JPS58178322A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
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- JPS58178322A JPS58178322A JP57061081A JP6108182A JPS58178322A JP S58178322 A JPS58178322 A JP S58178322A JP 57061081 A JP57061081 A JP 57061081A JP 6108182 A JP6108182 A JP 6108182A JP S58178322 A JPS58178322 A JP S58178322A
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- JP
- Japan
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- liquid crystal
- films
- film
- display element
- crystal display
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133345—Insulating layers
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は無表示状態の透明導電膜の電極パターンが目に
つき難く、高表示品質、高信頼性で、しかも高時分割に
好適なツイストネマチック（ＴＮ）形液晶表示素子に関
する。
つき難く、高表示品質、高信頼性で、しかも高時分割に
好適なツイストネマチック（ＴＮ）形液晶表示素子に関
する。
第１図は従来の液晶表示素子の例を示し、１゜１ａは偏
光軸が互いに直交する偏光板、２はガラス基板、３はＳ
ＩＯ，膜、４．４ｍは配向方向がそれぞれ偏光板１．Ｉ
Ｊｌの偏光軸に平行な配向膜、５はネマチック液晶、６
は電極用透明導電膜である。配向制御法が斜方蒸着法の
場合には、配向膜材はＳ１０あるいはＳｉｎ、が主流で
あったが、斜方蒸着法は生産性が低いため、現在では配
向膜材として配向性良好なポリイミド等の有機物を用い
、これに配向制御法としてラビング法（布等で配向膜面
上を一方向にこする）を施して配向させることが通常と
なった。しかし第１図に示した従来の液晶表示素子では
、有機配向膜の厚さにより下記の様な影響を受ける。す
なわち膜厚を厚くすると有機配向膜の材質によっては無
表示時の透明導電膜６のパターンが目につき難くなり１
表示品質は良くなるが、時分割特性は悪くなる。逆に膜
厚を薄くすると時分割特性は向上するが透明導電膜６の
電極パターンが非常に目につきやすくなり、かつ配向膜
の絶縁性が低下して、上下電極間の短絡不良が増加し、
通電寿命も劣化する。以前の如く配向膜材が８１０ある
いはＳ ｉ Ｏ，の様な無機物の場合は、時分割特性お
よび絶縁特性を良好に保てるが、配向不良が発生しゃす
く配向の安定性に問題があり、透明導電膜の電極パター
ンが目につ針やすくなる欠点もでる。この場合、透明導
電膜の厚さを例えば３００Ａ以下にすれば、電極パター
ンは比較的目立たなくなるが、電極の電気抵抗が増大し
、高時分割で高周波数で駆動する際には時分割特性が劣
化することＫなる。いずれにしても第１図に示すような
従来の液晶表示素子では、時分割特性、配向の安定性、
配向膜の絶縁性等を良好に保持しながら、同時に透明導
電膜電極パターンを目につき難くすることは不可能だっ
た。
光軸が互いに直交する偏光板、２はガラス基板、３はＳ
ＩＯ，膜、４．４ｍは配向方向がそれぞれ偏光板１．Ｉ
Ｊｌの偏光軸に平行な配向膜、５はネマチック液晶、６
は電極用透明導電膜である。配向制御法が斜方蒸着法の
場合には、配向膜材はＳ１０あるいはＳｉｎ、が主流で
