JPS58171880A - 半導体レ−ザの波長制御装置 - Google Patents
半導体レ−ザの波長制御装置Info
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- JPS58171880A JPS58171880A JP5438582A JP5438582A JPS58171880A JP S58171880 A JPS58171880 A JP S58171880A JP 5438582 A JP5438582 A JP 5438582A JP 5438582 A JP5438582 A JP 5438582A JP S58171880 A JPS58171880 A JP S58171880A
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- laser
- semiconductor laser
- control device
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/06837—Stabilising otherwise than by an applied electric field or current, e.g. by controlling the temperature
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は１半導体レーザの波長を一定Ｋ１１ｊ御する装
置に関する。
置に関する。
一般ＫＧａ（Ａｊ）ムＳ等の亭導体し−ずにおいては、
その構成畳素の割合によ）発振周波数が決まる。
その構成畳素の割合によ）発振周波数が決まる。
しかしながらレーザダイオードの接合面温度の変化によ
りレーず波長が変化するという性質がある。
りレーず波長が変化するという性質がある。
レーザ波長は、半導体レーザを用いるＩＩＫ非常に重要
なパラメーターとな〉、飼えば電子写真プロセスに半導
体レーザを応用したプリンタなどでは、記鍮体として用
いる光導保体物質の光感度が波長によって大きく異なっ
てくるため、レーザ波長のドリフトや個々のレーザの波
長のばらつきを極力おさえる必要がある。
なパラメーターとな〉、飼えば電子写真プロセスに半導
体レーザを応用したプリンタなどでは、記鍮体として用
いる光導保体物質の光感度が波長によって大きく異なっ
てくるため、レーザ波長のドリフトや個々のレーザの波
長のばらつきを極力おさえる必要がある。
従来、この波長ドリフトを防止するためには、レーザー
チップの温度をベルチェ素子などのサーモモジュールを
用いて一定に保つ方法が有効であった。しかし、この方
法では、レーザ製造時のばらつきゃ劣化による波長ドリ
フトなどは防止する事が出来なかった。 ・ 本発明は上記欠点を除去することを目的きするもので１
半導体レーザ発振波長の熱依存性に着目し、簡単な構成
で半導体レーザの発振波長を一定に保つものである。
チップの温度をベルチェ素子などのサーモモジュールを
用いて一定に保つ方法が有効であった。しかし、この方
法では、レーザ製造時のばらつきゃ劣化による波長ドリ
フトなどは防止する事が出来なかった。 ・ 本発明は上記欠点を除去することを目的きするもので１
半導体レーザ発振波長の熱依存性に着目し、簡単な構成
で半導体レーザの発振波長を一定に保つものである。
以下本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する。
第１図は、本発明の一実施例の構成を示すブロック図で
ある。
ある。
レーザチップ１０から発射された元をローバスフＦ）１
２ｔ−介してそれぞれ１６＾、１５＠で５！尤し１△ 光電変換した後各々の電圧出力によって電流制御装置１
４を１ｔｔＩＩ御してサーモモジュール１５を電動しＶ
−ザチッグの温度を常に一定の波長λｌに制御する。こ
こで、レーザチップ温度と波長の関係を第２図に示す。
２ｔ−介してそれぞれ１６＾、１５＠で５！尤し１△ 光電変換した後各々の電圧出力によって電流制御装置１
４を１ｔｔＩＩ御してサーモモジュール１５を電動しＶ
−ザチッグの温度を常に一定の波長λｌに制御する。こ
こで、レーザチップ温度と波長の関係を第２図に示す。
また、ｌ、ＰＦｌｌとＨＰｉ”１２の特性Ｆｉ第３図に
示す様になっており、この２本の曲線が交差している部
分の波長がλｌとなる。このときの透過率がφｌとなる
。受ｊｔ、ｓ子１５＾、１６・の出力電圧を■＾、 Ｖ
ａとすると、受光素子１３＾。
示す様になっており、この２本の曲線が交差している部
分の波長がλｌとなる。このときの透過率がφｌとなる
。受ｊｔ、ｓ子１５＾、１６・の出力電圧を■＾、 Ｖ
ａとすると、受光素子１３＾。
１６−の特性が略等しい場合、波長ハにおいて■＾−Ｖ
＠となる。従って、ｌｖ−■＾−■６としたとき、ノ■
′″：′０マとなる様にサーモモジュール１５に流れる
電流を電流制御装置１４にて制御する。
＠となる。従って、ｌｖ−■＾−■６としたとき、ノ■
′″：′０マとなる様にサーモモジュール１５に流れる
電流を電流制御装置１４にて制御する。
１８４図に、半導体レーず装置の構成を具体的に示ス。
図において、１ｔｉ半導体レーザチップであ染、矢印４
及び５の二方向にレーザ光を出射する。
及び５の二方向にレーザ光を出射する。
矢印４方向に出射される党社、画偉の書込み等主出力と
して用いられ、矢印５方向に出射される元は受光部２に
より検知され、波長の一定制御のための出力として用い
られる。半導体レーザチップｉＦｉ、サーモモジールで
あるペルチェ素子６によ゛ り温度調節される。又、６
Ｆｉ放熱板である。
して用いられ、矢印５方向に出射される元は受光部２に
