JPS5817447B2 - 光学活性シトロネラ−ルの製法 - Google Patents
光学活性シトロネラ−ルの製法Info
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- JPS5817447B2 JPS5817447B2 JP52070887A JP7088777A JPS5817447B2 JP S5817447 B2 JPS5817447 B2 JP S5817447B2 JP 52070887 A JP52070887 A JP 52070887A JP 7088777 A JP7088777 A JP 7088777A JP S5817447 B2 JPS5817447 B2 JP S5817447B2
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
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- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光学活性シトロネラールの製法、更に詳細には
、ゲラニルアミン誘導体(トランス型)(I)またはネ
リルアミン誘導体(シス型)(n)を異性化して光学活
性エナミンα■または光学活性アルデヒドイミン(IV
Iとなし、次いでこれを加水分解して光学活性シトロネ
ラールを製造する方法に関する。
、ゲラニルアミン誘導体(トランス型)(I)またはネ
リルアミン誘導体(シス型)(n)を異性化して光学活
性エナミンα■または光学活性アルデヒドイミン(IV
Iとなし、次いでこれを加水分解して光学活性シトロネ
ラールを製造する方法に関する。
(式中、R1は炭素数1〜6のアルキル基、シクロアル
キル基またはアリル基を、R2は水素原子または炭素数
1〜6のアルキル基を示すか、またはR1とR2が共同
し、て隣接する窒素原子と共に5あるいは6員環を形成
するか、まだはR1とR2が共同して隣接する窒素原子
と共に他の窒素あるいは酸素原子を含んで6員環を形成
する、R6は炭素数1〜6のアルキル基を示す) 光学活性シトロネラールは天然シトロネラールに含有さ
れているもので、古くから、それ自体香料として用いら
れていると共に、光学活性メントールの原料として重要
であり、多量に使用されている。
キル基またはアリル基を、R2は水素原子または炭素数
1〜6のアルキル基を示すか、またはR1とR2が共同
し、て隣接する窒素原子と共に5あるいは6員環を形成
するか、まだはR1とR2が共同して隣接する窒素原子
と共に他の窒素あるいは酸素原子を含んで6員環を形成
する、R6は炭素数1〜6のアルキル基を示す) 光学活性シトロネラールは天然シトロネラールに含有さ
れているもので、古くから、それ自体香料として用いら
れていると共に、光学活性メントールの原料として重要
であり、多量に使用されている。
本発明者らは、この光学活性シトロネラールを工業的有
利に製造せんと種々研究を行った結果、ゲラニルアミン
誘導体I)またはネリルアミン誘導体■を特殊な光学活
性錯体触媒と接触的に処理すれは高収率で異性化が行わ
れ、光学活性のエナミ4■しよびアルデヒドイミ植■が
得られることを見出し、本発明を完成した。
利に製造せんと種々研究を行った結果、ゲラニルアミン
誘導体I)またはネリルアミン誘導体■を特殊な光学活
性錯体触媒と接触的に処理すれは高収率で異性化が行わ
れ、光学活性のエナミ4■しよびアルデヒドイミ植■が