あったが、斜方蒸着法は生産性が低いため、現在では配
向膜材として配向性良好なポリイミド等の有機物を用い
、これに配向制御法としてラビング法（布等で配向膜面
上を一方向にこする）を施して配向させることが通常と
なった。しかし第１図に示した従来の液晶表示素子では
、有機配向膜の厚さにより下記の様な影響を受ける。す
なわち膜厚を厚くすると有機配向膜の材質によっては無
表示時の透明導電膜６のパターンが目につき難くなり１
表示品質は良くなるが、時分割特性は悪くなる。逆に膜
厚を薄くすると時分割特性は向上するが透明導電膜６の
電極パターンが非常に目につきやすくなり、かつ配向膜
の絶縁性が低下して、上下電極間の短絡不良が増加し、
通電寿命も劣化する。以前の如く配向膜材が８１０ある
いはＳ ｉ Ｏ，の様な無機物の場合は、時分割特性お
よび絶縁特性を良好に保てるが、配向不良が発生しゃす
く配向の安定性に問題があり、透明導電膜の電極パター
ンが目につ針やすくなる欠点もでる。この場合、透明導
電膜の厚さを例えば３００Ａ以下にすれば、電極パター
ンは比較的目立たなくなるが、電極の電気抵抗が増大し
、高時分割で高周波数で駆動する際には時分割特性が劣
化することＫなる。いずれにしても第１図に示すような
従来の液晶表示素子では、時分割特性、配向の安定性、
配向膜の絶縁性等を良好に保持しながら、同時に透明導
電膜電極パターンを目につき難くすることは不可能だっ
た。
本発明の目的は、時分割特性、配向の安定性および配向
膜の絶縁性を良好に保持し、しかも同時に透明導電膜電
極パターンが目にっき難いよ５にした液晶表示素子を提
供することにある。
膜の絶縁性を良好に保持し、しかも同時に透明導電膜電
極パターンが目にっき難いよ５にした液晶表示素子を提
供することにある。
上記目的を達成するために本発明においては、ガラス基
板内面（液晶側）Ｋ、まず透明導電膜電極パターンの有
無による局部的な反射率、屈折率の差の影響を緩和する
下地膜を設け、更にその上に順次、透明導電膜、この導
電膜を覆い絶縁を確保するｓｌｏ、膜、薄い有機配向膜
を設けた。
板内面（液晶側）Ｋ、まず透明導電膜電極パターンの有
無による局部的な反射率、屈折率の差の影響を緩和する
下地膜を設け、更にその上に順次、透明導電膜、この導
電膜を覆い絶縁を確保するｓｌｏ、膜、薄い有機配向膜
を設けた。
第２図は本発明の一実施例を示し、図中、７はＴｉ と
Ｓｌの酸化物よりなる下地膜、８は電極装置な有機配向
膜で、その他の符号は第１図の場合と同様である。有機
配向膜材は極めて多種類あるが一般的にはポリイミド系
高分子材料が液晶の配向の安定性において特に優れてい
る。
Ｓｌの酸化物よりなる下地膜、８は電極装置な有機配向
膜で、その他の符号は第１図の場合と同様である。有機
配向膜材は極めて多種類あるが一般的にはポリイミド系
高分子材料が液晶の配向の安定性において特に優れてい
る。
ポリイミド系高分子材料の原料成分は、ジアミンとして
例えば、４．４′−ジアミノジフェニルエーテル％ｐ−
フェニレンジアミン、ｍ−７，ニレンジアミン、４．４
−メチレンジアニリン％ ４゜４−スルホニルジアニリ
ン、３．３−スルホニルジアニリン、３．３−カルボニ
ルジアニリン、ビス（４−（ｐ−アミノフェノキシ）フ
ェニルフェーテル、ビス（４−（ｐ−アミノフェノキシ
）フェニルコメタン、ビス（４−（ｍ−アミノフェノキ
シ）フェニル）スルホン、ビス（４−（Ｐ−アミノフェ
ノキシ）フェニル〕スルホン、ビス〔４−（ｐ−アミノ
フェノキシ）フェニル〕プロパンが、ジカルボン酸無水
物として例えば、ピロメリット酸二無水物、ベンゾフェ
ノンテトラカルボン酸二無水物、３ 、３ 、４ 、４
’−ジフェニルテトラカルボン酸無水物、２．２’、３
．３−ジフェニルテトラカルボン酸無水物、２ 、２
、３ 、３’−ジフェニルテトラカルボン酸無水物など
が主成分として用いられる。
