JPS5816890A - 光学的記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は光学型の情報記録システム、さらに具体的には
記録貯蔵特注を有する放射線応答酵膜中にレーザでテー
クを記録する方法に関する。

テークの光学的記■においては、記瞳媒体の反射率を変
ｆヒさせるために記は媒体中にピッｌ・を形（　１　）
　　　　　　　　　　　　ｒ−Ｉ−成するのに光学的に
テークを記臆するためのレーザＩＥ　Ｗ用されている。

ピットは蒸発、融解もしくは切除によって形成されてい
る。テークを示すために元の反射率もしくは透過率の変
『ヒを防用した記，緑が使用され得る。Ｂｅｌｌ及びＳ
ｐｏｎｇ著′゛Ａｎｔｉｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ　　Ｓｔ
ｒｕｃｔｕｒｅｓ　　ｆｏｒＯｐｔｉｃａｌ　Ｒｅｃｏ
ｒｄｉｎｇ　”ＩＥＥＥ　Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ　　Ｑｕ
ａｎｔｕｍ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ　　ＱＥ−１４、
扁７、第４８７〜第４９５頁（１９７８年７月刊）なる
論文の第４８９頁はビスマス、チタンもしくはロジウム
の屯層構造を開示している。２層反射防正構造はｋｔ　
もしくはＴ　ｉ　０２’　／ＭｇＦ２／Ｔｉｅ２の誘電
体スタックを含む得る。この様な記録媒体中にはフルオ
レセイ／の如き有機染料が１史用されている。この論文
の第４９３頁に述べられた池の構成はｇｔ体ススペーサ
びＴｉ吸収層で覆われたｌｔｔ射器である。多くの光学
的記録の変型が提案されているが、これ等はすべてここ
では論ぜられない。上述の互換例に関する問題は強力な
レーザ・ビームを使用する事なくしては情報の長い寿（
２） 命の記１意を与えない欝にある。米国特許第６９５９７
９９号は加熱によって反心し、反応体のものとは異なる
反応生成物を形成するため２つもしくは６つの材料の隣
接傅層より成る読取り記障装置媒体を開示している。さ
らに具体的には例えばレーザ・パルスを１史用する事に
よって層を局所的に加熱する事によって透明な生成物、
Ａ４　Ｓｅ３を形成する事によって反面するアルミニウ
ム及びセレンの交互層を有する事より成る記障媒体が説
明されている。

米国特許第４０６９４８７号は（ＰｔＸＰｈ。

Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、ＩｒＸ　ＣｒＸＭｏ、ＴａＸＺｎ。

Ｃｕ、Ａ７．Ｉｒ＋、Ｓｎ、Ｐｂ及びＢｉ）から選択き
れた金属元素がカルコゲン「ヒ合物、無機ｅ（ヒ物もし
くは樹脂（染料もしくは顔＃＋）の非金属層と層ｒヒさ
れ得るレーザ尤学記障装置を開示している。カルコゲン
はＳ、Ｓｅ及びＴｅの如きカルコゲン元素を含む。Ｔｅ
及びＴ’Ｑベース合金の如き一般に広く使用されている
記瞳材料は比較的寿命が短い。なんとなれば１００原子
層程度の極めて（３） 薄い薄膜が腐食するためである。記録貯蔵ンステムは通
常の環境では少なくとも１０年稈度の期間テ〜り保♀を
与える事が心安とされる。

米国特許第４’Ｄ［１０４９２号はＢｉ、Ｉｎもしくは
Ｓｎなる第１層並びにＢ１５３．５ｈＳ３及びＳｓより
成るレーザ源に近い第２の層より成る透明基板上の金属
薄膜を示している。

しかしながら、上記の参考文献のいずれもケイ素を含む
層と池の元素を含む曲の層との積層の概念を開示してい
ない。

本発明の目的は賊械で読取り０］′能な極めて高い密度
のデータを与える光学記厖装置媒体を与える事にある。

本発明の池の目的はデータの明瞭度及びデータの長期間
の保持を確実にするデータの記録（アーヤバル）レベル
の記厖装置を与えることにある。

本発明の池の目的はオフィス及び通常の製造環境に見出
される周辺環境条件の標阜の範囲の中での長期の記障に
よっては悪結果を生じない光学記臣媒体を与える事にあ
る。

（４） 本発明に従う、光学記１慧媒体は果槓層を帯びる基板を
含む。改良点は層の１つが主にケイ素より成る点にある
。

本発明の池の態様における改良点は層の１つが主にケイ
素より成り、層の能力が少なくとも１つの曲の元素より
成る点にある。

上記曲の元素は金属元素を含む群から選択される事が好
ましい。特に好ｌしい金属元素は周期律表上の第ＶＢ、
ＶＩＢ、■Ｂ及び■族元素並びにＭｇ及びＡｇを詮む。

より有利な元素はＶＸＮｂＸＴａ、ＣｒＸＭａ、ＷＸＭ
ｎ、Ｆｅ、Ｃｇ、Ｒｈ、Ｎｉ。

Ｐｄ、ｐｔ及びＡｕを含む。最も有効な元素はＰｄ。

Ｐｔ、ＴａＸＲｈＸＶ及びＣＯを含む。

腐食による通常のＴｅベース合金に関連する比較的短い
寿命は本明細瞥によって開示される材料の使用によって
少なくとも１０年に延長される。

第１図は光学記録媒体の概略図である。媒体は使用され
る芯用に依存して透明もしくは不透明であり得る基板Ｓ
、より成る。第２層はケイ素の薄膜である。第３層は（
レーザ・ビームＢ１等によって）十分に１３０熱された
時にケイ素とｆヒ台して光学記１意装置において使用き
れる型の光学センサの如きセ／すによって読取９可能な
マークを与える金属Ｍ１の薄膜である。記録されたデー
タは光学的拡大でのみ見え得る９口き高密度で記録され
得る。

−役にケイ素の上部の金属付着物Ｍ、は高い反射率を有
する。ビームＢ１の６５係程度及びそれ以上が反射され
る。−役に反射率が１鵬いためにマークを形成するに十
分な金属Ｍ１をｈ１熱するためには旨い幇込みエネルギ
が心安とされる。さらに金属薄膜Ｍ１は金属と反応する
湿度及び酸素によって生ずる酸「ヒによって媒体の寿命
を短くする傾向の周辺条件にざらてれる。この様な酸化
は金属の反射率を害い、データを記１意するのに必要と
される反射率の対照性（コントラスト）を破壊する。

