JPS58172287A - 結晶成長装置 - Google Patents
結晶成長装置Info
- Publication number
- JPS58172287A JPS58172287A JP5113382A JP5113382A JPS58172287A JP S58172287 A JPS58172287 A JP S58172287A JP 5113382 A JP5113382 A JP 5113382A JP 5113382 A JP5113382 A JP 5113382A JP S58172287 A JPS58172287 A JP S58172287A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- crucible
- taking
- raw material
- crucibles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/02—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１） 発明の技術分野
本発明の結晶成長装置、特に引き上げ法による結晶成長
装置に係る。
装置に係る。
（１）技術の背景
今日の半導体貴業発達が良好な単結晶を成長する技術の
１１発により可能罠なつ光もＯであることは周知のこと
である。そうした単結晶成長法の一つとして１ｌｌｓ中
に浸し先程結晶を回転させながらゆり〈シ引き上げて大
ｒｅ棒状単結晶を成長する引き上げ法（チ冒コラルスキ
ー法）が広く用いられている。
１１発により可能罠なつ光もＯであることは周知のこと
である。そうした単結晶成長法の一つとして１ｌｌｓ中
に浸し先程結晶を回転させながらゆり〈シ引き上げて大
ｒｅ棒状単結晶を成長する引き上げ法（チ冒コラルスキ
ー法）が広く用いられている。
一方、半導体童業の発達に伴なう半導体素子の需要の急
激な増加は、その基となる単結晶に対し。
激な増加は、その基となる単結晶に対し。
その需要増加もさることながら、単結晶ウェーハ口径の
増大即ち単結晶インゴット径の増大上要求しつづけてい
る。すなわち、ウェーハロ径を大きくすればウェーハ面
積が大となり、ウェーへｍシのチップ数が増大し、結局
はリソグラフ勢処理回数ｔｍ体的に減らし、チップ轟り
のコストダウンが可能になるからである。
増大即ち単結晶インゴット径の増大上要求しつづけてい
る。すなわち、ウェーハロ径を大きくすればウェーハ面
積が大となり、ウェーへｍシのチップ数が増大し、結局
はリソグラフ勢処理回数ｔｍ体的に減らし、チップ轟り
のコストダウンが可能になるからである。
（３） 従来技術と問題点
前述の理由から大口径の単結晶インゴットを引き上げよ
うとすると、従来の結晶成長装置、４１ＩＫその坩堝の
原料チャージ量に限界があるために。
うとすると、従来の結晶成長装置、４１ＩＫその坩堝の
原料チャージ量に限界があるために。
インゴット径の増大とと−に、得られる結晶インゴット
が必然的に短いものとなる。そこで、原料が枯渇し九−
原料を補給し、先に４自上げた結晶を種として再度引き
上げを実施することＫよって長いインゴットを得ること
が行なわれている（リチャージ法）、シかし、こうし友
場合、どうしても結晶の一様性に問題が残る。
が必然的に短いものとなる。そこで、原料が枯渇し九−
原料を補給し、先に４自上げた結晶を種として再度引き
上げを実施することＫよって長いインゴットを得ること
が行なわれている（リチャージ法）、シかし、こうし友
場合、どうしても結晶の一様性に問題が残る。
従って、大口径かつ長尺の結晶を連続して引１上げるこ
とが必要となる。その九めには巨大愈坩鳩、そして莫大
な原料チャージ量を要し、さらＫは引き上げ中Ｋｉ［面
を一定の高さに保つえめの動力も大音〈ならざるを得ｔ
ｋ％／％。
とが必要となる。その九めには巨大愈坩鳩、そして莫大
な原料チャージ量を要し、さらＫは引き上げ中Ｋｉ［面
を一定の高さに保つえめの動力も大音〈ならざるを得ｔ
ｋ％／％。
（４）発明の目的
本発明は１以上のような従来技術に鑑み、大口径で長尺
の結晶を連続して引１上げることが可能で、しかも装置
が比較的大蓋化しない納品成長装置を提供することｔＩ
ｉ的とするものである。
の結晶を連続して引１上げることが可能で、しかも装置
が比較的大蓋化しない納品成長装置を提供することｔＩ
ｉ的とするものである。
（！Ｓ） 発明の構成
そして１本発明は上記目的七遣成するためＫ。
結晶引上げ用坩堝の他にそれと連通した原料補給用坩堝
を有することｔ特徴とする結晶成長装置を提供する。
を有することｔ特徴とする結晶成長装置を提供する。
（６） 発明の実施例
以下１本発−の実施例について説明する。
本発明のポイントは、第１閣に示したような、少なくと
も二個の坩堝１１．１２を連通管１３で結合したものを
使用することにある。ｇｚ図はその断面図である。こう
し九坩堝の一方（三個以上の坩堝の場合は中央のもの）
を従来の結晶引上げ用坩堝と同様に使用すると共に、他
方を前記坩堝會包囲する石英管及び加熱体の外に配置し
、こちらの坩堝は前記坩堝と独立に加熱する。これら二
つの坩堝は連通管で結ばれているので、大口径の結晶が
引き上げられてその坩堝内の融液が減るとき、原料補給
用坩堝に結晶原料を懺大して融解させると、結晶引上げ
用坩堝内の融液も補給され、こうして大口径の結晶を連
続して引き上げることｄｉで亀、従って大口径かつ長尺
の良好な結晶インゴットを得ることができる。
も二個の坩堝１１．１２を連通管１３で結合したものを
使用することにある。ｇｚ図はその断面図である。こう
し九坩堝の一方（三個以上の坩堝の場合は中央のもの）
を従来の結晶引上げ用坩堝と同様に使用すると共に、他
方を前記坩堝會包囲する石英管及び加熱体の外に配置し
、こちらの坩堝は前記坩堝と独立に加熱する。これら二
つの坩堝は連通管で結ばれているので、大口径の結晶が
引き上げられてその坩堝内の融液が減るとき、原料補給
用坩堝に結晶原料を懺大して融解させると、結晶引上げ
用坩堝内の融液も補給され、こうして大口径の結晶を連
続して引き上げることｄｉで亀、従って大口径かつ長尺
の良好な結晶インゴットを得ることができる。
例えば、各坩堝の内径は３５ （ａ） ％ ｌ！ＩＩさ
は２５〔鳴〕であり、材質は二酸化シリコン（８ｓＯｓ
）と′、 し友、こうした装置にポリシリーンを装入し。
は２５〔鳴〕であり、材質は二酸化シリコン（８ｓＯｓ
）と′、 し友、こうした装置にポリシリーンを装入し。
１４００（’Ｃ）に珈熱し、Ｓ結晶ｔ−回転しな力！ら
