JPS58168024A - 光源装置 - Google Patents
光源装置Info
- Publication number
- JPS58168024A JPS58168024A JP57049126A JP4912682A JPS58168024A JP S58168024 A JPS58168024 A JP S58168024A JP 57049126 A JP57049126 A JP 57049126A JP 4912682 A JP4912682 A JP 4912682A JP S58168024 A JPS58168024 A JP S58168024A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- fixed frame
- light source
- coupling lens
- lens
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02253—Out-coupling of light using lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
- H01S5/02212—Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体レーザを光源とする光学系に係如、%
KAffJlの平行光を要求する光学愚で使用温度範囲
の大きい装filK好適な光源装置Kr&iする。
KAffJlの平行光を要求する光学愚で使用温度範囲
の大きい装filK好適な光源装置Kr&iする。
従来の光源装置では、温度変化に伴う熱lI#張による
半導体レーザの発光点とカップリングレンズ間の距離変
化を無視し・てぃたので使用温度範囲の大きい装置1に
おいて高精度の平行光を出力する事が不可能だった。
半導体レーザの発光点とカップリングレンズ間の距離変
化を無視し・てぃたので使用温度範囲の大きい装置1に
おいて高精度の平行光を出力する事が不可能だった。
本発明の目的は温度変化による影響のない高精度の平行
光を出力する光源装置を提供するごとにある。
光を出力する光源装置を提供するごとにある。
半導体レーザ光源装置について第1図を用いて説明する
。半導体レーザの発光点がカップリングレンズの焦点位
置に存在すれば、カップリングレンズからの出力光はモ
行光となる。半導体レーザの発光点がカップリングレン
ズの焦点1位置からズした場合、カップリングレンズか
らの出力光は平行光でなくなる。 第2a図に前記半導
体レーザ光源装置の概略図を示す。半導体レーザ架台1
とカップリングレンズ2は固定枠番によって連結されて
いる。温度変化が生じ次。
。半導体レーザの発光点がカップリングレンズの焦点位
置に存在すれば、カップリングレンズからの出力光はモ
行光となる。半導体レーザの発光点がカップリングレン
ズの焦点1位置からズした場合、カップリングレンズか
らの出力光は平行光でなくなる。 第2a図に前記半導
体レーザ光源装置の概略図を示す。半導体レーザ架台1
とカップリングレンズ2は固定枠番によって連結されて
いる。温度変化が生じ次。
場合、固定枠4の熱膨張によシ半導体レーザの発光点8
とカップリングレンズ下端9との距離が変化する。この
距離変化は(6)定枠番が半導体レーザ架台lとカップ
リングレンズ2を直接連結する構造の場合中じる。本発
明では第2b54f示すように固定枠1と熱膨張係数が
異表る熱膨張吸収ダンパー6を固定枠4と半導体レーザ
架台6の間、固定枠4とカップリングレンズ2σ関4C
ff*L、温度変化に伴うカップリングレンズ下端9と
半導体レーザ発光点8の距離貧化tキャンセルする方法
を案出した。たたし熱に安吸収ダンパー5Fiどちらか
一方でも可。カップリングレンズ2/fi、円筒形のレ
ンズ収納体の中にレンズが同定されており、レーザ光を
平行な党へとする役割をもつ。
とカップリングレンズ下端9との距離が変化する。この
