JPS58172626A - 電気光学装置 - Google Patents
電気光学装置Info
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- JPS58172626A JPS58172626A JP57054342A JP5434282A JPS58172626A JP S58172626 A JPS58172626 A JP S58172626A JP 57054342 A JP57054342 A JP 57054342A JP 5434282 A JP5434282 A JP 5434282A JP S58172626 A JPS58172626 A JP S58172626A
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- Japan
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- dielectric constant
- substrates
- liquid crystal
- wiring
- sealant
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は平面型パネルに関するものである。さらに本発
明は平面製パネルの構造に関するものである。
明は平面製パネルの構造に関するものである。
近年、情報化社会の急速な発展に伴い、コンビ１−ター
の大衆化がめざましい速さで浸透しつつあり、各種のコ
ンビ為−ター周辺機器の市場も増々大きくなって来てい
るのが現状である。このような中で表示体装置は機械と
人間とのインターフエイズとしての重要な位置にあり各
種の新しい表示体装置が開発されて来ている。今後の表
示体装置の方向は低電圧、低電力駆動が可能な見やすい
平面型表示体パネルの実現であろう。現在このような闘
志から有望な平面型表示体装置としては、液ａｔｘＬ（
エレクトロルミネッセンス）プラズマ、螢光表示管、Ｌ
ＥＤ（発光ダイオード）等があり、それぞれの特徴を生
かした形で一部分実用化されているのが現状である。こ
のような中で液晶表示体装置は、低電圧、低電力駆動が
可能であり受光タイプの見やすい平面型パネルであり、
さらにパネルを構成する一方の基板にアクティブマトリ
ックス基板を用いると、画像表示が可能であることから
、携帯可能なポケットテレビあるいは腕テレビの表示パ
ネルとして最も適したパネルである。このような液晶パ
ネルを用いたポケットテレビの試作品はすでに数社から
発表されている。
の大衆化がめざましい速さで浸透しつつあり、各種のコ
ンビ為−ター周辺機器の市場も増々大きくなって来てい
るのが現状である。このような中で表示体装置は機械と
人間とのインターフエイズとしての重要な位置にあり各
種の新しい表示体装置が開発されて来ている。今後の表
示体装置の方向は低電圧、低電力駆動が可能な見やすい
平面型表示体パネルの実現であろう。現在このような闘
志から有望な平面型表示体装置としては、液ａｔｘＬ（
エレクトロルミネッセンス）プラズマ、螢光表示管、Ｌ
ＥＤ（発光ダイオード）等があり、それぞれの特徴を生
かした形で一部分実用化されているのが現状である。こ
のような中で液晶表示体装置は、低電圧、低電力駆動が
可能であり受光タイプの見やすい平面型パネルであり、
さらにパネルを構成する一方の基板にアクティブマトリ
ックス基板を用いると、画像表示が可能であることから
、携帯可能なポケットテレビあるいは腕テレビの表示パ
ネルとして最も適したパネルである。このような液晶パ
ネルを用いたポケットテレビの試作品はすでに数社から
発表されている。
第１図はパネルを構成する一方の基板にスイッチング素
子をマトリックス状に配置したシリコン基板を用いた液
晶パネルの断面構造図であり、第２図はその回路図であ
る。図から明らかな如く、スイッチング素子としてはＭ
Ｏ８型トランジスタを用いており、書き込み電圧保持用
のコンデンサーは、’ＭＯ１！ｌ型Ｏ１！ｌスタのゲー
