JPS58181880A - スズ錯体の電解方法 - Google Patents

スズ錯体の電解方法

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JPS58181880A
JPS58181880A JP58000753A JP75383A JPS58181880A JP S58181880 A JPS58181880 A JP S58181880A JP 58000753 A JP58000753 A JP 58000753A JP 75383 A JP75383 A JP 75383A JP S58181880 A JPS58181880 A JP S58181880A
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anode
aqueous
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bromide
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Manchem Ltd
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25BELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
    • C25B1/00Electrolytic production of inorganic compounds or non-metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25BELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
    • C25B3/00Electrolytic production of organic compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25CPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC PRODUCTION, RECOVERY OR REFINING OF METALS; APPARATUS THEREFOR
    • C25C1/00Electrolytic production, recovery or refining of metals by electrolysis of solutions
    • C25C1/14Electrolytic production, recovery or refining of metals by electrolysis of solutions of tin

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は、スズ含有電解lJRを電解してデンドライト
状(樹枝状)スズを形成し且つ成る樵の有機スズ化合物
を生成する方法に係る。 オニウム化合物を触媒として存在させスズ元素を有機ハ
ロゲン化物と反応させるノ・ロゲン化有機スズの製法は
、多数の先行特軒に開示されている。 先行時許の例として、英国籍Il+第1,115,64
6号、第1.051,996号及び第1.222.64
2号がある。ハロゲン化二有機スズを主として含有する
有機スズ生成物が得られるこれらの方法に於いては、オ
ニウム化合物が触媒量でのみ使用される。 この場合、オニウム化合物例えば臭化テトラブチルアン
モニウムはスズと共にハロ亜スズ酸塩例えばテトラプチ
ルアンキニウムハロ亜スズ*m’を形放しこの塩が実際
の触媒として作用し得る。これらの先行特軒によれば、
オニウム塩から形成された前記の如自錯体は、有機スズ
生成物の分m優に回収され再刊用され得る。 スズ元素を有機ハロゲン化物及び比較的多量(試薬量)
のオニウム化合物とlj[接反応させると、主としてハ
ロゲン化三有機スズから成る有機スズ生成物が形成され
る。このことは本出願と同日付の出願人によるA−%杵
出願第8200353号1有礒スズハロゲン化物の製造
方法′″に開示されており、該出願の開示は本明細書中
に包含されるものとする。ハロゲン化三育機スズを得る
次めにオニウム化合物以外の試薬、例えばアルカリ金属
イオン又はアルカリ土類金属イオンとジグリム(dig
lyme )の如き多酸素化合物との錯体を使用するこ
とも可能である。オニウム化合物又はジグリム錯体又は
スズと共に求核試薬を形成し得る(即ち求核試薬発生試
薬として作用する)任意の別の活性ハライドイオン源の
いずれであるかに関わり無く試薬は一般に式 %式% 〔式中、Catは正荷電物質及びX〜は塩素、臭素。 ヨウ素力1も選択されたハロゲンアニオンt66)で示
されることを特徴とし得る。 試薬量のCat X  を使用するハロゲン比圧有機ス
ズの化学量論を、Cat”X−として臭化テトラブチル
アンモニウムを使用し有機ハロゲン化物として臭化ブチ
ルを使用した場合について考察すると、式 %式% 〔B繍葛ブチル〕 が成立する。 オニウム化合物又は代替試薬を試薬量で使用すると、C
atX  と結合又は錯化してかなりの量のスズ含有錯
体が形成される。しかし乍ら、この一体が前出の反応式
に示し曳ハロ亜スズ酸塩であるか否かVi確緒されてい
ない。いかなる一体であるくせよ、この一体は多量に形
成される。 前記の如き錯体が含有するスズ(及び場合によっては別
の金属)と試薬と1−再使用するためには、該錯体を処
理してスズ及び試薬を本来の形状で回収するのが好オし
い。 弐〇at X  で示されるオニウム化合物又は別の化
合物の存在下でのスズと有機−・ロゲン化物との直接反
応の鯛生物として形成される錯体自体は水不溶性である
。更に錯体は炭化水素にも不溶である。この性質を利用
し、溶媒抽出を用いて炭化成木Vζ町溶なハロゲン化有
機スズから錯体を分噛することがoT能である。 インジウム、ベリリウム、岨鉛及びスズを含む同様の性
質の錯体の単相電解はドイツ特詐第1.236,208
号に記載されている。#特許は、低純度金属全陽極とし
高純度金属を陰極に生成せしめる方法を開示している。 しかし乍ら電解質の抵抗率が余りにも高く(約50 o
hm−+−*) 、従って低い電流密度(例えば6mA
/cd)で′[[解全操作する必要があり、経済性力1
良くない。 2相電解糸は英国特許第1.092,254号に記載さ
れている。この系に於いては、電気伝導度が低く(典型
的には10  乃至10  vbnv’cm )実質的
に不溶性の物質と接触した水性電解質の電解が行なわれ
る。1つの電極は水1?!液のみと接触しており別の電
極は双)の相に一部浸漬している。電解の作用を受ける
後者の電極上非水性相が十分に湿潤すると主張されてい
るが、実施例によれば、この特許に於いて本達成され得
る電fi密餐が余りにも低い(27−7s+%A/cI
I)。 本発明により提供されるスズ含有電解質の電解方法の%
黴は、水性陽極液中のみに配置された陽極と水性電解質
に不混和性の・・ロゲン化スズ錯体から成る陰極液中の
みに配置され之瘍極との間に電流1t11!!遇せしめ
、水性l!#極液又は任意の中間水性電解質と水性電解
質不混和性陰極液との間に液液界面が存在しており、陰
極が#極液又は中間水性電解質と接触しないことである
。電流は相関を電解的に移動する、 この方法は、有機ハロゲン化物及び試薬量のCat X
  化合物とスズとt−直接反応させ前配有磯ハロゲン
化物5モル当り少くとも1モルのCat X、特に有機
ハロゲン化物多くとも4モル当り1モルの藺紀化合物を
1更用してハロゲン比圧有機スズを饗造するときに前記
錯体が形成される場合に特に適した方法である。ハロゲ
ノスズ錯体中ノスズは2価または4’[1fhs及び恐
らく3価であり得る、従って4t、ハロゲノスズ錯体は
実験式;C&tdSn、Xf を有し得、ここでdは1または2、・はlオたは2、f
は3〜6である。しかし、これらの錯体は有機スズの調
製からの副生物であるので、これらの有機スズ及び一部
f換されたスズはまた、例えばBu4N+BuSnBr
4、Oct、N”HulSaBrl (Octはオクチ
ル)等の形でも存在し得る。 更に、スズ(2)分子は酸素を吸収し得るので、虚素化
合物も存在し得る。 別の具体例に於いて本発明は、本発明方法に使用される
ことができ、 ta)  水性#極液内のみに配置tされた4億と、t
b)  水性1!c屏質に不混和性のハロゲノスズ錯体
を含む陰極液に浸漬した陰極とt含んでおり、水性陽極
液又は任意の中間水性電解質と水性電解質不混和性陰極
液との間に液液界面が形成されており、陰極が#極液又
は中間水性電解質と接触しない電解装置jItを提供す
る。 本発明の更に別の具体例に於いては、別個の2つ以上の
陽極が使用され後述する如く@紀の如き陽極の少くとも
1つがイオン交換膜により第111#極液から発鳴され
た第2の水性陽極液内に記聞される装置fを便用し得る
。 l個又は複数個の陽極を水性相中に配置して水性相のみ
と接触させ且つ陰極を非水性相のみと接触させた状すで
陽極液と接触した水性電解質を電解する本発明の方法に
よれば、比較的低電圧でも電流密度が十分に嵩〈例えば
10−15ボルトで2KA/M”(200堝人/−)に
なシ侍るという利点妙I得られ経済性が良いことが知見
された。しかも篇〈べきことには、陰極液自体の導電率
が低いにもかかわらず前記の叩き電流![が得られる。 本発明方法の1つの具体例では陽極液としてアルカリ金
属ハロゲン化物の水flj液相が使用され得る。cl−
極液と電気接触する陽極は、白金又は黒鉛の如く任意の
適当な非腐食性陽極から成り得る。 陰極液はC社Xとのハロゲノスズ錯体である。場慣と陰
極液中に配置された陰極との間に電流を通すと4tm液
がスズと式Cat X  の化合物とに分解され、スズ
はテンドラ。イト(w枝晶)として陰極に析出し、化合
物Cat、)(は低導電率の水不市性液体と共に残存す
る。 前dピの如き系を第1図に示す。第1図に於いて、槽2
0は4e縁フイーダー22に接続さnた陰極21と非腐
食性#極23とを有する0陰極フイーダー22と陽極フ
ィーダ41i126とは図示しない適当なりC’ll[
fiに接続されている。僧20内に互いに混和しない2
つの液相24.25力1収容されている。下部の陰極液
相24はハロゲノスズ錯体を含む陰極液から成り、上部
の液相25は水性陽極液fil見はアルカリ金属ハロゲ
ン化物又はアルカリ土類金属ハロゲン化物の水溶液であ
る。下部の陰極液相24は陽極21を完全に包囲してい
るため、陰極は上部の陽極液相25と接触しない。同様
