JPS58168235A - クロム系膜のドライエツチング法 - Google Patents
クロム系膜のドライエツチング法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
- H01L21/32136—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F4/00—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はクロム系膜の！ｌＦｒ規なドライエツチング
法に関するものである。
法に関するものである。
半導体装置などの製造工程において用いられるフォトマ
スクの作成には、ガラス基板などの透明基板の主面上に
し中光性を有する物質、例えはクロム、鉄、シリコンも
しくはそれらの酸化物からなる薄膜層を単層または多重
層に被着させたマスクプレ〒トが使用されている。特に
、クロムもしくはその酸化物の単層膜もしくは多重層膜
が、ガラス基板との密着性がよいこと、しや光性がすぐ
れていること、微細パターンの形成が可能であることな
どの諸点から一般に広く用いられている０この明細書で
は、クロムもしくはその酸化物の単層風」たは多重層膜
を「クロム系膜」と呼ぶことにす−る。
スクの作成には、ガラス基板などの透明基板の主面上に
し中光性を有する物質、例えはクロム、鉄、シリコンも
しくはそれらの酸化物からなる薄膜層を単層または多重
層に被着させたマスクプレ〒トが使用されている。特に
、クロムもしくはその酸化物の単層膜もしくは多重層膜
が、ガラス基板との密着性がよいこと、しや光性がすぐ
れていること、微細パターンの形成が可能であることな
どの諸点から一般に広く用いられている０この明細書で
は、クロムもしくはその酸化物の単層風」たは多重層膜
を「クロム系膜」と呼ぶことにす−る。
従来、ガラス基板の主面上にクロム系膜を被着させたマ
スクプレート（以下、「クロムプレート」と呼ぶ）のク
ロム系族に選択エツチングを施して所望のパターンを有
するクロム系膜を形成する場合には、硝酸第２セリウム
アンモニウム（Ｃｅ （ＮＨ４） ａ（ＮＯ３）、）と
過塩［１ｌ（ＨＣＪ！ｏ４）との混合溶液などのエツチ
ング液によるウェットエツチング法が用いられていた。
スクプレート（以下、「クロムプレート」と呼ぶ）のク
ロム系族に選択エツチングを施して所望のパターンを有
するクロム系膜を形成する場合には、硝酸第２セリウム
アンモニウム（Ｃｅ （ＮＨ４） ａ（ＮＯ３）、）と
過塩［１ｌ（ＨＣＪ！ｏ４）との混合溶液などのエツチ
ング液によるウェットエツチング法が用いられていた。
しかしながら、ウェットエツチング法では、微細パター
ンの形成が困崩であること、パターンの寸法制御が容易
ではないこと、パターン欠陥の発生が大きいこと１．、
、、、廃液処理が煩雑であることなどの多くの欠点があ
る。このようなウェットエツチング法の欠点を改醤する
ために、鍛近、カスプラズマエツチング法１反応性イオ
ンエツチング（Ｒｅａｏｔｉｖｓ工ｏｎ Ｉｔａｈｉｎ
ｇ ： ＲＩ Ｅ ）法などのドライエツチング法がＭ
発され実用に供されている。
ンの形成が困崩であること、パターンの寸法制御が容易
ではないこと、パターン欠陥の発生が大きいこと１．、
、、、廃液処理が煩雑であることなどの多くの欠点があ
る。このようなウェットエツチング法の欠点を改醤する
ために、鍛近、カスプラズマエツチング法１反応性イオ
ンエツチング（Ｒｅａｏｔｉｖｓ工ｏｎ Ｉｔａｈｉｎ
ｇ ： ＲＩ Ｅ ）法などのドライエツチング法がＭ
発され実用に供されている。
一般に、ガスプラズ！エツチング法には、円筒形状の反
応槽をその外部からはさむように設けられた２個の電極
間に高周波電圧を印加して反応槽内にエツチングガスの
プラズマを発生させるようにし友外部電極方式の円筒形
ガスプラズマエツチング装置が用いられ、反応性イオン
エツチング法には、反応槽内に設けられた２枚の平行平
板電極間に高周波電圧を印加して２枚の平行平板電極間
にエツチングガスのプラズマを発生させるようにした内
部電極方式の平行平板電極形リアクティブイオンエツチ
ング装置が用いられている。