距離変化は(6)定枠番が半導体レーザ架台lとカップ
リングレンズ2を直接連結する構造の場合中じる。本発
明では第2b54f示すように固定枠1と熱膨張係数が
異表る熱膨張吸収ダンパー6を固定枠4と半導体レーザ
架台6の間、固定枠4とカップリングレンズ2σ関4C
ff*L、温度変化に伴うカップリングレンズ下端9と
半導体レーザ発光点8の距離貧化tキャンセルする方法
を案出した。たたし熱に安吸収ダンパー5Fiどちらか
一方でも可。カップリングレンズ2/fi、円筒形のレ
ンズ収納体の中にレンズが同定されており、レーザ光を
平行な党へとする役割をもつ。
第2図Aにおいて固定枠4が熱膨張してレン。
ズ2とレーザ架台lを支持する部分の間の距離が伸びた
とき、ダンパー5を一定枠番より熱膨張係数の大きいも
のとし、固定枠4に固定されたダンパーのよりレンズ2
またはレーザ発光源8に近い部分にレンズ2またはレー
ザ架台1を一定すると、固定枠4の膨張による伸びをダ
ンJ・・ パー6の伸びが打ち消すようKfar<から、ダンパー
6の大きさ、熱膨張係数を適当に設置すればレンズと光
源との間の距離を一定に保つことができるのである。
とき、ダンパー5を一定枠番より熱膨張係数の大きいも
のとし、固定枠4に固定されたダンパーのよりレンズ2
またはレーザ発光源8に近い部分にレンズ2またはレー
ザ架台1を一定すると、固定枠4の膨張による伸びをダ
ンJ・・ パー6の伸びが打ち消すようKfar<から、ダンパー
6の大きさ、熱膨張係数を適当に設置すればレンズと光
源との間の距離を一定に保つことができるのである。
以下、本発明の一実施例を第3図により説明する。第3
図は半導体レーザを光源とする光源装置の図である。前
記光源装置は、半導体レーザを固定する半導体レーザ架
台lと、半導体レーザが発生する熱を逃がすためのヒー
トシンク3と、レーザ光を平行光に変換するカップリン
グレンズ2と、前記半導体レーザ架台1とカップリング
レンズ2を連結固定する固定枠番と、熱膨張圧よる前記
カップリングレンズ2と半導体レーザ発光点との距離変
化を吸収するためにカップリングレンズ2と固定枠4の
関に設置した熱膨張吸収ダンパー6と、カップリングレ
ンズ2の位置調節のための微調ネジ6とから構成する。
図は半導体レーザを光源とする光源装置の図である。前
記光源装置は、半導体レーザを固定する半導体レーザ架
台lと、半導体レーザが発生する熱を逃がすためのヒー
トシンク3と、レーザ光を平行光に変換するカップリン
グレンズ2と、前記半導体レーザ架台1とカップリング
レンズ2を連結固定する固定枠番と、熱膨張圧よる前記
カップリングレンズ2と半導体レーザ発光点との距離変
化を吸収するためにカップリングレンズ2と固定枠4の
関に設置した熱膨張吸収ダンパー6と、カップリングレ
ンズ2の位置調節のための微調ネジ6とから構成する。
第4図は、前記光源装置の断面図である。
第4図において、固定枠4の熱膨張率をKaとする。熱
膨張吸収ダンパー5の熱膨張率をKbとしtl(%1’
)、1゜ カップリングレンズと同定枠を連結する。半導体レーザ
架台1の熱膨張率をKcとした場合、温度変化TFCシ
ける固定枠5の熱jl張は、(/、+l、 +4)
x7’x&”αとなわ、αbの半導体レーザlの熱!I
#張は、4X7’XA”l? cdの熱膨張吸収ダンパー5の熱jlltMh。
膨張吸収ダンパー5の熱膨張率をKbとしtl(%1’
)、1゜ カップリングレンズと同定枠を連結する。半導体レーザ
架台1の熱膨張率をKcとした場合、温度変化TFCシ
ける固定枠5の熱jl張は、(/、+l、 +4)
x7’x&”αとなわ、αbの半導体レーザlの熱!I
#張は、4X7’XA”l? cdの熱膨張吸収ダンパー5の熱jlltMh。
1、xTxKh
この時、bcが一定であれば良込ので、(4+4 +l
@) X T X Ktl −it X T
X Kc−4×TxKA:+:。
@) X T X Ktl −it X T