に陽極23は水性ls極液相25のみと接触する。 li#1極液と陰極液とは液液界面27で接触している
。 又は、II陽極液電解質水溶液例えばアルカリ金属水酸
化物の水flj液から成り4オン交換膜によって水性ア
ルカリ金属ハロゲン化物から成る中間電解質から分離さ
れており、ステンレス−又はニッケルの如き非腐食性陽
極が前記の如き陽極液と接触するように構成し得る。こ
の構成により3相電解系が形成される。 更に、第厘図の装置に於いて)・ロゲノスズ一体の電解
を生起することも可能である。この装置では槽20が絶
縁フィーダ22にl!綬された(非腐食性)陰極21を
備える。槽は、水不混和性の下S錯体相24を含んでお
り、該相は#M極21を完全に包囲している。水性塩相
25が陰極液相24の上部にフロートしており、双方の
相関の接触部に液液界面27が形成される。順相25内
にチャンバ30が伸びており、該チャンバの&1jFI
t31の少くとも一部分はイオン交換膜32から形成さ
れている。チャンバ30は陽極液34例えばアルカリ金
鳩水酸化物水@*を収容しており該湯事液中VC(非腐
食性)陽極33が伸びている。このシステムの動作に関
しては実施例3に於いて後述する。 !!i]記の如き3相電解系を使用する場合、副生物た
るIali(父は複数種)の旙化合物から陰極にスズが
析出する。更に、に溺極液からアルカリ全綱イオン、膚
極液副生物からハライドイオンが生じるのでう中間電解
質中により多着のアルカリ金属ハロゲン化物が形成され
る。このように形成され次アルカリ金楓ハロゲン化物を
回収して別途に便用することが可能である。例えば、回
収したアルカリ金属ハロゲン化物をアルコール及び無機
酸と反応させて有機ハロゲン化物を形成し、ハロゲン化
有機スズの製造に使用し得る。 非腐魚性陽極に加えてアルカリ金属・・ロゲン化物から
成る中間電解質に浸漬させたスズ#極全使用し、これに
より追加量のスズを陰極V(析出させること本可能であ
る。この場合、ハロゲノスズ一体から得次スズを含有し
ており更にスズ1−極から得られ次スズによってスズ含
量の増加した混合物Cat Xが侍らnる。前記の如く
#縮し次生成物は、前記の直接反応に使用し易い。 このような系が添付の!@1図に概略的に示されている
。第1図の槽10F′i絶縁フィーダ12に接続さnた
基極11を有する。水不混和性の鴎億猷相13は[愼1
1i完全に包囲しており、相工3の上に塩水溶液たる中
間電′II!I質14がフロートしており′l&准界面
13aで1IlF極液と接触している。 チャンバ15は、イオン交換膜から形成された少くとも
1つの壁部材部分例えば15at−有する。 非謁食性11#1極17はチャンバエ5内の第2−極液
16例えばアルカリ金属水溶液に浸漬している。 腐食性スズ#極18の少くと本一部は中間陽極液14に
浸漬しておりフィーダ19によって図示しないDC[源
に接続されている。このシステムの動作に関しては例え
ば実施例2に於いて後述する。 811個の非g食性陽#!、を使用しないでスズ陽極の
みを使用すると、デンドライト状スズと非電m副生物と
の混合物が得らnる。この混合物と有機)・ロケン化物
(RX)との反応により、金顧スズが除去された/・ロ
ゲノスズ鱈体と共にジ・・ロゲン化二有磯スズ(島Sn
X宜)を高収率で得ることができる。 このような糸75I第1図に示さnているつ、1コJ泳
に、・・ロゲノスズ錯体がスズ以外の金楕を含有する場
合、非g食性#極を使用する3相電解によって義金−を
官有するデンドライトが生成するであろう。又は、前記
の如く腐食性スズ合金噛他のみを使用してスズと合金金
属との双方を含有する混合生成物を得ることも可能であ
る。更に、(スズ以外の)@2の腐食性金属陽極を使用
し、スズと第2金調との双方を含有する生成物を得るこ
とも可能である。 前記の如き合金中の@2金篇又は第2寝食性陽極として
使用される金属は、コバルト、ニッケル。 鋼、マンガン、鉄、亜鉛及び鎖等であ・る。 陽極液又は中間水性電解質が陰極液丘に単にう゛ロート
するように種糸を構成するのが有利である。 しかし乍も所望の場合、電解質系の2相又は3相を上下
刃向に互いに積層し念状坤に配置せず、p布の如く液液
界面を形成せしめる適当な物理的障壁で分鴫してもよい
。 本発明により処理される物質中に本来の形状又は結合し
次形状で存在し得る式(:at Xの化合物(霊、Ca
tとして第四正荷電基又は第三正荷VL基のいずれを有
していてもよい。従ってCat箋一般式RsQ 〔式中、Rの各々は独立の有機基であり、z−4の場合
はQがN 、 P 、 As又F′18hz=3の場合
けQがS又はS・でろり得る〕 で示される。有機基は通常、アルキル基、アラルキル暴
、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、アラ
ルケニル基から選択さrした2o個までの炭素原子を含
むヒドロカルビル基である。不活性1廖換基は勿論、R
で示される基に含まれ得る。 又はCatは、アルカリ金属イオン又はアルカリ土類金
属イオンと多酸素化合物例えばジグリム、ポリオキシア
ルキレングリコール又はグリコールエーテル、又はクラ
ウンエーテルとの鐘体であってもよい。 本発明方法により得られる如きスズ及びCaLX及び任
意に含まれるハライドイオンはアルカリ金属・・ロゲン
化物に変俟恢に、スズと有機ハロゲン化物RXとC亀t
+X−との直接反応にょるハロ′ゲン化有機スズの製造
と組合せて4利用されるのが好ましい。従って、(Sn
と凡Xとの間の)前記直接反応と(例えば溶媒抽出によ
る)所望の有機スズ生成物からの副生物の分鴫と、前記
の如き副生物の電解と、電解生成物を直接反応に戻す電
解生成物の再利用とから成る循環プロセスが成立し得る
。 このような循環プロセスでは、(有機スズとして取出さ
れたスズの補充たる〕補充スズと恐らくは有機ハロゲン
化物とだけt系に供給すればよい。 ハロゲン化有機スズ生成物自体は更にビス(トリブチル
スズ)オキサイド(TBTO)の如l!有機スズオキサ
イドに転換され、これによりノhライドイオンを遊離し
得る。該イオンはアルコールでアルキル化後、供給凡X
として藺紀直接反応に供給される。 前記の如きプロセスの相互関連ステップの組合せを添付
の第V図に示す。 [解僧プロセスでは電流が電解的に移動する、即ち隣り
合う不混和性相関の直接イオン移動によって移動し、ハ
Qグツスズ罐体と接触している陰極に金属スズが生成さ
れる。このことは多くの利点?有する。第1の利点は、
鐘体自体の導電率が比較的低い(でもかかわらず驚異的
に肯いt光密度が達成され得ることである。別の利点は
、非水性相の組成とは修めて異なる組成の水性相を選択
し得ることである。例えば水性#L解質として安価なq
i塩例えば塩化ナトリウム又は臭化ナトリウム全選択し
、非水性イ解實として倒えげオニウムイオン及び・・ロ
ゲノスズ錯体アニオンを含む有機スズ#造の−」生物の
叩き高価な吻′jiiを選択し得る。 水性電解質が1化ナトリウム又は臭化ナトリウムの場合
、白金の如き非腐食性−億金用い之電解によって、可価
な槽生成物として塩素又は臭素が生成するでろろう。し
かし乍ら、この系に於ける槁食性吻他としてスズを使用
すると、電解の結果、/XC1”j7スズ一体と接触す
る一極にデンドライト状スズが生成することになる。こ
の場合、水相中のスズ陽極が消耗してスズイオンを生成
し該イオンが2相の界面を通通し陰極に金属スズとして
析出する。 このような相関のイオン移動の別の利点は、移動を利用
して双方の相に於けるイオンのバランスを緬持し得るこ
とである。従って例えば電解系が(1)  臭化ナトリ
ウム水浴液中の白金Ii#l極と(bl  テトラプチ
ルアンモニウムグロモ亜スズ酸塩(Bu4?J” 5n
Brl )中のステンレスm鴎fとを有する場合、電解
は王妃の如く進行するであろう。 陽極反応 2Br−→ B− 陰極反応 Bu4N 5nar、−e Bu4N”Br−+ Sn
・+2 Br−従って、水性相では臭化物イオンが存在
せず、非水性相では過剰の臭化物イオンが存在するであ
ろう。しかし乍も相聞で臭化物イオンが移動するので各
相は電解的に平置している・ 反応全体は式 %式% この場合、非水性相のハロゲノスズ一体は電解プロセス
によって実質的に変化している。従ってこのプロセスは
イオン交換と同様のプロセスであると考えることができ
非水性相がイオン交換液として作用する。 このようなハロゲノスズ一体の2相電解の別の利点は、
水性相中で1個の陽極を使用してもよく値数イ向の陽極
を使用してもよいことである。 l−他系に関してはfJ′fJ記に例を挙げて説明し次
02湯億糸の例として、スズ陽極と白金−極とを用い、
双方t−第1相たる美化ナトリウム水溶液に浸漬せしめ
、該水m液を第2相たる不溶性ノ・ロゲノスズ錯体と接
触させ、ステンレス鋼の如きj[な導電性陰fit−第
2相中に配置する。電解により、陽極が腐食されてスズ
が水相に溶出し、スズイオンが相関界面を通過し陰極に
スズ元素が析出する。 電解により更に、白金liI極に臭素が発生し、非水性
相中のハロゲノスズ錯体が分解し、臭化物イオンが界面
を通って非水性相から水性相に5Iibする。 従って、ハロゲノスズ錯体は電解プロセスによって実質
的に変化している。この電解は以下の如く要約され得る
。 (耐 陽極反応 8n  −e  Sn  (又は5nBr; )2Br
   4   Br諺 tb)  陰極反応 (ハロゲノスズ錯体がBu4N” SmByHの場合)
Bu4N Sn&1−+Bu4N jlr +Sn@+
 2Br−(a)  電流移動プロセス tl)  Bu4N”5nBrl  相から水性相への
28r−の移動 (11)水性相から非水性相へのスズイオンの移動。 従って、4フアラデーの電気を要する全体反応は、式 %式% 211M極系の極系例に於いてはスズ場#Lを塩水溶液
例えば臭化ナトリウム水溶液に浸漬させる。更ニ、好ま
しくは水酸化ナトリウムの如き電解質水溶液を収容し念
非導電性壁から成る別の容器を臭化ナトリウム溶液に浸
漬させる。lI]紀容器は、水酸化ナトリウム溶液がイ
オンtJ!!通せしめるが各水溶液を自由に混合させな
いイオン交換膜により臭化ナトリウム溶液から物1的に
分離されるように製造されている。(このような系は第
1.璽。 管区に示されている。) 例えばニッケルから成る第24他が水酸化ナトリウム1
11M中に伸びている。従って、臭化ナトリウム溶液は
、金14省億
【内包した別個の不混沌性相たる不溶性ハ
O唆スズ錯体と界面接触している。 この3相電解質を含む檜での電解により以下の反応が生
起する。 ta)  水酸化す) l)ラムS液中での4億反応2
0H→05へ+−o(gファラデー)tb)  スズ陽
