JPS58181291A - 高周波加熱装置 - Google Patents

高周波加熱装置

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JPS58181291A
JPS58181291A JP6558682A JP6558682A JPS58181291A JP S58181291 A JPS58181291 A JP S58181291A JP 6558682 A JP6558682 A JP 6558682A JP 6558682 A JP6558682 A JP 6558682A JP S58181291 A JPS58181291 A JP S58181291A
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JP
Japan
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antenna
heating chamber
high frequency
inner conductor
conductor
Prior art date
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JP6558682A
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English (en)
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JPS6243315B2 (ja
Inventor
茂 駒井
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Sanyo Electric Co Ltd
Sanyo Denki Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Sanyo Denki Co Ltd
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Publication date
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  • Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は高周波加熱装置に関する。
現在のこの種装置における高周波供給手段としてはマグ
ネトロンが使用されている。また、斯るマグネトロンか
ら発せられたマイクロ波を加熱室への伝送する手段とし
ては、マグネトロンの出力インピーダンスとのマツチン
グ等の観点から導波管が用いられている。
ところが斯る導波管を用いると装置が大型となるという
問題が生じる。そこで、高周波供給手段から発せられた
マイクロ波を同軸ケーブルで伝送しアンテナ放射により
加熱室内にマイクロ波を供給する方法が提案されている
。このような構成では同軸ケーブルがフレキシブルで、
かつ、導波管より容積が小となるので、装置が小型化で
きる。
しかし、斯る構成において従来提案されているアンテナ
は同軸ケーブルの内導体を加熱室の中へ張出した電界結
合や、ループ状にした磁界結合といった単純な結合方法
のものであった。このようなアンテナでは加熱室内のイ
ンピーダンスが一定のときはマツチングがとれるが、そ
れが変化するとマツチングがとれないという問題が生じ
る。
本弁明は、上記の諸点に鑑みてなされたもので以下図面
に基づいて本発明を説明する。
第1図は本発明の実施例を示し、(1)は加熱室、(2
)は該加熱室内に配されたアンテナ、(3)は該アンテ
ナに接続されたマイクロ波伝送手段としての同軸ケーブ
ル、(4)は該ケーブルを介して上記アンテナ(2)に
マイクロ波を供給する高周波供給手段であり、該手段は
マグネトロンもしくは固体発振器がらなる。
上記アンテナ(2)は第2図に示す如く、内導体(5)
と外導体(6)とからなる同軸線路において外導体(6
)にスIJ 、ト(7)が設けられると共に斯る外導体
(6)の外周面には、金属片(8)(81、、の夫々の
一端が電気的に接続されている。また斯るアンテナ(2
)と同軸ケーブル(3)との接続はアンテナ(2)の内
導体(5)を同軸ケーブル(3)の心線と、外導体(6
)を同軸ケーブル(3)の外径線と夫々電気的に接続す
ることにより行える。また斯るアンテナ(2)は単に同
軸ケーブル(3)を加熱室(1)内に引き込み、外径線
を部分的に除去する(スリットの形成)と共に除去され
なかった外径線に一端が電気的に接続された金属片を装
着するjごけでもよい。
更に斯るアンテナ(2)の他端は、加熱室(1)の内壁
に収着された絶縁性材料からなる冶具(9)により支持
されている。
第6図は同軸ケーブル(3)中をTEMモードでマイク
ロ波か伝送された際のアンテナ(2)における電磁界を
示す。尚図中電気力線及び磁力線は夫々実線及び破線で
ホしである。また図中(1a)は加熱室天面、(1b)
は上記アンテナ(2)と平行に位置する加熱室の一側壁
である。
第4図ム、Bは第6図のA−A断面を示す。図から明ら
かな如く、斯乙部分での電磁界は同軸ケーブル(3)内
と同様に周知の’l’ E Mモードモードとなってい
る。つまり電気力線は内導体(5)から外導体(6)に
向って放射状に存在し、磁力線は内導体(5)を中心と
して同心円状に存在する。従ってエネルギーは外導体(
6)内に存在することとなる。
第4図Bは第6図のB−B断面斜視図を示す。
内導体(5)が露出している場合(ス!J 、 ト(7
1部分)には、斯る部分での電磁界は電気力線が内導体
(5)から天+fi(1−)及び−側壁(1b)に夫々
直交するように存在する平行2線モードとなる。従って
電気力線が直交する面(以下イメージ線路00)とする
)と内導体(5)との2線内にエネルギーが存在するこ
ととなる。
ところがアンテナ(2)のインピーダンスは不連続であ
るため内導体(5)とイメージ線路α0)との間に発生
する電磁界に乱れが生じ、また斯る電磁界は外導体(6
)に装着された金属片(8)で発生する電磁界と結合す
る。この結果、金員片(8)での電磁界は放射モードと
なり、アンテナ(2)より加熱室(1)内にマイクロ波
エネルギーが発振されることとなる。またこの時、放射
されるマイクロ波の指向方向は上記金属片(8)(8)
・・・の延在方向と一致する。
本発明音の実験によれば上記金属片(8)(81・・・