ト酸化膜と同一工程にて形成される酸化膜を誘電膜とし
て用いている。図中の１はシリコン基板、２はＭＯＳ）
ランジスタのソース及びドレイン拡散層である。
子をマトリックス状に配置したシリコン基板を用いた液
晶パネルの断面構造図であり、第２図はその回路図であ
る。図から明らかな如く、スイッチング素子としてはＭ
Ｏ８型トランジスタを用いており、書き込み電圧保持用
のコンデンサーは、’ＭＯ１！ｌ型Ｏ１！ｌスタのゲー
ト酸化膜と同一工程にて形成される酸化膜を誘電膜とし
て用いている。図中の１はシリコン基板、２はＭＯＳ）
ランジスタのソース及びドレイン拡散層である。
３はストッパー拡散層、４は酸化膜、５はゲート電極、
６は層間絶縁膜、７はデータ信号ライン、８は液晶駆動
電極である。−力士側ガラス基板９の表面には全面に透
明導電膜１０が形成されており上側ガラス板とシリコン
基板の間には液晶が入っている。第２図はシリコン基板
上のアクティブマトリックス回路であり、図中の１点鎖
＃１１で囲まれた領域が表示部、１２がゲート信号ライ
ン、１３がデータ信号ラインである。各交点には画素回
路１４が電気的に接続されている。画素回路１４は第３
図に示す如（ＭＯＳ）ランジスタ１５とコンデンサー１
６及び液晶駆動電極１７より構成されている。このよう
な液晶パネルにおいて表示を実行する場合には、データ
信号ラインから送られてくるデータ信号を一走査線毎に
それぞれのコンデンサーに書き込んで実行される。この
ようなシリコン基板を用いたアクティブマトリックスタ
イプの株晶パネルの各信号線の配線容量は、データ信号
電圧を一時的に保持する容置として非常に重要である。
６は層間絶縁膜、７はデータ信号ライン、８は液晶駆動
電極である。−力士側ガラス基板９の表面には全面に透
明導電膜１０が形成されており上側ガラス板とシリコン
基板の間には液晶が入っている。第２図はシリコン基板
上のアクティブマトリックス回路であり、図中の１点鎖
＃１１で囲まれた領域が表示部、１２がゲート信号ライ
ン、１３がデータ信号ラインである。各交点には画素回
路１４が電気的に接続されている。画素回路１４は第３
図に示す如（ＭＯＳ）ランジスタ１５とコンデンサー１
６及び液晶駆動電極１７より構成されている。このよう
な液晶パネルにおいて表示を実行する場合には、データ
信号ラインから送られてくるデータ信号を一走査線毎に
それぞれのコンデンサーに書き込んで実行される。この
ようなシリコン基板を用いたアクティブマトリックスタ
イプの株晶パネルの各信号線の配線容量は、データ信号
電圧を一時的に保持する容置として非常に重要である。
シリコン基板の場合、ゲート信号ライン容量は第一図に
示す如く各画素のトランジスタのゲート容量ＯＧの総和
と対向電極との間の液晶層の容量ＯＬＯ及び拡散層の容
量ａｍの総和となる。図中の２０はゲート酸化膜、２１
が拡散層である。第４図のＣｂ）は等価回路図であり、
パネル構成によって異なるが、−例をあげるとゲート酸
化膜の総−和容蓋が約１０ＰＦ、液晶層の容−が約１０
Ｆ？、拡散層の容量が２ＰＦとなる。
示す如く各画素のトランジスタのゲート容量ＯＧの総和
と対向電極との間の液晶層の容量ＯＬＯ及び拡散層の容
量ａｍの総和となる。図中の２０はゲート酸化膜、２１
が拡散層である。第４図のＣｂ）は等価回路図であり、
パネル構成によって異なるが、−例をあげるとゲート酸
化膜の総−和容蓋が約１０ＰＦ、液晶層の容−が約１０
Ｆ？、拡散層の容量が２ＰＦとなる。
一方データ信号ラインは第５図にて示す如く、それぞれ
のトランジスタのソース拡散層の容量０１の総和と、対
向電極との間の液晶層！ＯＬＯ及び拡散層の容量ＣＩＬ
の総和となり、やはりこのデータ信号ラインの配線容置
も各トランジスタのソース拡散層の容量０１の総和が１
０Ｆ？、液晶層の容量がＩＯＦ？、拡散層の容量ａｍが
２ＰＦ程度となる。第５図中の２２は画素トランジスタ
のソース拡散層である。第５図Ｃｂ）は第５図（１りの
等価回路である。このようにシリコン基板ヲ用いた液晶
パネルの配線の容量は、２０〜５ｏｐｙと大きくかつパ