極での陽極反応 8n−+Sn  (又はIi!nBr1 ) (27ア
ラデー)tel  14極反応(へ〇芳スズ一体がBu
4N”5nBr;  の場合) SnBrH−*Sm +3Br  (2フアラデー)B
u4N 5nBrl −+Bm4N”Br −1−8a
@+ 2Br−(27アラデー) (dl  電流移動プロセス (1)  2Nm  が水酸化ナトリウム浴液から−を
介して臭化ナトリウム層液に移行 fil)  2Br−がBu6N” 8nBr3  相
から臭化ナトリウム溶液に移行(これにより2 Na”
 Br−を形成)(Ill)  5oBr、−7jt水
性相から非水性相に#行。 (1ψ 3Br”751非水性相から水性相に移行。 従って、4フアラデーの電気を要する全体反応は式 %式% 2ファラデーの電気によってスズ陽極が腐食されてスズ
を放出し非水性相に包囲された陽極にスズが析出するが
この非水性相にはいかなる変化も生じない。残りの2フ
アラデーの電気によって水酸化ナトリウムが分解されて
酸素が発生し且つハロゲノスズ錯体例えばBu4N 5
nBrl  がスズとCat X  例えばBu4N”
Br−とノ・ライドイオンとに分解される。このノ\ラ
イドイオンは水性相に移行する。 本発明の別の特#は、2罎極2相系又は2#II極3相
系の調整により陽極生成物の所望の継路混合物が任意に
得られることである。vI4整は、スズ陽極及び別の非
腐食性#他の各々に流れる11流の比を変更することに
よって行なわれる。この恵めに本発明の菓体例では電解
槽に任意の過当な電tltWI4整手段を配備し、各電
極に所望レベルの電流を供給する。 例見ば、fIJ紀の2陽極系の最後の例では、双方の陽
極力1各々2ファ2デーずつの等しい電Rを担持してお
り、従って陰極の最終生成室は各Bu4NBr  毎に
28nf有する( Bu4NBrは不KtzD”y°ノ
スズ錯体から成ゐ非水性相に保有されている)。即ちス
ズ対CatX  O比は2対1である。少くとも28n
とCat”X−とのPIJSaの如き混合物は(例えば
)ハロゲン比圧アル中ルと反応してVi!質的に三有磯
スズ化合物會生成し得る。このことは出願人による一時
英国%軒出願第8200353号゛有憬スズハロゲン化
物の製造方法”K記載されている。 従って、前記の如き電解による陰極生成物tmから取出
し、CaLX  化合物1モル当り3モルのハロゲン化
アルキルで処理すると三有機スズ化合物(R35nX 
)が生成するであろう。 父は、開蓋の電流を供給しないでスズ陽極に残りの)陽
極の2倍の電流が流れるように電流比を調整した。この
場合、最終陰極生成物中のスズ対Cat X  O比は
3対1であろうっこの混合物を1モルのCat”X−当
り5モルのノーロゲン化アルキルと反応させると三有機
スズ化合物と二有機スズ化合物との等モル混合物が生成
するであろうつこの反応は式 %式% 〔式中、Cat 5nX3  は、電繻僧に再傭遣さn
得るハロゲノスズ列体副生物を示すJ で示される。 電流比の1つの極端として別の(非腐食性)電極に−j
[が全く流れない場合には糸idl陽極2相電解系とな
る。この場合、/・−グン化スズ陰極液は単に(主とし
てデンドライト状スズとして)スズを保有するのみであ
りこの物質1k(権外で)RXと反応させると主として
二有機スズ化合物が得られる。この反応は式 %式% で示される(この反応は)・aゲノスズ錯体により触媒
される)。同時にある程度の三・・ロゲン化モノ有機ス
ズ(R8nXa )も生成する。 又は、電流比の反対の極端としてスズ陽極に電流が全く
流れない場合にも系は1湯極2相電解系になる。しかし
乍らこの場合、/・ロゲン化スズ陽極液の一部又は全部
さえもが分解し等モル量卸ちモル比1:1のスズとCa
t”X−とを生じる。この後者の生成物を(例えば粉状
又は粒状の)追加量のスズ及びハロゲン化アルキルと(
槽外で)反応させ、主として三有機スズ化合物を得るこ
とができる。 2湯憔糸の史に別の例では、第2陽極として腐食性陽極
を使用し侍る−従ってこのような糸代於いては、スズr
a極と例えば亜鉛陽極との双方が第1相たる水性ハブイ
ト−イオン電解質に浸漬しており、この第1相が有機ス
ズ製造のハロゲン化スズ−生物から成る第2相と接触し
ており、金J!l陰極ri第2相に親囲されている。電
解によりスズが腐食されてスズイオンを発生し且つ亜鉛
が腐食されて亜鉛イオンを発生する。双方のイオンが2
相界面を通過しスズ元素及び亜鉛元素として陰極に析出
する。 スズの2倍の亜鉛が腐食析出するように噛他の電流比を
v4贅すると、陰極生成物のスズ対亜鉛比は1対2にな
るであろう。この−極生成物を(電解槽外部で)RXと
反応させると主として四有機スズが得らnる。この反応
は式 %式% で示される(この反応もまたハロゲノスズ鐘体により触
媒される)。 更に別の具体色に於いては、例えばスズー極と亜鉛陽極
と(膜で隔廟された別個の隔室内に配置されることも可
能な)非g食性M3鳴他とを有する31II極系が構成
され得るう各陽極を流れる電訛をv4整することにより
スズ対亜鉛対Cat”X−が回定の選択比で含まれる最
終陰極生i物が得られるであろう・この陰極生成物を(
槽外部でジハロゲン化アルキルと反応させると、91J
えは三有@スズと四有機スズとの予選択混合物が生成し
侍る。 従ってこnもの本発明の具体色のル恢な待歌は、−極の
選択と各−極に流れる電流の比の一部とによって、櫂外
部で(例えば)ハロゲン化アルキ尤と反応させたときに
(ある柵健の一有機スズ化合物を含む)主として二有機
スズ化合物又は王として三有磯スズ又は主として四有機
スズ會含む所望の有機スズ混−&物r生成し侍る陽極生
成物が優られることである。 更に本発明の別の%倣は、−極反応生成物及び水性を解
質中に生じ念生成物をも使用し得ることである、従って
fljえげ第2陽極反応でハロゲン(例えばBr@ +
 C4)が形成される場合、僧tiS部でハロゲンを使
用し得る。例えば虐素金使用してブリキ清からスズを回
収し2相系によるスズの電解析出の次めのスズの供給源
として使用し得る。特に、水性電解質中に生成されるハ
ロゲン化ナトリウム(例えば臭化ナトリウム)を使用し
アルコールにハロゲン添加し次に@極生成物と転換して
有機スズ化合物を生成し得る。 本発明によって前記の如き方法が提供さn同時に本発明
によって1#硯な1を解槽装蓋及び構造が提供されるこ
とは明白であろう。このような装置及び構造は第1図に
概略的に示されてお!ll第■図に更に詳細に示さ汎て
おり、第■、■及び1図に別の具体例が示されている(
これらに関してL/−i後述する)。本発明方法を実施
するための装置に於いては、電解槽が複数個o1極を支
持する手段と各電極に互いに別々に電流を供給する手段
と各電極に与えられる電t&密度を別々に制御する手段
とを備えており、前記電極の少くとも1つが腐食性であ
り特に少くとも1つの(非腐食性の)電極が、少くとも
一部がイオン交換樹脂膜から成るJIJ1部材によって
第2陽極液から分離されたチャンバに収容された陽極液
と接触している。更°に、互いに不混和性であり相互間
に液液界面を有する2橿の液状媒体全収容する手段が備
えられてPす、l@(又は復数個)の陰極は水不混和性
液相により完全に親御されるべく配置されており、@紀
の如き陰極に電fltを供給する手段は1つ(又は複数
)の非水性陽極液相から電気絶縁されており電気的に接
触しない。装置の別の特徴は、腐食性1愼の少くとも1
つ1kBI4整自在に昇降させる手段と水不混和性−極
液相と水性1極液相とを電解槽かも別々に取出す手段と
を有することである。建に蒐解槽が、電解プコセスの間
に陰極に析出した金属(特にデンドライト状金m)を陽
極から機械的に除去しFg′r望に応じて電解槽から時
々取出すための手段を備えるのが好ましい。 次に以下の実施例に於いて本発明を更に祥細に1(52
明する。最初の実施例では、チー1鉦接反応により主成
物として)・ロゲン化有機スズが生成しノ10ゲノスズ
錯体副生物として(完全には同定さnていない)液体が
生成する。この液体は本発明の別のt解実施例の出発*
l質として使用される(温度はいずれも摂氏4度である
)。 圭j!薯p11 %−j、25tボリグロピレンタンクに於いてスズー極
とステンレス鋼ロッド1.ls極(面積約40一つとを
便用して5nBr@ (10乃至2(1/1sn)7に
含有する臭化ナトリウム水溶液(10乃至15%)を電
解しデンドライト状スズを製造し念。この櫂はafso
’乃至70及び30乃至100アンペアで作動した。デ
ンドライト状スズを定期的に#に極と櫂とから取出し、
洗浄し乾燥した。乾燥生by、物(絡み合つ九羽毛状の
デンドライト)は嵩密寝が低く0,2乃至o、sg/c
cであった。 次に、コンデンサと!l覆計と滴Fロートとt−4J1
1えた2を丸底フラスコに於いて前記のデンドライト状
スズを臭化テトラブチルアンモニウム(Bu4N”Br
−)と臭化ブチル(kBr)とに反応させ恵。ロートの
先端はフラスコ内の反応物音のレベルより下方に伸びて
いた。 Bu4N”1ir−と成る程實の量(通常は装入試料の
約50%)のデンドライト状スズをフラスコに入れ加熱
してB%!4N”Br を融解した。反応の始めから終
りまで加熱温21−維持した。反応温度が軸持され応を
17回実施した。 各実験毎に用い九試薬量と反応条件とを以下の表iに示
す。反応終了時にフラスコには反応生成物と残留スズと
の液状混合物とが入っていた。液状混合物を傾瀉しスズ
を分離し念。液状1合物と等容の炭化水素を毎回使用し
液状混合物を80℃炭化水素(b、p、 145乃至1
60)で抽出した。 炭化水素に不溶の残渣は負傷色副生物であり、こnは水
不溶性のBu4N  フロモスズi!!!塩副生物であ
った・こgを電解的に処理してスズとBu4N nr(
即ち求核試薬発生試薬)とを回収し得る。3つの炭化水
素抽出物を蒸留し炭化水素を除去するとジ臭化ジブチル
スズ(Bu*5nBrs )と臭化トリブチルスズ(B
u、5nBr)との混合物が得られた0これらの生成物
の各々のtは表1に示されている。 17の実験より得られた剛生化合物全部金合せてその部
分Vずつを以下のいくつかの実施例の出発WJ買として
便用し念。 実施例1 に変換 副生物の電解のために、添付図面の第1図に断面を概略
的に示された二重−極電解槽を使用しな。 この槽はポリプロピレンタンク10(40ci+X−4
0cllX 25CIIL)を含み、タンク内には絶縁
された導体12と接続されている15QIX25c暑X
O,3L3のステンレス鋼製陰極11が存在する。槽を
9.83に4の、前記の予1iI裏で得らtした戻化水
素に不溶性の黄褐色の副生物で満たしで、槽の底tM!