得られることを見出し、本発明を完成した。
本発明の原料のゲラニルアミン誘導体およびネリルアミ
ン誘導体は、例えばアルカリ金属化合物を用いるミルセ
ン、インプレンの第1級または第2級アミンによるテロ
メリゼーションにより容易に製造されるC K、 T
akabeら: T etrahedronLette
r 、 4009頁(1972年)〕本発明で使用され
る触媒は低原子価コバルト光学活性ホスフィン錯体で、
これはコバルト金属と3価の光学活性リン化合物より構
成されており、就中コバルト金属はその原子状態が0あ
るいは1価のいわゆる低原子価であることが必須である
。
ン誘導体は、例えばアルカリ金属化合物を用いるミルセ
ン、インプレンの第1級または第2級アミンによるテロ
メリゼーションにより容易に製造されるC K、 T
akabeら: T etrahedronLette
r 、 4009頁(1972年)〕本発明で使用され
る触媒は低原子価コバルト光学活性ホスフィン錯体で、
これはコバルト金属と3価の光学活性リン化合物より構
成されており、就中コバルト金属はその原子状態が0あ
るいは1価のいわゆる低原子価であることが必須である
。
斯るコバルト金属の低原子価状態を安定に存在させるこ
とと、本発明の異性化反応を円滑に進行せしめ、かつエ
ナミン叫およびアルデヒドイミIMを光学活性体として
収得するために3価の光学活性リン化合物が必要である
。
とと、本発明の異性化反応を円滑に進行せしめ、かつエ
ナミン叫およびアルデヒドイミIMを光学活性体として
収得するために3価の光学活性リン化合物が必要である
。
低原子価コバルト光学理性ホスフィス錯体は、例えばコ
バルト化合物と3価の光学活性有機リン化合物との混合
溶液を還元剤と処理するか、あるいは低原子価コバルト
オレフィン錯体に3価の光学活性有機リン化合物を反応
させることにより調製される。
バルト化合物と3価の光学活性有機リン化合物との混合
溶液を還元剤と処理するか、あるいは低原子価コバルト
オレフィン錯体に3価の光学活性有機リン化合物を反応
させることにより調製される。
コバルト化合物としては、通常2価コバルトの・・ロゲ
ン化物、カルボン酸塩あるいはアセチルアセトナート塩
の如きキレート化合物が使用される。
ン化物、カルボン酸塩あるいはアセチルアセトナート塩
の如きキレート化合物が使用される。
3価の光学活性有機リン化合物としては、次式(■まだ
はめで表わされる1座配位子、燗で表わされる2座配位
子が挙げられる。
はめで表わされる1座配位子、燗で表わされる2座配位
子が挙げられる。
(vIU)
(式中、Xlは光学活性なリン原子、X2およびX3は
リン原子を示し、A1. B1. C1はそれぞれ異な
って、それぞれ炭素数1〜10のアルキル基、シクロア
ルキル基、アリル基ヲ示し、A2゜B2およびC2は炭
素数1〜10のアルキル基、シクロアルキル基、アリル
基、アミド基、アルコキシ基、フェノキシ基で、A2.
B2またはC2の少なくとも一つは光学活性炭素原子を
有するものとし、A3およびB3は炭素数1〜10のア
ルキル基、シクロアルキル基、アリル基、アミド基、ア
ルコキシ基、フェノキシ基、C3ハアルキシレン基、α
、ω−ジアルコキシアルキレン基、α。
リン原子を示し、A1. B1. C1はそれぞれ異な
って、それぞれ炭素数1〜10のアルキル基、シクロア
ルキル基、アリル基ヲ示し、A2゜B2およびC2は炭
素数1〜10のアルキル基、シクロアルキル基、アリル
基、アミド基、アルコキシ基、フェノキシ基で、A2.
