通によシ、7オトトランゾ
スタIhalb〜1nは電#4の電圧vlで充電され、
前記アナログ拳スイ、チ1a、Ibへ11の非導通によ
りフォトダイオード11.1b〜IrAの端子電圧(充
電電圧)は、その入射光による光電流によって対数的に
低下する。この電圧低下分νは、l Vol>Il+な
る条件において略リニアとなシ、このときその絶対ff
fi 191は上記入射光蓋の積分値に比例した本のと
なる。従って@記シフトレゾスタ6によりアナログ・ス
イッチJ a * j b〜Jul順次導通していけば
、前記負荷抵抗30両端に上klνIK比例した電圧、
つt)入射光量に比的した・譬ルス電流の通電による出
力電圧を得ることが可能となる。
ところが、このように構成された装置では、アナログ・
スイッチ2 m + 2b〜2!1を駆動するダート信
号が負荷出力に混在し、結局画像信号の品質劣化を招く
と云う不具合を有している。
スイッチ2 m + 2b〜2!1を駆動するダート信
号が負荷出力に混在し、結局画像信号の品質劣化を招く
と云う不具合を有している。
そこで従来よシ、ダミー回路を設けてr−ト信号成分を
打消したシ、アナログ・スイッチJ a。
打消したシ、アナログ・スイッチJ a。
J b 〜I nとしてディプレッジ、 y ii M
OB−FICT會用いてそのり′−ト信号レベルを低く
しえり、更には前段回路の信号を利用して差動的に信号
抽出する勢して画像信号の品質を高めるぺ〈工夫がなさ
れている。
OB−FICT會用いてそのり′−ト信号レベルを低く
しえり、更には前段回路の信号を利用して差動的に信号
抽出する勢して画像信号の品質を高めるぺ〈工夫がなさ
れている。
然し乍ら、これらの工夫による信号処理は、理鋺的には
非常に優れたものでおるが、IIWA上、装置を構成す
る素子の特性のパラツキや動作タイミングのずれ等の問
題があり、効果的に実施することが甚だ困難である。を
九、ディブレ。
非常に優れたものでおるが、IIWA上、装置を構成す
る素子の特性のパラツキや動作タイミングのずれ等の問
題があり、効果的に実施することが甚だ困難である。を
九、ディブレ。
シーン型のMOS−FETをアナログースイ、デドシて
用いても、r−1信号レベルを必ずしも十分圧下げると
とがで龜ないと云う問題があった。
用いても、r−1信号レベルを必ずしも十分圧下げると
とがで龜ないと云う問題があった。
特に像信号レベルが低いとき、つまり微弱な信号を扱う
場合、上述し九不具合が問題となっ九つ〔発明の目的〕 本発明はこのような事情を考慮してなされ九もので、そ
の目的とするところは、r−1傷号に起因する雑音の発
生を低減して、鮮明な画像出力を簡易に得ることのでき
る実用性の^い画像読取り装置を提供することにある。
場合、上述し九不具合が問題となっ九つ〔発明の目的〕 本発明はこのような事情を考慮してなされ九もので、そ
の目的とするところは、r−1傷号に起因する雑音の発
生を低減して、鮮明な画像出力を簡易に得ることのでき
る実用性の^い画像読取り装置を提供することにある。
本発明は充電制御用スイッチを各別に介して並タリ接続
された複数のフォトダイオードに所定のバイアス電圧を
印加すると共に、原稿画儂光を/llススに導入し、読
出し用スイッチを各別に介して並列接続された複数の増
幅素子を前記フォトダイオードの充電電圧によって各別
に動作制御し、上記増幅素子から読出し用スイッチを介
して流れる電流から前記フォトダイオードに入射した光
に相当する画像出力を得るようKしたものでおる。
された複数のフォトダイオードに所定のバイアス電圧を
印加すると共に、原稿画儂光を/llススに導入し、読
出し用スイッチを各別に介して並列接続された複数の増
幅素子を前記フォトダイオードの充電電圧によって各別
に動作制御し、上記増幅素子から読出し用スイッチを介
して流れる電流から前記フォトダイオードに入射した光
に相当する画像出力を得るようKしたものでおる。
〔発明の効果〕
かくして本発明によれば、原稿画像をパルス的に導入し
てそのijI儂銃取りを行わしめ、これを増−素子を介
してインピーダンス変換し、電流増幅して取り出すので
、r−J信号に起因する) IJ 、f雑音を拾い難く
なり、且つ鮮明な画像出力を得ることが可能となる。t