例えば、４．４′−ジアミノジフェニルエーテル％ｐ−
フェニレンジアミン、ｍ−７，ニレンジアミン、４．４
−メチレンジアニリン％ ４゜４−スルホニルジアニリ
ン、３．３−スルホニルジアニリン、３．３−カルボニ
ルジアニリン、ビス（４−（ｐ−アミノフェノキシ）フ
ェニルフェーテル、ビス（４−（ｐ−アミノフェノキシ
）フェニルコメタン、ビス（４−（ｍ−アミノフェノキ
シ）フェニル）スルホン、ビス（４−（Ｐ−アミノフェ
ノキシ）フェニル〕スルホン、ビス〔４−（ｐ−アミノ
フェノキシ）フェニル〕プロパンが、ジカルボン酸無水
物として例えば、ピロメリット酸二無水物、ベンゾフェ
ノンテトラカルボン酸二無水物、３ 、３ 、４ 、４
’−ジフェニルテトラカルボン酸無水物、２．２’、３
．３−ジフェニルテトラカルボン酸無水物、２ 、２
、３ 、３’−ジフェニルテトラカルボン酸無水物など
が主成分として用いられる。
次に有機配向膜の膜厚と時分割特性との関係について説
明する。液晶表示素子の電気光学特性は第３図に示す測
定系により測定する。図中、液晶表示素子１０上に示さ
れた集線と破線の矢印はそれぞれ上、下基板配向膜のラ
ビング方向で、視野角方向はｏｙとＣｈとのなす角内に
あり、輝度測定器１１Ｖｃよる測定角度φは液晶表示素
子１００法線ｚｚ’と測定方向とがなす角度でする。
明する。液晶表示素子の電気光学特性は第３図に示す測
定系により測定する。図中、液晶表示素子１０上に示さ
れた集線と破線の矢印はそれぞれ上、下基板配向膜のラ
ビング方向で、視野角方向はｏｙとＣｈとのなす角内に
あり、輝度測定器１１Ｖｃよる測定角度φは液晶表示素
子１００法線ｚｚ’と測定方向とがなす角度でする。
かかる測定系によって測定された典形的な電気光学特性
を第４図に示す。一般に液晶表示素子の時分割特性は１
０″≦φ≦４０＠の範囲で定義される。第４図で、φ＝
４０°の相対輝度が９０％になる電圧実効値をｖｔｈ、
φ−１０°の相対輝度が５０％になる電圧実効値をｖ、
１．とした時、時分割特性βをβ＝■ｔｈ／” ｓａｔ
で定義する。ここでβがＩＫ近付くほど時分割特性が
良い。
を第４図に示す。一般に液晶表示素子の時分割特性は１
０″≦φ≦４０＠の範囲で定義される。第４図で、φ＝
４０°の相対輝度が９０％になる電圧実効値をｖｔｈ、
φ−１０°の相対輝度が５０％になる電圧実効値をｖ、
１．とした時、時分割特性βをβ＝■ｔｈ／” ｓａｔ
で定義する。ここでβがＩＫ近付くほど時分割特性が
良い。
第２図に示した本発明実施例において、有機配向膜９．
９ａの膜厚と時分割特性βとの関に極めて密接な関係が
あることを実験により見出した。
９ａの膜厚と時分割特性βとの関に極めて密接な関係が
あることを実験により見出した。
蔦５図はその実験結果を示すが、有機配向膜の膜厚が小
さくなる忙つれ時分割特性ｌが大きく、すなわち良くな
ることがわかる。従って有機配向膜９．９ａの膜厚は１
００Ａ以下にすることが時分割特性向上のため尤必要で
あるが、膜厚１ｏλ以下になると配向の安定性が失われ
るため、実用上１０〜１００Ａの範囲が好ましい。
さくなる忙つれ時分割特性ｌが大きく、すなわち良くな
ることがわかる。従って有機配向膜９．９ａの膜厚は１
００Ａ以下にすることが時分割特性向上のため尤必要で
あるが、膜厚１ｏλ以下になると配向の安定性が失われ
るため、実用上１０〜１００Ａの範囲が好ましい。
有機配向膜にポリイミド系高分子材以外の有機材料を用
いた場合も、絶対値は多少異なるがほぼ同様な傾向を示
す。
いた場合も、絶対値は多少異なるがほぼ同様な傾向を示
す。
有機配向膜としてシランカップリング剤を用いると極め
て薄く塗布することが容易であり、配向の安定性は若干
低下するが時分割特性を向上させることができる。シラ
ンカップリング剤としては、例えば、一般式がＲ１（Ｒ
’ ） ＳｉＲ３ｍ、 で、Ｘは０．１または２、
Ｒ１は少なくとも１個のシアン基、エポキシ基、アルコ