応槽をその外部からはさむように設けられた２個の電極
間に高周波電圧を印加して反応槽内にエツチングガスの
プラズマを発生させるようにし友外部電極方式の円筒形
ガスプラズマエツチング装置が用いられ、反応性イオン
エツチング法には、反応槽内に設けられた２枚の平行平
板電極間に高周波電圧を印加して２枚の平行平板電極間
にエツチングガスのプラズマを発生させるようにした内
部電極方式の平行平板電極形リアクティブイオンエツチ
ング装置が用いられている。
これらのドライエツチング法では、従来、少なぐとも四
塩化炭素（Ｃ（’／４）などの塩素系ガスと酸素ガス（
０２）とを含む混合ガスをエンチング装置の反応槽内に
導入してプラズマにし、このプラズマによって、下記化
学反応式に示すような反応を生じ名ぜて、クロム系ｐａ
ｔエツチング除去するものでめる０ Ｃｒ＋２０＋２ｃｌ！→ｃｒ０２ｃｌ↑上記化学反応式
から明らかなように、クロム系膜のドライエツチングを
行うためには、酸素原子の存在が必賛不可欠である。
塩化炭素（Ｃ（’／４）などの塩素系ガスと酸素ガス（
０２）とを含む混合ガスをエンチング装置の反応槽内に
導入してプラズマにし、このプラズマによって、下記化
学反応式に示すような反応を生じ名ぜて、クロム系ｐａ
ｔエツチング除去するものでめる０ Ｃｒ＋２０＋２ｃｌ！→ｃｒ０２ｃｌ↑上記化学反応式
から明らかなように、クロム系膜のドライエツチングを
行うためには、酸素原子の存在が必賛不可欠である。
ところが、このように、少なくとも塩素系ガスと０２と
を含む混合ガスのプラズマを用いる従来のドライエツチ
ング法では、０２のプラズマが、クロム系膜の選択エツ
チング用マスクである感光性レジスト膜を分解する。従
って、混合ガス中の０２の分圧を増加すれはクロム系膜
のエツチングレートを大きくできるが、その反面感光性
レジスト族の分触速度も大きくなる。これによって、ク
ロム系族のエツチングレートを実用化できる程度に増加
させるべく０２の分圧を大きくすると、感光性レジスト
膜の分解も促達されて、クロム系膜の選択エツチング用
マスクでるる感光性レジスト膜の寸法のはらつきが大き
くなって、クロム糸膜のパターンの寸法制御が極めて困
麺になるという問題が生ずる。
を含む混合ガスのプラズマを用いる従来のドライエツチ
ング法では、０２のプラズマが、クロム系膜の選択エツ
チング用マスクである感光性レジスト膜を分解する。従
って、混合ガス中の０２の分圧を増加すれはクロム系膜
のエツチングレートを大きくできるが、その反面感光性
レジスト族の分触速度も大きくなる。これによって、ク
ロム系族のエツチングレートを実用化できる程度に増加
させるべく０２の分圧を大きくすると、感光性レジスト
膜の分解も促達されて、クロム系膜の選択エツチング用
マスクでるる感光性レジスト膜の寸法のはらつきが大き
くなって、クロム糸膜のパターンの寸法制御が極めて困
麺になるという問題が生ずる。
また、近年、光露光法に替る高精＆３１１光法として電
子線露光法が開発されているが、電子線露光用レジスト
膜の０２のプラズマに対する耐性が感光性レジスト膜の
耐性に比べて更に劣っている。従って、電子１ｌＩｊＩ
光用レジスト膜をクロム系膜の選択エツチング用マスク
に用い、塩素系ガスと０２とを含む混合ガスのプラズマ
を用いた場合には、電子線露光用レジスト膜の膜減りが
大きいので、基本的にはクロム系族へのドライエツチン
グを行うことができないという問題が生ずる。
子線露光法が開発されているが、電子線露光用レジスト
膜の０２のプラズマに対する耐性が感光性レジスト膜の
耐性に比べて更に劣っている。従って、電子１ｌＩｊＩ
光用レジスト膜をクロム系膜の選択エツチング用マスク
に用い、塩素系ガスと０２とを含む混合ガスのプラズマ
を用いた場合には、電子線露光用レジスト膜の膜減りが
大きいので、基本的にはクロム系族へのドライエツチン
グを行うことができないという問題が生ずる。
第１図はＣＣ／４を含む０２とヘリウム（Ｈｅ）との混
合ガスをエツチングガスとして用いた従来のドライエツ
チング法におけるエツチングガスの０２の組成割合とク
ロム属および電子線露光用レジスト膜のエツチングレー
トとの関係の一例を示す図である。