B2またはC2の少なくとも一つは光学活性炭素原子を
有するものとし、A3およびB3は炭素数1〜10のア
ルキル基、シクロアルキル基、アリル基、アミド基、ア
ルコキシ基、フェノキシ基、C3ハアルキシレン基、α
、ω−ジアルコキシアルキレン基、α。
ω−ジアミノアルキレン基、A3 + B2まだはC3
の少なくとも一つは光学活性炭素原子る有するものとす
る) これら有機リン化合物の具体例としては、例えば復■で
表わされるメチルフェニル・O−アニシルホスフィン、
メチルシクロヘキシル・0−7ニシルホスフイン、フェ
ニルナフチル・ビフェニルホスフィン、メチルベンジル
・フェニルホスフィン;閘で表わされるジフェニルメン
チルホスフィン、ジフェニルネオメンチルホスフィン、
フェニルジメンチルホスフィン、フェニルジネオメンチ
ルホスフィン、ジフェニルボルニルホスフィン。
の少なくとも一つは光学活性炭素原子る有するものとす
る) これら有機リン化合物の具体例としては、例えば復■で
表わされるメチルフェニル・O−アニシルホスフィン、
メチルシクロヘキシル・0−7ニシルホスフイン、フェ
ニルナフチル・ビフェニルホスフィン、メチルベンジル
・フェニルホスフィン;閘で表わされるジフェニルメン
チルホスフィン、ジフェニルネオメンチルホスフィン、
フェニルジメンチルホスフィン、フェニルジネオメンチ
ルホスフィン、ジフェニルボルニルホスフィン。
メンチルジフェニルホスフィナイト、ネオメンチルジフ
ェニルホスフィナイト、ジメタトリルメンチルホスフィ
ン、ビスジエチルアミノメンチルホスフィン、2−メン
トキシエチル・ジフェニルホスフィ右(R)−ct C
(S)−2−ジメチルホスフィノフェロセニル〕エチル
ジメチルアミン;燗で表わされる(S)−α−((R)
−1’、2−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセニ
ル〕エチルジメチルアミン、H−2,3−0−イソプロ
ピリデン−2,3−ジヒドロキシ−1,4−ビス(ジフ
ェニルホスフィノ)ブタン、〔N−ジフェニルホスフィ
ノ−L−2−ピロリジニルコメチルジフェニルホスフィ
ナイト。
ェニルホスフィナイト、ジメタトリルメンチルホスフィ
ン、ビスジエチルアミノメンチルホスフィン、2−メン
トキシエチル・ジフェニルホスフィ右(R)−ct C
(S)−2−ジメチルホスフィノフェロセニル〕エチル
ジメチルアミン;燗で表わされる(S)−α−((R)
−1’、2−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセニ
ル〕エチルジメチルアミン、H−2,3−0−イソプロ
ピリデン−2,3−ジヒドロキシ−1,4−ビス(ジフ
ェニルホスフィノ)ブタン、〔N−ジフェニルホスフィ
ノ−L−2−ピロリジニルコメチルジフェニルホスフィ
ナイト。
(→−2.3−0−イソプロピリデン−2,3−ジヒド
ロキシ−1,4−ビス(ジメタトリルホスフィノ)ブタ
ン等が挙げられる。
ロキシ−1,4−ビス(ジメタトリルホスフィノ)ブタ
ン等が挙げられる。
まだ、還元剤としては、有機アルミニウム、有機マグネ
シウムまたは水素化アルミニウムのような金属・・イド
ライド等が使用される。
シウムまたは水素化アルミニウムのような金属・・イド
ライド等が使用される。
本発明における錯体触媒の調製には、各成分のモル比が
重要であり、例えばコバルト化合物1モルに3価の光学
活性有機リン化合物1〜5モルを加えて溶剤に溶かして
均一溶液となし、これに還元剤1〜3モルを0〜10℃
の温度で窒素気流中添加するのが最もよい結果を与える
。
重要であり、例えばコバルト化合物1モルに3価の光学
活性有機リン化合物1〜5モルを加えて溶剤に溶かして
均一溶液となし、これに還元剤1〜3モルを0〜10℃
の温度で窒素気流中添加するのが最もよい結果を与える
。
この際の溶剤は種々のものが使用できるが、炭化水素系
溶剤あるいはエーテル系溶剤が好ましい。
溶剤あるいはエーテル系溶剤が好ましい。
また、この場合3価の光学活性有帰リン化合物および還
元剤を選択することによって、低原子価コバルト光学活
性ホスフィン錯体を単離することもできるが、反応混合
物をそのまま触媒として使用できる。
元剤を選択することによって、低原子価コバルト光学活
性ホスフィン錯体を単離することもできるが、反応混合
