JPS58178333A - 情報を有するフイルムを使用するカメラ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はｍ報を有するフィルムを使用するカメラ特にそ
れに用いられる記憶装置に関するものである。

フィルムのパトローネあるいはフィルム自身にそのフィ
ルム特有の各稗情報たとえばＡ８Ａ感度等を付与させ、
その情報を押開に先立ってカメラ側の装置が検出して１
出条件等のＶ定を自動的に行なわせる事が考案されてい
る・。これによねそれまで手動で設定していた事による
炉雑さ、あるいは設定のｖｂが解消されるという長所が
見出されている。しかし情報の付与方法によってれ例え
ばフィルムのリーダ一部付折にのみ情報が設けられてい
るものＫついては、フィルム装＄％の空巻取シ時にのみ
情報が検出されるものであるため、その情報は何らかの
手段により記憶されておく必要があった。

その記憶方法セしてれ梗・械的手段と電気的手段に分け
られる。

しかし枦械的手段については機構がＩｖ綽となってスペ
ース上の間距があシ、電気的手段のうちＥｍ　Ｂ　＠　
ＲＯＭ　（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ　Ｅｒａｓａｂｌ
ｅ　ＲＯＭ　）を使用した場合大容量の記憶がＩＣによ
って可能となる長所はあるが、書込み消す時に高電圧電
源が必要となるため、カメラ内ｙｗ、源を昇圧しなくて
はならないので回路が複離になる欠点があった。

本発明はこれらの欠点を解決し、ｖｗ雑な回路構成を必
要とせずに書込み、統取シの可能な不揮発性記憶手段を
有するカメラを得る事を目的とする。

第１図は本発明に使用する情報が付与されたフィルムの
１例である。バトｐ−ネ（１）よシ引き出された。フィ
ルム（２）のリーダ一部にパーフォレーション（３）と
これと同一ピッチでかつパーフォレージ日ン（８）間に
、情報孔（４）があけられ、この情報の表現は孔の有無
なｒｌＪ　　ｒＯＪに対応したパイヤリュードでなされ
ている。情報孔（４）中最初の情報孔（４ｍ”）は情報
の存在の開始位置を、また最後や情報孔（４１）は情報
の終了位置を示す。この２つの情報孔（４ａ）、（４１
）は必ずせん孔されておシ、カメラ側の検出回路は情報
孔（４ｍ）、（４１）の検出によシ、フィルム情報読取
りの開始、終了を制御すれば良い。

情報孔（４ｂ）〜（４ｈ）の内容は、まず（４ｂ）〜（
４Ｃ）の４ビツトにより１６種類のフィルムＡ８Ａ感度
情報、（ｆｆ）、（＋ｇ）の２ビツトにより４稗類のフ
ィルム押彰可能ｙｉｈ数、残りの（＋ｈ）の１ビツトに
よりディライト等のフィルムタイプ信号を表わしている
。

第２図は第１図に示した情報孔（４）の抄出方法の一例
を示す。不図示のカメラに装填し、リーダ一部をスプー
ル（６）の不図示の溝に差し込み不図示の竣上げレバー
にて巻き上げる。そうするとフィルム（２）をはさＸ７
で設置されたＬＥＤ（６）とフォトダイオード（ア）の
光路中心をフィルム（２）が矢印方向に移動するのに伴
ってバー７オレーシ冒ン（３）と情報孔（４）とが光を
断続させることになる。一方ＬＥＤ　（８）とフォトダ
イオード（９）の光路は、パーフォレーション（３）の
みによって断続されるようになっている。

この時のフォトダイオード（７）、（９）の出力を用い
て適宜信号処理を行なうとそのフィルムに付与されてい
る情報がカメラ側で使用できうる信号形態となって得ら
れる。

第８図に本発明に対応するカメラ回路をブロック図で示
した。スイッチ回路（２４）に含まれる電源スィッチの
投入により電瀝投入回路（２５）が作動して電源出力（
２６）が全回路に給電を行ないカメう回路が作動を開始
する。

被写体輝度に応じた光電流を発生するフォトダイオード
（１１）が接続される側光回路（１２）は輝度情報を、
絞り情報回路（１３）は選択された絞り値に対応した情
報を、シャッタ情報回路（１４）は選択されたシャッタ
ｉｌ＆に対応ｔ、　＊−情報を、モード情報回路（１６
）は絞り優先モード等のどの拌影モードが選択されてい
るかのｆｆｌ＠を演算回路（１６）に入力する。