X Kc−4×TxKA:+:。
となり、
を満足する形状にすれは温度変化の影畳がない平行光を
出力する光源装置となる。固定枠にフルンニウムを使用
した場合、f仁23X10”−’半導。
出力する光源装置となる。固定枠にフルンニウムを使用
した場合、f仁23X10”−’半導。
体レーザ架台lI/c銅を使用した場合、Kc=laフ
Xl0−’ 、熱膨張吸収ダンパーにポリメチルメタア
クリレートを使用した一合、Kl)= 80XIO、こ
の時、/s =−swam 、 &=lymtm ト
f ルト4 = O,?141關 となる。
Xl0−’ 、熱膨張吸収ダンパーにポリメチルメタア
クリレートを使用した一合、Kl)= 80XIO、こ
の時、/s =−swam 、 &=lymtm ト
f ルト4 = O,?141關 となる。
又、固定枠にステンレス鋼を使用した場合、Ka=1a
4×lO、半導体レーザ架台lに銅、熱膨張吸収ダンパ
ーにア゛ルオニウムを使用した一合、 4=3簿賜、&−111L肩とすると 為 =2.− となる。
4×lO、半導体レーザ架台lに銅、熱膨張吸収ダンパ
ーにア゛ルオニウムを使用した一合、 4=3簿賜、&−111L肩とすると 為 =2.− となる。
半導体レーザを冷却する場合の実施例を第5図によシ説
明する。ペルチ島素子γによって半導体レーザ架台lを
冷却する。この時ベルチー素子フと半導体レーザ架台1
は一定温度に保たれるため熱膨張しないので熱膨張の関
係式は、(4+4+4) x T xfa−4x T
xKb x O(+&)x“となる熱膨張吸収ダ とな)、蟲−−a−− ンパー6によりて温度変化の影響がない平行光を出力す
る光源装置となる0 熱膨張吸収ダンパー6の素材として接着剤を使用した実
施例を第6図に示す。(6)定枠番の熱膨張は (11+4 +4 +4 ) X 7’ X Kaとな
り、熱膨張の関係式は、 (4+4+4+/、)xTxKa−1@xTxKc−/
、X7’Xf!=0 となり’ / s =(偵+4 +4 ) xia−
/、 XK’ )/ (K’−に4を満足する熱膨張吸
収ダンパー6によって温度変化の影蕃がない平行光を出
力する元源装會どなる。
明する。ペルチ島素子γによって半導体レーザ架台lを
冷却する。この時ベルチー素子フと半導体レーザ架台1
は一定温度に保たれるため熱膨張しないので熱膨張の関
係式は、(4+4+4) x T xfa−4x T
xKb x O(+&)x“となる熱膨張吸収ダ とな)、蟲−−a−− ンパー6によりて温度変化の影響がない平行光を出力す
る光源装置となる0 熱膨張吸収ダンパー6の素材として接着剤を使用した実
施例を第6図に示す。(6)定枠番の熱膨張は (11+4 +4 +4 ) X 7’ X Kaとな
り、熱膨張の関係式は、 (4+4+4+/、)xTxKa−1@xTxKc−/
、X7’Xf!=0 となり’ / s =(偵+4 +4 ) xia−
/、 XK’ )/ (K’−に4を満足する熱膨張吸
収ダンパー6によって温度変化の影蕃がない平行光を出
力する元源装會どなる。
本発明によれば、温度変化による影響のない高梢度の平
行光を出力できるので、温度依存性の小さい光学系が可
能となる。
行光を出力できるので、温度依存性の小さい光学系が可
能となる。
第1図は半導体レーザとカップリングレンズの関連図、
第卸図は従来の半導体レーザ光源装置の概念図、@9.
b図は本発明の半導体レーザ光源装置の概念図、第3図
は本発明の一実施例を。 示す図、第4囚は第3図の実施例の断体面図、第6図は
本発明の他の実施例を示す図、第6図は更に他の実施例
を示す図。□ 1・・・半導体レーザ、 2・・・カップリングレンズ
、 3・・・放熱用ヒートシンク、 4・・・■室枠
δ・・・熱膨張吸収ダンパー、 6・・・微調ネジ、)
・−ペルテ鳳素子、 8・・・レーザ発光点、9・・
・カップリングレンズ下端。 代理人弁理士 薄 1)利 幸 第1口 第20−旧 第2しの オ 3 虐
第卸図は従来の半導体レーザ光源装置の概念図、@9.