キシ基または少なくとも２個のフェニル基を含む炭化水
素基、Ｒ１はＨ，ＯＨ，またはＣ鵞Ｈ６、Ｒ１はアルコ
キシ基。
て薄く塗布することが容易であり、配向の安定性は若干
低下するが時分割特性を向上させることができる。シラ
ンカップリング剤としては、例えば、一般式がＲ１（Ｒ
’ ） ＳｉＲ３ｍ、 で、Ｘは０．１または２、
Ｒ１は少なくとも１個のシアン基、エポキシ基、アルコ
キシ基または少なくとも２個のフェニル基を含む炭化水
素基、Ｒ１はＨ，ＯＨ，またはＣ鵞Ｈ６、Ｒ１はアルコ
キシ基。
ハロゲン基、アミン基、シリルアミノ基であられされる
ものか、 ／ ＼ ＣＨ，−ＣＨ，−ＣＨ，−０−（ＣＨ，）、５ｉ（ＯＣ
Ｈ，）、 ヤ次に第２図実施例におけるｓ用膜８の効果
について説明する。前記の如く有機配向１［９，９ｇを
極く薄く形成することによって時分割特性を向上させる
ことができる。しかし、第１図に示した従来例の様に、
これを直接透明導電膜上に形成すると、絶縁性が低下す
るために、導電性異物が上下電極間に存在した場合、上
下ＷＫ極間短絡不良が生じやすく、また通電による液晶
、電極の劣化が著しくなる欠点がある。これに対し本発
明により。
ものか、 ／ ＼ ＣＨ，−ＣＨ，−ＣＨ，−０−（ＣＨ，）、５ｉ（ＯＣ
Ｈ，）、 ヤ次に第２図実施例におけるｓ用膜８の効果
について説明する。前記の如く有機配向１［９，９ｇを
極く薄く形成することによって時分割特性を向上させる
ことができる。しかし、第１図に示した従来例の様に、
これを直接透明導電膜上に形成すると、絶縁性が低下す
るために、導電性異物が上下電極間に存在した場合、上
下ＷＫ極間短絡不良が生じやすく、また通電による液晶
、電極の劣化が著しくなる欠点がある。これに対し本発
明により。
透明導電膜をその中に埋めこむようにＳ ｉ Ｏ，膜を
の厚さに形成すれば、上記欠点を解消することができる
。８１０．膜の形成法としては例えば有機シリコン溶液
（東京応化社製０． Ｃ，Ｄ液）をスピナ又はディップ
塗布した後３００〜６００ｒで焼成する方法やスパッタ
蒸着、ＣＶＤ 、電子ビーム蒸着など攬々の方法がある
。
の厚さに形成すれば、上記欠点を解消することができる
。８１０．膜の形成法としては例えば有機シリコン溶液
（東京応化社製０． Ｃ，Ｄ液）をスピナ又はディップ
塗布した後３００〜６００ｒで焼成する方法やスパッタ
蒸着、ＣＶＤ 、電子ビーム蒸着など攬々の方法がある
。
次に本発明に係る下地膜７の効果について説明する。前
述の如く極く薄い有機配向膜とＳｉｎ、膜によって時分
割特性の優れた高信頼性の液晶表示素子が得られるが、
本下地膜がない場合や、あってもその屈折率が１．６以
下の時、屈折率１６６以上合、膜厚が４００〜２，０Ｏ
ＯＡの範囲内でも屈折率が２以上の時は、液晶表示素子
に電圧を印加しない無表示状態でも、透明導電膜のある
部分と無い部分の反射率または透過率の差圧より電極パ
ターンが目につきやすくなり、表示品質を著しく低下さ
せることがわかった。実験の結果、下地膜の屈折率が１
．５５〜１．９０で、かつその膜厚が４００〜１．５０
ＯＡであれば電極パターンがほとんど目立たなくなるこ
とがわかった。実験に使用した下地膜は有機チタンと有
機シリコンの混合溶液をスピナ塗布またはディップ塗布
後３００〜５００Ｃで３０分間焼成して形成した。有機
チタンと有機シリコンの配合比は燐酸後のチタン酸化物
とシリコン酸化物との重量比が１＝５から４：ｌになる
ように調整した。第６図はチタン酸化物とシリコン酸化
物の配合比と下地膜屈折率との関係を示す。
述の如く極く薄い有機配向膜とＳｉｎ、膜によって時分
割特性の優れた高信頼性の液晶表示素子が得られるが、
本下地膜がない場合や、あってもその屈折率が１．６以
下の時、屈折率１６６以上合、膜厚が４００〜２，０Ｏ
ＯＡの範囲内でも屈折率が２以上の時は、液晶表示素子
に電圧を印加しない無表示状態でも、透明導電膜のある