演算量１％（１６）は以上の情報入力信号と後述のフィ
ルムＡＳＡ感度信号を涜算し、まず表示回路（２３）に
信号を出力してファインダ内等に１出情報を表示する。

次にスイッチ回路（２４）内のレリーズスイッチを投入
すると駆動回路（１７）によりレリーズスイッチ）（１
８）が通電され罪光機構の動作が開始される。また演１
Ｎ蕾に基いた適正旅先が行なわれるように駆動回路（１
９）は絞りマグネット（２０）の通電を制御して絞シ値
の設定を、また駆動回Ｍ（２１）はシャッタマグネット
（２２）の通電を制御してシャッタタイムの設定を行な
う。

なお電気計時の開始等のタイミングはスイッチ回Ｍ（２
４）中のシーケンススイッチが＊＊部Ｎ（７）作動に伴
ってＯＮあるいは０ＦＦＩ、、これが演算回路（１６）
に伝達されることで制御される。

次にフィルム情報の検出は次のように行なわれる。１ず
フィルムを装填して裏戸を閉じ、フィルムの給送を開始
すると読敞シ開始スイッチ（３３）がＯＮしてゲート回
Ｍ（３２）が信号を出力する。この信号により電冴回芹
（３１）が発光−増幅回路（２７）に給電を行なってＬ
ＢＤ　（６）は発光し、フォトダイオード（７）はその
光を受ける。この時にはフィルムは給送中であるので、
パーフォレーションと情報孔がＬＥＤ（６）、（８）と
フォトダイオード（７）、（９）の光路をさえぎって発
光増幅回路（２７）はパーフォレーション信号と情報孔
信号を順々に次段に伝達する。

別 弁斯回路（２８）は順々に入力されるパーフォレーショ
ン信号と情報召信号を分離し、カウンタ回路（３０）、
デ１−ダラッチ回路（２９）に転送する。カウンタ回路
（８０）は情報孔の開始信号が入力されてから、情報孔
が存在しなくなるまでのパーフォレーション数に若干の
余裕を加算した数にまで達するとゲート回路（３２）に
信号を送り電源回路（３１）を制御して発光・学帽回路
への通電を停止してｍ署読取り後の不用な電流消費を抑
える。

デフーダ・ラッチ回路（２９）は情報孔信号をいったん
ラッチしておき、カウンタ回路（３ｏ）の出力にてメモ
リ回路（８４）にデータを転送する。ここでカウンタ回
路＜３ｏ＞はパーフォレーションの数を情報孔の開始信
号が入力されてから一定数計数しているが、これは電源
口Ｍ（３１）による給電停止のタイミングが早すぎては
ならないために正確な情報孔の入力が必要であるからで
ある。

メモリ回路（３４）にはこのようにしてフィルム情報が
記憶されているが、その中のＡＳＡ＄度信号、押影可能
駒数、フィルムタイプ情報はそれぞれｆＪｇ１メモリ部
（３４ｍ）、第２メモリ部（３４ｂ）、第３メモリ部（
３４ｃ）に記憶されている。第１メモリ部（３４ｍ）の
ＡＳＡ感度情報出力（３５ｍ）は演算回路（１６）に転
送されて前述の演算の一パラメータとして使用される。

また第２メモリ部（ａ＋ｂ）、第２メモリ部（３４ｃ）
のｐ数情報出力（３５ｂ）、タイプ情報出力（３６Ｃ）
も不図示の回路に出力され相応の用途に用いられる。

第４図に本実施例に使用するメモリセルの構造と動作を
模式的に示す。ｆ４図（ａ）〜（ｄ）はこのメモリセル
を断面図で衷わしてあり、端子（４０）はセルを円筒状
に包む外固電野（４０ｓ）と電気的に導通しており、円
筒の片端は給しシール（４８）によシ密封され内部には
１ｗ１Ｗｌ液（４２）が充填されている。シール（４３
）を貫逆して端子（４１）が設けられ、電解液（４２）
と端子（４１）の中心電極部（４１ｍ）は接触している
。

第４図（ｂ）はメモリセルの端子（４０）ｌ／ｒ正電位
、端子（４１）に会電位を印加した時の動作と示す。両
側子の電位差によって電解液（４２）は分極して電流が
流れ電解液（４２）中の外周電極（４０ｍ）上にセット
されていた金属が中心電極部（４１ｍ）に拡散移行して
中心電極（４１ａ）上に再び金属（４３）となって蓄積
されて行く。