合ガスをエツチングガスとして用いた従来のドライエツ
チング法におけるエツチングガスの０２の組成割合とク
ロム属および電子線露光用レジスト膜のエツチングレー
トとの関係の一例を示す図である。
図において、横軸＃′１ＣＣＩ！４を含む０２とＨｅと
のｔ示し、縦軸はクロム属および電子ｍ膳光用しジス′
ト績のエツチングレート（へ）を示す。曲−（イ）はク
ロム属、曲姻（ロ）はネガ形電子−膳光用レジス） ０
ＥＢＲ−１００（東京応化工業社の商品名）を用いて成
膜された電子線露光用レジスト膜である０ｊｌ１図に示
すように、例えばｃｃ／４を含む０２とＨａとのエツチ
ングガスの０２の組成割合が５ｏＬＩｋ。
のｔ示し、縦軸はクロム属および電子ｍ膳光用しジス′
ト績のエツチングレート（へ）を示す。曲−（イ）はク
ロム属、曲姻（ロ）はネガ形電子−膳光用レジス） ０
ＥＢＲ−１００（東京応化工業社の商品名）を用いて成
膜された電子線露光用レジスト膜である０ｊｌ１図に示
すように、例えばｃｃ／４を含む０２とＨａとのエツチ
ングガスの０２の組成割合が５ｏＬＩｋ。
すなわち０２：Ｈｅ＝１：１であるときでは、クロム膜
のエツチングレートが７５に優であり、電子線露光用レ
ジスト（ＯＥＢＲ−１００）膜のエツチングレートが１
６０Ａ／ｅでるる。これによって、電子線露光用レジス
ト膜をクロム膜の選択エツチング用マスクに用い、ｃｃ
ｚ４を含む０２とＨｅとのエツチングガスのプラズマを
用いた場合には、基本的にはクロム膜へのドライエツチ
ングを行うことが不可能であることが判る０ 艷明者らは、この問題点を解決する丸めに行った研究に
よって、少なくともノ・ロゲン系ガスと二酸化窒′５（
Ｎ０２）とを含む混合ガスのプラズマを用いてドライエ
ツチングする場合には、クロム系膜のエツチングレート
を大きくしながらクロム系膜の選択エツチング用マスク
である感光性レジスト膜の膜減りを抑制することができ
、クロム系膜の極めて寸法精度の高いパターンが得られ
ることを見出した。なお、ハロゲン系ガスのうちでも、
ＣＣ／４ 、クロロホルム（ＣＨ（／３）などの塩素系
ガスが好適なものとして挙げ得ることも見出した。
のエツチングレートが７５に優であり、電子線露光用レ
ジスト（ＯＥＢＲ−１００）膜のエツチングレートが１
６０Ａ／ｅでるる。これによって、電子線露光用レジス
ト膜をクロム膜の選択エツチング用マスクに用い、ｃｃ
ｚ４を含む０２とＨｅとのエツチングガスのプラズマを
用いた場合には、基本的にはクロム膜へのドライエツチ
ングを行うことが不可能であることが判る０ 艷明者らは、この問題点を解決する丸めに行った研究に
よって、少なくともノ・ロゲン系ガスと二酸化窒′５（
Ｎ０２）とを含む混合ガスのプラズマを用いてドライエ
ツチングする場合には、クロム系膜のエツチングレート
を大きくしながらクロム系膜の選択エツチング用マスク
である感光性レジスト膜の膜減りを抑制することができ
、クロム系膜の極めて寸法精度の高いパターンが得られ
ることを見出した。なお、ハロゲン系ガスのうちでも、
ＣＣ／４ 、クロロホルム（ＣＨ（／３）などの塩素系
ガスが好適なものとして挙げ得ることも見出した。
このｉ明は、上述の研究結果に基づいてなされたもので
、少なくともハロゲン系ガスとＮＯ３とを含む混合ガス
のプラズマを用いることによって、クロム系膜のエツチ
ングレートを大きくしながらクロム系膜の選択エツチン
グ用マスクである感光性レジスト膜の膜減りを抑制する
ことができるドライエツチング法を提供することを゛目
的とする０以下、この発明の一実施例のドライエツチン
グ法について説明する。
、少なくともハロゲン系ガスとＮＯ３とを含む混合ガス
のプラズマを用いることによって、クロム系膜のエツチ
ングレートを大きくしながらクロム系膜の選択エツチン
グ用マスクである感光性レジスト膜の膜減りを抑制する
ことができるドライエツチング法を提供することを゛目
的とする０以下、この発明の一実施例のドライエツチン
グ法について説明する。
まず、ネガ形電子線露光用レジストＯΣＢＲ−１００を
用いて、クロムプレートのクロム膜の表面上の所１１部
分に新値のパターンを有しクロム膜の選択エツチング用
マスクである電子線露光用レジストを形成する。次に、