の長さl、によって加熱室(1)とアンテナ(2)との
インピーダンスマツチングが変化することが確認された
例えば加熱室(1)として寸法が幅L 1= 375 
mm1奥行tz=414mm、高さta = 248 
mmのものを用い、アンテナ(2)としては第2図に示
す如く内導体(5)の直径’r 1 ”” 3 m m
、外導体(6)の直径T2ニアmm、スリット幅B 1
 = 23 m m 。
スリット間隔B2 ”’ 60 m m (各外導体の
延在方向の長さ)のものを用い、上記金属片(81(8
)・・・の長さLを15mm、3[1myr+、 6[
jmmとすると共に加熱室(1)内の負荷(水)を50
0CC11t、2Lとしてインピーダンスマツチングを
調べた。
向このときのマイクロ波の波長は約2450MI(2で
あった。
第5図は斯る実験結果を示すスミスチャートであり、図
中○印は負荷が500CCのとき、Δ印は負荷が1tの
とき、X印は負荷が2tのときを示す。
第5図から明らかな如く、金属片(8)の長さがL−3
3mmのとき負荷が変動しても定在波比V。
8−4以内の範囲でマツチングがとれることが判った。
斯る定在波比v、s=4以内でのマツチングとは実用的
なマツチングであり、かつ従来の導波管による給電の場
合と同程度のマツチングである。
験によれば発振波長の1/4波長の長さにしたとき最も
インピーダンスマツチングが良好となるという結果が得
られている。
また、上記アンテナのスリット幅B1、スリ。
ト間隔B2は加熱室(1)とのインピーダンスマッチン
グにより決めればよく、上記実施例寸法に限るものでは
なく、かつ金属片(8)からのマイクロ波放射を均一に
なすべく、1つのアンテナにおいてスリット幅B1及び
間隔B2を変化させてもよい。
更に本実施例ではアンテナ(2)を加熱室(1)の天面
(1a)と−側壁(1b)とで構成されるコーナーに近
接配置したが、これに限るものではなく配設位置1こ限
定はない。しかし、このようにコーナーに配設すると加
熱室の有効体積を広くとることができ、かつコーナーリ
フレクタ効果によりマイクロ波エネルギーを加熱室の略
中央に集中させる1ことも可能である。
更に、本実施例の全ての金属片(8)の延在方向は加熱
室底面の略中央に向っているが、アンテナ(2)から放
射されるマイクロ波は上記金属片(8)の延在方向に指
向性を有しているので各金属片(8)の延在方向を異な
らしめて種々の指向性を有したマイクロ波を放射させ、
加熱室内の電界分布を均一にすることも可能である。
また、同軸線路の内導体(5)と外導体(6)とは通常
低誘電物質、例えばプラスチックにより相対的に固定さ
れているが、外導体(6)を内導体(5)を中心に回転
自在に装着してもよく、このように構成しtこ場合、調
理の種類によって加熱室(1)奢こ対して相対的に金属
片(8)(8)・・・の延在方向を変化させることが可
能であるので、調理の種類にあった電界をつくることが
でき大変便利である。
以上の説明から明らかな如く、本発明の高周波加熱装置
では負荷の変動に対しても良好なインピーダンスマツチ
ングがとれ、かつアンテナ給電であるので装置自体も小
型化できる。
【図面の簡単な説明】
第1図乃至第5図は本弁明の実施例を示し、第1図は斜
視透視図、第2図及び第6図は要部拡大斜視図、第4図
ムは第6図のムーA線断面図、第4図Bは第6図のB−
B線断面斜視図、第5図はスミスチャートである。 (1)・・・・・・加熱室、(2)・・・・・・アンテ
ナ、(4)・・・・・・高周波供給手段、(5)・・・
・・・内導体、(6)・・・・・・外導体、(7)・・
・・・・スリ ット、(8)・・・・・・金属片。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)加熱室、該加熱室内に配設されたアンテナ、該ア
    ンテナを介して加熱室内にマイクロ波を供給する高周波
    供給手段を具備せる高周波加熱装置において、上記アン
    テナは同軸線路からなり、その外導体にスリットが形成
    されると共に、上記外導体外周面には金属片の一端が電
    気的に接続されたことを特徴とする高周波加熱装置。
JP6558682A 1982-04-19 1982-04-19 高周波加熱装置 Granted JPS58181291A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6558682A JPS58181291A (ja) 1982-04-19 1982-04-19 高周波加熱装置

Applications Claiming Priority (1)

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JP6558682A JPS58181291A (ja) 1982-04-19 1982-04-19 高周波加熱装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS58181291A true JPS58181291A (ja) 1983-10-22
JPS6243315B2 JPS6243315B2 (ja) 1987-09-12

Family

ID=13291253

Family Applications (1)

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JP6558682A Granted JPS58181291A (ja) 1982-04-19 1982-04-19 高周波加熱装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018168356A1 (ja) * 2017-03-14 2018-09-20 富士通株式会社 マイクロ波加熱装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018168356A1 (ja) * 2017-03-14 2018-09-20 富士通株式会社 マイクロ波加熱装置
JP2018152275A (ja) * 2017-03-14 2018-09-27 富士通株式会社 マイクロ波加熱装置

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JPS6243315B2 (ja) 1987-09-12

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