榎した。−生物は、有機スズ生成物の油出に使用され次
炭化水嵩(b、p、 145〜160〕を約5%と遊離
Bu4NBrt″約4NBrt″いた。 副生物層13の上に中間電解質14として、NaBr 
 の20X水浴液16t1入れた。イオン交換膜壁(ナ
フィオンNafions アユポン社製)を具えたチャ
ンバ15′fr中間電解質14中へと伸延さて入れ、そ
の中へニッケル陽極17を伸延させた。 中間電解質14の中へ、フィーダ19に保持されたスズ
ー極18(重t997に#)を伸張させた。 m極x7&Uls金DC町変電力源(図示せず)の正端
子と、また基極導体12を負端子と接続しI−O お・よそ100アンペアの電流?電解槽に 約11d#
間にわたって流した。この開−の電圧は最初の20’l
T’から最終1[5Vにまで低下し、櫂の温度は50と
100の間で変化した。各陽極を流れる邂大金モニタし
て、(一方または他力の一極を切断することによって)
胸!Iを行ない、それによって各4極に、合計量のほぼ
等しいアンペア時のに流を付与し次。 v1解終了時、ニッケルIl#l極は550アンペア時
の電流を通過させて酸素を発し、スズ陽極は530アン
ペア時の電5tt−通過させて11jC1のスズヲ失つ
九。中間電解質14中に臭化ナトリウムを形成し、陽極
11において微細デンドライト状スズ及びBu4N B
r  を形成し念。約680gのBu4N”Rr−を電
解質14中に現出し念。 i/に終@極液は黒味を帯びた、流れ−い(lumpy
)流動体(8,52〜)であり、9Xの水、約25%の
Bu4N Br 、約25Nのデンドライト状スズ及び
約41%の未反応祠生物を含有していた。 この最終陽極液の幾分か(6,17時)をアンカー攪拌
材とコンデンサと滴下ロートとを備えた10tのフラス
コへ移し、真空下に加熱して水を除去した。臭化ブチル
を4時間にわたって11tMlf生成物(154(l即
ち13モルのスズと1550り即ち4.8モルのBu4
N Br  とを含有するうに、反応器内の温度が14
0のあたりにilVするような割合で滴下ロート1:通
通し反応物質の表面下へと滴下させて付加し、4時間後
には24669(18モル)のBu Hr’i付加し念
。次いで反応混合物を更に8時間、140に維持し念。 その後過剰のBuBrを留去しく 363g)、残渣を
冷却して、炭化水素溶媒(b、p、 14 s〜160
.3回の抽出の各回毎に36の溶媒を使用)によって抽
出し、幾分かのデンドライトスズを含有する黄褐色の残
渣(54時)?得た。炭化水X抽出物を合せて蒸曽し、
b、p、150/10■の生成#kJを得た。この生5
5!物は重91894gであり、87XのBulSnB
r (4,46モル)と12%のBulSnBrl (
0,57モル)とを含んでいた。所望物質への転換率が
(スズ?基準にして)89LX又は(BuBr’i基準
にして)95%の場合、臭化トリブチルスズ対ジ臭化ン
ブチルスズのモル比は約8:1であった。 実施例2 一]生物の*Ps及び電解生成物の再利用前記の予vI
4製で得らnた、水に不浴注の黄褐色のIi&I]生物
の幾分かtS添付図面の第2図に示されft装Mにおい
て電解に掛は念。 第2図に示された電解槽は、中に115cmX20cI
IX0.16cmのステンレス鋼製陰極21を有する直
径30cm、高さ40cmのポリプロピレンタンク20
t−含み、UI醸極#′i絶縁され之フィーダ22と接
続されている。陽極23は重量約6に6+のスズ羨シリ
ンダ(およそ直径8 t、1K 、−&さ17 r−′
m)である。 この電解槽に、6〜の臭化トリブチルスズの製造からの
削生物24を充填した。 NaBr の20X水浴液7ttX#Ak液25として
付加した。陽極1Dcll:源の正端子と、陰極を負端
子と!&続し、50〜60アンペアの電流を合計で36
0アンペア時の電流が流れるまで流した。 開始電圧は20ボルト、開始温度は80であり、これら
は最終的に各々8ボルトと601こなった。 この電解の終了時に、スズ1liII極の重量770g
が失われ、#に極には770gの微細デンドライト状ス
ズを形成した。 次にスズ陽極23を除去して、第3図に示された陽極及
び陽極室30を取付けた(31.32゜33.34:実
施例3の記載参照9゜次いでこの電解槽を通常の方法で
DCIl源と接続し、50〜70アンペアの1を流を2
88アンペア時の電流が流nるまで流した。 陽極で12累が発生し、水性中間層で臭化ナトリウム7
う1形成され、陰惨沿24中にスズデンドライトとBu
4N”Br−とが形成された。 砿ホ液(5,074)は、2.18時の未反応ハロゲノ
スズ謔体祠生物とBu4N”Br (1,18匂うとデ
ンドライト状スズ(1,4h)と水(0,39)とを含
有していたつ 約10%の水と25%の微細デンドライト状スズと25
XのBu4N Br (3,9モル)と40%の未反応
−j生物とを含有するこの電解生成物を実施例2に記載
のフラスコで加熱して脱水し次。 次に反応温度が150℃に維持されるように攬拌しつつ
臭化ブチル(2330g、17モル)を7時間に亘って
添加し念。反応混合物を冷却しで抽出してスズをある福
廣含む黄褐色の残渣を得た。炭化水素抽出物1に蒸留し
1163gの生成物を得た。生成物はす、p、150/
Iomsであり 分析すると約80重量%のBugSn
Brと20東量%のnu鵞5nBryとを含有していた
。 実施例3 ハロゲン化スズ錯体副生物の電解 1記の17の実験で得られた黄褐色の一]生物の任意量
を更に、添付の第璽図の装置で電解処理したO この櫂は、絶縁フィーダ22に接続された15c*X2
0cnX0.16cmのステンレス鋼嘱極21を収容し
た1[径301嶌さ401のポリプロピレンタンク20
かも成る。陽極室30は、イオン交換膜32で底部がシ
ールされたII!L径101のポリプロピレン管31で
ある。−極はステンレス鋼管33である。 この僧に囁極液24として6に1のハロゲン化スズ生成
物を装入した。 中間電′!s@25として@極液の上方に7tの20%
臭化ナトリウム水溶液を入n1#極室3゜の−fflK
陽極液34として25%の水酸化ナトリウムを充填した
。 次に、30乃至50アンペアの電流を310アンペア時
に達するまで僧に通した。11#極で酸素が発生し$i
に微細デンドライト状スズが析出した。 最終陰極液は、Bu4NBr(18609)とデンドラ
イト状スズ(686り)と残留・・ロゲノスズ瀘体幌生
物(2300g)とを含有する黒味を帯びた流れ癲い連
動体(4,8skg)であった、中間電解實中にも臭化
ナトリウムが生成した。 このプロセスは次式で示される。 Bu4N”5nBrl +2NaOH(−+4F)  
−eBu4NBr + Sno+2Na Br +0.
50量+ H*0夾1ノ日 次に実施例1に使用の檜(第1図)を使用して合成ハロ
ゲノスズ一体を電解した。(Bu4N Br溶液とH8
nBr1  溶液とから111製し次11Kzの)テト
ラブチルアンモニウムブロモ亜スズfR塩(Bu4N”
8nBr@  )を陰極液として槽に入れ、櫂の他の条
件に関しては実施例1と同様にした。 40乃至100アンペアの電流i17時間に亘って槽に
通した。この間に僧m度は75−85に卜昇し、摺電圧
は初期の19ボルトから最終的に5ボルトまで低下した
。この間にスズ陽ff118fr596アンペア時が通
り1500gのスズが消費された。ニッケル陽極17に
は540アンペア時が通った。 双方の潰極電流の合計即ち1136アンペア時が陽極1
1を通り債細デンドライト状スズ粒子(2513g)を
析出せしめた。このスズ生成物のうち1320gはスズ
陽極から得られ、11939Fi陰極液13かも得られ
念。従って最終@極液は、デンドライト状スズ(2!5
139)と臭化テトラブチルアンモニウム(3238g
)と未反応のテトラブチルアンモニウムブロモ亜スズ酸
塩(5040g)とを含有してい念、 東透夛か 一連の実験に於て、28%才でのジ臭化ンブチルスズ(
BuzSnBrt )とノ・ロゲンノスズ錯体副生物を
含む粗臭化トリブチルスズ(BugSnBr )が製造
された。これらの実験は トリブチルアミン(Bu3N
) kスズと共に加熱することと、130〜140°の
反応温度を維持するような速さで臭化ブチル(BuBr
 )を添加することが必要であった。この添加が完了し
た際に、反応物質を130〜140に更に数時間維持し
た。次に過剰のBuBr ’t’jl去した。約60〜
80°に冷却後、反応液をスズからテカントし、炭化水
X(b、p、145〜160)3容で抽出した。抽出物
を合せ、炭化水素を留去して、粗Bu1SnBr −B
ulSnBrl混合物を得た。抽出後に残留するハロゲ
ノスズ錯体副生物を真空下で加熱して、残留炭化水素を
除去し、生成物をグラスチック容器中に貯蔵し次。使用
し念物質の量と得られた生成物の量を表鳳に示す〇 表   1 *  残留元素スズ NA=  分析せず これらのハロゲノスズ錯体岨生物を、第4図で示し念よ
うな電解槽中で電気分解し念、この電解槽は約30mX
30(1)の断面と約451の全長を有するポリプロピ
レン製本体1ユかも成る。この櫂は、ポリプロピレン表
底部パルプ42i備え、且つ底部の逆ピラミッド部が支
持台の穴を介して恢り込むように、に8(1(図示せず
)上に装着される。 電解槽は外部電気加熱チーグリによって加熱されクラッ
ド1」により給緑される。この電解槽は、比較的高い部
分に更に2個のタラプリ及び口?備える。 この電解槽は、@極Nm、フィーダ線Σヱに接続さt′
lた2枚の陰極板ピを内部に備える。これらの鳩悼の)
−7iK、軟msの電流フィーダー上に装yIIされた
2枚のスズ陽極ム(一枚のみ図示)が存在する−これら
のフィーダは、作業台にねじ込まnた開極支持フレーム
Ω上の絶縁されたブシュ上に支持さnる。 スズー極の傍にニッケル表の第3の1#極りがある。こ
のニッケル製till極は、軟鋼製フィーダLl上に支
持され、且つliI極陽極フレームリから保持される。 ニッケル製陽極5!2は、外部固定部材し、内部部材υ
及び2枚のイオン交換膜りから造ら九九隔室内にあって
電解槽の他の部分から分離される。部材口と■は断面が
U形に成形され、開放頂sを有する5面の隔室が形成さ
れるように、これらの部材が、膜を挾むボルトによって
固定される。 電解槽は、ブレードΣ↓」を有する2枚のポリプロピレ
ン製スクレーパ544備える。陰極上に形成された金属