た、上記r −ト信号の悪影響を受は離いので、微弱な
画像信号をも効果的に取扱うことが可能とな9、その実
用的利点が絶大である。
てそのijI儂銃取りを行わしめ、これを増−素子を介
してインピーダンス変換し、電流増幅して取り出すので
、r−J信号に起因する) IJ 、f雑音を拾い難く
なり、且つ鮮明な画像出力を得ることが可能となる。t
た、上記r −ト信号の悪影響を受は離いので、微弱な
画像信号をも効果的に取扱うことが可能とな9、その実
用的利点が絶大である。
以下、図面を参照して本発明の実施例につ自説側する。
第2図は実施例装置の概略構成図であや、第3〆I(a
)〜(j)はその作用を説明する為の信号波形図である
。1IA2図において11h、11b〜11nおよびr
zm、szb 〜1xmtiそれぞれフォトダイオード
でToシ、例えばアレイ識の構造を有して一直線状に配
列されている。ジオトダイオードI I m 、 I
l b=11 n11M0&−FETからなる充電制御
用スイッチJJa、JJk+〜2Jnを各別に介して並
列に接続され、1つの充電10111を構成している。
)〜(j)はその作用を説明する為の信号波形図である
。1IA2図において11h、11b〜11nおよびr
zm、szb 〜1xmtiそれぞれフォトダイオード
でToシ、例えばアレイ識の構造を有して一直線状に配
列されている。ジオトダイオードI I m 、 I
l b=11 n11M0&−FETからなる充電制御
用スイッチJJa、JJk+〜2Jnを各別に介して並
列に接続され、1つの充電10111を構成している。
iたフォトダイオード11m、12b〜Jjmも同様に
スイッチ14 m 、 14 b 〜14 mを各別に
介して並列に接続され、他の1つの充電回路を構成して
いる。
スイッチ14 m 、 14 b 〜14 mを各別に
介して並列に接続され、他の1つの充電回路を構成して
いる。
ここでは2組の充電回路について示されるが、図示しな
いフォトダイオードおよび充電制御用スイッチを用いて
同様な充電回路が構成される。
いフォトダイオードおよび充電制御用スイッチを用いて
同様な充電回路が構成される。
しかしてこれらの充電回路は、電流制限用の抵抗1jを
介して第1のバイアス電@1gより所定の電源電圧■。
介して第1のバイアス電@1gより所定の電源電圧■。
が印加されている。また前記スイッチIl*、Ilb〜
I Jn、 74m * 14b〜14nは、各充電回
路毎にその制御熾子が共通接続され、同時にオン・オフ
制御されるようになっている。
I Jn、 74m * 14b〜14nは、各充電回
路毎にその制御熾子が共通接続され、同時にオン・オフ
制御されるようになっている。
発光ダイオード1F、111からなるパルス光6Nは電
源19.20によプスイ、チ21,12を介して・ぐル
ス的に駆1されるもので、前記充電回路にそれぞれ対応
して設けられている。尚、上記発光ダイオード11.l
ld、必要に応じて抵抗勢の電流制限素子を介して駆動
される。
源19.20によプスイ、チ21,12を介して・ぐル
ス的に駆1されるもので、前記充電回路にそれぞれ対応
して設けられている。尚、上記発光ダイオード11.l
ld、必要に応じて抵抗勢の電流制限素子を介して駆動
される。
これらの発光ダイオード17.18は、順次ノ譬ルス的
に発光駆動されるものであり、この発光によって照明さ
れ九原稿−倫(図示せず)の反射光が1儂位置対応して
前記フォトダイオード11藤、11b〜I1m、12m
、12b〜I1mにそれぞれ導入されるようになりてい
る。
に発光駆動されるものであり、この発光によって照明さ
れ九原稿−倫(図示せず)の反射光が1儂位置対応して
前記フォトダイオード11藤、11b〜I1m、12m
、12b〜I1mにそれぞれ導入されるようになりてい
る。
これらの発光ダイオード17/、110発光動作に関与
して、後述するように前記充電制御用スイッチ13*、
Ilb 〜13n、14 m 、 14b〜14nがオ
ン・オフ駆動されるようになっている。そして、7オi
ダ1オード11亀、 l1k1〜lln、12m、12
b〜12nKは、上記反射光量に相当した電圧が蓄えら
れるようKなっている。
して、後述するように前記充電制御用スイッチ13*、