部分と無い部分の反射率または透過率の差圧より電極パ
ターンが目につきやすくなり、表示品質を著しく低下さ
せることがわかった。実験の結果、下地膜の屈折率が１
．５５〜１．９０で、かつその膜厚が４００〜１．５０
ＯＡであれば電極パターンがほとんど目立たなくなるこ
とがわかった。実験に使用した下地膜は有機チタンと有
機シリコンの混合溶液をスピナ塗布またはディップ塗布
後３００〜５００Ｃで３０分間焼成して形成した。有機
チタンと有機シリコンの配合比は燐酸後のチタン酸化物
とシリコン酸化物との重量比が１＝５から４：ｌになる
ように調整した。第６図はチタン酸化物とシリコン酸化
物の配合比と下地膜屈折率との関係を示す。
膜厚を２００〜２，０ＯＯＡに変えて液晶表示素子を試
作した結果、チタン酸化物とシリコン酸化物との重量比
が１：３から３：ｌの範囲内で、かっ膜厚４００〜１．
５０ＯＡの範囲のものが透明導電膜電極パターンがはと
んと目立たなかった。特に酸化物重量比２：３から３：
２の範囲内で、かり膜厚６００〜１．２０ＯＡの範囲の
ものは電極パターンの存在を峻別することが困難なほど
であった。実施例では有機チタンと有機シリコンの混合
溶液をスピナまたはディップ塗布後、焼成して下地膜を
形成したが、屈折率が１．５５〜１．９０の範囲内のも
のであれば材質または形成法が異なっても同様な効果が
得られることは言うまでもない。
作した結果、チタン酸化物とシリコン酸化物との重量比
が１：３から３：ｌの範囲内で、かっ膜厚４００〜１．
５０ＯＡの範囲のものが透明導電膜電極パターンがはと
んと目立たなかった。特に酸化物重量比２：３から３：
２の範囲内で、かり膜厚６００〜１．２０ＯＡの範囲の
ものは電極パターンの存在を峻別することが困難なほど
であった。実施例では有機チタンと有機シリコンの混合
溶液をスピナまたはディップ塗布後、焼成して下地膜を
形成したが、屈折率が１．５５〜１．９０の範囲内のも
のであれば材質または形成法が異なっても同様な効果が
得られることは言うまでもない。
以上説明したように本発明によれば、時分割特性、配向
の安定性、及び信頼性に優れ、２かつ無表示状態の電極
パターンが目立ちにくい液晶表示素子が得られる。
の安定性、及び信頼性に優れ、２かつ無表示状態の電極
パターンが目立ちにくい液晶表示素子が得られる。
第１図は従来の液晶表示素子例の図、第２図は本発明の
一実施例図、第３図は液晶表示素子の電気光学特性の測
定系の説明図、第４図はＴＮ形液晶表示素子の典形的な
電気光学特性を示す因、第５図は有機配向膜の膜厚と時
分割特性の関係を示す特性図、第６図は下地膜をなすチ
タン及びシリコン混合酸化物中のチタン酸化物の割合と
屈折率との関係を示す特性図である。 １．１Ｒ・・・偏光板、２・・・ガラス基板、！ｓ・・
・液晶、６・・・透明導電膜、７・・・電極パターンを
目立たなくする下地膜、８・・・絶縁を確保する８１０
．膜、９゜９ａ・・・薄い有機配向膜、１０・・・液晶
表示素子、１１・・・輝度測定器。 第 １ 図 第 ２１″２１ ／ａ ６ 第 ３ 図 ／６ 第 １１ｒ？１ （１ｒｒ＝、ｐｕ （ＶｒｍＳ） 第 ５ 図
一実施例図、第３図は液晶表示素子の電気光学特性の測
定系の説明図、第４図はＴＮ形液晶表示素子の典形的な
電気光学特性を示す因、第５図は有機配向膜の膜厚と時
分割特性の関係を示す特性図、第６図は下地膜をなすチ
タン及びシリコン混合酸化物中のチタン酸化物の割合と
屈折率との関係を示す特性図である。 １．１Ｒ・・・偏光板、２・・・ガラス基板、！ｓ・・
・液晶、６・・・透明導電膜、７・・・電極パターンを
目立たなくする下地膜、８・・・絶縁を確保する８１０
．膜、９゜９ａ・・・薄い有機配向膜、１０・・・液晶
表示素子、１１・・・輝度測定器。 第 １ 図 第 ２１″２１ ／ａ ６ 第 ３ 図 ／６ 第 １１ｒ？１ （１ｒｒ＝、ｐｕ （ＶｒｍＳ） 第 ５ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、それぞれ、ガラス基板内面Ｋ、順次、Ｔ１とＳｌの
