JPS58185293A - 光記憶用薄膜 - Google Patents
光記憶用薄膜Info
- Publication number
- JPS58185293A JPS58185293A JP57068801A JP6880182A JPS58185293A JP S58185293 A JPS58185293 A JP S58185293A JP 57068801 A JP57068801 A JP 57068801A JP 6880182 A JP6880182 A JP 6880182A JP S58185293 A JPS58185293 A JP S58185293A
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- JP
- Japan
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- light
- thin film
- carbon
- hydrogen
- irradiated
- Prior art date
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- Granted
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24318—Non-metallic elements
- G11B2007/24328—Carbon
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/0045—Recording
- G11B7/00451—Recording involving ablation of the recording layer
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/0045—Recording
- G11B7/00455—Recording involving reflectivity, absorption or colour changes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光情報の簀込みおよび読出しをなすために用い
られる光記憶用薄膜に関する。
られる光記憶用薄膜に関する。
従来、この釉の光記憶用薄膜としては、透光性または不
透光性を有する基板上に光−磁気効果を有するＭｎ−Ｂ
１薄膜が何されているものや、上記基板上に光吸収によ
って屈折率髪化を呈する感光性物質の薄膜が付されてい
るものなとが提案されている。
透光性を有する基板上に光−磁気効果を有するＭｎ−Ｂ
１薄膜が何されているものや、上記基板上に光吸収によ
って屈折率髪化を呈する感光性物質の薄膜が付されてい
るものなとが提案されている。
しかるに、前者の場合、薄膜が化学的に不安定であるた
めに、光情報の瞥込みおよび耽出しの信頼性に欠けると
共に、感度が低いという欠点を有している。また、後者
の場合、光吸収の波長依存性が太きいために、特許の波
長の光に対する感度が低いと共に、化学的に不安定であ
るという欠点を有している。
めに、光情報の瞥込みおよび耽出しの信頼性に欠けると
共に、感度が低いという欠点を有している。また、後者
の場合、光吸収の波長依存性が太きいために、特許の波
長の光に対する感度が低いと共に、化学的に不安定であ
るという欠点を有している。
本発明は透光性または不透光性を有する基板上に光を吸
収して消失または熱分解を起こし光の反射率が変化する
性質を有する水素含有炭素薄膜を形成することによυ、
上述した従・米の欠点を除去し得る艮好な光記憶用薄膜
全提供することを目的とする。
収して消失または熱分解を起こし光の反射率が変化する
性質を有する水素含有炭素薄膜を形成することによυ、
上述した従・米の欠点を除去し得る艮好な光記憶用薄膜
全提供することを目的とする。
前記の目的全達成するた＆：）、本発明は光を吸収して
消失又は、熱分ＦＪ［ニーＥこし光の反射率が変化する
性質を有する水素含有炭素薄膜を、透光性又は不透光性
を有する基板上に形成すること金特徴とする光記憶用薄
膜を発明のを旨とするものである。
消失又は、熱分ＦＪ［ニーＥこし光の反射率が変化する
性質を有する水素含有炭素薄膜を、透光性又は不透光性
を有する基板上に形成すること金特徴とする光記憶用薄
膜を発明のを旨とするものである。
次に本発明の実施？ｌｌを際附図面についで欺明する。
なお実施例は一つの例示であって、本発明の精神を逸脱
しない範囲内で、柚々の変更あるいは改良を行いうるこ
とは太うまでもない。
しない範囲内で、柚々の変更あるいは改良を行いうるこ
とは太うまでもない。
第１図は本発明の実施例を示す。図において、１は透光
性または不透光性の基板であシ、２は基板１上に膜厚約
１ｐｍで形成された光ｍｅ憶用水素含有炭素薄膜であシ
、３は薄膜２上にレンズ糸４を介して照射されるレーザ
収束光でろる０以上の構成において水素含有炭素薄膜２
上の光照射を受けた領域では光の吸収により発熱し、２
５０℃を超えると熱分解により膜中の水素が逃出し、炭
素のみが残り黒化する。１だ、さらに元の強度を増加さ
せ７００℃を超えると、光照射都の炭素は炭酸ガスとな
って消失する。これで光情報の書込みが完了し光記憶が
行なわれる。
性または不透光性の基板であシ、２は基板１上に膜厚約
１ｐｍで形成された光ｍｅ憶用水素含有炭素薄膜であシ
、３は薄膜２上にレンズ糸４を介して照射されるレーザ
収束光でろる０以上の構成において水素含有炭素薄膜２
上の光照射を受けた領域では光の吸収により発熱し、２
５０℃を超えると熱分解により膜中の水素が逃出し、炭
素のみが残り黒化する。１だ、さらに元の強度を増加さ
せ７００℃を超えると、光照射都の炭素は炭酸ガスとな
って消失する。これで光情報の書込みが完了し光記憶が
行なわれる。
次に、この光情報を耽出す場合には、水素含有薄膜２に
おける黒化部分あるいは消失部分と光の未照射部との光
の反射率が異なること全利用して外部から収束光を照射
し、反射光の強さを測定すれはよい。また、透光性基板
上Ｖこ形成した水素含有薄膜の消失による記憶を行なっ
た場合には、透過光にょる絖出しも可能である。
おける黒化部分あるいは消失部分と光の未照射部との光
の反射率が異なること全利用して外部から収束光を照射
し、反射光の強さを測定すれはよい。また、透光性基板
上Ｖこ形成した水素含有薄膜の消失による記憶を行なっ
た場合には、透過光にょる絖出しも可能である。
なお、不発明においては水素含有炭素薄膜中の水素含有
薄膜１０〜４ｏ％ａｔ％にすることが好ましい。その理
由は、４０％を超えた場合には光の吸収係数が減少し、
１０％未満では光照射都の炭素膜との反射率の差が低下
するためである０１０〜４０％ａｔ％の水素含有量を有
する水素含有炭素薄膜はＣＨ４，ＣｔＨａ等の炭化水累