Ilb 〜13n、14 m 、 14b〜14nがオ
ン・オフ駆動されるようになっている。そして、7オi
ダ1オード11亀、 l1k1〜lln、12m、12
b〜12nKは、上記反射光量に相当した電圧が蓄えら
れるようKなっている。
一方、前記7オトダイオード11*、11b〜IJn、
12島+11b〜12nに七れぞれ対応し7て設けられ
たλIO3−FETからなる増幅素子23m、23b
〜23n、24m、14b 〜24れは、その制御端子
に上記各フォトダイオード11m、Ilb〜Iln、I
Ja、11b〜12nの充電電圧を受け、これをインピ
ーダンス肇換して電流増幅するようになっている。
12島+11b〜12nに七れぞれ対応し7て設けられ
たλIO3−FETからなる増幅素子23m、23b
〜23n、24m、14b 〜24れは、その制御端子
に上記各フォトダイオード11m、Ilb〜Iln、I
Ja、11b〜12nの充電電圧を受け、これをインピ
ーダンス肇換して電流増幅するようになっている。
即ち増幅素子2 J a 、 j J b 〜2
J n 、 24 a 。
J n 、 24 a 。
Job〜24nの一端は、第2のバイアス電源26に接
続され、他端はM2S−FETからなる読出し制御用ス
イッチ16m、16b〜Jimを各別に介したのち共通
に接続され、艷に負荷抵抗27を介して前記@2のバイ
アス電源15に接続されている。上記スイッチ1gm、
16b〜2 g !1 thilつの充電回路を構成す
るフォトダイオード11h、11b〜Iln、11*、
Ijlb〜12aに対応して各別に設けられたものであ
って、且つ異なる充電回路間において共用されたものと
なっている。卸ち、名スイ、チ21F1゜26b〜26
nは、各充電回路の成るフォトダイオードにそれぞれ対
応して共通に設けられており、前記各増幅素子2Rh*
:jab〜IJm。
続され、他端はM2S−FETからなる読出し制御用ス
イッチ16m、16b〜Jimを各別に介したのち共通
に接続され、艷に負荷抵抗27を介して前記@2のバイ
アス電源15に接続されている。上記スイッチ1gm、
16b〜2 g !1 thilつの充電回路を構成す
るフォトダイオード11h、11b〜Iln、11*、
Ijlb〜12aに対応して各別に設けられたものであ
って、且つ異なる充電回路間において共用されたものと
なっている。卸ち、名スイ、チ21F1゜26b〜26
nは、各充電回路の成るフォトダイオードにそれぞれ対
応して共通に設けられており、前記各増幅素子2Rh*
:jab〜IJm。
24m、24b〜I4mの出力に対して各充電回路毎に
新開マ) IJックス配−を形成し九ものとなっている
。そして、これらのスイッチ16亀。
新開マ) IJックス配−を形成し九ものとなっている
。そして、これらのスイッチ16亀。
26b〜26nは、前記反射光の読取りの1サイクル間
に、順次サイクリックに導通駆動されるようししなって
いる。
に、順次サイクリックに導通駆動されるようししなって
いる。
さて、このように構成され九装置において、各光電回路
の充電制御用スイッチJ J @ 、 13b〜I J
n、 14 m 、 14b 〜14mは、所定のデ
ユーブイ・サイクルを以って、w&3図(−)〜(C)
に土−れぞれ示すようにオフ制御される。充電回路を構
成するフォト・ダイオードI J a 、 Ilb〜1
1 n 、 1 jl a * I J b 〜1
j nは、このオフM間に入射光を受けて、その光量に
応じた充電動作を行うことに々る。しかして光源は、各
元値lI、Il路のスイ、f・オフ期間に第3図(d)
〜(f)に示す如く/量ルス的に駆動される。尚、これ
らの光源によるAシス光での1横ll1i儂の照明は、
対応する充電回路のフォトダイオードが受光(読取り)
対象とする領域を一様に照明するものであることは云う
までもない。従って、第2図ではそれぞれ1個の発光ダ
イオードIF。
の充電制御用スイッチJ J @ 、 13b〜I J
n、 14 m 、 14b 〜14mは、所定のデ
ユーブイ・サイクルを以って、w&3図(−)〜(C)
に土−れぞれ示すようにオフ制御される。充電回路を構
成するフォト・ダイオードI J a 、 Ilb〜1
1 n 、 1 jl a * I J b 〜1