ターンサイズや酸化膜厚を変えることによって比較的容
易にコントロールすることが可能である。第６図は、こ
の配線容量の効果を説明する回路図である。図中の１１
は表示領域を説明する一点鎖線、１４は画素回路である
。１２はゲート信号ライン、１３はデータ信号ラインで
ありデータ信号ラインの容量Ｃがついている。２３はシ
フトレジスタ回路、２４はデータ信号、２５はトランｎ
４ツシ冒ンゲートである。データ信号はトランｎ４ツシ
冒ンゲートのオンにより一時的にデータ信号ラインの配
線容量０に書き込まれ、選択されているゲート信号ライ
ンに接続された画素コンデンサーに徐々に書き込まれる
。このように配線容量Ｏは一時的にデータ信号を保持す
るために重要であり、パネルの回路定数によって任意に
コントロール出来ることが望ましい。
のトランジスタのソース拡散層の容量０１の総和と、対
向電極との間の液晶層！ＯＬＯ及び拡散層の容量ＣＩＬ
の総和となり、やはりこのデータ信号ラインの配線容置
も各トランジスタのソース拡散層の容量０１の総和が１
０Ｆ？、液晶層の容量がＩＯＦ？、拡散層の容量ａｍが
２ＰＦ程度となる。第５図中の２２は画素トランジスタ
のソース拡散層である。第５図Ｃｂ）は第５図（１りの
等価回路である。このようにシリコン基板ヲ用いた液晶
パネルの配線の容量は、２０〜５ｏｐｙと大きくかつパ
ターンサイズや酸化膜厚を変えることによって比較的容
易にコントロールすることが可能である。第６図は、こ
の配線容量の効果を説明する回路図である。図中の１１
は表示領域を説明する一点鎖線、１４は画素回路である
。１２はゲート信号ライン、１３はデータ信号ラインで
ありデータ信号ラインの容量Ｃがついている。２３はシ
フトレジスタ回路、２４はデータ信号、２５はトランｎ
４ツシ冒ンゲートである。データ信号はトランｎ４ツシ
冒ンゲートのオンにより一時的にデータ信号ラインの配
線容量０に書き込まれ、選択されているゲート信号ライ
ンに接続された画素コンデンサーに徐々に書き込まれる
。このように配線容量Ｏは一時的にデータ信号を保持す
るために重要であり、パネルの回路定数によって任意に
コントロール出来ることが望ましい。
一方、アクティブマトリックス基板として透明絶縁基板
上に薄膜トランジスタをマトリックス状に配置した基板
を用い液晶パネルにおいては、ＴＮ（ツイストネマチッ
ク）タイプの液晶が使えるためにコントラストが高い表
示品質の良い像が得られる。この薄膜トランジスタマト
リックス基板を用いた液晶パネルの断面構造図を第７図
に示す。第７図中の２６は透明絶縁基板、２７は薄膜ト
ランジスタのソース、ドレイン領域、２８はゲート電極
、２９は絶縁膜、３０は金属配線、３１は液晶駆動電極
であり通常透明導電膜が用いられる。このような薄膜ト
ランジスタマトリックス回路におけるデータ信号ライン
及びゲート信号ラインの配線容量は、基板が絶縁基板で
あるために基板との間の容量はつかず、主に対向電極と
の間の液晶層の容量となる。すなわちゲート信号ライン
の配線容量は、シリコン基板の場合の第４図におけるＱ
Ｇの総和とＯＬＯのみとなり、またデータ信号ラインの
配線容量は第５図におけるＯＬＯとＯＲのみとなり、し
たがってシリコン基板の場合と比べて配線容量は少なく
なる。この配線容量が少ないと第６図にて説明した如く
データ信号が不安定になるためにパネルに表示される像
がライン毎にムラになる場合がある。さらにこの配線容
量はパネルの回路設計上の最適値に作り込むことが望ま
しい。
上に薄膜トランジスタをマトリックス状に配置した基板
を用い液晶パネルにおいては、ＴＮ（ツイストネマチッ
ク）タイプの液晶が使えるためにコントラストが高い表
示品質の良い像が得られる。この薄膜トランジスタマト
リックス基板を用いた液晶パネルの断面構造図を第７図
に示す。第７図中の２６は透明絶縁基板、２７は薄膜ト
ランジスタのソース、ドレイン領域、２８はゲート電極
、２９は絶縁膜、３０は金属配線、３１は液晶駆動電極
であり通常透明導電膜が用いられる。このような薄膜ト