〃スを用いてプラズマＣＶＤ法で形成する。
薄膜１０〜４ｏ％ａｔ％にすることが好ましい。その理
由は、４０％を超えた場合には光の吸収係数が減少し、
１０％未満では光照射都の炭素膜との反射率の差が低下
するためである０１０〜４０％ａｔ％の水素含有量を有
する水素含有炭素薄膜はＣＨ４，ＣｔＨａ等の炭化水累
〃スを用いてプラズマＣＶＤ法で形成する。
次に不発明の実施例について説明する。
実施例（１）
ガラス基板上にＣＨ，’ｉｉ原料として膜厚約１μｍの
水素含有炭素薄膜を形成させた。この膜の水素含有量は
約４０％であシ、アルゴンレーザ光長すなわち５１４５
＾における吸収係数は約１０’／ ｃｒｎであった。か
くして得た本発明光記憶用薄膜に１００ｍＷのアルゴン
レーザ光を１μｍφニジばって０．１μｓ照射すること
にょｐ、照射領域の反射率が顕著に変化することが確認
された。
水素含有炭素薄膜を形成させた。この膜の水素含有量は
約４０％であシ、アルゴンレーザ光長すなわち５１４５
＾における吸収係数は約１０’／ ｃｒｎであった。か
くして得た本発明光記憶用薄膜に１００ｍＷのアルゴン
レーザ光を１μｍφニジばって０．１μｓ照射すること
にょｐ、照射領域の反射率が顕著に変化することが確認
された。
実施例（２）
ガラス基板上にＣ＊ Ｈｚｋ原料として膜厚約１μｍの
水素含有炭素薄ｌｌ！ｉ！全形成させた。この膜の水素
含有量は約１０％であ凱波長５１４５＾における吸収係
数は約１０’／ ｃｍであった。かくして得た本発明光
記憶用薄膜に１０ｍＷのアルゴンレーザ光を１μｍφに
しほって０．１μＳ照射することにより、照射領域の反
射率が顕著に変化することが確認された。
水素含有炭素薄ｌｌ！ｉ！全形成させた。この膜の水素
含有量は約１０％であ凱波長５１４５＾における吸収係
数は約１０’／ ｃｍであった。かくして得た本発明光
記憶用薄膜に１０ｍＷのアルゴンレーザ光を１μｍφに
しほって０．１μＳ照射することにより、照射領域の反
射率が顕著に変化することが確認された。
実施例（３）
実施例（２）と同様の形成条件により、膜厚約５００Ｏ
Ａの水素含有炭素薄膜を形成させた。かくして得た不発
明光記憶用薄膜に１０ｍＷのアルゴンレーザ元金１μｍ
φにしはって０．８μＳ照射することによシ、照射部分
が消失することが確認された。
Ａの水素含有炭素薄膜を形成させた。かくして得た不発
明光記憶用薄膜に１０ｍＷのアルゴンレーザ元金１μｍ
φにしはって０．８μＳ照射することによシ、照射部分
が消失することが確認された。
上記の実施例においてガラス基板を用いた場合について
説明したが、不透光性基板ヶ用いうることは云うまでも
ない。
説明したが、不透光性基板ヶ用いうることは云うまでも
ない。
以上説明したように本発明によれば、薄膜の熱分解ある
いは昇華を利用するものであるから、化学的に安定で信
頼性に富み、しかも高感度な光記憶用薄膜を提供するこ
とが可能となる。
いは昇華を利用するものであるから、化学的に安定で信
頼性に富み、しかも高感度な光記憶用薄膜を提供するこ
とが可能となる。
第１図は不発明にかかる光記憶用薄膜の一実施例を示す
。 １・・・・・・透光性または不透光性の基板、２・・・
・・・光記憶用薄膜、３・・・・・・レーザ光、４・・
・・・・レンズ系 特許出願人 日本電信電話公社
。 １・・・・・・透光性または不透光性の基板、２・・・
・・・光記憶用薄膜、３・・・・・・レーザ光、４・・
・・・・レンズ系 特許出願人 日本電信電話公社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （リ 光を吸収して消失又は、熱分解を起こし光の反射
率が変化する性質を有する水素含有炭素薄膜を、透光性
又は不透光性を有する基板上に形成することを特徴とす
る光記憶用薄膜。 （２）水素含有炭素薄膜において水素含有量が１０〜４
０ａｔ％の範囲にあることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の光記憶用薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57068801A JPS58185293A (ja) | 1982-04-26 | 1982-04-26 | 光記憶用薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57068801A JPS58185293A (ja) | 1982-04-26 | 1982-04-26 | 光記憶用薄膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58185293A true JPS58185293A (ja) | 1983-10-28 |
| JPS6337720B2 JPS6337720B2 (ja) | 1988-07-26 |
Family
ID=13384182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57068801A Granted JPS58185293A (ja) | 1982-04-26 | 1982-04-26 | 光記憶用薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58185293A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0229650A2 (de) * | 1986-01-15 | 1987-07-22 | BASF Aktiengesellschaft | Optisches Aufzeichnungsmedium, ein Verfahren zu seiner Herstellung sowie seine Verwendung als Read Only Memory-Informationsträger |
-
1982
- 1982-04-26 JP JP57068801A patent/JPS58185293A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0229650A2 (de) * | 1986-01-15 | 1987-07-22 | BASF Aktiengesellschaft | Optisches Aufzeichnungsmedium, ein Verfahren zu seiner Herstellung sowie seine Verwendung als Read Only Memory-Informationsträger |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6337720B2 (ja) | 1988-07-26 |
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