j nは、このオフM間に入射光を受けて、その光量に
応じた充電動作を行うことに々る。しかして光源は、各
元値lI、Il路のスイ、f・オフ期間に第3図(d)
〜(f)に示す如く/量ルス的に駆動される。尚、これ
らの光源によるAシス光での1横ll1i儂の照明は、
対応する充電回路のフォトダイオードが受光(読取り)
対象とする領域を一様に照明するものであることは云う
までもない。従って、第2図ではそれぞれ1個の発光ダ
イオードIF。
18にて光源が示されているが、複数の発光ダイオード
がそれぞれ用いられる場合もある。
がそれぞれ用いられる場合もある。
しかして、充電回路の各フォトダイオード1111*1
1b〜l1m、12m+12b〜12rrに光量に応じ
て蓄えられ九電圧は、次O動f’l−タイミングによっ
て充電制御用スイッチI Ja 、13b〜I Jn、
J 4@ 、14b〜J4nがオン制御される迄保持さ
れる。しかして、スイッチI Ja 、 I Jb〜J
J+a、 14hhJ4b〜14mのオフ期間、上記
充電電圧は増幅素子23*、23b〜2Jn、j4a、
ff4b〜24nに導びかれ、高インピーダンス入力さ
れて電流増幅され、低インピーダンス出力として貌取り
用スイッチ26m、26b 〜21imK与えられる。
1b〜l1m、12m+12b〜12rrに光量に応じ
て蓄えられ九電圧は、次O動f’l−タイミングによっ
て充電制御用スイッチI Ja 、13b〜I Jn、
J 4@ 、14b〜J4nがオン制御される迄保持さ
れる。しかして、スイッチI Ja 、 I Jb〜J
J+a、 14hhJ4b〜14mのオフ期間、上記
充電電圧は増幅素子23*、23b〜2Jn、j4a、
ff4b〜24nに導びかれ、高インピーダンス入力さ
れて電流増幅され、低インピーダンス出力として貌取り
用スイッチ26m、26b 〜21imK与えられる。
このとき、スイッチJ 1 m 、 Jfb〜26nけ
第3図(jl)〜(1)K示すように所定のクロ、り周
期で導通されており、上記電流はスイ、チ26mm21
ib〜R4mを各別に介して負荷抵抗27に流れる。こ
れによって負荷抵抗21の両端には第3図(J)K示す
ように、フォトダイオード11*、J1b〜I1m、1
1ma12b〜11に1が受光した原稿画像の光量に応
じた電圧出力が順次・時系列に得られることKなる。つ
壕シ、充電回路の順次駆動と、スイ。
第3図(jl)〜(1)K示すように所定のクロ、り周
期で導通されており、上記電流はスイ、チ26mm21
ib〜R4mを各別に介して負荷抵抗27に流れる。こ
れによって負荷抵抗21の両端には第3図(J)K示す
ように、フォトダイオード11*、J1b〜I1m、1
1ma12b〜11に1が受光した原稿画像の光量に応
じた電圧出力が順次・時系列に得られることKなる。つ
壕シ、充電回路の順次駆動と、スイ。
テJjm、J#b〜Jimの繰返し導通動作により、a
取り−i信号が時系列に得られることになる。尚、スイ
ッチj 6 k a J g b 〜J # vhの1
サイクル動作期間が、充電回路の選択動作期間に相当す
ることは云う首でもない、iた発光ダイオード11.1
8は、通常の連続発光において微弱な光量しか得られな
いが、パルス発光させる場合、十のデユーティサイクル
が10−1程度まで、エネルギーと時間との積を上記連
続発光の場合と同程度にすゐことができ、その尖蹟発光
量を相尚高くすることかで龜る。Illって、第3図(
d)〜(f)に示すように一臂ルス発光によシ原稿幽儂
を照明しても事実上、間艶を招くことはない。故に、光
源のパルス発光によりフォト“ダイオード11h、11
b〜11nK画儂に対応した電圧を蓄え、これを読出す
ことが可能となる。
取り−i信号が時系列に得られることになる。尚、スイ
ッチj 6 k a J g b 〜J # vhの1
サイクル動作期間が、充電回路の選択動作期間に相当す
ることは云う首でもない、iた発光ダイオード11.1
8は、通常の連続発光において微弱な光量しか得られな
いが、パルス発光させる場合、十のデユーティサイクル
が10−1程度まで、エネルギーと時間との積を上記連
続発光の場合と同程度にすゐことができ、その尖蹟発光
量を相尚高くすることかで龜る。Illって、第3図(