弓ｌき上げる。坩堝内の融液面に低下にあわせてシリコ
ン原料を原料補給用坩堝に供給し、融液面は実質的に一
定に保つ喪、注意すべきは、原料補給用坩堝が位置する
電の真空東件を結晶引上げ電と調整すぺ自こと、各坩堝
間を連絡する連通管内で融液が凝固しないようＫすべき
こと（そのためＫは連通管自体にも加熱体を具備させる
ことが好オしい、）である、このよう愈装置では、引き
上げ量に対応して原料を融解できるので、加熱エネルギ
ーが一般的に経済的でああ。
弓ｌき上げる。坩堝内の融液面に低下にあわせてシリコ
ン原料を原料補給用坩堝に供給し、融液面は実質的に一
定に保つ喪、注意すべきは、原料補給用坩堝が位置する
電の真空東件を結晶引上げ電と調整すぺ自こと、各坩堝
間を連絡する連通管内で融液が凝固しないようＫすべき
こと（そのためＫは連通管自体にも加熱体を具備させる
ことが好オしい、）である、このよう愈装置では、引き
上げ量に対応して原料を融解できるので、加熱エネルギ
ーが一般的に経済的でああ。
以上のようにしてシリジン単結晶１１口径１２．５〔龜
〕、長さ１００ （ａ）のものを引き上げることができ
た。その結晶性は良好であった。
〕、長さ１００ （ａ）のものを引き上げることができ
た。その結晶性は良好であった。
（７）発明の効果
以上の説明から明らかなように５本発明に依り、大口径
かつ長尺Ｏ結晶を連続して引１上げることがでＩゐ比較
的に小型の結晶成長装置が提供される。
かつ長尺Ｏ結晶を連続して引１上げることがでＩゐ比較
的に小型の結晶成長装置が提供される。
第１図は本発明に依る結晶成長装置に用いる坩堝の透視
図、第２図はその縦断面図である。 図において １１・・・坩堝 １２・・・坩堝 １３・・・連通管 特許出願人 富士通株式金社 特許出願代理人 −弁理士 青 木 朗 弁理士 西 備 和 之 弁理士 内 １）幸 男 弁理士 山 口 昭 之
図、第２図はその縦断面図である。 図において １１・・・坩堝 １２・・・坩堝 １３・・・連通管 特許出願人 富士通株式金社 特許出願代理人 −弁理士 青 木 朗 弁理士 西 備 和 之 弁理士 内 １）幸 男 弁理士 山 口 昭 之
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｌ 結晶引上げ用坩堝と、腋坩堝に連通した原料補給用
坩堝を有することｔ４Ｉ黴とする結晶成長装置。 ２ 前記結晶引上げ用坩堝、＃記原料補給用坩堝及び両
坩堝を連通する導管に対しての加熱手段を具備する特許
請求の範１１１１１項記載の結晶成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5113382A JPS58172287A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 結晶成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5113382A JPS58172287A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 結晶成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58172287A true JPS58172287A (ja) | 1983-10-11 |
Family
ID=12878312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5113382A Pending JPS58172287A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 結晶成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58172287A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0844318A1 (en) * | 1996-11-25 | 1998-05-27 | Ebara Corporation | Method of and apparatus for continuously producing a solid material |
| US7372968B2 (en) | 2000-11-08 | 2008-05-13 | New Transducers Limited | Loudspeaker driver |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5258080A (en) * | 1975-11-06 | 1977-05-13 | Siltec Corp | Continuous semiconductor crystal growth apparatus |
| JPS55130894A (en) * | 1979-03-28 | 1980-10-11 | Hitachi Ltd | Single crystal picking up apparatus |
-
1982
- 1982-03-31 JP JP5113382A patent/JPS58172287A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5258080A (en) * | 1975-11-06 | 1977-05-13 | Siltec Corp | Continuous semiconductor crystal growth apparatus |
| JPS55130894A (en) * | 1979-03-28 | 1980-10-11 | Hitachi Ltd | Single crystal picking up apparatus |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0844318A1 (en) * | 1996-11-25 | 1998-05-27 | Ebara Corporation | Method of and apparatus for continuously producing a solid material |
| US7372968B2 (en) | 2000-11-08 | 2008-05-13 | New Transducers Limited | Loudspeaker driver |
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