物をそのまま触媒として使用できる。
このようにして調製された錯体触媒は高活性であり、例
えばコバルト化合物1モルから調製した触媒は、ゲラニ
ルアミン誘導木■)またはネリルアミン誘導(=MEの
500〜1000モルを異性化することができる。
えばコバルト化合物1モルから調製した触媒は、ゲラニ
ルアミン誘導木■)またはネリルアミン誘導(=MEの
500〜1000モルを異性化することができる。
本発明を実施するには、(1)または(II)の化合物
を低原子価コバルト光学活性ホスフィン錯体の存在下3
0〜150℃の温度で2〜40時間反応させる。
を低原子価コバルト光学活性ホスフィン錯体の存在下3
0〜150℃の温度で2〜40時間反応させる。
当該錯体触媒の使用量は(I)または(n)の化合物に
対してコバルト化合物のモル比が200〜2000対1
になるようにするのが好ましい。
対してコバルト化合物のモル比が200〜2000対1
になるようにするのが好ましい。
このようにするとき、95係以上の収率で異性化が行わ
れ、(■)および(II)式中R2が炭素数1〜6のア
ルキル基で表わされる化合物の場合には光学活性エナミ
7Qn)を、また(I)および(m式中R2が水素原子
で表わされる化合物の場合には光学活性アルデヒドイミ
バ■を与える。
れ、(■)および(II)式中R2が炭素数1〜6のア
ルキル基で表わされる化合物の場合には光学活性エナミ
7Qn)を、また(I)および(m式中R2が水素原子
で表わされる化合物の場合には光学活性アルデヒドイミ
バ■を与える。
これらの不斉収率はB0受以上である。
(IIjまたは(5)の化合物を含む反応混合液に塩酸
、硫酸、酢酸等の冷水溶液を加えると、光学活性シトロ
ネラールが分解遊離してくるので、これを分離し、更に
ベンゼン等で水層を抽出し両者を合し、蒸留により精製
すれば光学活性シトロネラールが得られる。
、硫酸、酢酸等の冷水溶液を加えると、光学活性シトロ
ネラールが分解遊離してくるので、これを分離し、更に
ベンゼン等で水層を抽出し両者を合し、蒸留により精製
すれば光学活性シトロネラールが得られる。
まだ、上記反応混合液に少量の水またはメタノールを加
えて触媒を不活性化し、蒸留して一旦エナミバ■または
アルデヒドイミy(JV)を単離し、これを上記の如く
希酸で処理すれば高純度の光学活性シトロネラールが得
られる。
えて触媒を不活性化し、蒸留して一旦エナミバ■または
アルデヒドイミy(JV)を単離し、これを上記の如く
希酸で処理すれば高純度の光学活性シトロネラールが得
られる。
次に実施例を挙げて説明する。
実施例 1
窒素気流下反応容器にコバルトオクトエート0.5ミリ
モル、(+)−2,3−0イソプロピリデン−2,3−
ジヒドロキシ−1,4ビス(ジフェニルホスフィノ)ブ
タン0.5ミリモルおよびテトラヒドロフラン(THF
)20meを入れ、これに水冷下0〜5℃でジイソブチ
ルアルミニウムハイドライド15ミリモルを加える。
モル、(+)−2,3−0イソプロピリデン−2,3−
ジヒドロキシ−1,4ビス(ジフェニルホスフィノ)ブ
タン0.5ミリモルおよびテトラヒドロフラン(THF
)20meを入れ、これに水冷下0〜5℃でジイソブチ
ルアルミニウムハイドライド15ミリモルを加える。
最後にネリルジエチルアミン20.9′?(0,1モル
)を加え、70℃にて40時間反応させた。
)を加え、70℃にて40時間反応させた。
次いで1dのメタノールを加えて触媒を失活せしめ、そ
のまま減圧蒸留すると沸点85℃/2 闇Hfのシトロ
ネラールジエチルエナミンと未反応原料の混合物201
が得られた。
のまま減圧蒸留すると沸点85℃/2 闇Hfのシトロ
ネラールジエチルエナミンと未反応原料の混合物201
が得られた。
この蒸留留出物に等モル含量の希硫酸100y/?を加
えて0−5℃にて1時間攪拌すると光学活性シトロネラ
ールが分離した これを分取し、残液はベンゼン抽出し
、両者を合し、蒸留して(+)−シトロネラール10v
を得だ。
えて0−5℃にて1時間攪拌すると光学活性シトロネラ
ールが分離した これを分取し、残液はベンゼン抽出し
、両者を合し、蒸留して(+)−シトロネラール10v
を得だ。
なおこのものの光学純度は45%であった。
混合物の観測された光学活性×100
光学純度係=□