d)〜(f)に示すように一臂ルス発光によシ原稿幽儂
を照明しても事実上、間艶を招くことはない。故に、光
源のパルス発光によりフォト“ダイオード11h、11
b〜11nK画儂に対応した電圧を蓄え、これを読出す
ことが可能となる。
尚、第2図に示す構成の装置にあっては、原稿画像に相
当した出力信号を得ることができるに過ぎないが、実用
的には例えば第4図に示すように充電回路と信号読出し
回路部との基準電位を蝉しくすることKより、上記出力
信号を原稿画像の明るさに比例し友ものとすることがで
きる。
当した出力信号を得ることができるに過ぎないが、実用
的には例えば第4図に示すように充電回路と信号読出し
回路部との基準電位を蝉しくすることKより、上記出力
信号を原稿画像の明るさに比例し友ものとすることがで
きる。
かくして本装置によれば、フォトダイオードJJa、7
Jb〜JJn、Jja*Jjb〜12nKN、稿オーの
明るさに応じた電圧を蓄え、これを増幅素子JI J
a * J J b 〜j J n 、 34m +1
4b〜24nを介してインピーダンス変換し、巨つ電量
増幅して増出すことができる。しかも、この信号読出し
を行う増幅素子2Rh、11b〜23 n 、 14
a + 74 b 〜74 m 、スイッチ26 m
+ 26 b 〜211 mからなる回路は、フォトダ
イオード11 a m 1 l b 〜I J 鳳、1
2a。
Jb〜JJn、Jja*Jjb〜12nKN、稿オーの
明るさに応じた電圧を蓄え、これを増幅素子JI J
a * J J b 〜j J n 、 34m +1
4b〜24nを介してインピーダンス変換し、巨つ電量
増幅して増出すことができる。しかも、この信号読出し
を行う増幅素子2Rh、11b〜23 n 、 14
a + 74 b 〜74 m 、スイッチ26 m
+ 26 b 〜211 mからなる回路は、フォトダ
イオード11 a m 1 l b 〜I J 鳳、1
2a。
12b〜Jjnに対して高インピーダンスであり、且つ
それ自体低インピーダンスなので、スイッチ信号の悪影
響を受ける虞れが非常圧少ない。−には、ノ母ルス光に
よって画像に相当した電圧を蓄えたのち、これを読出す
ので充電制御用スイッチ13 a + I J b 〜
I J l、14mm14 b = 14 mのスイッ
チ動作の悪影響を受けることがない。故にトリガ雑音の
混入することのない鮮明な画像信号を得′ることか可能
となる。
それ自体低インピーダンスなので、スイッチ信号の悪影
響を受ける虞れが非常圧少ない。−には、ノ母ルス光に
よって画像に相当した電圧を蓄えたのち、これを読出す
ので充電制御用スイッチ13 a + I J b 〜
I J l、14mm14 b = 14 mのスイッ
チ動作の悪影響を受けることがない。故にトリガ雑音の
混入することのない鮮明な画像信号を得′ることか可能
となる。
即ち、従来装置11CI図)にあっては、スイッf 2
m 、 2 b〜2nのオフ動作によってフォトダイ
オード1h*1b〜1社が充電動作を開始し、これによ
って生じる電位変化がそのtt出力として生じるから、
第5図にその信号波形を示すように1 スイッチI h
a J b〜2nのオフ・トリガによる雑音人が、信
号の菅頭に必ず重畳する。これに対して本装置によれば
、スイッチ11m+13b〜13nのオフ動作ののち、
フォトダイオード11 a t Z 1 b〜111L
K、/4ルス的に光(原稿画像光)が導入されるので、
フォトダイオード11 a 、 I l b 〜11
rrの電圧は第6図に示すように変化する。っ壕りトリ
ガ雑音Aが信号Bと分離したものとなる。しかるのち、
この信号Bに対して、図中t 区間で示サレルヨウに信
号読出しがなされるので、光/母ルスの立上り立下り部
分に生じる雑fCすらも効果的に除去することができ、
しかもとの処塩を低インピーダンス回路で行うので、雑
音の発生を招く虞れがない、故に絖出し一像償号の品質
を十分に高めることができる。tた本装置ではmeをノ
タルス的に読取るので、フォトダイオード11h、11
b〜lln等における暗電鬼の影響を犬−に減少するこ
とができる。故に、信号のS/Nを十分嵩くすることが
でき、微弱な信号に対する〆イナミ、クレンジの拡大を