ランジスタマトリックス回路におけるデータ信号ライン
及びゲート信号ラインの配線容量は、基板が絶縁基板で
あるために基板との間の容量はつかず、主に対向電極と
の間の液晶層の容量となる。すなわちゲート信号ライン
の配線容量は、シリコン基板の場合の第４図におけるＱ
Ｇの総和とＯＬＯのみとなり、またデータ信号ラインの
配線容量は第５図におけるＯＬＯとＯＲのみとなり、し
たがってシリコン基板の場合と比べて配線容量は少なく
なる。この配線容量が少ないと第６図にて説明した如く
データ信号が不安定になるためにパネルに表示される像
がライン毎にムラになる場合がある。さらにこの配線容
量はパネルの回路設計上の最適値に作り込むことが望ま
しい。
本発明はかかる従来の表示パネルにおける欠点を解決す
るために発明されたものであり、パネルを構成する２枚
の基板の間に誘電率の高い物質を充填し、配線容量を増
やすことを目的としている。第８図は本発明による平面
型パネルの具体的な実施例を示したものであり（α）が
パネルの断面構造図（ｂ）が等価回路図、（Ｃ）が平面
図である。図中の２６及び９が２枚の基板であり、３３
は２枚の基板の間隔を一定に保ちながらシールするシー
ル剤である。１０は基板９の上に形成された対向電極、
３２は配線である。２枚の基板のうち下側基板がアクテ
ィブマトリックス基板においては６２はゲート信号ライ
ンあるいはデータ信号ラインとなる。３４は本発明によ
る誘電率の高い物質でありシール剤３３の外周部にはさ
まっている。この誘電率の高い物質は、粘性のある液体
に近いものが硬化して成るものがよい。例えば誘電率の
高い有機物質でもよいし、誘電率の高い物質を細かい粉
末にし、有機物質中に分散したものでもよい。−例をあ
げると、強誘電材料であるチタン酸バリウムを直径１０
１〜１．０μ講程度の粉末に破砕後、エポキシ樹脂中に
分散させる。チタン酸バリウムはエポキシ樹脂中に体積
比率にして０．０１％〜９９囁程度混合すると体積比率
に応じて任意の誘電率をもつ有機樹脂が得られる。チタ
ン酸バリウムは固体状態の誘電率がｇ＝ｄｏｏ。
るために発明されたものであり、パネルを構成する２枚
の基板の間に誘電率の高い物質を充填し、配線容量を増
やすことを目的としている。第８図は本発明による平面
型パネルの具体的な実施例を示したものであり（α）が
パネルの断面構造図（ｂ）が等価回路図、（Ｃ）が平面
図である。図中の２６及び９が２枚の基板であり、３３
は２枚の基板の間隔を一定に保ちながらシールするシー
ル剤である。１０は基板９の上に形成された対向電極、
３２は配線である。２枚の基板のうち下側基板がアクテ
ィブマトリックス基板においては６２はゲート信号ライ
ンあるいはデータ信号ラインとなる。３４は本発明によ
る誘電率の高い物質でありシール剤３３の外周部にはさ
まっている。この誘電率の高い物質は、粘性のある液体
に近いものが硬化して成るものがよい。例えば誘電率の
高い有機物質でもよいし、誘電率の高い物質を細かい粉
末にし、有機物質中に分散したものでもよい。−例をあ
げると、強誘電材料であるチタン酸バリウムを直径１０
１〜１．０μ講程度の粉末に破砕後、エポキシ樹脂中に
分散させる。チタン酸バリウムはエポキシ樹脂中に体積
比率にして０．０１％〜９９囁程度混合すると体積比率
に応じて任意の誘電率をもつ有機樹脂が得られる。チタ
ン酸バリウムは固体状態の誘電率がｇ＝ｄｏｏ。
でありしたがって体積比率で１％〜１０％有機樹脂中に
分散させることによって誘電率が６０〜６００に近い物
質が出来る。ただし厳密には体積比率に対応した誘電率
にはならず多少低い誘電率となる。チタン酸バリウムは
キューリ一点が１１０℃付近にあるが、チタン酸バリウ
ムにスズ酸バリウムを添加した固溶体は、室温付近にキ
ューリ一点がありその誘電率は３００００近くにもなる
。
分散させることによって誘電率が６０〜６００に近い物
質が出来る。ただし厳密には体積比率に対応した誘電率
にはならず多少低い誘電率となる。チタン酸バリウムは
キューリ一点が１１０℃付近にあるが、チタン酸バリウ
