JPS58168024A - 光源装置 - Google Patents
光源装置Info
- Publication number
- JPS58168024A JPS58168024A JP57049126A JP4912682A JPS58168024A JP S58168024 A JPS58168024 A JP S58168024A JP 57049126 A JP57049126 A JP 57049126A JP 4912682 A JP4912682 A JP 4912682A JP S58168024 A JPS58168024 A JP S58168024A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- fixed frame
- light source
- coupling lens
- lens
- Prior art date
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- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02253—Out-coupling of light using lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
- H01S5/02212—Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体レーザを光源とする光学系に係如、％
ＫＡｆｆＪｌの平行光を要求する光学愚で使用温度範囲
の大きい装ｆｉｌＫ好適な光源装置Ｋｒ＆ｉする。
ＫＡｆｆＪｌの平行光を要求する光学愚で使用温度範囲
の大きい装ｆｉｌＫ好適な光源装置Ｋｒ＆ｉする。
従来の光源装置では、温度変化に伴う熱ｌＩ＃張による
半導体レーザの発光点とカップリングレンズ間の距離変
化を無視し・てぃたので使用温度範囲の大きい装置１に
おいて高精度の平行光を出力する事が不可能だった。
半導体レーザの発光点とカップリングレンズ間の距離変
化を無視し・てぃたので使用温度範囲の大きい装置１に
おいて高精度の平行光を出力する事が不可能だった。
本発明の目的は温度変化による影響のない高精度の平行
光を出力する光源装置を提供するごとにある。
光を出力する光源装置を提供するごとにある。
半導体レーザ光源装置について第１図を用いて説明する
。半導体レーザの発光点がカップリングレンズの焦点位
置に存在すれば、カップリングレンズからの出力光はモ
行光となる。半導体レーザの発光点がカップリングレン
ズの焦点１位置からズした場合、カップリングレンズか
らの出力光は平行光でなくなる。 第２ａ図に前記半導
体レーザ光源装置の概略図を示す。半導体レーザ架台１
とカップリングレンズ２は固定枠番によって連結されて
いる。温度変化が生じ次。
。半導体レーザの発光点がカップリングレンズの焦点位
置に存在すれば、カップリングレンズからの出力光はモ
行光となる。半導体レーザの発光点がカップリングレン
ズの焦点１位置からズした場合、カップリングレンズか
らの出力光は平行光でなくなる。 第２ａ図に前記半導
体レーザ光源装置の概略図を示す。半導体レーザ架台１
とカップリングレンズ２は固定枠番によって連結されて
いる。温度変化が生じ次。
場合、固定枠４の熱膨張によシ半導体レーザの発光点８
とカップリングレンズ下端９との距離が変化する。この
距離変化は（６）定枠番が半導体レーザ架台ｌとカップ
リングレンズ２を直接連結する構造の場合中じる。本発
明では第２ｂ５４ｆ示すように固定枠１と熱膨張係数が
異表る熱膨張吸収ダンパー６を固定枠４と半導体レーザ
架台６の間、固定枠４とカップリングレンズ２σ関４Ｃ
ｆｆ＊Ｌ、温度変化に伴うカップリングレンズ下端９と
半導体レーザ発光点８の距離貧化ｔキャンセルする方法
を案出した。たたし熱に安吸収ダンパー５Ｆｉどちらか
一方でも可。カップリングレンズ２／ｆｉ、円筒形のレ
ンズ収納体の中にレンズが同定されており、レーザ光を
平行な党へとする役割をもつ。
とカップリングレンズ下端９との距離が変化する。この
距離変化は（６）定枠番が半導体レーザ架台ｌとカップ
リングレンズ２を直接連結する構造の場合中じる。本発
明では第２ｂ５４ｆ示すように固定枠１と熱膨張係数が
異表る熱膨張吸収ダンパー６を固定枠４と半導体レーザ
架台６の間、固定枠４とカップリングレンズ２σ関４Ｃ
ｆｆ＊Ｌ、温度変化に伴うカップリングレンズ下端９と
半導体レーザ発光点８の距離貧化ｔキャンセルする方法
を案出した。たたし熱に安吸収ダンパー５Ｆｉどちらか
一方でも可。カップリングレンズ２／ｆｉ、円筒形のレ
ンズ収納体の中にレンズが同定されており、レーザ光を
平行な党へとする役割をもつ。
第２図Ａにおいて固定枠４が熱膨張してレン。