より検知され、波長の一定制御のための出力として用い
られる。半導体レーザチップｉＦｉ、サーモモジールで
あるペルチェ素子６によ゛ り温度調節される。又、６
Ｆｉ放熱板である。
第５図に第１図の制御回路を具体的に示す。矢印５万回
に出射されたレーザ光は受Ｊｊｔ部２に入射シ、ローパ
スフィルタ１１．ノ・イパスフィルタ１２を介して、受
光素子１５＾、１６・に入射し５１１Ｌ圧■＾、 Ｖａ
に変換される。受光素子１６＾、１６Ｂは波長λｌ近傍
で略均−な分光感度を有するものである。受光素子１６
＾、１６Ｂからの一出力電圧■＾、Ｖａツブ１が温度調
節される。また、受光素子１６＾の出力電圧■＾は、レ
ーザ電流制御部９に入力され、レーザが所定のパワーを
出力する様にレーザ＊ｍをｆｈｌＪ ＩＩする。
に出射されたレーザ光は受Ｊｊｔ部２に入射シ、ローパ
スフィルタ１１．ノ・イパスフィルタ１２を介して、受
光素子１５＾、１６・に入射し５１１Ｌ圧■＾、 Ｖａ
に変換される。受光素子１６＾、１６Ｂは波長λｌ近傍
で略均−な分光感度を有するものである。受光素子１６
＾、１６Ｂからの一出力電圧■＾、Ｖａツブ１が温度調
節される。また、受光素子１６＾の出力電圧■＾は、レ
ーザ電流制御部９に入力され、レーザが所定のパワーを
出力する様にレーザ＊ｍをｆｈｌＪ ＩＩする。
尚、上記実施例では、受光部に同様の分光特性（ａン
を有する２個の素子を設けたが、第６シ示す様な特性の
素子を用いればフィルタを用いずに同様の効果が得られ
る。
素子を用いればフィルタを用いずに同様の効果が得られ
る。
又、第６図（ｂ） 、 （Ｃ）の如き特性の素子を用い
れば、受光部を１素子で構成することができる。尚、こ
の様な出力特性を有する素子において、その出力電圧の
最小値又祉最大値を検知することはｉイクロコンピュー
タ等を用いれ′ば容謳に実現できる。
れば、受光部を１素子で構成することができる。尚、こ
の様な出力特性を有する素子において、その出力電圧の
最小値又祉最大値を検知することはｉイクロコンピュー
タ等を用いれ′ば容謳に実現できる。
又、第７図（ａ）又は（ｂ）に示す如き特性を有するフ
ィルタを用いれば、１枚のフィルターとレーザー波長領
域の近傍で略、均一な分光感度を有する１素子にて前述
と同様の制御が可能である。
ィルタを用いれば、１枚のフィルターとレーザー波長領
域の近傍で略、均一な分光感度を有する１素子にて前述
と同様の制御が可能である。
以上の様に、本発明社、半導体レーザの発振波長を検出
し、この検出出力に基づいて半導体レーザ素子を温−す
るものであ７す、従来・問題となっていた劣化や製造時
のパラつきによる半導体レーザの波長シフト、或いはバ
ラつきを補正し１常Ｋ 一定の波長のレーザ光を得るこ
とが出来る。
し、この検出出力に基づいて半導体レーザ素子を温−す
るものであ７す、従来・問題となっていた劣化や製造時
のパラつきによる半導体レーザの波長シフト、或いはバ
ラつきを補正し１常Ｋ 一定の波長のレーザ光を得るこ
とが出来る。
第１図は本発明による半導体レーザの波長制御装置の一
実施例の構成を示すブロック図、８２図はレーザチップ
の温度と波長の関係を示す特性図、ｍ３−はローパスフ
ィルタとバイパスフィルタの特性を示す図、＠４図は半
導体レーザの構成を示す図、＠５！４は第１図を具体的
に示、す回路図、第６図（ａ） 、 （ｂ） 、 （Ｃ
）は本・発明の他の実施例に適用できる受光素子の特性
図、第７図（ａ）・、（ｂ）は本発−の他の実施例に適
用できるフィルタの特性−である。
実施例の構成を示すブロック図、８２図はレーザチップ
の温度と波長の関係を示す特性図、ｍ３−はローパスフ
ィルタとバイパスフィルタの特性を示す図、＠４図は半
導体レーザの構成を示す図、＠５！４は第１図を具体的
に示、す回路図、第６図（ａ） 、 （ｂ） 、 （Ｃ
）は本・発明の他の実施例に適用できる受光素子の特性
図、第７図（ａ）・、（ｂ）は本発−の他の実施例に適
用できるフィルタの特性−である。
Claims (1)
- 半導体レーザ素子より発振する元の波長を検知し、この
検知出力に基づいて前記半導体レーザ素子の温度を制御
することにより、前記半導体レーダ素子よ〉発振する光
の波長を一定にするこきを特徴とする半導体レーザの波
長制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5438582A JPS58171880A (ja) | 1982-04-01 | 1982-04-01 | 半導体レ−ザの波長制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5438582A JPS58171880A (ja) | 1982-04-01 | 1982-04-01 | 半導体レ−ザの波長制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58171880A true JPS58171880A (ja) | 1983-10-08 |
Family
ID=12969210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5438582A Pending JPS58171880A (ja) | 1982-04-01 | 1982-04-01 | 半導体レ−ザの波長制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58171880A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0116592A1 (en) * | 1982-08-23 | 1984-08-29 | Western Electric Company, Incorporated | Spectrally stabilized laser |