ムにスズ酸バリウムを添加した固溶体は、室温付近にキ
ューリ一点がありその誘電率は３００００近くにもなる
。
このチタン酸バリウムとスズ酸バリウムの固溶体の粉末
を有機樹脂中に分散したものを誘電物質として用いると
有機樹脂の粘度を上げることなく高い誘電率の物質が得
られる。ただし本発明はこの誘電体材料を規定するもの
ではなく、チタン酸バリウムあるいはスズ酸バリウム以
外の強誘電物質であってもよい。第８図は２枚の基板９
及び２６の間に液晶が充填されているパネルであり、通
常液晶の誘電率は１０〜３０程度であるため、図中の３
４で示した誘電率の高い物質の誘電率は３０以上が望ま
しい。第８図のｃｈ＞は（α）の等何回路であり対向電
極１０と配線３２との間には液晶層の容量ＯＬＯと、シ
ール剤の容量ａＯと、本発明による誘電体物質の容量Ｑ
ｌがつく。Ｑｌは上記した如く誘電率が任意に選択出来
るのでその結果、配線容量は任意に設計出来ることにな
る。
を有機樹脂中に分散したものを誘電物質として用いると
有機樹脂の粘度を上げることなく高い誘電率の物質が得
られる。ただし本発明はこの誘電体材料を規定するもの
ではなく、チタン酸バリウムあるいはスズ酸バリウム以
外の強誘電物質であってもよい。第８図は２枚の基板９
及び２６の間に液晶が充填されているパネルであり、通
常液晶の誘電率は１０〜３０程度であるため、図中の３
４で示した誘電率の高い物質の誘電率は３０以上が望ま
しい。第８図のｃｈ＞は（α）の等何回路であり対向電
極１０と配線３２との間には液晶層の容量ＯＬＯと、シ
ール剤の容量ａＯと、本発明による誘電体物質の容量Ｑ
ｌがつく。Ｑｌは上記した如く誘電率が任意に選択出来
るのでその結果、配線容量は任意に設計出来ることにな
る。
第８図（Ｃ）は、本実施例の平面型パネルの平面図であ
り、シール剤３３の外側に誘電率の高い物質が配置され
ている。これらはシール剤３３と同様番こスクリーン印
刷にて印刷後２枚の基板を貼り合わせてキュアさせ硬化
させればよい。本実施例では２枚の基板の間には液晶層
１１が入っている液晶パネルであるため、誘電率の高い
物質３４の誘電率は液晶の誘電率よりも大きければよい
。もし２枚の基板の間に入る物質が液晶以外のものであ
れば、その物質の誘電率以上の誘電率をもつ物質を選択
すればよい。
り、シール剤３３の外側に誘電率の高い物質が配置され
ている。これらはシール剤３３と同様番こスクリーン印
刷にて印刷後２枚の基板を貼り合わせてキュアさせ硬化
させればよい。本実施例では２枚の基板の間には液晶層
１１が入っている液晶パネルであるため、誘電率の高い
物質３４の誘電率は液晶の誘電率よりも大きければよい
。もし２枚の基板の間に入る物質が液晶以外のものであ
れば、その物質の誘電率以上の誘電率をもつ物質を選択
すればよい。
第９図は本発明による他の実施例を示す。本実施例にお
いてはシール剤中に強誘電物質の粉末を分散さ舊て誘電
率を高くした例であり、図中の３５がそのシール剤であ
る。通常シール剤はエポキシ系の樹脂等の中にパネルの
ギャップを一定に保つためにグラスファイバーを分散さ
せているが、本実施例ではその中にさらに強誘電体粉末
を分散さト、１ せて誘電率を上げている。ち６みにエポキシ樹脂のめ電
率は５程度であるが、チタン酸バリウム等の強誘電体粉
末を分散させることにより誘電率は２０〜１０００程度
となり配線容量は大きくなる。
いてはシール剤中に強誘電物質の粉末を分散さ舊て誘電
率を高くした例であり、図中の３５がそのシール剤であ
る。通常シール剤はエポキシ系の樹脂等の中にパネルの
ギャップを一定に保つためにグラスファイバーを分散さ
せているが、本実施例ではその中にさらに強誘電体粉末
を分散さト、１ せて誘電率を上げている。ち６みにエポキシ樹脂のめ電
率は５程度であるが、チタン酸バリウム等の強誘電体粉
末を分散させることにより誘電率は２０〜１０００程度
となり配線容量は大きくなる。
第９図Ｃｂ）は（−）の平面図である。シール剤が位置
する部分の配線は図中の３６に示す様各こ配線の巾を大