との電子線嶌光用レジスト膜が形成されたクロムプレー
トを上述の円筒形ガスプラズマエツチング装置の反応槽
内に挿入したのち、この反応槽内へ、Ｎ０２とＨｅとか
らなるキャリアガスでＣＣ１ａｋバブリングしたＣＣ／
４を含むＮＯ２とＨｅとの混合ガスを導入してこの反応
槽内のカス圧が０．２Ｔｏｒｒになるようにする。しか
るのち、この反応槽を外部からはさむように設けられた
２イーの電極間へ周波数が１３ 、５６ＭＨｚの２００
Ｗの高周波電力を供給して、この反応槽内に上記混合ガ
スのプラズマを発生させ、このプラズマによって、上記
電子線露光用レジスト膜をマスクにした上記クロムプレ
ートのクロム膜へのガスプラズマエツチングを行う。
用いて、クロムプレートのクロム膜の表面上の所１１部
分に新値のパターンを有しクロム膜の選択エツチング用
マスクである電子線露光用レジストを形成する。次に、
との電子線嶌光用レジスト膜が形成されたクロムプレー
トを上述の円筒形ガスプラズマエツチング装置の反応槽
内に挿入したのち、この反応槽内へ、Ｎ０２とＨｅとか
らなるキャリアガスでＣＣ１ａｋバブリングしたＣＣ／
４を含むＮＯ２とＨｅとの混合ガスを導入してこの反応
槽内のカス圧が０．２Ｔｏｒｒになるようにする。しか
るのち、この反応槽を外部からはさむように設けられた
２イーの電極間へ周波数が１３ 、５６ＭＨｚの２００
Ｗの高周波電力を供給して、この反応槽内に上記混合ガ
スのプラズマを発生させ、このプラズマによって、上記
電子線露光用レジスト膜をマスクにした上記クロムプレ
ートのクロム膜へのガスプラズマエツチングを行う。
第２図はＣＣ／４を含むＮＯ２とＨｅとの混合ガスをエ
ツチングガスとして用いたこの実施例のドライエツチン
グ法におけるエツチングガスのＮＯ３の組成割合とクロ
ム膜および電子線露光用レジスト膜のエッチ／グレート
との関係の一儒を示す図である０ 図において、横軸はＣＣ／４ｔ−含むＮＯ２とＨｅとの
を示し、縦軸はクロム膜および電子ｍ膝元用レジスト（
ＯＥＢＲ−１００）膜のエラチングレー） （ｌｖ勢）
を示す。曲線（イ）はクロム膜、曲線（ロ）は電子線露
光用レジスト（ＯＩＢＲ−１００）膜である。
ツチングガスとして用いたこの実施例のドライエツチン
グ法におけるエツチングガスのＮＯ３の組成割合とクロ
ム膜および電子線露光用レジスト膜のエッチ／グレート
との関係の一儒を示す図である０ 図において、横軸はＣＣ／４ｔ−含むＮＯ２とＨｅとの
を示し、縦軸はクロム膜および電子ｍ膝元用レジスト（
ＯＥＢＲ−１００）膜のエラチングレー） （ｌｖ勢）
を示す。曲線（イ）はクロム膜、曲線（ロ）は電子線露
光用レジスト（ＯＩＢＲ−１００）膜である。
第２図に示すように、クロム膜のエツチングレートはＮ
Ｏ３の組成割合が大きくなるに連れて急激に増大する〇
一方、電子線露光用レジスト膜のエツチングレートは多
少の変化はあるものの実用上はとんどさしつかえ危い程
度の小さい値に抑制されている。例えば、ＣＣ／４を含
むＮＯ３とＨｅとのエツチングガスのＨａ２の組成割合
が６０優、すなわち１０２：Ｈｅ＝ｌ：ｌであるときで
は、クロム膜のエツチングレートが、第１図に示した従
来のドライエツチング法の場合におけるクロム膜のエツ
チングレートとほぼ同一の１６、ん７分であるが、これ
に対して電子線篇光用レジスト膜（ＯＥＢＲ−１００）
のエツチングレートが５０Ｖ分で、第１図に示した従来
のドライエツチング法の場合における電子線レジスト膜
のエツチングレートの約１／３である。
Ｏ３の組成割合が大きくなるに連れて急激に増大する〇
一方、電子線露光用レジスト膜のエツチングレートは多
少の変化はあるものの実用上はとんどさしつかえ危い程
度の小さい値に抑制されている。例えば、ＣＣ／４を含
むＮＯ３とＨｅとのエツチングガスのＨａ２の組成割合
が６０優、すなわち１０２：Ｈｅ＝ｌ：ｌであるときで
は、クロム膜のエツチングレートが、第１図に示した従
来のドライエツチング法の場合におけるクロム膜のエツ
チングレートとほぼ同一の１６、ん７分であるが、これ
に対して電子線篇光用レジスト膜（ＯＥＢＲ−１００）
のエツチングレートが５０Ｖ分で、第１図に示した従来
のドライエツチング法の場合における電子線レジスト膜