酸化物からなる下地膜、透明導電膜、ｓｉｏ。 膜、有機配向膜を設け、更にこの有機配向膜に配向処理
を施Ｃた上、下２枚の基板の間Ｋ、ネマチック液晶をは
さんでなることを特徴とする液晶表示素子。 ２、 ＴｉとＳｔの酸化物重量比１：３ないし３：１
の下地膜を用いた特許請求の範囲第１項記載の液晶表示
素子。 ３、’ｒｉ とＳＮの酸化物からなる下地膜の厚さを４
００〜１．５０ＯＡとした特許請求の範囲第１項記載の
液晶表示素子。 ４、 Ｓｉｎ、膜の厚さを１００〜２，０ＯＯＡとし
た特許請求の範囲第１項記載の液晶表示素子。 ５、有機配向膜の厚さを１００Ａ以下にした特許請求の
範囲第１項記載の液晶表示素子。 ６、有機配向膜材質をポリイミドとした特許請求の範囲
第１項記載の液晶表示素子。 ７、 有機配向膜材質をシランカップリング剤とした特
許請求の範囲第１項記載の液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57061081A JPS58178322A (ja) | 1982-04-14 | 1982-04-14 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57061081A JPS58178322A (ja) | 1982-04-14 | 1982-04-14 | 液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58178322A true JPS58178322A (ja) | 1983-10-19 |
Family
ID=13160806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57061081A Pending JPS58178322A (ja) | 1982-04-14 | 1982-04-14 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58178322A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61171033U (ja) * | 1985-04-15 | 1986-10-23 | ||
| JPS6345531U (ja) * | 1986-09-11 | 1988-03-28 | ||
| JPH0711132A (ja) * | 1993-07-16 | 1995-01-13 | Toray Ind Inc | カラーフィルタ用の耐熱着色ペースト |
| JPH0713012A (ja) * | 1993-08-11 | 1995-01-17 | Toray Ind Inc | カラーフィルタ用の耐熱着色ペースト |
-
1982
- 1982-04-14 JP JP57061081A patent/JPS58178322A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61171033U (ja) * | 1985-04-15 | 1986-10-23 | ||
| JPS6345531U (ja) * | 1986-09-11 | 1988-03-28 | ||
| JPH0711132A (ja) * | 1993-07-16 | 1995-01-13 | Toray Ind Inc | カラーフィルタ用の耐熱着色ペースト |
| JPH0713012A (ja) * | 1993-08-11 | 1995-01-17 | Toray Ind Inc | カラーフィルタ用の耐熱着色ペースト |
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