b図は本発明の半導体レーザ光源装置の概念図、第3図
は本発明の一実施例を。 示す図、第4囚は第3図の実施例の断体面図、第6図は
本発明の他の実施例を示す図、第6図は更に他の実施例
を示す図。□ 1・・・半導体レーザ、 2・・・カップリングレンズ
、 3・・・放熱用ヒートシンク、 4・・・■室枠
δ・・・熱膨張吸収ダンパー、 6・・・微調ネジ、)
・−ペルテ鳳素子、 8・・・レーザ発光点、9・・
・カップリングレンズ下端。 代理人弁理士 薄 1)利 幸 第1口 第20−旧 第2しの オ 3 虐
Claims (1)
- 光源と、前記光源の光を受けるレンズと、前記光源及び
レンズが固定される固定枠とを有しかつ、前記光源及び
レンズの少なくとも一方Fi=その一部が前記固定枠に
固定され前記固定枠とは異なる熱膨張係数をもつ部材の
、前記固定枠と部材との固定された位置より前記レンズ
と光源との距離を短かくする位置に固定されることによ
って前記固定枠に固定されることを特徴とする光源装置
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57049126A JPS58168024A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | 光源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57049126A JPS58168024A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | 光源装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58168024A true JPS58168024A (ja) | 1983-10-04 |
JPH0228122B2 JPH0228122B2 (ja) | 1990-06-21 |
Family
ID=12822368
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57049126A Granted JPS58168024A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | 光源装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58168024A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5418700A (en) * | 1992-07-22 | 1995-05-23 | Corning Incorporated | Laser light source module and method |
US5640407A (en) * | 1995-04-28 | 1997-06-17 | Accu-Sort Systems, Inc. | Temperature regulating laser diode assembly |
WO2009125456A1 (en) * | 2008-04-09 | 2009-10-15 | Yazaki Corporation | Optical communication module |
US8731347B2 (en) | 2012-10-11 | 2014-05-20 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Lens standoff and protection for optical communication systems |
JP2023502440A (ja) * | 2019-11-21 | 2023-01-24 | イオテック,エルエルシー | 温度安定化ホログラフィック照準器 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5543577A (en) * | 1978-09-21 | 1980-03-27 | Canon Inc | Light source device |
JPS56113109A (en) * | 1980-02-14 | 1981-09-05 | Fujitsu Ltd | Optical system supporting structure |
-
1982
- 1982-03-29 JP JP57049126A patent/JPS58168024A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5543577A (en) * | 1978-09-21 | 1980-03-27 | Canon Inc | Light source device |
JPS56113109A (en) * | 1980-02-14 | 1981-09-05 | Fujitsu Ltd | Optical system supporting structure |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5418700A (en) * | 1992-07-22 | 1995-05-23 | Corning Incorporated | Laser light source module and method |
US5640407A (en) * | 1995-04-28 | 1997-06-17 | Accu-Sort Systems, Inc. | Temperature regulating laser diode assembly |
WO2009125456A1 (en) * | 2008-04-09 | 2009-10-15 | Yazaki Corporation | Optical communication module |
US8556524B2 (en) | 2008-04-09 | 2013-10-15 | Yazaki Corporation | Optical communication module |
US8731347B2 (en) | 2012-10-11 | 2014-05-20 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Lens standoff and protection for optical communication systems |
JP2023502440A (ja) * | 2019-11-21 | 2023-01-24 | イオテック,エルエルシー | 温度安定化ホログラフィック照準器 |
US11709333B2 (en) | 2019-11-21 | 2023-07-25 | Eotech, Llc | Temperature stabilized holographic sight |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0228122B2 (ja) | 1990-06-21 |
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