ズ２とレーザ架台ｌを支持する部分の間の距離が伸びた
とき、ダンパー５を一定枠番より熱膨張係数の大きいも
のとし、固定枠４に固定されたダンパーのよりレンズ２
またはレーザ発光源８に近い部分にレンズ２またはレー
ザ架台１を一定すると、固定枠４の膨張による伸びをダ
ンＪ・・ パー６の伸びが打ち消すようＫｆａｒ＜から、ダンパー
６の大きさ、熱膨張係数を適当に設置すればレンズと光
源との間の距離を一定に保つことができるのである。
とき、ダンパー５を一定枠番より熱膨張係数の大きいも
のとし、固定枠４に固定されたダンパーのよりレンズ２
またはレーザ発光源８に近い部分にレンズ２またはレー
ザ架台１を一定すると、固定枠４の膨張による伸びをダ
ンＪ・・ パー６の伸びが打ち消すようＫｆａｒ＜から、ダンパー
６の大きさ、熱膨張係数を適当に設置すればレンズと光
源との間の距離を一定に保つことができるのである。
以下、本発明の一実施例を第３図により説明する。第３
図は半導体レーザを光源とする光源装置の図である。前
記光源装置は、半導体レーザを固定する半導体レーザ架
台ｌと、半導体レーザが発生する熱を逃がすためのヒー
トシンク３と、レーザ光を平行光に変換するカップリン
グレンズ２と、前記半導体レーザ架台１とカップリング
レンズ２を連結固定する固定枠番と、熱膨張圧よる前記
カップリングレンズ２と半導体レーザ発光点との距離変
化を吸収するためにカップリングレンズ２と固定枠４の
関に設置した熱膨張吸収ダンパー６と、カップリングレ
ンズ２の位置調節のための微調ネジ６とから構成する。
図は半導体レーザを光源とする光源装置の図である。前
記光源装置は、半導体レーザを固定する半導体レーザ架
台ｌと、半導体レーザが発生する熱を逃がすためのヒー
トシンク３と、レーザ光を平行光に変換するカップリン
グレンズ２と、前記半導体レーザ架台１とカップリング
レンズ２を連結固定する固定枠番と、熱膨張圧よる前記
カップリングレンズ２と半導体レーザ発光点との距離変
化を吸収するためにカップリングレンズ２と固定枠４の
関に設置した熱膨張吸収ダンパー６と、カップリングレ
ンズ２の位置調節のための微調ネジ６とから構成する。
第４図は、前記光源装置の断面図である。
第４図において、固定枠４の熱膨張率をＫａとする。熱
膨張吸収ダンパー５の熱膨張率をＫｂとしｔｌ（％１’
）、１゜ カップリングレンズと同定枠を連結する。半導体レーザ
架台１の熱膨張率をＫｃとした場合、温度変化ＴＦＣシ
ける固定枠５の熱ｊｌ張は、（／、＋ｌ、 ＋４）
ｘ７’ｘ＆”αとなわ、αｂの半導体レーザｌの熱！Ｉ
＃張は、４Ｘ７’ＸＡ”ｌ？ ｃｄの熱膨張吸収ダンパー５の熱ｊｌｌｔＭｈ。
膨張吸収ダンパー５の熱膨張率をＫｂとしｔｌ（％１’
）、１゜ カップリングレンズと同定枠を連結する。半導体レーザ
架台１の熱膨張率をＫｃとした場合、温度変化ＴＦＣシ
ける固定枠５の熱ｊｌ張は、（／、＋ｌ、 ＋４）
ｘ７’ｘ＆”αとなわ、αｂの半導体レーザｌの熱！Ｉ
＃張は、４Ｘ７’ＸＡ”ｌ？ ｃｄの熱膨張吸収ダンパー５の熱ｊｌｌｔＭｈ。
１、ｘＴｘＫｈ
この時、ｂｃが一定であれば良込ので、（４＋４ ＋ｌ
＠） Ｘ Ｔ Ｘ Ｋｔｌ −ｉｔ Ｘ Ｔ
Ｘ Ｋｃ−４×ＴｘＫＡ：＋：。
＠） Ｘ Ｔ Ｘ Ｋｔｌ −ｉｔ Ｘ Ｔ
Ｘ Ｋｃ−４×ＴｘＫＡ：＋：。
となり、
を満足する形状にすれは温度変化の影畳がない平行光を
出力する光源装置となる。固定枠にフルンニウムを使用
した場合、ｆ仁２３Ｘ１０”−’半導。
出力する光源装置となる。固定枠にフルンニウムを使用
した場合、ｆ仁２３Ｘ１０”−’半導。
体レーザ架台ｌＩ／ｃ銅を使用した場合、Ｋｃ＝ｌａフ
Ｘｌ０−’ 、熱膨張吸収ダンパーにポリメチルメタア
クリレートを使用した一合、Ｋｌ）＝ ８０ＸＩＯ、こ
の時、／ｓ ＝−ｓｗａｍ 、 ＆＝ｌｙｍｔｍ ト
ｆ ルト４ ＝ Ｏ，？１４１關 となる。
Ｘｌ０−’ 、熱膨張吸収ダンパーにポリメチルメタア
クリレートを使用した一合、Ｋｌ）＝ ８０ＸＩＯ、こ
の時、／ｓ ＝−ｓｗａｍ 、 ＆＝ｌｙｍｔｍ ト
ｆ ルト４ ＝ Ｏ，？１４１關 となる。
又、固定枠にステンレス鋼を使用した場合、Ｋａ＝１ａ
４×ｌＯ、半導体レーザ架台ｌに銅、熱膨張吸収ダンパ
ーにア゛ルオニウムを使用した一合、 ４＝３簿賜、＆−１１１Ｌ肩とすると 為 ＝２．− となる。
４×ｌＯ、半導体レーザ架台ｌに銅、熱膨張吸収ダンパ
ーにア゛ルオニウムを使用した一合、 ４＝３簿賜、＆−１１１Ｌ肩とすると 為 ＝２．− となる。
半導体レーザを冷却する場合の実施例を第５図によシ説
明する。ペルチ島素子γによって半導体レーザ架台ｌを
冷却する。この時ベルチー素子フと半導体レーザ架台１
は一定温度に保たれるため熱膨張しないので熱膨張の関
係式は、（４＋４＋４） ｘ Ｔ ｘｆａ−４ｘ Ｔ
ｘＫｂ ｘ Ｏ（＋＆）ｘ“となる熱膨張吸収ダ とな）、蟲−−ａ−− ンパー６によりて温度変化の影響がない平行光を出力す