しかしながら、もし基板Ｓ１が透明ならば、ケイ素は、
約５％に等しいかそれ以下の低い反射率を有するケイ素
に入射するビームＢ２を与えるレーザの如き源からのエ
ネルギにざらされ得る。これによって金＠Ｍ　、及びケ
イ素間のインター７ェイスを、マークをＩｌｔ成するに
必要とされる十分高い温度に上昇するのにほとんどＩＪ
Ｄ熱する必ｇがなくなるので、１氏いエネルギの暫込み
が得られる。さらに基板を通して媒体を露几する場合に
は、金属Ｍ１が保護層で慢われ、金属薄膜の劣ｆヒか防
出される。

啼Ｍ１中で匣用されるのが好ましい金属はロジウム、コ
バルト、パラジウム、白金、クロム、メンタル及びバナ
ジウムである。−役に、第ＶＢ族の金属Ｖ　ＸＮ　ｌ）
及びＴａはすべて有用である。第■Ｂ、■、■族の金属
、Ｍｇ及びＡｕはとりわけ有用である。特に、第ＶＩＢ
族金属はＣｒＸＭｏ及びＷである。第■Ｂ金寓はＭｎ、
Ｔｃ及びＲｅである。第■族金属はＦｅ、Ｃｏ、ＮｉＸ
ＲｕＸＲｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ及びｐｔ″′Ｃある。Ａ
ｕは第１Ｂ金属であるが、勿論周期律表ＩＰｔに最も近
い金属である。

第２図を参照するに、図は基板Ｓ２が記録媒体に対して
適した任意の基板材料である改で第１図と極めて似てい
る。先ず金属層Ｍ２が基板Ｓ２上（７） に付着される。次に、ケイ素層が金属Ｍ２上に付着され
る。この場合、金属を７１１熱するためには基板を通す
ビームＢ４でなく、第１図のビームＢ１によるといった
如く直接ビームＢ３（もしくはレーザ・ビーム以外の池
の放射線）で媒体の上部技面上に書込む事が好ましい。

第２図の構造の池の利点は金属ｌＶＩＩＭ２上のケイ素
層がそれ自体受動態「ヒ層を与えて金属層Ｍ２を保護す
るのに追加の薄膜を必要としない改にある。なんとなれ
ば基板が下方表面を保護するからである。

第６図は高密度記■に対する記録ティスフである基板Ｓ
５を示す。次の層は高度に反射はであり十分に耐火曲で
あるＴｉもしくは池の金属の叩き反射鏡層ＭＲである。

Ｔｉは１６６８”０の融侭を有し、従って劣化する事な
く使用に適している。

鏡ＭＲ上には交代可能な金属層及びケイ素であり得る薄
膜Ａ及びＢ上に指向されるレーザ・ビームＢ５の波長を
最大［ヒするのに適した厚さの５ｉ０２の如き材料の好
ましい誘電スペーサ層ｓｐが付着され得る。薄膜Ａ及び
Ｂは金属が第１図中の如く（８） 上部（薄膜Ａ中）にあるか、第２図の如く下にあるかに
関しては交換０Ｊ能である。いずれの場合でも、薄膜Ａ
及びＢを通過したＪｔ′、は反射して戻され、上方２層
全加熱し、レーザ・ビームＢ５の効率を増大する。この
様にしてビームＢ５からのエネルギが所与の点にテーク
を筈込むのに／Ｊ＞なくてすむ様になっている。この様
に、」二部薄Ｕ莫Ａとしてケイ累全Ｍ置付ける時はテー
ク記録機能の効率を増大する心安がある。

ケイ「ヒ物（金属及びケイ素のｆヒ台物）薄膜がマイク
ロ電子装置の接触材料としての芯用に広く研究されてい
る。Ｊ、Ｍ、Ｐｏａｔｅ、に、Ｎ、Ｔｕ及びＪ、ＷＭａ
ｙｅｒ編、Ｗｉｌｅｙ−Ｉｎｔｅｒｓｃｉｅｎｃｅ。

Ｎｅｗ　Ｙｏｒｋ　（１９７８）年刊、Ｋ、　Ｎ、　’
Ｉ”ｕ　及びＪ、　Ｗ、　Ｍａ　ｙ　ａ　ｒ著”　Ｔｈ
１ｎ　Ｆｉｌｍｓ　−Ｉｎｔｅｒｄｉｆｆｕｓｉｏｎａ
ｎｄ　　Ｒｅａｃｔｉｏｎｓ　　”第１０章を参照され
たい。

付着された金属薄８１Ｘをケイ素と反応させる事によっ
てケイ化物コンタクトを形成する場合には、ケイｆヒ物
と非反り即金属薄膜間の大きな光学的対照がしばしば観
察される。これについてはＣ，ＪＬＫｉｒｃｈｅｒ著５
ｏｌｉｄ　　５ｔａｔｅ　　Ｅ］ｅｃｔｒｏｎ１４５０
７（１９７１）を参照されたい。

圀えば、第４図ははるかに明るいＰｄ領域によって取巻
かれた酸化ケイ素上の食刻開孔中の直径０．０２５ｍｍ
のＰｄ２Ｓｉコアタクトの暗スポット’を示す。この様
な写真はケイｆヒ物薄膜が反射時のケイｆヒ物及び金属
（もしくはＳｉ）間のコントラストがこの芯用に対して
十分大きいものとして、記録光学記隠装置に対する可能
註ある材料として考慮され得る事を提案している。記録
光学記障装置中の材料に対する他の決定的な安住は室温
で１０年以上の長い寿命及び非毒性である。以下、記は
の芯用におけるケイ化物薄膜の反射率の変ｆヒ及び安定
性についての発見について説明する。

ケイ素ウニ・・上に形成された金属薄膜及びそのケイ化
物間の光学的反射率の差が測定された。第１茨に示され
た厚さのいくつかの遷移金属薄膜が直径約３２ｍｍの［
１００］配回のケイ素ウェハ上に、１０ｍｍＨＨの真空
室中で電子ビーム付着によって作′成された。第１表中
に示された元学反射率（Ｒｏ）はλ＝６　ａ　３．７　
ｎｍ　（Ｋｒレーザ）で抑］定でれたｆ直である。