のエツチングレートの約１／３である。
このように、この実施例のドライエツチング法では、ク
ロム膜のエツチングレートを大きくしながら、クロム膜
の選択エツチング用マスクである電子４Ｉｍ光用レジス
ト展の膜滅シを抑制することができるので、クロムプレ
ートのクロム膜の極めて寸法精度の高いパターンを得る
ことができる。
ロム膜のエツチングレートを大きくしながら、クロム膜
の選択エツチング用マスクである電子４Ｉｍ光用レジス
ト展の膜滅シを抑制することができるので、クロムプレ
ートのクロム膜の極めて寸法精度の高いパターンを得る
ことができる。
この実施例では、電子線層光用レジスト膜を用いたが、
この発明は電子線露光用レジスト膜に限らずその他の感
光性レジスト膜にも適用することができる。また、この
実施例では、クロムプレートのクロム膜をドライエツチ
ングする場合について述べ九が、この発明はこれに限ら
ず、クロム系膜が主面上に被着され九彼エツチング処理
体の上記クロム系膜をドライエツチングする場合に４過
用することができる。また、この実施例では、ＣＣｌ２
を用い九が、必ずしもこれはＣｃ１４ Ｋ限定する必要
がなく、クロロホルム（Ｃ１１Ｃ１ｓ）などの塩累系ガ
スは曹うまでもなくその他のハロゲン系ガスを用いても
よい。丈に、この実施例では、Ｎ０２とＨｅとからなる
キャリアガスを用いたが、必ずしもこれはＮＯ２とＨｅ
とからなるキャリアガスに限定する必要がなく、ＨｅＫ
＠てアルゴン、輩素などのその他の不活性ガスを用いて
もよく、またＨＯ２のみを用いてもよい。なお、この実
施例では、外部電極方式の円筒形ガスプラズマエツチン
グ装置を用いるガスプラズマエツチングである場合につ
いて述べたが、この発明はこれに限らず、内部電極方式
の平行平板電極形リアクティブイオンエツチング装置を
用いる反応性イオンエツチングである場合にも適用する
ことができる。
この発明は電子線露光用レジスト膜に限らずその他の感
光性レジスト膜にも適用することができる。また、この
実施例では、クロムプレートのクロム膜をドライエツチ
ングする場合について述べ九が、この発明はこれに限ら
ず、クロム系膜が主面上に被着され九彼エツチング処理
体の上記クロム系膜をドライエツチングする場合に４過
用することができる。また、この実施例では、ＣＣｌ２
を用い九が、必ずしもこれはＣｃ１４ Ｋ限定する必要
がなく、クロロホルム（Ｃ１１Ｃ１ｓ）などの塩累系ガ
スは曹うまでもなくその他のハロゲン系ガスを用いても
よい。丈に、この実施例では、Ｎ０２とＨｅとからなる
キャリアガスを用いたが、必ずしもこれはＮＯ２とＨｅ
とからなるキャリアガスに限定する必要がなく、ＨｅＫ
＠てアルゴン、輩素などのその他の不活性ガスを用いて
もよく、またＨＯ２のみを用いてもよい。なお、この実
施例では、外部電極方式の円筒形ガスプラズマエツチン
グ装置を用いるガスプラズマエツチングである場合につ
いて述べたが、この発明はこれに限らず、内部電極方式
の平行平板電極形リアクティブイオンエツチング装置を
用いる反応性イオンエツチングである場合にも適用する
ことができる。
以上、説明したように、この発明のクロム系膜のドライ
エツチング法では、少なくともハロゲン系ガスとＨＯ２
とを含む混合ガスのプラズマを用いるので、クロム系膜
のエツチングレートを大きくしながらクロム系膜の選択
エツチング用マスクでるる感光性レジスト属の膜滅シを
抑制することが可能となプ、クロム系膜の極めて寸法精
度のパターンを得ることができる０
エツチング法では、少なくともハロゲン系ガスとＨＯ２
とを含む混合ガスのプラズマを用いるので、クロム系膜
のエツチングレートを大きくしながらクロム系膜の選択
エツチング用マスクでるる感光性レジスト属の膜滅シを
抑制することが可能となプ、クロム系膜の極めて寸法精
度のパターンを得ることができる０
第１図鉱従米のドライエツチング法におけるエツチング
ガスの０２の組成割合とクロム膜および電子１ＩｊＩ光
用レジスト膜のエツチングレートとの関係の一例を示す
図、第２図はこの発明の一実施例のドライエツチング法
におけるエツチングガスのＮＯ３の組成割合とクロム膜
および電子線露光用レジスト膜のエツチングレートとの