を掻取って剥離し電解槽の底部(即ち、陰極の下方)に
落下させるために、これらのブレードは陽極(Lの頂面
に押圧され得るっ電解槽はモータ(図示せず)に連結さ
れたシャツトリ上に攪拌me備える。金属粒子を含む底
部の相を攪拌する念めに、この攪拌砿が用いられる、作
動中は、スズ陽極用フィーダL1と右側の陽極用フィー
ダ56とが一刀の整流器(図示せず)に接続され、ニッ
ケル陽極用フィーダΣ1と左側陰極フイーダリとが別の
整流器に接続される。 スズ陽極はスズ陽極用フィーダ葺の上下に94節するこ
とができる。 表層の混合・・ロゲノスズ錯体副生物2 S、 9 K
fと、1011量/容積%の臭化ナトリウム溶液16t
とが電解槽に装入さ7″L念。この結果、水溶液より下
方に・・ロゲノスズ錯体が沈む2相系が生じ、陰極板[
の約ICIx上刃に2相間の界面が存在する。 25%水酸化ナトリウム水溶液2t1kX 51.52
及び11によって形成された陽極室に注いだ。次に、電
解槽の内容物を75〜95に加熱し、双方の整流器から
電流を通じた。1103アンペア時の全量がニッケル陽
極に通電され、1163アンペア時がスズ陽極に通電さ
れた。 この電解中に5乃至150アンペア(水性相と非水性相
との界面の両側で電流密度は夫々55溝V−及び167
喝紛−である)の電流を通し、スズ4極とニッケルー極
との各陽極系にほぼIeIII数のクーロンが与えられ
るようにこれらの一極を通る電流の相対比¥ry4整し
た・僧電圧の初期値は約20ボルトであり電解中に約8
乃至10ボルトまで減少し念。 電解生成物は、30重量/容量%の臭化ナトリウム溶液
17.7 tと、Bu4N”Br−一デンドライト状ス
ズ−ハロゲノスズ−生温合物24に4であった。 スズ陽極は全体で157に#のスズを失った。底部の相
約IK4が取り出され、鋺出の副生物4時が更に加えら
れた。タラプリを介して、水相の殆んどが取り出され、
残りに水t7Jlえて臭化ナトリウム溶液を約10XK
稀釈した。更に924アンペア時をスズ陽極に通して、
189匂のスズの損失を生じ、−カニッケル陽極には8
44アンペア時が通された。 次に、底部相がバルブ支ユを介して放出され、分析され
次。分析から、この相は、23.4%’のデンドライト
状のスズ、28XのBu4NBr及び約IXの水を含み
、この相の全重量は2g、51i1であることが判った
。この物質9.3時を真空下で加熱して、水を除去し、
100〜150に加熱しながら全量で4.3 Klの臭
化ブチルを加えた。次に、過剰の臭化ブチルを一去し、
反応物9tを炭化水嵩スピリット(b、p、 145〜
160)で抽出した。炭化水素抽出物を蒸留して 粗生
成物(2,79114)を得、分析により、この粗生成
物11”i Bu、5nBr 86%とBulSnBr
ll 4 %であることが判つ几。抽出残渣は水不溶性
のハロゲンノスズ一体(8,3Kl )とデンドライト
状スズ(0,9Kt)とから構成されてい念。 実施例6 実施例5で説明した電解槽に、実施撚5かもの底部相1
43峙、実施例5(表置)からのノ・ロゲノスズ錯体−
」生物混合物1O96階及び9.5%臭化す) l)ラ
ム溶液16tを装入した。崗11[を備えたニッケル陽
極隔室に、2sX水酸化ナトリウム水溶液L5tt−装
入した。スズ陽極に全量で342アンペア時全通し、ニ
ッケル陽極に452アンペア時を通した。 櫂を約100アンペア(界面型流密lfl 11111
%A、に−)で作動させ各陽極系に約50アンペアずつ
供給した。 底部相(23h)t−放出し、2つの部分に分けて第1
して水(625g)を除去し、110〜150′で臭化
ブチル(全量&3g4)と反応させ念。真空下で過剰の
臭化ブチルを留去し、残渣を炭化水素で抽出した。炭化
水素抽出物1:留去して粗BsslSmar (全量L
OK4)の残渣を特恵。気液クロマトグラフィー(GL
C)分析によるとこの残渣は主として8%118nBr
であつ念。抽出jA渣全電は1&8麺の量であり、未反
応スズは約1〜であつ九。 実施例7 実施例5.6からのノ・ロゲン化スズと7・ロゲン化ブ
チルスズ錯体残渣とta合し、上部相としての8%臭化
ナトリウム水溶液16tと共に、実施」雇辺 省5に於て説明した電解槽中に装入した。25N水酸化
ナトリウム水浴液21t−ニッケル陽極隔室に装入した
。次に、この3種撃の電解質系が、10〜20ボルトの
電圧で約100アンペアの組み合せ電Itを用いて75
〜100で電解された。 全量で1181アンペア時がスズ陽極に通さn1118
0アンペア時がニッケルー極に通された。 底部相を分析して、この相は約10%のデンドライト状
スズ、20%の8m4N”Br−及び4%の水を含むこ
とが判った。残部は一体副生物である。 この底部増給20jllを3つの部分に分けて、水を真
空下で除去し、臭化ブチルを150〜155で5〜6時
間に亘って添加し、真空下でA!IIIの臭化ブデルI
I:除去し、3容の炭化水素で有機スズを抽出し、及び
抽出物を蒸留することによって、それぞれの部分をブチ
ルスズ生成物に転換した。この操作により不溶性残渣で
あるハロゲン化スズ一体は残る。詳細を表1に示す。 表層 実施例8 粒状スズ(118,7g、14ル)と臭化テトラブチル
アンモニウム(B14N sr 、 1 s t g、
 0.5モル)を、コンデンサ、Stt針及び滴下ロー
トを城り付は九フラスコ中で130〜145に加熱した
。ff1度が130〜145に留るように、塩化ブチル
(13B、79 、1.lS毫ル〕を徐々に加えた。 これは約60時間tlL&。その後、反応物質を秤量し
て397gを得之。未反応のスズから液をデカントし、
スズをアセトンで洗浄し、乾燥して、399のスズ残#
iを得た。デカントした液(3421t−炭化水素(b
、p、 145〜160’、 2X400−)で抽出し
て、有機スズを抽出して、炭化水素不溶性残渣(281
g)を得、この残?fは、スズ233%、!4.素12
.1塚及び壇素12.6%と分析さtl、念。この残渣
を以下の如く電解処】した〇電解僧Vi底部に陰極とし
て(IK径91の〕・平坦なステンレス鋼内[i備えた
800−のスフワット(5quat )形ビーカーで6
つ±。円板のHi縁に6■ステンレス鋼ロンドが直角に
fa接されており、#ロッドは省極フィーダとしてfI
k能し円板から上端2c1R以内の部分まではゴム管被
覆によって円板から絶縁さnている。(第1図に示す如
く)電解の第一部では6晴ステンレス鋼ロンドに保持さ
れ念(直径約61長さ約6 o1$1の)スズ円柱濤億
が使用され、電解の第27!15ではls!IA癩が便
用された。 陽極室は底部がイオン交換膜で閉鎖され九一本の直径2
.51のポリプロピレン管から製造されていた。陽極室
はニッケル陽極を収容しており第曹図の陽極室とほぼ同
様であった。使用中は、槽を水浴により加熱し、陰極i
Dc電源の負端子に接続し陽極を正端子に接続し九〇 前記で得られ念炭化水素不溶残渣241gをこの檜に入
れ、その上に10%臭化ナトリウム水溶液(3369)
t−注いだ。非水性の残渣は水性相に不溶であり檜の下
部相を形成し陰極液を構成した。スズ陽極を水性相に挿
入し槽を70に加熱し#4ボルトで約6アンペアの電流
ヲ7.9アンペア時に達するまで通し次。この結果、ス
ズ陽極から17.69が減耗し、底部の非水性相にデン
ドラ“イト状スズが形成された。次にスズ陽極t−取出
し115%水酸化ナトリウム溶液が充填されたポリプロ
ピレン14室中のニッケル陽極を水相に導入した。 約16ボルトで約3アンペアの1lfit Is、 4
アンペア時に達するまで通し次。次にWIを分解し底部
の非水性相をアセトンに溶解して一過した一残渣金アセ
トンで洗浄し乾燥して31.2gのデンドライト状スズ
を得た。アセトン溶液を真空下で蒸留し非水性のハロゲ
ン化スズ残渣を得た。この残渣のX、(含量は電解によ
り20′Xまで減少していたつ上記の如くこの実施例で
はデンドライト状スズがスズ陽極と錯体陰極液とから生
成された。 !!施例9(臭化オクチル便用) 粒状スズ(118,7g、1モル)とBu4N Br(
1s t 9 、 o、、sモル)t、コンデンv、m
度計及び滴下ロート1取り付けたフラスコ中で140持
しながら、臭化オクチル(zs96p、1.sモル)を
9時間に亘って滴下ロートから添加し、反応物質を更に
32時間加熱した。この後で、反応物質を秤量して56
5.62を得た。未反応のスズから液管デカントし、ス
ズをアセトンで洗浄し、tllkして、19.1gのス
ズ残渣を得た。デカント液(s3s、7g)は2層に分
れており、これらの層をそれぞれ分離し念。底部層を炭
化水素(b、ν。 145〜160.2X200−)で畑出し、炭化水素不
治性残渣(a4o、ag)會得之。この残渣はスズ20
.3%と臭素33%を含んでいた。 この残渣251pを実施例8に記載の檜に入nその上に
10X臭化ナトリウム水浴液(3541)を注いだ。非
水性残渣は水性相に不溶であり槽内で下部相を形成して
陰極gを構成し之。水性相にスズ浦&を挿入し、檜t−
70に加熱し、2乃至5ボルトで約5アンペアの電at
−7アンペア時に違するまで通し念。この1iII乗、
スズ11i他から1462が減耗し、底部非水性相にデ
ンドライト状スズが形成された。貞施例8と同様に、ス
ズ陽極を取出し25%水酸化ナトリウム#I液が充填さ
れたポリプロピレン隔置に入つ念ニッケル14極を水性
相に挿入した。12乃至16ボルトで約3アンペアの電
f&を5.77アンペア時に逓するまで通し次。 僧を分解し底部の非水性相をアセトンにm5LF通した
。P2M残橿ケアセトンで洗浄し乾燥し301りのデン
ドライト状スズt−得たつアセトン溶液を真空下で蒸留
し非水性ハロゲン化スズ!!11渣を得た。 この!!4渣のスズ含量は電解によって16.7Xまで
減少していた。 実jltllO(臭化プロピル使用) コ/テンサ、温度計及び滴下ロートを取り付けたフラス
コ中で、粒状スズ(fill、7g、1モル)及び臭化
テトラプデルアンモニウム(1819゜05モル)を1
40−1150に加熱し之。温tiを約140Km持し
ながら、臭化プロピル(184,59,1,5モル)を
約15時間かけて滴下ロートから添加した。反応物質を
140−に約40時間維持し、その後秤量して434g
を得た。未反応のスズから液をデカントし、このスズを
アセトンで洗浄し、乾燥して、1・qのスズ残渣を得た
。デカントし九液をこの液と同容の炭化水素(b、9.