次いでこれ等の薄膜はＩ開切な条件下で焼な１しされ、
ケイｒヒ物が形成され、反射率の直が円び第１表に示さ
れたμｍく測定された。明らかに、多くの金喘及びその
ケイｆヒ物の多くの対は３０係ｍ上の反射率の差ΔＲを
示した。観察された最大の差はＰｄ及びＰｄ２Ｓｉ間に
あり、約５３％である。

この差は１吏用σれる尤の波長と共に変ｒヒする事７１
ｉ知られており、第５８１図は１更用された九の波長の
関数としてケイ素（Ｓｔ）ウニ・・上で測定されたＰｄ
、Ｐｔ、Ｐｄ−Ｐｄ２Ｓｉ及びＰ　ｔ　−ＰｔＳｉ灼の
光学反射率の変ｆヒを示す。第５８１図に示された波長
の範囲では、Ｐｄ及びＰｄ２Ｓｉ間のΔＲはＰｔ及びＰ
ｔＳｉ間のΔＲ，］：りも大きな変ｒヒ會示す。

第　　　　Ｉ　　　　　表 バルク・ケイｒヒ物の光学反射率 Ｐｄ　　　２０００　　　８１　　　　Ｐａ２Ｓｔ　　
２８　　　５３Ｐｔ　　　１３００　　　８３’　　　
ＰｔＳｉ　　　４４　　　３９Ｔａ　　　２０００　　
　５８．５　　　ＴａＳｉ２３２．５　　２６Ｒｈ　　
　２０００　　　６７　　　　ＲｈＳｉ　　　３７　　
　３０Ｖ　　　３０００　　　４８．５　　　ＶＳｉ２
３０　　　１８．５Ｃｏ　　　　５００　　　６８　　
　　Ｃｏ５ｔ　　　４７　　　２１λ＝６４３．７ｎｍ ＊　Ｓｉウェハ上の金属薄膜 Ｐｄ２Ｓｉ及びＰｔＳｉは安定曲及び光学的コントラス
ト’を含む多くの所望の性質を有する２つのｆと合物で
ある。Ｐｄ２　Ｓｉ及びＰｔＳｉは共に（１１） 局所スポットが記録中レーザ・ヒ−ムＫ　ｕ：　ツテｊ
ＪＯ熱される時に形成される。第１図は反射によって読
出しが行なわれる構造体の概略図である。Ｓｔ基板が１
史用されるか、もしくはＳｉの薄膜が真空蒸看頂法もし
くはＣＶＤ過程によって適切な基板上に付着される。Ｐ
ｄもしくはＰＬの薄膜か次いでＳｔ薄膜上に付着される
。Ｐｄ及びＰｔの厚さは２００Ｘ乃至６００Ｘの範囲で
ある。

これ等の薄膜の光学反射率は問題の波長、すなわち６ｄ
０１１ＸでＰｄに対する８０係からＰｔに対する８４％
に及ぶ。第５．１図に示されたスペクトルは１００ＯＸ
の厚さの薄膜に対するものである。テイジタル情報は記
臣薄＠を移動させるか、静正記厖薄膜上全レーザ・ビー
ムで定食する事によってパルス比されたレーザ・ビーム
でスポットを局所加熱する事によって記録される。局所
スポットの温度は数百度（℃’）ｋ越え得、これによる
熱拡赦もしくは融解によってＰｄ２　Ｓｉ及びＰｔＳｉ
の如き１６合物の形成を生ずる。これ等の化合物の光学
反射率の百分率は（血めて低く、代表的には４（１２） ０％以下である。例えば問題の波長、６４ＤＯｉでは第
５．１図に示されている如く、反射率はＰｄ２　Ｓ　ｉ
に対して２８％であり、ＰｔＳｉに対して４４係である
。

刊行物の物理的テータ １ノ２ Ｐｄ２Ｓｔ　１００−７００　１．３−１．５　　　　
ｔ　　　　１３３０ＰｔＳｉ　　２００−５００　１．
１−１．６　　　　ｔ１／２１１００１＝時間　（Ｐｏ
ａｔａ、　Ｔｕ　　及びＭａｙｅｒ　　編、Ｊｏｈｎ　
Ｗｉｌｅｙ　、＆　５ｏｎｓ　　社１９７８年刊“Ｔｈ
１ｎ　　Ｆｉｌｍ−−ＩｎｔｅｒｄｉｆｆｕｓｊｏｎＲ
ｅａｃｔｉｏｎｓ　　”第３７６頁よυ）この様な装置
の一寿命については、室温におけるＰｄのＳｔへの拡散
ヶ考感されたい。平均活囲ｒヒエネルギとして１．ｄｅ
Ｖ’ｊｉ７取れば、１ｏ年間の拡故距離はｓ、５ｘｉｏ
−８Ｇである事がわかる。

第１図には示σれていないが、腐食抵抗を増大させ不動
態化層としてのｌ・助きもする反射防市膜としての１　
［１０［３Ｘ程度の厚さの誘電体の薄膜がＰｄ衣而面二
に付着され得る。

ロジウム−ケイ素 第３図はその上に活は層Ａ−Ｂ、叩ちＳｔ上のＲｈもし
くはＲ１１」二のＳｉが５ｉ０２、叩ち誘電スペーサ層
ｓｐ上に付着きれ得る代表的尤学記１意装置のディスク
の側面図である。代表的には１５ｎｍ以下である活性層
の厚さが、レーザ書込みスポットと未反心の背景間の最
大コントラストが存在する如く選択された。

ロジウムの薄膜がケイ素の層と接触し、４００°Ｃ以上
の温度に加熱されると、反応が境界に生じ、ＲｈＳｉが
形成される。３７７°０以下では反応が観測されず（Ｄ
、　Ｊ、　Ｃｏａ、　Ｅ、　Ｔ（、”Ｒｈｏｄｅｒｉｃ
ｋ、Ｐ、　Ｈ，Ｇｅ　ｒ　ｙ、　ｏ　ｎ及びＡ、Ｗ、Ｇ
１ｎ５ｌａＹ著“５ｉｌｉｃｉｄｅ　　Ｆｏｒｍａｔｉ
ｏｎ　　ｉｎ　Ｒｈ−８ｔＳｃｈｏｔｔｌｃｙ　　ｂａ
ｒｒｉｅｒ　　ｄｉｏｄｅｓ　　”　Ｉｎ５ｔ。