きくしておくことによりでも容量を変えることが出来る
。３７はポンプイングツぐラドである。
する部分の配線は図中の３６に示す様各こ配線の巾を大
きくしておくことによりでも容量を変えることが出来る
。３７はポンプイングツぐラドである。
本発明は以上多くの実施例をもとに説明した如く、少な
くとも一方が透明な２枚の基板を合わせてなる平面パネ
ルにおいて、２枚の基板にはさまれた一部分に、誘電率
が、該基板間物質よりも高い物質を充填したことを特徴
とする平面型、＋ネルに関するものであり、アクティブ
マトリックス液晶パネルにおける配線容量の値を任意に
設定出来るため、設計の自由度が大きくなり、したがっ
て表示品質の高いパネルが実現出来るものである。
くとも一方が透明な２枚の基板を合わせてなる平面パネ
ルにおいて、２枚の基板にはさまれた一部分に、誘電率
が、該基板間物質よりも高い物質を充填したことを特徴
とする平面型、＋ネルに関するものであり、アクティブ
マトリックス液晶パネルにおける配線容量の値を任意に
設定出来るため、設計の自由度が大きくなり、したがっ
て表示品質の高いパネルが実現出来るものである。
本発明の実施例においては主に２枚の基板間に液晶材料
を充填した液晶パネルについて主に説明したが本発明は
これに限るものではなく、エレクトロクロミックパネル
やプラズマパネルあるいは螢光表示’ｌｆ 、 Ｉ Ｌ
（エレクトロルミネッセンス〕パネルにも適用出来る
ことは言うに及ばない。
を充填した液晶パネルについて主に説明したが本発明は
これに限るものではなく、エレクトロクロミックパネル
やプラズマパネルあるいは螢光表示’ｌｆ 、 Ｉ Ｌ
（エレクトロルミネッセンス〕パネルにも適用出来る
ことは言うに及ばない。
第１図はシリコン基板を用いたアクティブマトリックス
液晶パネルの断面図、第２図及び第５図はアクティブマ
トリックス基板上のマトリックス回路図、第４図はシリ
コン基板上のゲート信号ラインの配線容量の説明図、第
５図はシリコン基板上のデータ信号ラインの配線容量の
説明図。第６図は配線容量の効果を説明する＠略図、第
７図は薄膜トランジスタマトリックス基板を用いた液晶
パネルの断面図。第８図は本発明による平面／ザネルの
断面図及び等何回略図及び平面図。第９図は本発明によ
る平面製パネルの断面図及び平面図。 １・・・・・・シリコン基板 ２・・・・・・拡散層 ３・・・・・・ストッパー拡散層 ４・・・・・・絶縁膜 ５・・・・・・ゲート酸化膜 ６・・・・・・絶縁膜 ７・・・・・・データ信号ライン ８・・・・・・液晶駆動電極 ９・・・・・・上側ガラス １０・・・・・・対向電極 １１・・・・・・液晶層 １２・・・・・・ゲート信号ライイ １３・・・・・・データ信号ライン １４・・・・・・画素回路 １５・・・・・・ＭＯＳ）ランジスタ １６・・・・・・コンデンサー １７・・・・・・液晶駆動電極 １日・・・・・・液晶層 １９・・・・・・対向電極 ２０・・・・・・ゲート酸化膜 ２１・・・・・・拡散層 ２２・・・・・・ソース拡散層 ２３・・・・・・シフ）レジスタＩＮＫ２４・・・・・
・ビデオ信号 ２５・・・・・・トランスミッションゲート２６・・・
・・・絶縁基板 ２７・・・・・・拡散領域 ２８・・・・・・ゲート電極 ２９・・・・・・絶縁膜 ６０・・・・・・金属配線 ３１・・・・・・液晶駆動電極 ３２・・・・・・配 線 ３３・・・・・・シール剤 ３４・・・・・・誘電率の高い物質 ６５・・・・・・誘電率の高いシール剤３６・・・・・
・配線の巾の広い部分 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 第１ｖＡ 第２図 第３図 （し） 第４図 （＆） 第５図 イ 第７図 （ｃ） 第８図 ■） 第９図
液晶パネルの断面図、第２図及び第５図はアクティブマ
トリックス基板上のマトリックス回路図、第４図はシリ
コン基板上のゲート信号ラインの配線容量の説明図、第
５図はシリコン基板上のデータ信号ラインの配線容量の
説明図。第６図は配線容量の効果を説明する＠略図、第