この動作は電気メッキと同様の原理であるため金属の蓄
積量は電流値と時間の積によって定寸る。

通電を続けると第４図（ｃ）の如く蓄積量が鉛相するが
こ、！Ｄ徒図示のように電位差を逆転させて定電流を流
すと端子（４０）、（４１）間の抵抗値は非常に小さい
ものとなる。この電流の面角は蓄積された金属を再び元
の所に戻す働きをすることになるが電流値が小さければ
移行１は無視できる。

次に第４図（ｄ）に示すように第４図（Ｃ）と同方向に
かつより大きな電流を流すと蓄積されていた金Ｊｉｍ（
４３）は再び電解液（４２）中に拡散して行き、外周電
極（４１ｍ）上に再びセットされるこの徒弟４図（Ｃ）
での記述と同様の定電流を流すと端子（４０）（４１）
間の抵抗値は廃析抗を示す。一般に外周ｗＷｌ（４０ｍ
　）は鉗、中心電％（４１ｍ）は金が多く用いられてい
る１、以上のようにこの素子をメモリとして使用するに
は寸ず端子（４０）から端子（４１）の方向に電流を流
す事で情報の消失がなされ、情報を書き込む場合には端
子（４１）から端子（４０）の方向に電流を流すことで
行なう。また記憶情報の読み出しけ書き込みの場合と同
方向にかつ微少電流を流してその電位をモニタする率で
可能となり、不揮発性のメモリ素子とし２て使用するこ
とができる。第４図（ｅ）はこのメモリセルの記号であ
る。

！ 第５図に第４図で説明し、たメモリセルを一個並べて情
報の消去、書込み、請出しに応用した回路の実施例を示
す。消去回路はＥＲＡＳＫ信号とゲー）（０１）・（Ｇ
２）、トランジスタ（ＴＲ２）（ＴＲａ）、←ｒ等のダ
イオード（Ｄ）により＄喰される。書込み回路はＷＲＩ
ＴＥ信号と第３図のデフーダ・ラッチ回路からの為のデ
ータ入力（Ｄ？Ｌ　　　　　　　　　ガ １）〜（Ｄｉ−ａ　）　、ｙ＞のトランジスタＦ（律５
）、トランジスタ（ＴＲ４）・（ＴＲ６）、ゲート（０
４）・（Ｇ５）によシ！Ｐ−膚される。

読出し回路は、ＲＥＡＤ信号、ラッチ信号、ゲー）（０
３）・（Ｇ４））ランジスタ（ＴＲ１）・（ム ＴＲ４）、Ｍ個の定電流回路群（ＣＣ）、←♂物のバッ
ファ・ラッチ回路群（Ｂ）により構成され、記憶情１！
７４は、（Ｑｌ）〜（Ｑｓ　１）の出力にて取シ出され
る。

次に動作について説明する。

オず消失の場合にはＥＲＡＳＥ信号をＬ　、ＲＥＡＤ信
号とＬ　、ＷＲＩＴＥ信号なＬに設定する。この条件に
よシゲート（Ｇ１）・（Ｇ２）を介［７てトランジスｐ
（Ｔ　Ｒ２）（ＴＲ３）（７）みがＯＮとす）、メモリ
セルの外周電極から中心電接に電流が流れて第４図での
作動の如く、それまでの記憶情報がすべて消去され待機
状態になる。この時トランジスタ（ＴＲ１）がＯＦＦで
あることによシ定電流回路（ＣＣ）は動作せず、またト
ランジスタ（ＴＲ６）もＯＦＦであるためトランジスタ
（ＴＲ５）４動作し７ない。

次に記憶情報の書込みの場合にはＥＲＡＳＢ信号を）（
、ＲＥＡＤ信号＆Ｌ、ＷＲＩＴＥ信号２！Ｈに設定する
。この条件によシゲー）（０５）・（０４）を介してト
ランジスタ（ＴＲ４）−（ＴＲ６）がＯＮとなシ、デー
タ入力（Ｄ１〜Ｄ〜）のＨ２Ｌ信号に従ってトランジス
タ（ＴＲ５）がｉｌ択的にＯＮとなって、トランジスタ
（ＴＲ５）と直列に接続されたメモリセル群（＋＋）Ｋ
、１１択的に通電がなされ、第４図での作動が行なわれ
、この情報は次の消失が行なわれるまで保持される。こ
の時にもトランジスタ（ＴＲ１）がＯＦＦであるため定
電流回路（ＣＣ）は作動しない。