145〜160)で2回抽出して有機スズを除去し、炭
化水素不fa性残渣(293g)を得意。この残渣はス
ズ23.5Xと臭素39.2Xi含んでい次。 この残渣242gを東施例8に1賊の壇に人nその上に
10%臭化す) IJウム水溶液(312g)を注いだ
。非水性残渣は水性相に不溶であり槽内に下部相を形成
し陰極液を構成した。水性相にスズ4極を挿入し櫂を6
0−70に加熱し1乃至10ポルトで約5アンペアの1
ik5.6アンペア時に達するまで通した。この結果、
スズ陽極から7gが減耗し底部の非水性相内にデンドラ
イト状スズが形成された。実施偽8と同様に、スズ陽極
を取出し水酸化ナトl)ラム麟液が充填さfたポリプロ
ピレン111室に入つ九ニッケル1.TiI極を水性相
に挿入した。9乃至12ボルトで約3アンペアの電流を
S、 aアンペア時に適するまで通した。檜を分解し底
部の非水性和音アセトンに溶解しP通した一過残渣をア
セトンで洗浄し乾燥し21.2gのデンドライト状スズ
を得た。アセトン溶液を真空下で蒸留し非水性ハロゲン
化スズ残渣を傅たっこの残渣のスズ含tけ電解によって
18%まで減少していた。 l!施例11 粒状スズ(799,0,67モル) + Bu4N”B
r−(1層7g、0.34モル)、テトラプチルアンモ
ニウムプaモ亜スズ$tx(Bu4N BrとH8nB
rB  水溶液とから製造されたBu4N 5nBrl
  、 2009 +034モル)及び銅粉末(0,4
g、0.006モル)金、コンデンサ、温度計及び滴下
ロートを取り付けたフラスコ中で140〜150に加熱
した。温度を約140に保ちながら、臭化ブチル(13
79,1モル)lkm下ロートから2.5時間に亘って
添加し之。加熱を更に72時間継続し、この時までに、
反応物質は517gとなった。未反応のスズかも液をデ
カントし、ア奄トンでスズt−<5を牟L、乾燥して、
91gのスズ残渣を得た。デカントした液(494g)
をこの液と同容の炭化水嵩(b、9゜145〜160)
で2(ロ)抽出して有機スズを除去して、炭化水素不溶
性残漬物(425g)t−得た。 この残渣はスズ17.15 Xと臭素37Xとを含有し
ていた。 この残渣zs8Qk*施h8に記載の僧に入れその上に
10X臭化ナトリウム水浴液(324g)を注いだ。非
水性残渣は水性相に?%和せず僧門で上部相を形成して
陰極液を構成した。水性相にスズ陽極を挿入し、槽t−
6O−70に加熱し、8乃至llボルトで約4アンペア
の電fii3.9アンペア時に適するまで通した。この
結果、スズ陽極から&′rgが減耗し、底部非水性相中
にデンドライト状スズが形成された。実施例8と同様に
スズ−&をニッケルーm系に代え、lOボルトで3アン
ペアの電RをL9アンペア時に遍するまで通し之〇槽全
分解し底部の相をアセトンに醜牌しp過した。 (−過残脅金アセトンで仇浄し乾燥して145gのテン
ドライト状スズを得たつ 、 1.1 j 、’白) 実施M12.   (臭化ブチルトリフェニルホスホニ
ウム便用) フラスコ(コンデンサとa直針を取り付けた)中で、粒
状スj(951i 、 0.8モル)、臭化ブチルトリ
フェニルホスホニウム(80,p、02モル)、臭化ブ
チル(112jl、06モル)及びジメチルホルムアミ
ド(105g)を、150〜155°に約40時間加熱
した。この後で、反厄物質を秤量して349Iを得た。 未反応のスズから液をデカントし、スズをアセトンで洗
浄し、乾燥して、58.4 fiのスズ残渣を得た。デ
カントした液(283g)を回転蒸発器中真空下で加熱
して、186gの重量を有する液体残虐を得た。 液体残渣のうち180gを炭化水素(btp−145〜
1600.2X150m)で抽出して有機スズを除去し
、炭化水素不溶性残漬(15611)を得た。この残渣
は、スズ20嘔と臭素30.411を含んでいた。 この残l!f110Iiを実施例8に記載の槽に入れそ
の上に10−臭化ナトリウム水溶液(321g)を注い
だ。非水性残渣は水性相に1和せず槽内で上部相を形成
して陰極液を構成した。水性相にスズ陽極を挿入し、欅
を60−70’に加熱し、2乃至14ボルトで約5アン
ペアの電流を2アンペア時に達するまで通した。この結
果、スズ陽極から4,71が減耗し、底部非水性相中で
11mff1iこスズが析着した。実施例8と同様にス
ズ陽極をニッケル陽極系番こ代え、10乃至15ボルト
で2アンペアの電流を2アンペア時1こ達する才で通し
た。槽を分解し折着したスズを陰極から掻落し15.4
 gを得た。底部相を乾燥し分析すると14.9 噂の
スズを含んでいた。 実施例13.   (トリフェニルホスフィン使用)コ
ンデンサ、@変針及び滴下ロートを取り付けたフラスコ
中で、粒状スズ(237,4# 。 2モル)、トリフェニルホスフィン(131Ii。 05モル)及びジメチルホルムアミド(16゜II)を
140−1500に加熱した。温度を約140’に維持
しながら、臭化ブチル(274,51,2モル)を滴下
ロートから添加した。反応物質を140℃−こ約30時
間維持し、その後。 これを秤量してγ65pを得た。未反応のスズから液を
デカントし、次にこのスズをアセトンで洗浄し、乾燥し
て、131.31のスス残渣を得た。デカントした液(
61g、5 、f )を回転蒸麺器上で真空下で蒸留し
て、4769の重量の液体残渣を得た。この!lI渣を
炭化水素(b、p。 145〜160°、2X400mgg)で抽出して有機
スズを除去し、炭化水素不溶性残渣(388,51)を
得た。この残渣はスズ21嚢と臭素348−を含んでい
た。 この/XDデノスズ残1!f200jlを実施例8に記
載の楢に入れその上に10%臭化ナトリウム水溶液(3
22,9’)を注いだ。t\Q’jj、rX残渣は水性
相に混和せず、Mm;−を形成して陽極液を構成した。 水性相にスズ1lil極を挿入し、櫂を60−70°に
7Jg熱し、2乃萌13ボルトで約3アンペアのt魔を
3.7アンペア時に4するまで通したつこの結東、スズ
陽極から8.21が減耗し、底部非水性相中で一億上−
こデンドライト状スズが形成された。実権例8と同様f
こスズ陽極をニッケル陽極系に代え、9乃至15ボルト
で約3アンペアの[4を3.8アンペア時tこ4するま
で通した。僧を分解しa部の相をアセトンにS解し濾過
した。−過!II渣をアセトンで洗浄し乾燥して25.
71!の粗プントラント状スズを得た。 アセトン溶液を蒸留して非水性ハロゲノスズ残渣を得た
。分析するとこのfifは14憾のスズを含んでいた。 11例1((ヨウ化ブチル使用) 粒状スズ(43fi 、 0.36モル)とBu、NB
r(584g、0.18モル)を、コンデンサ、温度計
及び滴下ロートを取り付けたフラスコ中で140−15
0°に加熱した。m度を140−150°に維持しなが
ら、ヨウ化ブチル(100& 、 0.54モル)を2
.5時間に区って加えた。 反応物質を更に16時間加熱した。その後で、反応物質
を秤量して196.8 Ilを得た。未反応のスズから
液をデカントし、ススをアセトンで洗浄し、乾燥して、
5.7pのスズ残渣を得たつデカントした!(185J
)を炭化水素(b、p。 145〜xso’、2xzoo−)で抽出して有機スズ
を除去し、炭化水素不溶性残渣(1241)を得た。こ
の残渣はスズ18.8 慢、ヨウ素29.6−及び臭素
7.9−を含んでいた。 このブロモヨードスズ錯体残渣101j+を実施例8に
記載の槽に入れその上に10噂臭化ナトリウム水溶液(
360p)を注いだ。ノ10ゲノスズ錯体は水性相に1
和せず槽内で隘也を包囲する下部槽を形成して陰極液を
構成した。水性相にスズ陽極を挿入し、槽を60−70
°に加熱し、8乃−¥12ボルトで約3アンペアのtt
Itを1.5アンペア時に達するまで通した。この結果
、スズ陽極から3.51が減耗し、底部非水性相中の陰
極にスズが析出した。実施例8と同様1こスズ陽極をニ
ッケル陽極系に代え、14ボルトで約3アンペアの電流
を15アンペア時に達するまで通した。[を分解し底部
の相をアセトンに溶解し濾過した。−過残庸を陰極から
掻落したスズと合せてアセトンで洗浄し乾燥して2.4
.9のスズを得た。アセトン溶液を蒸留しt3.S優の
スズを含む非水性/Xロゲノスズ残渣を得た。 実施例15  (臭化テトラオタチルアンモニウムと臭
化オクチルとの使用) fif計とコンデンサを収り付けたフラスコ中で、粒状
スズ(19,5,9、0,16モル)、臭化テトラオク
チルアンモニウム(4510,08モル)及び臭化オク
チル(47,6g、 0.24モル)を140〜150
’l”約20時間加熱したつこの後で、反応物′質を秤
量して112gを得たつ未反応のスズから液をデカント
し、このスズをアセトンで洗浄し、乾燥して、2.7.