る光源装置となる０ 熱膨張吸収ダンパー６の素材として接着剤を使用した実
施例を第６図に示す。（６）定枠番の熱膨張は （１１＋４ ＋４ ＋４ ） Ｘ ７’ Ｘ Ｋａとな
り、熱膨張の関係式は、 （４＋４＋４＋／、）ｘＴｘＫａ−１＠ｘＴｘＫｃ−／
、Ｘ７’Ｘｆ！＝０ となり’ ／ ｓ ＝（偵＋４ ＋４ ） ｘｉａ−
／、 ＸＫ’ ）／ （Ｋ’−に４を満足する熱膨張吸
収ダンパー６によって温度変化の影蕃がない平行光を出
力する元源装會どなる。
明する。ペルチ島素子γによって半導体レーザ架台ｌを
冷却する。この時ベルチー素子フと半導体レーザ架台１
は一定温度に保たれるため熱膨張しないので熱膨張の関
係式は、（４＋４＋４） ｘ Ｔ ｘｆａ−４ｘ Ｔ
ｘＫｂ ｘ Ｏ（＋＆）ｘ“となる熱膨張吸収ダ とな）、蟲−−ａ−− ンパー６によりて温度変化の影響がない平行光を出力す
る光源装置となる０ 熱膨張吸収ダンパー６の素材として接着剤を使用した実
施例を第６図に示す。（６）定枠番の熱膨張は （１１＋４ ＋４ ＋４ ） Ｘ ７’ Ｘ Ｋａとな
り、熱膨張の関係式は、 （４＋４＋４＋／、）ｘＴｘＫａ−１＠ｘＴｘＫｃ−／
、Ｘ７’Ｘｆ！＝０ となり’ ／ ｓ ＝（偵＋４ ＋４ ） ｘｉａ−
／、 ＸＫ’ ）／ （Ｋ’−に４を満足する熱膨張吸
収ダンパー６によって温度変化の影蕃がない平行光を出
力する元源装會どなる。
本発明によれば、温度変化による影響のない高梢度の平
行光を出力できるので、温度依存性の小さい光学系が可
能となる。
行光を出力できるので、温度依存性の小さい光学系が可
能となる。
第１図は半導体レーザとカップリングレンズの関連図、
第卸図は従来の半導体レーザ光源装置の概念図、＠９．
ｂ図は本発明の半導体レーザ光源装置の概念図、第３図
は本発明の一実施例を。 示す図、第４囚は第３図の実施例の断体面図、第６図は
本発明の他の実施例を示す図、第６図は更に他の実施例
を示す図。□ １・・・半導体レーザ、 ２・・・カップリングレンズ
、 ３・・・放熱用ヒートシンク、 ４・・・■室枠
δ・・・熱膨張吸収ダンパー、 ６・・・微調ネジ、）
・−ペルテ鳳素子、 ８・・・レーザ発光点、９・・
・カップリングレンズ下端。 代理人弁理士 薄 １）利 幸 第１口 第２０−旧 第２しの オ ３ 虐
第卸図は従来の半導体レーザ光源装置の概念図、＠９．
ｂ図は本発明の半導体レーザ光源装置の概念図、第３図
は本発明の一実施例を。 示す図、第４囚は第３図の実施例の断体面図、第６図は
本発明の他の実施例を示す図、第６図は更に他の実施例
を示す図。□ １・・・半導体レーザ、 ２・・・カップリングレンズ
、 ３・・・放熱用ヒートシンク、 ４・・・■室枠
δ・・・熱膨張吸収ダンパー、 ６・・・微調ネジ、）
・−ペルテ鳳素子、 ８・・・レーザ発光点、９・・
・カップリングレンズ下端。 代理人弁理士 薄 １）利 幸 第１口 第２０−旧 第２しの オ ３ 虐
Claims (1)
- 光源と、前記光源の光を受けるレンズと、前記光源及び
レンズが固定される固定枠とを有しかつ、前記光源及び
レンズの少なくとも一方Ｆｉ＝その一部が前記固定枠に
固定され前記固定枠とは異なる熱膨張係数をもつ部材の
、前記固定枠と部材との固定された位置より前記レンズ
と光源との距離を短かくする位置に固定されることによ
って前記固定枠に固定されることを特徴とする光源装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57049126A JPS58168024A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | 光源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57049126A JPS58168024A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | 光源装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58168024A true JPS58168024A (ja) | 1983-10-04 |
| JPH0228122B2 JPH0228122B2 (ja) | 1990-06-21 |
Family
ID=12822368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57049126A Granted JPS58168024A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | 光源装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58168024A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5418700A (en) * | 1992-07-22 | 1995-05-23 | Corning Incorporated | Laser light source module and method |