関係の一例を示す図である〇 代理人 葛野傷−（外１名） 「
ガスの０２の組成割合とクロム膜および電子１ＩｊＩ光
用レジスト膜のエツチングレートとの関係の一例を示す
図、第２図はこの発明の一実施例のドライエツチング法
におけるエツチングガスのＮＯ３の組成割合とクロム膜
および電子線露光用レジスト膜のエツチングレートとの
関係の一例を示す図である〇 代理人 葛野傷−（外１名） 「
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） クロム系膜が主面上Ｋ１１着された被エツチ
ング処理体の上記クロム系膜の表面上の所要部分に所定
パターンを有し電子線または光に感応するレジスト膜を
形成し、このレジスト膜をマスクに・しハロゲン系ガス
と二酸化窒素とを含む混合ガスのプラス÷を用いて上記
クロム系膜をドライエツチングして上記被エツチング処
理体の上記主面上の上記所要部分に上記パター７に対応
するパターンを有する上記クロム系膜の部分を残すこと
を特徴とするクロム系膜のドライエツチング法。 （２） ドライエツチングがガスプラズマエツチング
であることを特徴とする特許請求の範１ｔｉｊｌ１１項
記載のクロム系膜のドライエツチング法。 （３） ドライエツチングが反応性イオンエツチング
であることを特徴とする特許ｔＩＩ求の範囲第１ＪＪ記
載のクロム系膜のドライエツチング法。 （４） ハロゲン系ガスが塩素系ガスであることを特
徴とする特許請求ＯＩｉ囲菖１項ないし第３項のいずれ
かに記載のクロム系膜のドライエツチング法０ （６） 塩素系ガスが四塩化炭素であることを特徴と
する特許１ｉｉＩ求の範８１１４４項記載のクロム系膜
のドライエツチング法０ （６） 塩素系ガスがクロロホルムであることを特徴
とする特許請求の範囲第４項記載のクロム系膜のドライ
エツチング法０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5241282A JPS58168235A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | クロム系膜のドライエツチング法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5241282A JPS58168235A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | クロム系膜のドライエツチング法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58168235A true JPS58168235A (ja) | 1983-10-04 |
Family
ID=12914067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5241282A Pending JPS58168235A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | クロム系膜のドライエツチング法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58168235A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5545290A (en) * | 1987-07-09 | 1996-08-13 | Texas Instruments Incorporated | Etching method |
-
1982
- 1982-03-29 JP JP5241282A patent/JPS58168235A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5545290A (en) * | 1987-07-09 | 1996-08-13 | Texas Instruments Incorporated | Etching method |
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