9のスズ残渣を得た。デカントした液を炭化水素(b、
凱145〜160°、2X100m)で抽出して有機ス
ズを除去し、炭化水素不溶性残ff1(1o31)を得
た。この残留物はスズ14嚢と臭素222慢を含んでい
た。 このハロゲノスズ残tfi70fiを実施例8に記載の
槽に入れその上に10%臭化ナトリウム水溶液(312
g)を注いだ。ノ10ゲノスズ錯体は水性相に混和せず
槽内で陰極を包囲する上部相を形成して陰極液を構成し
た。水性相]こスズ陽極を挿入し、櫂をs O−70’
に加熱し、20ボルトで約1アンペアのtaを1.1ア
ンペア時に達するまで通した。この結果、スズ陽極から
1.6gが減耗し、底部非水性相中で陰極にスズが析出
した。実施例8と同様にスズ陽極をニッケル1lffj
系に代え、14ボルトで2アンペアの電流を0.9アン
ペア時に達するまで通した。槽を分解し底部の相をアセ
トンに溶解し一過した。 洗浄乾燥後の一過残渣は2部、即ちデンドライト状スズ
(0,7fil )と硬いコハク色の小粒子(2g)と
に分かれた。アセトン溶液を蒸留し11.71のスズを
含む残渣を得た。を解の第一部からの臭化す) IJウ
ム水溶液(285,9)は0.37憾のスズを含んでい
た。 実施例16.(臭化ステアリル使用) 粒状スズ(799,087モル)、臭化テトラブチルア
ンモニウム(10711,0,33モル)及ヒ臭化ステ
アリJL/(C,、H,、Br 、 333 g11モ
ル)を、コンデンサと温度針を取り付けたフラスコ中で
140〜150°に約100時間加熱した。未反応のス
ズから液(2相になっていた)をデカントシ、次にこの
スズをアセトンで洗浄し、乾燥して、14.5#のスズ
残渣を得た。 デカントした液を2つの相に分離した。頂部層(121
N)にはスズが9慢含まれていた。底部層をこの層と同
容の炭化水素(b、凱 145〜160°)で2回抽出
して有機スズを除去し、16.8噂のスズと27.71
1の臭素を含む炭化水素不溶性残渣(288jl)を得
た。 このハロゲン化スズ残8141 gを実画例8に記載の
槽に入れその上に10優臭化す) IJウム水溶液(3
34g)を注いだ。ハロゲノスズ副生物残渣相に混和せ
ず槽内で陽極を包囲する上部相を形成して陰極液を構成
した。水性相にスズ陽極を挿入し、檜を60−70°に
加熱し、6乃至20ポルトチ約217ペY(DtlLを
2.2アンペア時に達するまで通した。この結果、スズ
陽極から3.919が減耗し、底部非水性相中で陰極に
デンドライト状スズが析出した。実施例8と同様にスズ
陽極をニンケル陽極系に代え。 11乃至20ボルトで約3アンペアの電流を2.2アン
ペア時に達するまで通したつ檜を分解し底部の相をアセ
トンに溶解し濾過した。濾過残渣をアセトンで洗浄し乾
燥して8.4gのデンドライト状スズを得た。アセトン
溶液を蒸留し13.1 %のスズを含有する残渣を得た
。 実施例17 実施例7の41のハロゲノスズ副生物を合せその一部(
1011,!i’)を、実施例8で説明した電解槽中に
注いだ。10慢臭化す) l)ラム水溶液(763g)
を頂部に注ぎ、スズ陽極を頂部水相中に挿入した。セル
を60〜70’に加熱し、589アンペア千時が通電さ
れるまで、4〜14ボルトで約6アンペアの電流を通し
た。 これlこよってスズ陽極から114gのスズが失われ、
底部相中の陰砥上にデンドライト状のスズが析出した。 電極槽を分解して底部相(デンドライト状のスズとハロ
ゲノスズ−生物)を、コンデンサ、温度針、滴下ロート
及びアンカー攪拌機を取り付けた反応フラスコに移した
。このフラスコを真空下で加熱して水を除去し、次に、
臭化ブチル(2e3II)を徐々に加えながら125〜
140°に加熱した。この添加は2時間を要し、混合物
は更に3時間加熱されたつ反応物質を同容の炭化水素(
b、り、145〜1600)で2度抽出して、1015
gの重量の炭化水素不溶性残渣を得た。炭化水素抽出物
を合せ、蒸留して有機スズ生成物を得た。この生成物は
、GLCによって、ジ臭化ジブチルスズ68−と臭化ト
リブチルスズ35慢を含んでいた。 比較実施伺人 (2相系でない場合) 実施例7の表Iのハロゲン化スズ副生物を合せその一部
分540gを600−ビーカー中1こ注ぎ、水浴中で7
0〜80°lこ加熱した。15I211×11直径のス
ズ棒2本を、それぞれ51浸るようtこ溶融ハロゲノス
ズ中lこ浸漬して、  1.2”離した。一方のスズ棒
をDC電源のプラスの端子に連結し、他方をマイナスの
端子に連結して、18〜20ボルトを印加した。5〜9
.HAの極めて小さな電流が生じ、この電流は約165
時間通された。各電極の作動部分は約802であったた
めに、得られたti密度も約1rrk/、′であって極
めて低いものであった。この単−相の電解条件下でのこ
のような低電流密度は、ハロゲノスズ錯体の低い電気導
伝率に起因するものであり、且つ上述の2相に於ける電
解で得られた極めて高い(200倍まで高い)界面[濃
密度と対比されるべきである。この技術は採算が合わな
い。 比較実施例B (両相中に陰極を用いる場合)実施例7
の表Iのハロゲノスズ剛生物を合せその一部分54Mを
600−ビーカー中に注いだ。塩化第一スズ(9g)を
含む10%臭化す) IJウム水溶液(185jl)を
頂部に注ぎ、このビーカーを水浴中で80°に加熱した
。15’1×11直径のスズ棒一本を、2.51が浸る
ように頂部水相中に浸漬し、これをDC電源のプラスの
端子に連結した。15111X111m直径のもう一つ
のスズ棒を、別のスズ棒から4mMLでビーカー中に浸
漬した。このスズ棒の351が底部のハロゲノスズ相に
、3.551が上部の水相に浸るように、このスズ棒が
2相系中−こ更に降ろされ、マイナスの端子に連結され
た。次(こ、1.38アンペア千時に到達するまで、1
〜5ボルトで1〜2アンペアの電流が通された。スズ2
.5gがスズ電極(水相のみに浸けられた)から失われ
たけれども、デンドライト状スズは、陰極のうち水相に
あった部分のみに析出した。陰極のうち下部のハロゲノ
スズ錯体相中に伸長した下方部分上(こは析出は認めら
れなかった。この下部のハロゲノスズ一体相は変化しな
かったように思われた。 実施例18 (循環プロセス) 第V図に示したように、既に説明した各種の再循環ステ
ップを用いると、この方法を循環法として整えることが
可能であり、それによって、スズと、アルコール、アル
カリ及び鉱酸等の安価な出発重質とからli接三有機ズ
ズ化合物を製造することができる。例えば、スズ、ブタ
ノール、水酸化ナトリウム及び硫酸から工業上貴重なビ
ス(トリブチルスズ)酸化物(TBTO)を製造するこ
とができる。/%ロゲン化三育機スズを1lilILす
る際に用いられる比較的高価な/’%ロゲンが回収され
、且つ再循環され、及びCat X、例えば臭化テトラ
ブチルアンモニウムも同様に再循環される。連続化する
ことも可能な循環プロセスたる本発明方法の構成が添付
図面の第■図に図式的に示される。 CatX が(n−ブチ/L/ )4N Br の場合
については、TBTOII造のための式は:1、 3B
uOH+3NaBr+1.58.804→3 BuB 
r +3 Ha O+ 1.58 a t S 042
、 3BuBr+28n+Bu、NBr−* Bu、5
nBr+Bu、N5nBrs3、  Bu、 5nBr
 +NaOH−+0.5(Bu、8n)、O+NaBr
+0.5H,04、Bu、N8nBr、 +2NaOH
−4−8n(塊状)+4フアラデー→BuiNBr+2
8n(デンドライト状)+2NaBr+H,O+0.5
01 となる。このようにして、全工程は aBuOH+8n+3NaOH+1.5H,So、+4
77ラデーー4 Ll、!S (Bu、Sn)、 0+
1.5 Na180.+050.+4.5)i、0で表
わしつる。 これは、下記の実施例に示され、且つ第V図中にも示さ
れる。 実施例2に於て説明したと同様の方法で電解槽中で製造
された臭化ナトIJウムと、後述する臭化トリブチルス
ズの加水分解から得られる臭化ナトIJウムとを酋せて
11直下で加部することによって懺酸及びブタノールと
反LZさせて臭化ブチルを製造Cることがで★る。この
臭化ブチルは蒸留(こよって回収伯ることかできる。 デンドライト状スズ約254臭化テトラブ千ルアンモニ
ウム25チ及び未反応到生物50慢(脱水後)を含み、
且つ実mN1及び2に於て製造されたと同様な電解槽生
成物を実施例1及び2に於て説明したと同様な方法で、
上で得られた臭化ブチルと反応させることかで舎、袖出
分峻後、黄襦色副生掬と、若干のジ臭化ジブチルスズを
伴った主生成物臭化トリブチルスズを含有する炭化水素
抽出物とを生ずる。 実施例1及び2に於て説明したと同様の方法で、黄褐色
側生物を電解してデンドライト状スズと、臭化テトラブ
チルアンモニウムド未反応副生物とを含む槽生成物と水
性臭化すl−IJウムとを製造し得る。 実施例8に於て説明したと同様の方法で、臭化テトラブ
チルアンモニウムを用いて、若干の臭化ジブチルスズと
共に主として臭化トリブチルスズを含む炭化水素抽出物
溶液を精製して、臭化トリブチルスズの炭化水素溶液を
得ることができる。次に、これを水酸化す) IJウム
水溶液と共に攪拌して、ビス(トリブナルースズ)酸化
物の炭化水素溶液と、臭化ナトリウムの水溶液とを得る
ことができる。分1l11dk、この水溶液を臭化ブチ
ル製造用に用いることができる。 TBTOを得るために、臭化水素溶液自体を蒸留するこ
とができる。 電解されるように、本発明は、全体の原1を説明するた
め番こ詳細な説明中で述べられた特殊な具体例のいずれ
か、及び本発明を実施するために必然的に選択された配
列のいずれかに限定されるものではない。本発明方法の
性能を液適化するために、所与の装置の組立、及び構成
に関する条件を変更して使用する。このようにして、陰
極液成分と陽極液成分は勿論、陽極液と陽極液の相対的
な容積は、実際に実施する場合齋こは適当に変更されつ
る。例えば、陽極水溶液杷が、必要なアニオンと伝導率
を供給するのに適切な塩濃度を有する限り、正確に濃度
がいくらであるかは臨界的ではない。同様にして、腐食
されるスズ陽極の大きさと形状は、幾分所望の生成物に
よって決定され、且つ幾分用いられる実際の電解槽の大
きさと配置によって決定されるべき選択の問題である。 史に陽極液が液体、バ即ち、融点以上であるが、分解点
以下の温度)にある限り、電解槽は、多かれ少なかれ、
用いられる特殊な装置に依存する最適条件で機能する。 水酸化ナトIJウム濃度と隔離された陽極隔室中の陽極