ｏｆ　Ｐｈｙｓ、　Ｃｏｎｆ、　　Ｓｅｒ、２２、第７
４頁１９７４年刊参照）、この事はＲｈ系を長期の記瞳
し用に対してより魅力あるものにする。

第３図はＳｉＯ２誘亀体スペーザ（９０乃至１００　ｎ
ｒｎの厚さ）によって分離されたＴｉ鏡（４０乃至５０
ｎｍの厚さ）上の活性層Ａ及びＢ（Ｓｔ十Ｒｈもしくは
Ｒｈ＋Ｓｉ）より成る代表的ディスク構成の概略図であ
る。情報は１７−ザ・ビームによる局所加熱によって貯
蔵され、ｂ１熱によＪＲｈ及びＳＬの反応が生じてクイ
ｒヒ物が形成される。

ケイｆヒ物形成の前後における反射率の差は読取りのた
めに適切なコントラスト比を与えるに十分である。例え
ば、問題の波長（６ｄ３ｎｍ）でＳｔ上のＲｈ薄膜（２
ｏｏｏｉ）の反射率は代表的には６７％で、この（直は
ＲｈＳｉの形成後、５００°Ｃで６０分焼なましを行な
う手によって３７％に減少される。　　　　□ この機構の主利点はＴｅ及びＴｅベース合金の如き通常
の低温度記厖に１吏用される如き完全な円形の孔を切除
する際の困難なプロセスを避ける事が出来る点にある。

Ｒｈ元素はほとんど腐食されない事が知られており、（
極めて高いレーザ・エネルギで）ＲＪＪＩ膜から形成さ
れた曲の光学ファイルは米国標準局によって記録計があ
る事が保証されている。ロジウムはディスクの雰囲気に
対して抵抗ｊ生を与え、従ってより反旧註である金属よ
り長い寿命を与える。

第３図の活１生層として２層構造が示されたが、光学的
回置を最適比するために構造の印章の変更が［炉用され
得、例えば５ｉ−Ｒｈ−８ｔの６層構造が使用され得る
。

媒体の寿命は腐食もしくは界面拡散によって生ずる薄膜
の劣ｆヒによって主に決定される。

腐食 腐食に関連して説明された、Ｐ’ｔ／、ｉｆＸ　Ｒｈ／
Ｓｊ及びＰ’ｄ／Ｓｉ（ここで金属が先ず付着され、後
にケイ素が付着される）はＴｅ等の如き通常の記障媒体
よりもはるかに腐食されにくい。

界面拡散 これ等の２層薄層構造の室温寿命は、より高温で測定き
れたより厚い薄膜中の周知のケイ化物成長を使用する加
速テスト及び補外によって推定されなければならない。

８ｉウエハ上の２０１’］ｎｍＲｈ薄膜の場合、約４０
０℃におけるＲｈＳｉの成長は１．９　ｅ　Ｖの活囲〔
ヒエネルギで拡散制御される事が観測されている。次の
文献を参照されたい。

Ｄ、Ｊ、Ｃｏｅ、Ｅ、Ｈ，ＲｈｏｄｅｒｉｃｋＸＤ、Ｈ
，、Ｇｅｒｚｏｎ及びＡ、　Ｗ、　Ｇ１ｎ５ｌｅｙ著“
Ｍｅ　ｔ　ａ　Ｉ　−Ｓｅｍ１　ｃｏｎｄｕｃ　ｔｏｒ
Ｃｏｎｔａｃｔｓ　”、Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ　　５ｅ
ｒｉｅｓ　Ａ２２、Ｉｎ５ｔｉｔｕｔｅ　　ｏｆ　　Ｐ
ｈｙｓｉｃｓ、Ｌｏｎｄｏｎ１９７４、Ｓ、Ｐｅｔｅｒ
ｓｓｏｎ、Ｒ，Ａｎｄａｒｓｏｎ。

、Ｔ、　Ｄｅｍｐｓｅｙ、　Ｗ、　Ｈａｍｍｅ　ｒＶＦ
、　ｄ’　Ｈａｕｒ　ｌ　ｅ及びＳｓ　Ｌａｐｌａｃａ
著Ｊ、　Ａｐｐｌ、　Ｐｈｙｓ、　５１３７３（１９８
０）。これを室温に外挿して、吾りは１０−’３１．．
，２７秒の拡散類似運動定数及び１０年間で１ｎｒｒＩ
のＲｈ５ｆの推定成長が予期され、この事は実用上Ｒｈ
Ｓｉの成長がない事を意味する。

しかしながら、ここで開用された極めて薄い薄膜におけ
る反応原１隻を過少評価していないかどうカムを実験的
に倹べるために、１５０°Ｃで９８日もの間Ｓｔ／Ｒｈ
の２層薄膜全焼なｌしする事によって加速テストが行わ
れた。第９図は付着されたまま１時間、４９日間及び９
８日間１５０°Ｃにおいて焼な１しされたＳｉ（２５ｎ
ｍ　）／Ｒｈ（２５ｎｍ）薄膜の照角入射Ｓｅａｍａｎ
−Ｂｏｈｌｉｎ　　Ｘ線回折スペクトルを示す。（ｄ）
中の余分の反射率はＲｈ５ｉＫｔｉする。（ａ）の反射
強度は計数時間がより短いために、（ｂ）及び（ｄ）の
ものよりも小さい。９８日後に始めて成るＲｈＳｉにつ
いての情報が観測された。約３０ｎｍのＲｈがＲｈＳｉ
に変換される。この事は焼なまし前後のＲｈ反射の相対
強度の変ｆヒから推定される。１５０℃における９８日
後のＲｈＳｉの成長を推定するのに報告された１、９ｅ
Ｖ活匪化エネルギを１更用すると、約１ｎｍのＲｈＳｉ
の成長が得られるカニ、これは測定直と極めて一致する
。この事からＳｔ／Ｒｈの２層簿膜構成は１０年にわた
って室温で安定である。しかしながら、同一測定はＳｉ
／Ｐｔの２層構造はやつと安定であり、Ｓｔ／Ｐｄは室
温でおそらく１０年以下でＰｄ２　Ｓｉに変化するｌＩ
’を示した。

要するに、Ｓｉと１！！移金萬の２層薄膜構造は記＠死
学記障装置のための有望な材料である事が示された。こ
れ等はケイｆヒ物の形成前後の大きな反射率の変ｆヒ及
びＳｔ／Ｒｈの如きこれ等の成るものは室温で極めて艮
好な安定性を示した。さらにこれ等は毒性がない。