７図は薄膜トランジスタマトリックス基板を用いた液晶
パネルの断面図。第８図は本発明による平面／ザネルの
断面図及び等何回略図及び平面図。第９図は本発明によ
る平面製パネルの断面図及び平面図。 １・・・・・・シリコン基板 ２・・・・・・拡散層 ３・・・・・・ストッパー拡散層 ４・・・・・・絶縁膜 ５・・・・・・ゲート酸化膜 ６・・・・・・絶縁膜 ７・・・・・・データ信号ライン ８・・・・・・液晶駆動電極 ９・・・・・・上側ガラス １０・・・・・・対向電極 １１・・・・・・液晶層 １２・・・・・・ゲート信号ライイ １３・・・・・・データ信号ライン １４・・・・・・画素回路 １５・・・・・・ＭＯＳ）ランジスタ １６・・・・・・コンデンサー １７・・・・・・液晶駆動電極 １日・・・・・・液晶層 １９・・・・・・対向電極 ２０・・・・・・ゲート酸化膜 ２１・・・・・・拡散層 ２２・・・・・・ソース拡散層 ２３・・・・・・シフ）レジスタＩＮＫ２４・・・・・
・ビデオ信号 ２５・・・・・・トランスミッションゲート２６・・・
・・・絶縁基板 ２７・・・・・・拡散領域 ２８・・・・・・ゲート電極 ２９・・・・・・絶縁膜 ６０・・・・・・金属配線 ３１・・・・・・液晶駆動電極 ３２・・・・・・配 線 ３３・・・・・・シール剤 ３４・・・・・・誘電率の高い物質 ６５・・・・・・誘電率の高いシール剤３６・・・・・
・配線の巾の広い部分 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 第１ｖＡ 第２図 第３図 （し） 第４図 （＆） 第５図 イ 第７図 （ｃ） 第８図 ■） 第９図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） 少なくとも一方の基板が透明である２枚の基
板を一定の間隔を保ってシール剤にて貼り合わせ、該基
板間に物質を充填して成る平面型パネルにおいて、該２
枚の基板にはさまれた一部分には該基板間に充填された
物質よりも誘電率が高い物質が充填されていることを特
徴とする平面型パネル（２） 誘電率が高い物質は、
有機樹脂中に強誘電体物質の粉末が分散されたものであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第一項記載の平面型
パネル。 （３）誘電率が高い物質は、シール剤を兼ねていること
を特徴とする特許請求の範囲第一項記載の平面型パネル
。 （４） 一方の基板は、スイッチング素子がマトリック
ス状に配置されたアクティブマトリックス基板であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第−項記載の平面型パネ
ル。 （６） スイッチング素子は絶縁基板上に形成された
薄膜素子であることを特徴とする特許請求の範囲第一項
記載の平面型パネル。 （６）平面型パネルの基板間に充填されている物質は液
晶であり、誘電率の高い物質の誘電率は液晶の■電率よ
りも大きいことを特徴とする特許請求の範囲第一項記載
の平面型パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57054342A JPS58172626A (ja) | 1982-04-01 | 1982-04-01 | 電気光学装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57054342A JPS58172626A (ja) | 1982-04-01 | 1982-04-01 | 電気光学装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58172626A true JPS58172626A (ja) | 1983-10-11 |
| JPH047487B2 JPH047487B2 (ja) | 1992-02-12 |
Family