次ｋＥｆｌ情報の読出しの場合にはＢＲＡＣＢ信号をＨ
，ＲＥＡＤ信号をＩ（、Ｗ］’１ＩＴＥ信号をＬに設定
する。この条件によシゲート（Ｏｓ）・（０４）によっ
てトランジスタ（ＴＲ１）・（ＴＲ４）がＯＮとなり、
定電流回路（ＣＣ）は作動して微小電流がメモリセルに
流れる。前述の書込み時に電流が流れたメモリセルは、
低抵抗を示すのでバッファ・ラッチ回路（Ｂ）にはＬの
信号を出力し、電流の流れなかった〆そリセルは高抵抗
を示すのでバッファ拳ラッチ回路（Ｂ）にはＨの信号を
出力する。

ここで定電流回路（ＣＣ）の電流値は微少なものに設定
しであるが長時間流しつづけると、情報の書込みと同様
の作用をしてしまう可能牲があるので、ＲＥＡＤ信号を
Ｈにする読出し期間は短かいものにするためその間にラ
ッチ信号を加えて、読み出した記憶情報をバッファ・ラ
ッチ回路（Ｂ）はいったん記憶する作動をする。一般に
読出しはカメラの電源を投入した時にのみ行なえば良い
のでＲＥＡＤＩ号、ラッチ信号はそのタイミングで発生
するようにすれば良い。

本実施例では読出し時にのみ定電流を流し、消去、書込
み時にはトランジスタのスイッチングによる電圧を印加
する例で示したが、それら三種のモードすべてを定電流
電源で駆動する方法でも良い。ただし書込時と消去時は
、電流値を大きくする必要がある。

本メモリセルは電気、化学反応の現象を応用したもので
あるので本質的に温度によって反応連産が変化する。こ
の影響が無視できない状況下で使用する場合には定電流
に濃度特性を持たせ、低温時には電流値ｔ゛大きく、高
温時にはその逆となるようにすれば温度の影軒を解消す
ることができる。

第６図に本発明に使用する電気化学的記憚素子の別の実
施例を示す。

第６図（−）に示すように外筒（６３）に第１電１１（
５０）が、シーＡ（５４）（５５）ｋ’Ｊ！２電極（５
１）、＠：ａ電謬（６２）が支持され、３本の電衝が共
に内部の電解液（５６）中に浸されている。なお第ａＩ
Ｉ極（５２）はｉ示のように先ｍが第２電１ｉ（５１）
に抄近する形状となっている。ここで第１電極（５ｏ）
を正、第２電擾（５１）を負となるような電Ｗを印加す
ると電解液（５６）中の金属イオンが負である第２電極
（６１）上に金属（５７）として第６図（ｂ）に示すよ
うに析出する。電圧印加の時間と流れる電流値を充分大
きく設定すると析出した金属（５７）は第ａ電＃（５２
）の先端をも包含してしまうため第２電！（５ｔ）と第
３電極（６２）とは電気的短ＩＰ？９Ｍとなる。以上の
作動が情報の書込みに相当し、またこの金Ｊｌｌ（５Ｆ
　）は析出後印加電圧を除いてもこの状態を保つので第
２電１ｉ（ｓｌ、）と第３電ｆ１（δ２）とは端絡状態
を保つ。

この状態を元にもどす場合すなわちｍ失するには第１電
響（５０）に食、第２電極（５１）ＩＣ正の電圧を印加
する。この逆電圧によって析出していた金属（５７）は
再び電解液（５６）中にイオ除いてもこの伏態は変化し
ない。

以上のようにして情報の書込み、消去はｊｌｌ１４図で
の素子と同様にして行なわれ、かつ書込まれた情報は不
揮発性を示す６ｔた書込まれた情報を訣出すには第２電
極（５１）と第８電極（５２）間の抵抗値あるいは電流
と流すことができるか否かを検出すれば良い。なお読出
し時には第１電箒（６０）は、開放しておくことが必要
である。これは読出し時に第２電極（ｅｌｌ）あるいは
第ａ電極（５２）と第１電１１（５０）間に消去あるい
は書込みに相当する電圧が印加されて書込まれた情報が
損なわれる事を防ぐためである。またこの時には第２電
極（６１）から第８電極（６２）の方向に電流を流して
読出す事も必要となる。これは金属が析出している時に
は金属内を電流が流れるので問題は無いが析出していな
い場合にこの逆の電流が流れるとあたかも第ＳＷ極（５
２）が第１電極（５０）としての働きをして金属を析出
してしまう事になるからである。このような電位差に留
意すれば第５ｖ！Ｊで示したような読出し時のラッチ動
作は必要なくなシ、より簡単な回路構成となる。