| JPS60249063A (ja) * | 1984-02-21 | 1985-12-09 | ドイツ連邦共和国 | レ−ザ・ドツプラ−風速計 |
| EP0516318A2 (en) * | 1991-05-27 | 1992-12-02 | Pioneer Electronic Corporation | Apparatus for controlling semiconductor laser operating temperature |
| EP0930680A2 (en) * | 1998-01-05 | 1999-07-21 | Nec Corporation | Laser diode optical wavelength control apparatus |
| WO1999043060A1 (en) * | 1998-02-19 | 1999-08-26 | Uniphase Telecommunications Products, Inc. | Method and apparatus for monitoring and control of laser emission wavelength |
| US6134253A (en) * | 1998-02-19 | 2000-10-17 | Jds Uniphase Corporation | Method and apparatus for monitoring and control of laser emission wavelength |
| US6560253B1 (en) | 1999-01-14 | 2003-05-06 | Jds Uniphase Corporation | Method and apparatus for monitoring and control of laser emission wavelength |
-
1982
- 1982-04-01 JP JP5438582A patent/JPS58171880A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0116592A1 (en) * | 1982-08-23 | 1984-08-29 | Western Electric Company, Incorporated | Spectrally stabilized laser |
| EP0116592A4 (en) * | 1982-08-23 | 1986-11-05 | Western Electric Co | SPECTRALLY STABILIZED LASER. |
| JPS60249063A (ja) * | 1984-02-21 | 1985-12-09 | ドイツ連邦共和国 | レ−ザ・ドツプラ−風速計 |
| EP0516318A2 (en) * | 1991-05-27 | 1992-12-02 | Pioneer Electronic Corporation | Apparatus for controlling semiconductor laser operating temperature |
| EP0930680A2 (en) * | 1998-01-05 | 1999-07-21 | Nec Corporation | Laser diode optical wavelength control apparatus |
| EP0930680A3 (en) * | 1998-01-05 | 1999-09-22 | Nec Corporation | Laser diode optical wavelength control apparatus |
| US6154474A (en) * | 1998-01-05 | 2000-11-28 | Nec Corporation | Laser diode optical wavelength control apparatus |
| WO1999043060A1 (en) * | 1998-02-19 | 1999-08-26 | Uniphase Telecommunications Products, Inc. | Method and apparatus for monitoring and control of laser emission wavelength |
| US6134253A (en) * | 1998-02-19 | 2000-10-17 | Jds Uniphase Corporation | Method and apparatus for monitoring and control of laser emission wavelength |
| US6289028B1 (en) | 1998-02-19 | 2001-09-11 | Uniphase Telecommunications Products, Inc. | Method and apparatus for monitoring and control of laser emission wavelength |
| US6560253B1 (en) | 1999-01-14 | 2003-05-06 | Jds Uniphase Corporation | Method and apparatus for monitoring and control of laser emission wavelength |
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