観測された大きなΔＲは興味深いものであるが、使用さ
れた厚い薄膜は光学的配置装置のＥ用に対して適切でな
い。なんとなればこれ等は書込みに際して比較的高いレ
ーザ・パワー全心安とするからである。ＳＩウェハ上の
レーザによるケイｆヒ物の形成については周知である。

し１１えば、Ｓ、　Ｄ、　Ｆｅｒｒ　ｉｓ、Ｈ，Ｊ、　
Ｌｅａｍｙ及び、ＬＭ、Ｐｏａｔｅ　編、Ｔ、　Ｙ、　
Ｔａｎ。

Ｒ，Ｔｓｕ　、　Ｐ、　Ｓ、　Ｈｏ及びに、　Ｎ、　Ｔ
ｕ　　＠Ａ　Ｉ　ＰＰｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ　　Ａ５０
、”　Ｌａ５ｅｒ　　５ｏｌｉｄ（１９） Ｉｎｔｅｒａｃｔｉｏｎｓ　　ａｎｄ　　Ｌａ５ｅｒ　
　Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ”１９７９年Ｆｌ＋第５３３
頁、Ｊ、　Ｍ、　Ｐｏａ　ｔｅ、Ｈｅ　Ｊ、Ｌｅａｍｙ
、Ｔ、Ｔ、５ｈｅｎｙ及びＧ、　Ｋ、　Ｃｅｌ　ｌｅｒ
著Ａｐｐ１．　Ｐｈｙｓ、　Ｌｅｔｔ、　　３３９１８
（１９７８）、並びにＪ、　Ｆ、　Ｇｉｂｂｏｎｓ、　
Ｌ、　Ｄ、　Ｈｅ５ｓ及びＴ、Ｗ、Ｓｉｇｍｏｎ　　編
、ニューヨークＥｌｓｅｖｉａｒＮｏｒｔｈ　Ｈｏ１ｌ
ａｎｄ　社１９８１年刊ＭｔＷｉ　ｔ　ｔｍａ　ｖａｎ
ｄ　Ｍ、　ｖａｎ　Ａｌ１ｍａｎ著ＭＲＳ　Ｐｒｏｃｅ
ｅｄｉｎｇｓＶＯｌ、ｉ、ｔｏ　　Ｌａ５ｅｒ　　ａｎ
ｄ　　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　　ＢｅａｍＳｏｌｉｄ　　Ｉ
ｎｔｅｒａｃｔｉｏｎｓ　　ａｎｄ　　Ｍａｔｅｒｉａ
ｌｓＰｒｏｃｅｓｉｎｇ　”’ｅ参照されたい。

反射率及び安定曲測定のために、酸比Ｓｉウェハ、溶解
石英、及びフォトレジスト被覆石英上に連続付着する事
によってＳｉ／金属のはるかに薄い２層薄１ｌｉｉｉ［
が製造された。第１図の金Ｆｉ／Ｓｔ／基板μ外の第２
図のＳｔ／金属／基板の２層構造が、反射率が低く、従
って書込みエネルギが低く、巨つＳｉによる表面の不動
態化が艮好なために選択された。耐火金属よりもケイ「
ヒ物を形成するのが容易なために、２層全形成するのに
３つの近貴（２１） （２０） 金属ｐｄ、ｐｔ及びＲｈが選択された。これについては
上掲Ｔｕ及びＭａｙｅｒ著の論文を参照されたい。

これによってレーザによる書込み中に電力が節約され、
ケイｆヒ物が啄めて容易に形成されるとは云え、寿命と
の交換関係が存在する事に注意されたい。反射率につい
ての界面干渉効果ヲ調べるために２層構造にＰけるＳｔ
もしくは金属の一方の厚さが変ｆヒされた。これについ
てはニューヨークＤｏｖｅｒ　　Ｐｕｂｌｉｃａｔｉｏ
ｎ　　社１９６５年刊ＣＬ　Ｓ、　Ｈｅａｖｅｎｓ　　
著ｌｌ０ｐｔｉｃａｌ　Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆ　　
Ｔｈ１ｎ　　５ｏｌｉｄ　　Ｆｉｌｍｓ　　”第４章を
参照されたい。

例えば、第６図は２５　ｎｍのＲｈによって覆われた石
英、該Ｒｈ上のＡ、ＢＳＣ，Ｄ、ＩＥ及びＦで示された
１５．２０．２５．６０．６５及び４０ｎｍのＳｔ薄膜
より成る６個のＳｉ／Ｒｈ薄膜に対する反射率／波長の
曲線を示す。反射率は最大及び最小値を示し、薄膜の厚
さと共に変ｆヒする。

ここでこれ等の曲線は第５，１図におけるものよシも波
長に対する反射率のより強い依存は葡示す。

ＲｈＳｉケイ１ヒ物葡形成するために７００℃で３０分
間焼なましされた後、例えば焼なましされた試料Ｓｔ（
２５ｎｍ　）／Ｒｈ（２５ｎｍ　）に対する反射率−波
長曲線は第６図における破線によって示されている。・
魂なｌし前、示された試′！４はλ〜７３０　ｎｍ　で
反射率の最小直を示した。書込みのために望まれるこの
波長においては、約４７係のΔＲが観察された。

光学記は装置の材料の特徴 Ｐｔ／Ｓｔ及びＰｈ／Ｓｉ２層薄膜上へのレーザ・ビー
ム書込みは、２層の薄膜全支持する基板の熱伝導率が」
色み動作のためのパワーの安住を決定する際に重要な役
割を果す事を示した。アルゴン・レーザ（５０％のチュ
ーティ・サイクル）の場合、わずか０５乃至１．０ｍＷ
が４００Ｘの厚さのＳｉ３Ｎ４の窓構造体のＲｈ／Ｓｔ
薄膜上に１０μｍの直径のスポツＨ−書込むのに必要と
される。ガラス基板上の薄膜に対しては１０−０−２Ｏ
が必要とされ、ざらに制い熱伝導率のＳｉ基板上の薄膜
に対してＩｔｓ　３５　ｍ　ＷＪｔ上が必要とされる。