上記メモリセルはデジタル信号の記憶のみでなく、書込
み時の電流値と書込み時間を制御することにより高抵抗
と低抵抗の中間の抵抗値をもたらすことでアナログ量の
記憶も可能である。

この作動を利用した実施例を第７図に示す。作動方法は
第６図での実施例とほとんど同じであり、まずＢＲＡＳ
Ｅ入力によシスイツチング回路（１０７）が作動してト
ランジスタ（１０６）・（１０８）がＯＮ　ｌ、てメモ
リセル（４５）に電流を流して１それ寸での記憶情報と
消失する。この＃検出回路からの入力をデフーダ（１０
１）がデフードし終ると共にＷＲＩＴＥ入力によりスイ
ッチング回路（１０９）・（ｔ　Ｏ２）、ＯＲ＠路（１
１０）が作動して、トランジスタ（１１１）とデ１−ダ
（１０１）出力によシスイツチング回路（１０２）を介
して選択的にトランジスタ群（１０３）をＯＮにして定
電流＠ｊ！（１ｏ４）からの電流をメモリセル（４５）
に流ス。ｆたメモリセル（４５）Ｋ流れる電流量は選択
的にＯＮ＋なったトランジスタ（１０１）すなわち投入
される定電流回路（１０４）の和に比例し、かつＷＲＩ
ＴＥ入力の投入される時間も一定であるとする。メモリ
セル内の反応は上記の二条件、電流と時間の積に比例す
るのでこの条件を制御することで記憶される抵抗値が定
まるのである。

この例では記憶する情報をＡＳ人感度として、これが低
いほど投入される定電、波回路（１０４）の数は少なく
して、メモリセル（４５）の抵抗値を低く設定し、逆に
Ａ８Ａ感度が高いほど投入される定電流回路（１０４）
の数を多くしてメモリセル（４５）の抵抗値を高くする
と仮定する。以上のようにして検出されたフィルム情報
に基いて人８Ａ感度がメモリセル（４５）の抵抗値によ
りアナログ配憶がされる。

次に記憶情報を読み出す場合にはＲＦｉＡＤ入力を投入
する。この信号でスイッチング回路（１１４）、ＯＲ回
路（２０）が作動して、トランジスタ（１０５）・（１
１１）をＯＮする。これによね微少定電流回路（１１５
）からの定電流がメモリセル（４５）を流れることで記
憶されていたＡＳＡ感痩情報が電圧に変換されてバッフ
ァ（１１８）を介して算出演算回路に出力される。

ここでもやはシ定電流回路（１１５）の出力を微少電流
とし九のは、メモリセル（４５）の記憶情報を破壊する
ことの無い読出し回路を得ることが目的である。従って
バッファ（１１３）の入力もＦＩＴ等を用いた高入力イ
ンピーダンス入力である方が望ましい。

またバッファ（１１３）の出力を直接演算回路に伝達す
る場合には演算回路もアナログ式である方が簡略な構成
となるが、バッファ（＄１３）出力を人／Ｄ変換器によ
ってデジタル値に変換すればデジタル式演算回路にも対
応させる事が容易である。

以上のように本発明によれば複雑な機構・回路を必要と
する事なく不揮発性の記憶が可能となる利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例に使用するフィルムの斜視図、
第２図は第１図のフィルムめ情報を検出する部分の斜視
図、第８ぼけ同実施例のカメラの電気回路のブローク図
、ｓ４図は同実施例に使用するメモリセルの構造及び作
動の説明図、第６図は第４図に示したメモリセルを駆動
する実施例の回路図、第６図は第４図で示したメモリセ
ルとけ別の実施例によるメモリセルの構造及び作動説明
図、そして第７図は第４図に示したメモリセルの別の実
施例の回路図である。 〈主要部分の符号の説明〉 検出手段・・・２７．２８ 記憶手段・・・２９．３４ 電気化学的記憶素子・・・（０〜４５．５０〜６７オ′
２図 ／ｌ′３図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 フィルムのリーダ一部付近に付与された情報を検出する
   手段と、該検出手段からの検出情報を記憶する手段とを
   有するカメラにおいて。 前記記憶手段は、前記検出情報をマ、気化学的記憶繁子
   １（記憶することを特１１をするｆｆ！報を有するフィ
   ルムを使用するカメラ。