純粋な光学的対掌体の光学活性
実施例 2
窒素気流下反応容器にコバルトオクトエート0.5ミリ
モル、(−)−2,3−0−インプロピリデン−2,3
−ジヒドロキシ−1,4−ビス(ジフェニルホスフィノ
)ブタン0.5ミリモルおよびベンゼン20Wllを入
れ、これに水冷下にジイソブチルアルミニウムハイドラ
イド、15ミリモルを加え、最後にゲラニルシクロヘキ
シルアミン23.5(0,1モル)を加えて30℃にて
40時間反応させた。
モル、(−)−2,3−0−インプロピリデン−2,3
−ジヒドロキシ−1,4−ビス(ジフェニルホスフィノ
)ブタン0.5ミリモルおよびベンゼン20Wllを入
れ、これに水冷下にジイソブチルアルミニウムハイドラ
イド、15ミリモルを加え、最後にゲラニルシクロヘキ
シルアミン23.5(0,1モル)を加えて30℃にて
40時間反応させた。
反応終了後メタノール1mlを加えて触媒を失活させた
後、蒸留し沸点120℃/ 1 rrvn Hfのシト
ロネラールシクロヘキシルイミン23グ(GCにより純
度90係)を得た。
後、蒸留し沸点120℃/ 1 rrvn Hfのシト
ロネラールシクロヘキシルイミン23グ(GCにより純
度90係)を得た。
との留分を希酸水てpH:f:’:6〜5になる様に調
整し、2時間O〜5℃にて攪拌するとシトロネラールが
分離した。
整し、2時間O〜5℃にて攪拌するとシトロネラールが
分離した。
これをベンゼンで抽出し、蒸留し純シトロネラ−ル15
グを得た。
グを得た。
なおこのものの旋光度は〔αlD”+4.4°であり光
学純度は35%であった。
学純度は35%であった。
実施例 3
窒素気流中でコバルトアセチルアセトナート0.5ミリ
モルと(−)−(IR,3R,4S、8R)−3,9−
ビス(ジフェニルホスフィノキシ)−p−メンタン0.
5ミリモルをベンゼン2Qvt、lにとかし、水冷下に
トリエチルアルミニウム1.5ミリモルを加え、最後に
ゲラニルシクロヘキシルアミン23グを加え、60℃に
て15時間反応させた。
モルと(−)−(IR,3R,4S、8R)−3,9−
ビス(ジフェニルホスフィノキシ)−p−メンタン0.
5ミリモルをベンゼン2Qvt、lにとかし、水冷下に
トリエチルアルミニウム1.5ミリモルを加え、最後に
ゲラニルシクロヘキシルアミン23グを加え、60℃に
て15時間反応させた。
反応終了後実施例1と同様に操作口+)シトロネラール
13.4fを得た。
13.4fを得た。
このものの光学純度は20係であった。
実施例 4
♀素工に反応容器中にテトラヒドロフラン20m1、塩
化コバルト1ミリモル、〔SヒαC(R)−1’。
化コバルト1ミリモル、〔SヒαC(R)−1’。
2−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセニル〕エチ
ルジメチルアミン1ミリモルを入れ、ドライアイス−ア
セトンバスで一20℃に冷却し、この中にリチウムジイ
ソプロポキシアルミニウムハイドライド4ミリモルを添
加した。
ルジメチルアミン1ミリモルを入れ、ドライアイス−ア
セトンバスで一20℃に冷却し、この中にリチウムジイ
ソプロポキシアルミニウムハイドライド4ミリモルを添
加した。
添加後室源にて30分間攪拌し、次にゲラニルジメチル
アミン90グ(0,5モル)を加え90℃にて17時間
反応させた。
アミン90グ(0,5モル)を加え90℃にて17時間
反応させた。
反応終了後実施例1と同様に操作しくト)シトロネラー
ル381を得た。
ル381を得た。
このものの光学純度は17係であった。
実施例 5
窒素気流下に反応容器にベンゼン20W17?、コバル
トオクトエ−)0.5ミリモル、(+)−メンチルジフ
ェニルホスフィナイト0.5ミリモル、イソプレンマグ
ネシウム1ミリモルを入れ、これにゲラニルブチルアミ
ス20.7f(0,1モル)を加え、60℃にて35時
間反応させた。
トオクトエ−)0.5ミリモル、(+)−メンチルジフ
ェニルホスフィナイト0.5ミリモル、イソプレンマグ
ネシウム1ミリモルを入れ、これにゲラニルブチルアミ
ス20.7f(0,1モル)を加え、60℃にて35時
間反応させた。
以下実施例1と同様に操作しシトロネラール147を得
た。
た。
このものの光学純度は15係であった。
実施例 6
窒素気流下反応容器にシクロオクタジエンコバルト0.