比較のために、ガラス基板上のＴｅ博膜上に対して書込
むのには代表的には２−３ｍＷが必要とされる。ＰＬ／
Ｓｉ及びＲｈ　／　Ｓ　ｉの２層上のレーザによる書込
みスポットは同様に白色光の反射を眺めた苛の見かけの
色、もしくは単色光に対する反射率の局所豹変ｆヒによ
って記述する事が出来る。例えばアルゴン・レーザ照射
、λ＝５１４ｎｍはＲｈ／Ｓｉ２層上に１込まれた青色
、赤色及び黄色のスポットが隣接する未書込み領域と比
較して、く５チ（青色）＋６７％（赤色）及び＋６８係
（黄色）葡有する事を示した。種りの色及び反射率の変
ｆヒの原因となる購造上の変形を決定するために透過電
子顕微鏡及び回折が使用された。

薄いＳｔ、Ｎ、層上のＲｈ／５ＢＩＪＩＩｉＪの場合、
青い領域は単に金属Ｒｈの粒子の成長に関連付けられる
。さらに強いレーザ照射は赤色領域を生ずるが、これは
Ｒ，ｈ−及びＳｔ薄膜の固態反心、並びに未決定の構造
及び組成の微小粒子ケイｆヒ物の形成に関連する。より
高いパワーのレーザは黄色の領域を生じる。これは斜方
晶系のＲｈ、Ｓｉ３及び未確認の旧友晶系の相の大きな
結晶（ａ＝４．７２．ｉ）によるものと考えられる。

第６図はＲｈ及びＳｔの指示された厚さに対する第２図
の２層の反射率を示す。レーザ・ビーム等からの元の波
長が６０００Ｘの場合、曲線Ｂの反射率は０である。破
線で示されたＲｈ５ｔｒヒ合物曲線とのコントラストに
注意されたい。曲線ＣはＲｈ及びＳｔの各りの１卑ざが
２５　ｏＸの場合であり、約６６００Ｘで０のわずか上
に最小値を有する。第１３図の曲線は７０口１℃で３０
分間ｍなましされた後の公称２５０ＸのＲｈ及び２５０
ｘのＳｔに対するわずかに異なる結果を示す。（ガリウ
ム・ヒ素レーザの）好ましい周波数においては、反射率
の差は４７係である。７０００Ｘを丁度越えたところで
は、反射率の差はＣ分率でみて極めて大きく、図示され
たデータに従えば略無限大である。

第７図はＲｈのより薄い１５０Ｘの厚さの薄膜に対する
波長の関数としての反射率のＧ分率金示した曲線である
。

Ｓｉ層厚ざは第６図の曲線Ｃ，Ｄ及びＥに対するものに
匹敵する。曲線Ｄ′の約７８０［］Ｘにおいて０の最小
直は第６図の曲線りに対する結果とかなり異なっている
。Ｃ分率のコントラストは同様に８１００Ｘにおいては
はるかに大きい。６０００Åにおいて、赤色、レーザは
第６図の曲線Ｂに示されたるクロく使用され得、第７図
の曲＠Ｃ′は反射率の極めて大きな比を達成するのに使
用される。この最適比は記録に１史用される材料に対し
てこの型の曲線′ｆｒ：使用する事によって増大され得
る。

第８図ば第２図の２層に対する及び破線で示されたロジ
ウムのケイ出物に対するＳｉ層の厚さの関数としての反
射率の百分率を示す。これ等の場合、反射の酸大直の差
は８０００Ｘのレーザ・ビームに対して１５０Ｘで与え
られる。これは第６図の曲線Ａ上のデータに対応し、こ
の様なデータは第７図には示されていない。第１０，１
図は第２図に示されたコバルト／ケイ素の２層上に５６
０ＯＸの波長のレーザによって形成されたマークの輝部
透過電子写真（ＴＥＭ）の３０に倍率の写真である。第
１０．２図は暗部モードの同一マークの３０Ｋｌｆ！ｒ
率の写■である。中心（第１０．１図の暗部）は周辺領
域よりもレーザ・ビームで一層加熱されたアモルファス
ＣｏＸ５ｔ、、の相対的に薄い層である。次の卵形のリ
ング（第１０，１図で明るい）はよ！ｌｌ厚いＣｏ　Ｘ
Ｓ　ｔ　、、のアモルファス材料より成る。第１０．１
図における明るいリングの捷わりの暗いリングｌｌ″Ｉ
結晶のＣｏＳｉ比合物材料より成る。周辺の灰色の領域
はその非露出状態におけるＣｏ／Ｓｉの２層である。明
らかに内部の卵形部と周辺領域とのコントラストは極め
て鋭い。

ロジウムは２つのアモルファスＲｈ、：ｘ’ｓ　ｉｙの
内部部分と類似のパターンを形成する。より厚い縁によ
って取巻かれた薄いアモルファスの中心は最適の値を越
えるレーザ・レベルでの書込みによっテ生スる。このパ
ターンはアモルファスの中心におけるホールの形成の開
始を示している。開始時に材＃＋は縁に回って駆逐され
る。わずかに低いノζワー・レベルのレーザ・ビームで
はアモルファスの中心の１わりに厚い縁を形成する事は
ない。

第１１．１図はマイクロブローブタ析に従えばＡｕ／Ｓ
ｔの２層中のＳｔに対するＡ　１１の比が８４原子饅で
ある第２図に従うＡ　ｕ　／　Ｓ　ｉの２層上に同一レ
ーザによって形成された３つのマークを示すＴＥＭの２
に倍の写真である。マークの中心はアモルファス材料が
存在し黒色である。アモルファス材料の１わりに汀結晶
材料のリングが存在する。

第１１゜２図の倍率３ＤＫのＴＥＭにおいて、２層は７
９原子係のケイ素及び２１原子係の金？含む。この全豊
富材料に印加される同一レーザ・ビームはマークとその
周辺間の低いコントラストのために作字記録のために貧
弱な特注を有する結晶はマーフケ生ずる。第１１．３図
は８７原子％のＳｔ及び１３原子係のＡｕＪ：り成る、
ケイ素が豊富な媒体中に形成された１組のマークの２０
に倍のＴＥＭである。この場合、中心はＳＥＭの写真の
低部における湾曲した影によって示された如く基板から
れずかに離れる如く上昇された材料のバブルの形成によ
ってアモルファスＡｕ　　Ｓｔ　　材ＦＩに変ｙ 形されている。周辺には結晶ａＡｕｓｉ比合物が存在し
、従って周辺材ｆ４が示されている。レーザ放射のより
大きな期間もしくは強度の印加はアモルファス材料の中
心バブルを薄くシ、崩壊し、従ってコントラストが良好
となり、第１１．１図中のマークに類似している。光学
的反射囲にとっては、マーク中の混合２層がアモルファ
スであるか結晶性であるかけ問題とはならない。