| US5640407A (en) * | 1995-04-28 | 1997-06-17 | Accu-Sort Systems, Inc. | Temperature regulating laser diode assembly |
| WO2009125456A1 (en) * | 2008-04-09 | 2009-10-15 | Yazaki Corporation | Optical communication module |
| US8731347B2 (en) | 2012-10-11 | 2014-05-20 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Lens standoff and protection for optical communication systems |
| JP2023502440A (ja) * | 2019-11-21 | 2023-01-24 | イオテック，エルエルシー | 温度安定化ホログラフィック照準器 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5543577A (en) * | 1978-09-21 | 1980-03-27 | Canon Inc | Light source device |
| JPS56113109A (en) * | 1980-02-14 | 1981-09-05 | Fujitsu Ltd | Optical system supporting structure |
-
1982
- 1982-03-29 JP JP57049126A patent/JPS58168024A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5543577A (en) * | 1978-09-21 | 1980-03-27 | Canon Inc | Light source device |
| JPS56113109A (en) * | 1980-02-14 | 1981-09-05 | Fujitsu Ltd | Optical system supporting structure |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5418700A (en) * | 1992-07-22 | 1995-05-23 | Corning Incorporated | Laser light source module and method |
| US5640407A (en) * | 1995-04-28 | 1997-06-17 | Accu-Sort Systems, Inc. | Temperature regulating laser diode assembly |
| WO2009125456A1 (en) * | 2008-04-09 | 2009-10-15 | Yazaki Corporation | Optical communication module |
| US8556524B2 (en) | 2008-04-09 | 2013-10-15 | Yazaki Corporation | Optical communication module |
| US8731347B2 (en) | 2012-10-11 | 2014-05-20 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Lens standoff and protection for optical communication systems |
| JP2023502440A (ja) * | 2019-11-21 | 2023-01-24 | イオテック，エルエルシー | 温度安定化ホログラフィック照準器 |
| US11709333B2 (en) | 2019-11-21 | 2023-07-25 | Eotech, Llc | Temperature stabilized holographic sight |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0228122B2 (ja) | 1990-06-21 |
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