図ゐことも可能となる。更には、lII洩光ヤ迷光に対
しても十分なる除去作用を呈し、耐雑音が高いと云う効
果をも奏する。従9て本装置による実用的利点は極めて
高い。
m 、 2 b〜2nのオフ動作によってフォトダイ
オード1h*1b〜1社が充電動作を開始し、これによ
って生じる電位変化がそのtt出力として生じるから、
第5図にその信号波形を示すように1 スイッチI h
a J b〜2nのオフ・トリガによる雑音人が、信
号の菅頭に必ず重畳する。これに対して本装置によれば
、スイッチ11m+13b〜13nのオフ動作ののち、
フォトダイオード11 a t Z 1 b〜111L
K、/4ルス的に光(原稿画像光)が導入されるので、
フォトダイオード11 a 、 I l b 〜11
rrの電圧は第6図に示すように変化する。っ壕りトリ
ガ雑音Aが信号Bと分離したものとなる。しかるのち、
この信号Bに対して、図中t 区間で示サレルヨウに信
号読出しがなされるので、光/母ルスの立上り立下り部
分に生じる雑fCすらも効果的に除去することができ、
しかもとの処塩を低インピーダンス回路で行うので、雑
音の発生を招く虞れがない、故に絖出し一像償号の品質
を十分に高めることができる。tた本装置ではmeをノ
タルス的に読取るので、フォトダイオード11h、11
b〜lln等における暗電鬼の影響を犬−に減少するこ
とができる。故に、信号のS/Nを十分嵩くすることが
でき、微弱な信号に対する〆イナミ、クレンジの拡大を
図ゐことも可能となる。更には、lII洩光ヤ迷光に対
しても十分なる除去作用を呈し、耐雑音が高いと云う効
果をも奏する。従9て本装置による実用的利点は極めて
高い。
尚、本発明は上述した実施例に限定されるものではな紗
。例えば1つの充電回路を構成するフォトダイオードの
数や、充電回路の数は装置仕様に応じて定めればよいも
のである。tた、充電制御用スイッチ素子をまと仲るこ
とも出来石ので、必ずしも充電(ロ)路数に対応させて
設ける必要もない。壕だこれらの仕様に応じてスイッチ
駆動のデユーティサイクル中、動作タイ建ングを定めれ
ばよい。壕九光源を原稿iIi曹食域を照明するような
ものとして構成することも可能であ如、費は、充電回路
のフォ)/イオードがmop対象とする1儂領域を・母
ルス的に1樟照明できるようなものであればよい。以上
要するに1本発明はその要旨を逸脱しない範囲で種糧変
形して実施することがで睡る。
。例えば1つの充電回路を構成するフォトダイオードの
数や、充電回路の数は装置仕様に応じて定めればよいも
のである。tた、充電制御用スイッチ素子をまと仲るこ
とも出来石ので、必ずしも充電(ロ)路数に対応させて
設ける必要もない。壕だこれらの仕様に応じてスイッチ
駆動のデユーティサイクル中、動作タイ建ングを定めれ
ばよい。壕九光源を原稿iIi曹食域を照明するような
ものとして構成することも可能であ如、費は、充電回路
のフォ)/イオードがmop対象とする1儂領域を・母
ルス的に1樟照明できるようなものであればよい。以上
要するに1本発明はその要旨を逸脱しない範囲で種糧変
形して実施することがで睡る。
第1図は従来装置の一例を示す構成図、第2図は本発明
の一実施例装置の概略構成図、第3図(a)〜(」)は
実施例装置の作用をiG2例する為の動作波形図、第4
図は本発明の別の実施例装置の概略構成図、第5図およ
び第6図はそれぞれ“フォトダイオードの充電電圧とそ
の読出しを示す波形図である。 11*、11b〜11n、12m、11b〜12 n−
=フォトダイオード、IJm、11b〜13 n 、1
4 m + 14 b 〜14 rr ”・充電制御用
スイッチ素子、15・・・抵抗、16・・・第1のバイ
アス電源、J7.l&・・・発光ダイオード、19゜2
0・・・電源、21.22・・・スイッチ、211゜2
3 b 〜J J n 、 34 m 、 24 b
〜J 4 n ・・・増幅素子、26・・・第2のバイ
アス電源、26a。 26b〜26n・・・絖出し用スイッチ素子、27・・
・負荷抵抗。 出1人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第1図 第2図 第3図 昭和 年 月 日 特許庁長官 島 1)春 樹 殿 1 事件の表ノIく 特願昭57−68294号 、ノ 発明の名称 IIl像読取り装置 :3.補市をすると t件よ。関付 特許出願人 (307)東京芝浦電気株式会社 11、代理人 (i、浦+Hの対象