第１２図は６つの厚ざのＳｉが被覆された２５０Ｘの厚
さのＰｄベースに対する、波長の関数としてのＰｄ／Ｓ
ｔの反射率を示した図である。８１００ＸのＧａＡｓの
レーザに対し、３００Ｘの厚さのｓｉに対応する曲線り
は明らかに最大のコントラストを与える。曲線Ｂ及びＣ
は５５００Ｘ及び６７０口Ｘの範囲においてレーザに対
して類似の最小値を有する。

第１４図はパワーの関数としてチリウム（Ｔｅ）及びＲ
ｈ／Ｓｉ２層に関するレーザの書込みの比較？示してい
る。Ｔｅ上にマークを形成するためには６７４１Ｘの波
長のレーザの３０ｍＷ以下のパワー・レベルが必ヅとさ
れる。この曲線は２゜ｍ、Ｗのパワーでは１０％１以下
の反射率に＠、速に降下する。各ｈ３００Ｘのロジウム
／ケイ素の２層の場合は、反射率は約２０ｍＷのパワー
迄は低く、約３７ｍＷのパワーで約４５％のピークに達
する。

Ｔｅが被覆された媒体で生ずる事はレーザが直ちにＴａ
中に孔を開は始める事である。２層の場合、曲線の第１
の部分はＲｈ及びＳｉが混合する時の反射率の変ｆにを
含み、Ｒｈ／Ｓｉに対する反射率の曲線は約ｄＯｍＷで
減少し、開孔がＲｈ／Ｓｉの２＠中に生ずる。さらに、
Ｔｅの場合には切除が存在するが、能力Ｒｈ／Ｓｉの２
層め場合には３層ｍＷＩＪ下では切除は存在せず、少な
くともパワー・レベルが材料中に開孔を形成するに十分
高く上昇される迄は２つの層の反りが存在する。

次の第■表は大部分が本発明に従う簿膜２層である棟り
の媒体中にマーフケ生ずるのに必要とされる書込みパワ
ーを示す。チリウムとの比較が最後の２項目になされて
いる。ケイ素で被覆されたパラジウムはＳｉ／Ｐｄ及び
Ｒｈ／Ｓｉと同様に短いパルスのみ全必委とし、必要と
されるパワーはＰ　ｄ　／　Ｓ　ｉに対してはより少な
くなり、Ｒｈ、　／Ｓｉに対しては増大し、Ｓｉ／Ｐｄ
に対しては般太になる。なんとなれば金属Ｐｄの反射率
は曲の２つの場合に訃けるＳｉよりもはるかに高いから
である。ＭＯ／Ｓｉの場合には、ケイ［Ｌ物を形成する
のに必要とされるパワーは５００ｎ秒のよＶ長いパルス
でわずか３５ｍＷ″Ｃある。Ｚ　ｒ　／　Ｓ　ｉに対し
て、パワーは同一であるが、パルス長は８００ｎ秒に増
大し、Ｎｂ／Ｓｔの場合は３０ｍＷで少なく、必要とさ
れるパルスの時間は１０００ｎ秒でより太きい。Ｓｉ／
ＣＯ及びＣＱ　／　Ｓ　ｉの場合、必要とされるパワー
・レベルハ低り、パルスの長さは１０００ｎ秒となり、
書込み速度が遅くなる。Ａ　ｕ　／　Ｇ　ｅは比較の目
的のために表中に含まれている。孔を開けるのに必要と
されるパワーはより高くなり、パルス長ｉ長ぐなる。

第　　　　■　　　　表 ガラス基板上に於る２層構造に対する書込みパワーの比
較５ｔ−Ｐｄ　　　７２　　　２５０−５００　７０−
＋７７　　　１００Ｒｈ−８ｔ　　　７　　　３００−
３００　２８−＋６１　　　１００Ｓｉ　−Ｃｏ　　　
６８　　　３００−３００　２７−＋６８　　　１００
０Ｃｏ−８ｔ　　　３２　　　　　３００−３００　２
０−＋５２　　　　１０００Ｖ−８ｔ　　　　１１　　
　３００−２００　３０　　　　　　１０００Ｍ１００
Ｏ１０３００−２００３５５００Ｚｒ−８ｉ　　　１’
５　　　３ＤＯ−２００３５８０ＯＮｈ−８ｔ　　　１
３　　　３００−２００　３０　　　　、　　１０００
Ａｕ−Ｇｅ　　　８１　　　５００　　　　　　　８２
　　　１０００Ｔｅゝ　　　６４　　　５００　　　　
　　　１６　　　５０Ｔａ　　　　　６４５００　　　
　　　　１０　　　１００＊　ケイｆヒ物を形成するの
に必要とされるパワー＊＊孔を開けるのに必要とされる
パワー波長：６４７．１ｎｍ （３１） ヅするに、Ｒｈ／Ｓｉばわずか１００ｎ秒の高いデータ
率を与える。Ｔｅばこの基準では優れており、低いパワ
ーもしくは短いパルスで十分であるが、寿命を比較する
と劣っている。寿命からすると、Ｒｈの寿命は極めて長
く、Ｐｔは長りＰｄばより長くなく及びＴｅは極めて短
い。

第１５図は異なる基板上の棟りの材料に書込むのに必要
とされるパワーの曲＋１Ｌｉｒ示す。ＰＭＭＡ曲線に対
するＴｅｆ除いて、曲線の残りは３００Ｘ／３ｏｏｚ及
び１５０Ｘ／３ｏｏＸの厚−ｇ（７）Ｒｈ／５ｉＴ６る
。ポリエステル及びＰＭＭＡはより少ないエネルギ金心
安とする様に見える事は明らかである。ガラスはこの比
較ではＲｈの厚さがより厚いという事実の悪影響を受け
る。

明らかに、Ｔｅは所与のパルス幅に対するマークを与え
るのにより少ないパワーを必要とするが、ＰＭＭＡ基板
上のＲｈ／Ｓ　ｉ　１５０Ｘ／３００Ｘよりもマーク？
形成するのがより容易である。同様に、明らかに、パル
ス幅が増大する時はよシバワーが必要とされる。曲線の
勾配はＰＭＭＡに対（３２） してはより大きい。５ＤＯ秒以下の短いパルス幅の場合
には、ポリエステルはより低いパワーを必要とする。