の大きさは、所与の系に於て決定されるべき問題であり
、且つ最適反応条件を確立するmにはまったテスト実験
によって可成り変!!されうる。 又、」1こついては、そのような蒸発を償うために予防
手段を講することを作業員が望まないのであれば、@度
は、電解槽の開放頂部からの蒸発の問題を生ずるほどに
高くすべきではない0 既に説明したように、最終約4こ瀘まれる生成物混合物
IこLして、所与の電極4こ対する電流負荷を変更し得
、又所望の全反応時間と所与の系を作動させる際の経済
性に関する明確な計算とに従って、全体の電流負荷も変
更しつる。 更に、上述の各種の実施例に於て示したように、広範な
反応物成分を使用しつる。このようイこして、/1aゲ
ン/スズ錯体を生成させるに当って、任意のハロゲン即
ち塩素、臭素又はヨウ素を使用し得、同様にして、所望
の場合番こは用いられる反フモ物中の“R″として各種
の有機基を用い得る。唯一の必須の要件は、有機“R″
基が本・質的に電解系に対して不活性であり、更に安定
な錯体の形成lこ遣することである。又、上述の各種の
実施例では一般的に第四級又は第三級試薬を用いたけれ
ども、前述のようζこ、類似の機能を有し且つ類似の結
果を与える多酸素化合物と共にアルカリ金属イオン錯体
又はアルカリ土類金属イオン錯体を代替として使用しつ
る。 同様に、CatX に相当するRzQ+基は、Qと共に
複素環構造を形成し、次に四級化される2価のヒドロカ
ルビルユニット又はオキシヒドロカルビルユニットを含
み得る。例えばピペリジニル第四級ハロゲン化物塩を使
用し得る。 水酸化ナトl)ラムは、明らかIこその経済性に基いて
選択されたアルカリであるが、原則として第1.置又は
Iv図のいずれかIこ於て説明した具体例に用いられた
隔離されたliI極陽極室中に、別のアルカリ又は陽極
液を使用しつる。同様番こして、陽極と陰極を構成する
ための物質は、変更し得、且つ選択の問題であって、当
業者(ま、この場合の必須の要件が、基本的lこは、適
切な電解質の伝導率と、用いられる電解質媒質に対する
適切な耐食性とであると!&I繊する。同様に。 電解槽の構成に関する問題は、反応条件に耐える安定な
材料を適切lこ選択することたこすぎない。 本願発明の実施態様を以下に記載する。 (1)前記陽極が非腐食性@極であり前記陽極液がアル
カリ金属ハロゲン化物水溶液であることを特徴とする特
許請求の範囲11項tこ記載の方法。 +21  m記陽極が非腐食性陽極であり、前記陽極液
が、アルカリ金属ハロゲン化物水溶液から放る中間電解
質からイオン交換膜により分離されたアルカリ金属水酸
化物であることを特徴とする特許請求の範囲第1項Iこ
記載の方法。 (3)腐食性金属から成り前記中間電解質のみと!iI
!触している第2陽極Iこも電流を通し、これにより1
itI記腐食性金属を#に極に析出せしめることを特徴
どする前記第2項fこ記載の方法。 (4)前記陽極が腐食性金属から形成されており前記I
I礪液がアルカリ金属ハロゲン化物水溶液であることを
特徴とする特許請求の範囲第1項tこ記載の方法。 (5)前記腐食性金属がスズ又はスズの合金であること
を特徴とする前記第3項又は第4項に4己載の方法。 16)  ハロゲンノスズ錯体が式 %式%( 〔式中、Cat+は正荷電物質、X−は塩素、臭素又は
ヨウ素、dは1又は2、eは1又は2、fは3乃至6で
ある〕 を有するものであることを特徴とする特許請求の範囲r
g1項に記載の方法。 171  Cat  が一般式 〔式中、B基は各々独立した有機基であり、2が4のと
きQはN、P、As又はSb、 zが3のときQi18
又は8e であり得る〕を有するものであることを特徴
とする前記1s6項に記載の方法っ(81J)1、アル
キル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基
、アルケニル基及びアラルケニル基から選択された20
個までの炭素原子を含むヒドロカルビル基を示すことを
特徴とする前記第7項に記載の方法。 (9)  Cat  が、ジグリム、ポリオキシアルキ
レングリコール、グリコールエーテル又はクラウンエー
テルのクラスとアルカリ金属イオン又はアルカリ土類金
属イオンとの一体を示すことを特徴とする前記第6項に
記載の方法。 α] ハロゲノスズ錯体が、スズと有機ノ\ロゲン化物
RX(式中Rは有機基を示す〕と試薬量のCat”X−
との直接反応によりハロゲン化三有機スズを製造すると
きに形成される削生物であることを特徴とする前記第6
項に記載の方法。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明で便用される3電極3相電解槽の概略説
明図、第■図は2電極2相電解槽の概略説明図、第曹図
は2陽極3相電解槽の概略説明図、第■図は電解槽の装
置の具体例の説明図、第v図はスズ元素と有機ハロゲン
化物とのの光れ図を示す。 10.20.41・・・ポリプロピレンタンク(電解槽
)、11,21,47・・・陰極、12・・絶縁導体、
13.24・・・副生物層、14 ・中間電解質、15
・・チャンバ、16,25.34陽極液、17.18,
23.33  ・陽極、19゜22・・フィーダ、30
・・陽也室、32・・イオン交換膜、48・・・スズ陽
極、50・・・ニッケル陽極り′出願人ンifム・ソー
プ・1〜 代理人弁瑠士川  口  義  雄 代厖人升場士今  村    几 手続補正型 昭和58年2月16日 特許庁長官若杉和夫殿 1、事件の表示   昭和58年特許願第753号2、
発明の名称   スズ錯体の電解 3、補正をする者 事件との関係  特許出願人 名 称    マンチェム・リミテッド4、代 理 人
   東京都新宿区新宿1丁目1番14号 山田ビル5
、補正命令の日付   自 発 6、補任により増加する発明の数 7 補正の対象   願書中、出願人の代表者の欄、図
面及び委任状 8、補正の内容 (1)願書中、出願人の代表者を別紙の通り補充する。 (2)正式図面を別紙の通り補充する。 (3)委任状及び同訳文を別紙の通り補充する。 尚、同日付にて本願にWAする優先権主張証明書を提出
致しました。 手続補正型(h式) %式% 1、事件の表示   昭和58年特許願第753号2、
発明の名称   スズ錯体の電解 3、補正をする者 事件との関係  特許出願人 名 称    マンチェム・リミテッド4、代 理 人
   東京都新宿区新宿1丁目1番14号 山田ビル7
、補正の対象   明細書及び図面 8、補正の内容 (1)添附図面中、第1図を別紙朱書の通り第1図と補
正する(内容に変更なし)。 (2)添附図面中、第■図を別紙朱書の通り第2図と補
正する(内容に変更なし)。 (3)添附図面中、第■図を別紙朱書の通り第3図と補
正する(内容に変更なし)。 (4)添附図面中、第■図を別紙朱書の通り第4図と補
正する(内容に変更なし)。 (5〉添附図面中、第V図を別紙朱書の通り第5図と補
正する(内容に変更なし)。 (6)明細書中、第9頁第12行目に[第■図に示す。 第■図に於いて」とあるを、「第2図に示す。第2図に
於いてJと補正する(内容に変更なし)。 (7)明細書中、第10頁第15行目に[第■図1とあ
るを、「第3図」と補正する(内容に変更なし)。 (8)明細書中、第13頁第15行目に「第■図」とあ
るを、「第2図」と補正する(内容に変更なし)。 (9)明細書中、第16頁下から第1行目に「第V図」
とあるを、「第5図」と補正する(内容に変更なし)。 (10)明細書中、第21頁下から第2行目乃至1行目
に1第■、■、■図1とあるを、「第1.3.4図Jと
補正する(内容に変更なし)。 (11)明細書中、第29頁第15行目ニl第1V図と
あるを、[第4図]と補圧する(内容に変更なし)。 (12)明細書中、第29頁第16行目に「第Vl、V
H及び1図」とあるを、「第6.7及び8図」と補正す
る(内容に変更なし〉。 (13)明細書中、第41頁第12行目に[第■図」と
あるを、[第3図1と補正する(内容に変更なし)。 (14)明細書中、第43頁第4行目に「第1図」とあ
るを、「第1図」と補正する(内容に変更なし)。 (15)明細書中、第52頁第4行目にF第■図Jとあ
るを、[第4図Jと補正する〈内容に変更なし)。 (16)明細1中、第54頁第16行目に1第■図」と
あるを、「第2図」と補正する(内容に変更なし)。 (17)明細書中、第55頁第4 tj目に1第■図」
とあるを、[第3図Jと補正する(内容に変更なし)。 (18)明細書中、第76頁第5行目に[第V図]とあ
るを、[第5図Jと補正する(内容に変更なし)。 〈19)明細書中、第76真下から第1行目に1第V」
どあるを、「第5」と補正する(内容に変更なし)。 (20)明細書中、第77真下から第3行目に1−第V
図」とあるを、「第5図」と補正する(内容に変更なし
)。 (21)明細書中、第82頁下から第1行目に1第1、
Ill又は■図1とあるを、[第1.3又は4図Jど補
正する(内容に変更なし)。 (22)明細書中、第86頁第6行目に「第1図」とあ
るを、「第1図」と補正するく内容に変更なし)。 (23)明細書中、第86頁第7行目に「第■図3とあ
るを、「第2図」と補正する(内容に変更なし)。 (24)明細書中、第86頁第8行目に「第■図とある
を、「第3図」と補正する(内容に変更なし)。 (25)明細1中、第86頁第9行目に「第1v図、′
とあるを、「第4図Jと補正する(内容に変更なし)。 (26)明細書中、第86頁第10行目に「第V図」と
あるを、「第5図Jと補正する(内容に変更なし)。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (])水性陽極液内に配置され次陽極と水性電解質に不
    混和性でありハロゲノスズ錯体を含む陽極液に浸漬した
    陰極との間に電流を通過させること、及び、水性#II
    極液又は任意の中間水性電解質と水性電解質不混和性陰
    極液との間に液液界面が形成されており陰極が陽極液又
    は中関水性電′ps貿に接触しないことを%黴とするス
    ズ含有電解質の電解方法。
JP58000753A 1982-01-07 1983-01-06 スズ錯体の電解方法 Granted JPS58181880A (ja)

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GB8200354 1982-01-07

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