の一実施例装置の概略構成図、第3図(a)〜(」)は
実施例装置の作用をiG2例する為の動作波形図、第4
図は本発明の別の実施例装置の概略構成図、第5図およ
び第6図はそれぞれ“フォトダイオードの充電電圧とそ
の読出しを示す波形図である。 11*、11b〜11n、12m、11b〜12 n−
=フォトダイオード、IJm、11b〜13 n 、1
4 m + 14 b 〜14 rr ”・充電制御用
スイッチ素子、15・・・抵抗、16・・・第1のバイ
アス電源、J7.l&・・・発光ダイオード、19゜2
0・・・電源、21.22・・・スイッチ、211゜2
3 b 〜J J n 、 34 m 、 24 b
〜J 4 n ・・・増幅素子、26・・・第2のバイ
アス電源、26a。 26b〜26n・・・絖出し用スイッチ素子、27・・
・負荷抵抗。 出1人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第1図 第2図 第3図 昭和 年 月 日 特許庁長官 島 1)春 樹 殿 1 事件の表ノIく 特願昭57−68294号 、ノ 発明の名称 IIl像読取り装置 :3.補市をすると t件よ。関付 特許出願人 (307)東京芝浦電気株式会社 11、代理人 (i、浦+Hの対象
Claims (2)
- (1)複数のフォトダイオードを充電制御用スイッチ素
子を各別に介して並列接続した複数のユニ、ト化され九
光電回路と、これらの充電回路をそれぞれ駆動する第1
のバイアス電源と、前記充電回路にそれぞれ対応して設
けられて順次・々ルス的にth**積を照明してその反
射光を鮭記各フォトダイオードに導入する複数の光源と
、前記フォトダイオードに蓄えられた充電電圧により各
別に動作制御される複数の増幅素子と、これらの増幅素
子を読出し制御用スイッチ素子を各別に介して並列接続
した読出し回路と、との胱出し回路を負荷を介して駆動
するJllI2のバイアス電−とを具備し九ことを特徴
とすゐ画像読取り装置。 - (2)充電回路を構成する複数のフォトダイオードは、
プレイ構造を有すゐ4のである特許請求の範囲Ml壌記
載の一儂絖取シ装置・(3) 複数の増幅素子は、それ
ぞれ電界効果蓋トランジスタからなり、フォトダイオー
ドの充電電圧をインビーメンス変換して電流出力するも
のである%lFf趙求の範囲第1項記載の画像読取り装
置・ <4) !出し制御用スイッチ素子は、1つの充電回
路を構成する複数のフォトダイオードにそれぞれ対応し
て設けられたものであって、且つ異なる充電回路間のフ
ォトダイオードに対して共通に設けられたものである特
許請求の範囲第1JJ記載の画像読取り装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57068294A JPS58186255A (ja) | 1982-04-23 | 1982-04-23 | 画像読取り装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57068294A JPS58186255A (ja) | 1982-04-23 | 1982-04-23 | 画像読取り装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58186255A true JPS58186255A (ja) | 1983-10-31 |
Family
ID=13369611
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57068294A Pending JPS58186255A (ja) | 1982-04-23 | 1982-04-23 | 画像読取り装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58186255A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59140766A (ja) * | 1983-02-01 | 1984-08-13 | Fuji Xerox Co Ltd | 原稿読取装置 |
