JPS58182253A - 不揮発性半導体記憶装置実装方法 - Google Patents

不揮発性半導体記憶装置実装方法

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Publication number
JPS58182253A
JPS58182253A JP57066805A JP6680582A JPS58182253A JP S58182253 A JPS58182253 A JP S58182253A JP 57066805 A JP57066805 A JP 57066805A JP 6680582 A JP6680582 A JP 6680582A JP S58182253 A JPS58182253 A JP S58182253A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
memory device
semiconductor memory
window
sealing material
shielding material
Prior art date
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Pending
Application number
JP57066805A
Other languages
English (en)
Inventor
Makoto Suzuki
誠 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPS58182253A publication Critical patent/JPS58182253A/ja
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発ＥＪ８ｒｚ不揮発性半導体記憶装置の実装方法の
改良に関するものである。
従来この棟の不揮発性半導体記憶−置の実装方法として
第１図〜第３図に示すものがめった。図において、ＩＩ
ＩＨ半導体素子を密封する封止材、（２１に半導体素子
と電気的に接合しこの封止材ｆｉ＋より外部に延びる導
電材、（３）は半導体素子を封止しかつ半導体表向へ紫
外Ｎｊｔ−照射するための窓、＋４１Ｈこの窓（３）に
密着し紫外Ｓｔ−遮へいする趣へい材である。
このような不揮発性半導体記憶装＊を実装するには、デ
ータの書き込み後、記憶内容を誤消去しない為に窓（３
）に遮へい材（４）を貼る０遮へい材には例えばアルミ
などの紫外線ヲ通さない材料を用いる。次に窓（３）を
上面にして基板に取り付は実装を終える。
従来の不揮発性半導体記憶装置の＊装に以上のように行
われていたので、記憶内容の誤消去を防ぐ為に、遮へい
材（４＋を窓（３）の表面に貼る必要がめり手間がかか
つていた０また一度迩へい材全貼ったものの記憶内容を
消去する為には、迩へい材を剥ぐ必要があるなどの欠点
があった０ この発８Ａｒｚかかる欠点を解消しようとするもので、
窓（３）が下面になるように基板に実装することにより
、基板に遮へい材（４）の機能を持たせようとするもの
である。
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第４図〜纂６図において第１図〜第３図と同一またに相
当部分に、同じ符号で示されている。この不揮発性半導
体記憶装置に第１図の導電材（２）の曲げ方向を、窓（
３）と同一方向に変更したものである０・このような不
揮発性半導体記憶装置の実装においてに、データＩｔ！
込み後基板の表面が窓（３）と接触するように基板に取
り付ける。基板の表１１［Ｉば窓（３）を僚って紫外＊
全蓮へいするので、特別に遮へい材？窓（３）に貼る必
要にない。
またデータ書き込み中または書き込み後の一時保存の場
合においても、常に窓が下面になるように載置できるの
で誤消去することがない。
なお上記実施例でに、デュアルインライン形不揮発性半
導体記憶装置について示したが、フラットパッケージな
ど地形状の不揮発性半導体記憶装置についても適用でき
ることにいうまでもない。
以上のように、この発明によれば窓の遮へい材を省くこ
とができたので、遮へい材の材料費の削減、遮へい材を
貼る為の工数の削減などの効果がある。
【図面の簡単な説明】
纂１図に従来の不揮発性半導体記憶装置の千曲図、第２
図に同側面図、第３図に同正面図、第４図はこの発明の
一実施例による不揮発性半導体記憶装置の平面図、第５
図に同側面図、第６図に同正面図である。 図中、１１１に封止材、（２）に導電材、（３）に窓、
（４）に遮へい材でるる。 なお、図中、同一符号に同一、又に相当部分を示す。 代理人　為野信− 第１図　　　　第２図 第３図 第４図　　　　　第５図 第６図 ！

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 記憶内容を消去するための消去窓を備えた不揮発性半導
    体記憶装置を基板に実装する工程において、上記消去窓
    を上記基板によって棲うことを特徴とした不揮発性半導
    体記憶装置実装方法０
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997026727A3 (de) * 1996-01-16 1997-09-18 Siemens Ag Mikrochip mit einem diesen ganz oder teilweise umgebenden lichtundurchlässigen ummantelungsabschnitt

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5520225B2 (ja) * 1974-07-15 1980-05-31
JPS5619036B2 (ja) * 1973-11-07 1981-05-02
JPS5758061A (en) * 1980-09-26 1982-04-07 Hitachi Ltd Effective utilization of cold of blow liquified oxygen

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