5ミリモル、(−)−2,3−0−イソプロピリチン−
2,3−ジヒドロキシ−1,4−ビス(ジメタトリルホ
スフィノ)ブタン0.5ミリモル、THF25mgを入
れ、これにN−ゲラニルモルホリン22.:l’(0,
1モル)を加え、70℃にて49時間反応させた。
5ミリモル、(−)−2,3−0−イソプロピリチン−
2,3−ジヒドロキシ−1,4−ビス(ジメタトリルホ
スフィノ)ブタン0.5ミリモル、THF25mgを入
れ、これにN−ゲラニルモルホリン22.:l’(0,
1モル)を加え、70℃にて49時間反応させた。
以下実施例1と同様に操作口(ト)シトロナラ−ルア、
87を得た。
87を得た。
このものの光学純度は40係であった。
実施例 7
窒素気流下、コビルトオクトエート0.5ミリモル、(
−)−2−メントキシエチルジフェニルホスフィン15
ミリモル、ベンゼン2Qrnlの混合物に、水冷下リチ
ウムアルミニウムビスジエチルアミノハイドライド15
ミリモルを加え、更にネリルシクロヘキシルアミン23
.5 ? (0,1モル)を加工て100℃にて7時間
反応させた。
−)−2−メントキシエチルジフェニルホスフィン15
ミリモル、ベンゼン2Qrnlの混合物に、水冷下リチ
ウムアルミニウムビスジエチルアミノハイドライド15
ミリモルを加え、更にネリルシクロヘキシルアミン23
.5 ? (0,1モル)を加工て100℃にて7時間
反応させた。
以下実施例1と同様に操作口+)シトロネラール15?
を得だ。
を得だ。
なおこのものの光学純度は10係であった。
実施例 8
窒素気流下、コバルトオクトエート0.5ミリモル、←
→ジフェニルメンチルホスフィン15ミリモル、T H
F 25 ml!の混合物に、水冷下ジイソブチルアル
ミニウムハイドライド15ミリモルを加えて、30分攪
拌し、更にN−ネリルアニリン23f (0,1モル)
を加えて80℃にて15時間反応させた。
→ジフェニルメンチルホスフィン15ミリモル、T H
F 25 ml!の混合物に、水冷下ジイソブチルアル
ミニウムハイドライド15ミリモルを加えて、30分攪
拌し、更にN−ネリルアニリン23f (0,1モル)
を加えて80℃にて15時間反応させた。
以下実施例1と同様に操作U+)シトロネラール14グ
を得た。
を得た。
なおこのものの光学純度は7係であった。
実施例 9
窒素気流下反応容器にコバルトオクトエート0.5ミリ
モル、((1)−フェニルナフチルビフェニルホスフィ
ン15ミリモル、更にトルエン30ylを入れ、水冷下
にジイソブチルアルミニウムハイドライド15ミリモル
を加えて攪拌を1時間行い、最後にゲラニルシクロヘキ
シルアミン23.5?(0,1モル)を加えて50℃に
て200時間反応せた。
モル、((1)−フェニルナフチルビフェニルホスフィ
ン15ミリモル、更にトルエン30ylを入れ、水冷下
にジイソブチルアルミニウムハイドライド15ミリモル
を加えて攪拌を1時間行い、最後にゲラニルシクロヘキ
シルアミン23.5?(0,1モル)を加えて50℃に
て200時間反応せた。
反応液中に水冷下宿硫酸をpHが5〜6になるまで加え
、1時間攪拌した後ベンゼンにて抽出し、常法により処
略し、(+)シトロネラール15?を得だ。
、1時間攪拌した後ベンゼンにて抽出し、常法により処
略し、(+)シトロネラール15?を得だ。
なおこのものの光学純度は13係であった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式(I)または卸 (式中、R9,は炭素数1〜6のアルキル基、シクロア
ルキル基まだはアリル基を、R2は水素原子または炭素
数1〜6のアルキル基を示すか、または、R1とR2が
共同して隣接する窒素原子と共に5あるいは6員環を形
成するか、またはR1とR2が共同して隣接する窒素原
子と共経他の窒素あるいは酸素原子を含んで6員環を形
成する)で表わされるゲラニルアミン誘導体まだはネリ
ルアミン誘導体を低原子価コバルト光学活性ホスフィン
錯体を触媒として用いて異性化して一般式%式% (式中、R′2は炭素数1〜6のアルキル基を示す) で表わされる光学活性エナミンまだは光学活性アルデヒ