ID=12967932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57054342A Granted JPS58172626A (ja) | 1982-04-01 | 1982-04-01 | 電気光学装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58172626A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60186824A (ja) * | 1984-03-06 | 1985-09-24 | Citizen Watch Co Ltd | マトリクス表示装置 |
| JPS6127185U (ja) * | 1984-07-20 | 1986-02-18 | 三洋電機株式会社 | 表示装置 |
| JPS61171083U (ja) * | 1985-04-09 | 1986-10-23 | ||
| JPS62297820A (ja) * | 1986-06-18 | 1987-12-25 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置 |
| JPS6355524A (ja) * | 1986-08-26 | 1988-03-10 | Optrex Corp | 液晶表示素子 |
| JPS63175832A (ja) * | 1987-01-16 | 1988-07-20 | Hosiden Electronics Co Ltd | アクテイブマトリクス液晶表示装置 |
| FR2614718A1 (fr) * | 1987-04-28 | 1988-11-04 | Commissariat Energie Atomique | Ecran matriciel d'affichage a cristaux liquides muni de capacites de stockage |
| JP2008174973A (ja) * | 2007-01-19 | 2008-07-31 | Sakakibara:Kk | 階段 |
-
1982
- 1982-04-01 JP JP57054342A patent/JPS58172626A/ja active Granted
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60186824A (ja) * | 1984-03-06 | 1985-09-24 | Citizen Watch Co Ltd | マトリクス表示装置 |
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| JPS6355524A (ja) * | 1986-08-26 | 1988-03-10 | Optrex Corp | 液晶表示素子 |
| JPH0827458B2 (ja) * | 1986-08-26 | 1996-03-21 | オプトレツクス株式会社 | 液晶表示素子 |
| JPS63175832A (ja) * | 1987-01-16 | 1988-07-20 | Hosiden Electronics Co Ltd | アクテイブマトリクス液晶表示装置 |
| FR2614718A1 (fr) * | 1987-04-28 | 1988-11-04 | Commissariat Energie Atomique | Ecran matriciel d'affichage a cristaux liquides muni de capacites de stockage |
| JP2008174973A (ja) * | 2007-01-19 | 2008-07-31 | Sakakibara:Kk | 階段 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH047487B2 (ja) | 1992-02-12 |
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