３００から５００Ｘに突出する厚さを有するＰｄ／Ｓ　
ｔ、　Ｃｏ　／Ｓ　ｉ及びＶ／Ｓｔの２層薄膜について
の単一パルス・レーザ書込みはガラス上のＡ２レジスト
上についての薄膜は０．８８　Ｗで書込む事が出来るが
、他方ガラス上では１．２Ｗｌｌ下では全く効果が観察
されない。Ｎ２　でボンピングされる染料レーザは５ｎ
秒の単一のパルス幅？有シ、約１ミク？ンのスポットの
寸法に収束された。走置顕微鏡による観察結果は、２．
５Ｗμ上では薄膜中には孔があけられ、０．８Ｗ以下で
効果がなくなるが、中間では薄膜は縁に向って１つもし
くは２以上の同心円の溝がある様にスポットの中心に浅
い丘を示した。Ｐｄ／Ｓｔ及びＣｏ　７　Ｓ　ｉの場合
には、中心はアモルファスである事が発見されたが、Ｖ
／Ｓｉ中の中心ではそうでない。スポットのすべてはグ
イ化物の形成を示した。２もしくは１０の連続パルスケ
同一領域に照射した場合には、スポットの寸法には主た
る差が発見されなかった。

これ等の砧果はケイｆヒ物を形成する薄膜についてのレ
ーザの書込み能力？示した。

接触反応によるケイ「Ｌ物形成 ケイ「ヒ物形成過程は全く系統的である。過程は常に金
属豊富クイ比換で出発し、ケイ紫豊富なケイｆヒ物に回
って進行する。近貴金属ケイｆＦＳ物は耐火金賄のケイ
駆動より形成が容易であり、叩ぢ低い温度で形成される
。特定の遷移金属の場合は第■表が形成の順序ケ示す。

示された活性ｒヒエネルギが低い程ケイ出物を形成する
のが容易である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に従う光学配置装置２層媒体の概略図で
ある。第２図は第１図の２層の順序を逆にした概略図で
ある。第３図は本発明の１１！２の態様に従う多層光学
記旧装置媒体全油す。第４暑図及び第４．２図はＰｄ及
びＰｄ２Ｓｉ並ひに黒い基準間の反射率の差？示した図
である。第５．１図及び第５．２図は本発明に従う種す
の２層に対する反射率のＧ分率対波長の関係を示した図
である。第６図及び第７図はＲｈ／Ｓｉ２層に対する反
射率のＧ分率対波長の関係図である。第８図はＲｈ／Ｓ
ｔに対する反射率の百分率対ケイ素の厚さの関係全油し
た図である。第９図は焼なまし時間の関数としてＲｈ／
Ｓｔ薄膜の照角入射ジーマンーボーリンＸ線回折スペク
トルを示す。第１０．１図はＣ。 ０．１図と同一マークの暗所モード中の細部の図である
。第１１．１図乃至第１１．３図は欅りの組成のＡ　ｕ
　／　Ｓ　ｉの２層に対するマークのＴＥＭ昂興吻の −も４図である。第１２図は種りのＳｔ／Ｐｄ２喝の反
射率対波長の関係を示した曲線である。第１３図は焼な
ましの前後のＲｈ　／　Ｓ　ｉに対する反射率対波長の
関係を示した曲線である。第１４図はＴｅ及びＲｈ／Ｓ
ｉ２層に対する反射率の百分率対レーザのパワーの関係
１凶ケ示した図である。 第１５図はＴａもしくはＲｈ／Ｓｉ２層を帯びる種りの
基板に対するパワ一対パルス幅の関係を示した図である
。 Ｓｌ、Ｂ２・・・・基板、Ｓし・・・ケイ素層、Ｍｌ、
Ｍ２・・・・金檎層、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４・・・・
レーザ、ビーム。 寸 Ｏ 一 １ 寸 − ＝　　　　　　　　　　　　　　　　　（’Ｊ＜Ｄ　　
　　　　　　　　　　　Ｏ ＬＬ ５ （６１０）曝Ｖ４べ （０／、）十搏べ ；・ 匡 ５８８− （％）　　＋繕べ 〜 匡 ０ 匡 ｄ ＝ （０ん）＋罎Ｎ （Ｍ山）味ｌ奪百 Ｌ　　　　　　　　　重鎖べ 本１百 〇 一 手　　続　　補　　正　　書　（方式）昭和５７年８月
３１日 特許庁長官若　杉　和　夫　殿 １、事件の表示 昭和５７年　特許願　第　４１８３４　　号２、発明の
名称 光学的記憶装置媒体 ３、補正をする者 事件との関係　　特許出願人 住　所　アメリカ合衆国１０５０４、ニューヨーク州ア
ーモンク（番地なし） ４、代理人 住　所　郵便番号　１０６ 東京都港区六本木−丁目４番３４号 第２１森ビル 日本アイ・ビー・エム株式会社内 ５、補正命令の日付 昭和５７年　６月・２町り ６、補正の対象 （１）　　明細書の発明の詳細な説明の欄（２）明ＭＢ
沓の図面の簡単な説明の欄（３）図面 ｌ　補正の内容 （１）発明の詳細な説明の欄及び図面の簡単な説明の欄
の記載を次の正誤表に従って補正する。 （２） （２）図面第４．１図、第４．２図、第１０．１図、第
１０．２図、第１１．１図、第１１．２図、第１１．６
図を添付図面の如く補正する。但し第１０，１図を第１
０図とし、第１０．２図を削除し、第１１，１図を第１
１図とし、第１１．２図、第１１．６図を削除する。 （５） ＦＩＧ、　Ｉ　Ｉ

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）　　異なる材料の＠１−を帯びる基板より成り、
   上記層の１つはケイ素を含む事を特徴とする光学的記瞳
   装置媒体。
2. （２）上記層の曲の層は金属を含む事を特徴とする特許 媒体。
3. （３）　　上記層の曲刃は主に周期律上の第ＶＢ、ＶＩ
   Ｂ。 ■Ｂ及び■族並びにＭｇ及びＡｕより成る群から選択さ
   れる金属より成る事を特徴とする光学的記障装置媒体。