ドイミンとなし、次いでこれを加水分解することを特徴
とする光学活性シトロネラールの製法。 2 低原子価コバルト光学活性ホスフィン錯体75ヘコ
バルト化合物1モル、3価の光学活性有機リン化合物1
〜5モルおよび還元剤1〜3モルを反応せしめて得られ
たものである特許請求の範囲第1項記載の製法。 3 低原子価コバルト光学活性ホスフィン錯体へ低原子
価コバルトオレフィン錯体に3価の光学活性有機リン化
合物を反応せしめて得られたものである特許請求の範囲
第1項記載の製法。 43価の光学活性有機リン緩合物が、次の弐M(vI)
または■、 (式中、X、は光学活性なリン原子、X2 およびX3
はリン原子を示し、A1.B7.C1はそれぞれ異なっ
て、それぞれ炭素数1〜10アルキル基、シクロアルキ
ル基、アリル基を示し、A2゜B2およびC2は炭素数
1〜1oのアルキル基、シクロアルキル基、アリル基、
アミド基、アルコキシ基、フェノキシ基で、A2 s
B2まだはC2の少なくとも一つは光学活性炭素原子を
有するものとし、A3およびB3は炭素数1〜10のア
ルキル基、シクロアルキル基、アリル基、アミド基、ア
ルコキシ基、フェノキシ基、C3はアルキレン基、α、
ω−ジアルコキシアルキレン基、α、ω−ジアミノアル
キレン基で、A 、B tたはc33 の少なくとも一つは光学活性炭素原子を有するものとす
る) で表わされる化合物である特許請求の範囲第2項または
第3項記載の製法。 5 加水分解が、希酸による加水分解である特許請求の
範囲第1項記載の製法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP52070887A JPS5817447B2 (ja) | 1977-06-15 | 1977-06-15 | 光学活性シトロネラ−ルの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP52070887A JPS5817447B2 (ja) | 1977-06-15 | 1977-06-15 | 光学活性シトロネラ−ルの製法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS545907A JPS545907A (en) | 1979-01-17 |
JPS5817447B2 true JPS5817447B2 (ja) | 1983-04-07 |
Family
ID=13444479
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP52070887A Expired JPS5817447B2 (ja) | 1977-06-15 | 1977-06-15 | 光学活性シトロネラ−ルの製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5817447B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01247647A (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-03 | Norio Hatsugai | 建築用ボード、建築用外壁仕上材およびその製造方法 |
-
1977
- 1977-06-15 JP JP52070887A patent/JPS5817447B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01247647A (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-03 | Norio Hatsugai | 建築用ボード、建築用外壁仕上材およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS545907A (en) | 1979-01-17 |
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