JPS59140767A (ja) * | 1983-02-01 | 1984-08-13 | Fuji Xerox Co Ltd | 原稿読取装置 |
JPS60111563A (ja) * | 1983-11-19 | 1985-06-18 | Kyocera Corp | 読取り装置 |
-
1982
- 1982-04-23 JP JP57068294A patent/JPS58186255A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59140766A (ja) * | 1983-02-01 | 1984-08-13 | Fuji Xerox Co Ltd | 原稿読取装置 |
JPS59140767A (ja) * | 1983-02-01 | 1984-08-13 | Fuji Xerox Co Ltd | 原稿読取装置 |
JPH0328870B2 (ja) * | 1983-02-01 | 1991-04-22 | Fuji Xerox Co Ltd | |
JPS60111563A (ja) * | 1983-11-19 | 1985-06-18 | Kyocera Corp | 読取り装置 |
JPH065861B2 (ja) * | 1983-11-19 | 1994-01-19 | 京セラ株式会社 | 読取り装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4815509B2 (ja) | アクティブピクセルセンサ回路およびその操作方法 | |
US4672453A (en) | Contact type image sensor and driving method therefor | |
JP3581031B2 (ja) | 光検出装置 | |
US4948966A (en) | Method for the reading of photosensitive cells of the type comprising two series-mounted diodes with different directions of conduction | |
CN103281056B (zh) | 感测电路及其运行方法和光电转换阵列 | |
CN105044955A (zh) | 光电传感器及其驱动方法、阵列基板和显示装置 | |
TW200400628A (en) | Solid state imager and camera system | |
CN107195274A (zh) | 像素补偿电路、扫描驱动电路及显示装置 | |
JP2000261727A (ja) | 固体撮像装置 | |
CN110519534B (zh) | 电流驱动的像素电路以及相关的图像传感器 | |
JPS58186255A (ja) | 画像読取り装置 | |
JP4252247B2 (ja) | 感度を上げることができるcmosイメージセンサ | |
TW202118025A (zh) | 光偵測裝置 | |
JPH0449152B2 (ja) | ||
US12025492B2 (en) | Display panel | |
US4845567A (en) | Image sensor | |
CN112822421B (zh) | 像素传感器及其控制方法、探测器 | |
JPS59269A (ja) | 画像読取り用センサ− | |
Rajath et al. | Analog Front-End Modelling of Miniature CMOS Image Sensors | |
JPS59229966A (ja) | 光学読取装置 | |
JP2907268B2 (ja) | 信号処理装置と固体撮像装置とこの装置の撮像方法 | |
CN101532874A (zh) | 一种用于显示装置的光传感器 | |
EA046171B1 (ru) | Дисплейная панель | |
JPH03106168A (ja) | 光学的読取装置 | |
JPS592031B2 (ja) | 表示制御装置 |