JPS58167770A - シヤドウマスクの製造方法 - Google Patents
シヤドウマスクの製造方法Info
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- JPS58167770A JPS58167770A JP57048974A JP4897482A JPS58167770A JP S58167770 A JPS58167770 A JP S58167770A JP 57048974 A JP57048974 A JP 57048974A JP 4897482 A JP4897482 A JP 4897482A JP S58167770 A JPS58167770 A JP S58167770A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/14—Manufacture of electrodes or electrode systems of non-emitting electrodes
- H01J9/142—Manufacture of electrodes or electrode systems of non-emitting electrodes of shadow-masks for colour television tubes
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/26—Acidic compositions for etching refractory metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はシャドウマスクの製造方法に体勢、特に鉄及び
ニッケルを主成分とする例えばアンバーからなるシャド
ウマスク素材に塩化第２鉄溶液をスプレィ法により吹き
つけ微細精密な電子ビーム通過孔部を穿設するシャドウ
マスクの製造方法に関するものである。
ニッケルを主成分とする例えばアンバーからなるシャド
ウマスク素材に塩化第２鉄溶液をスプレィ法により吹き
つけ微細精密な電子ビーム通過孔部を穿設するシャドウ
マスクの製造方法に関するものである。
例えばカラー受侭管に内装するシャドウマスクとしては
一般に純鉄軟鋼板が多く使用されているが、高精密、高
細度の画面が要求されるディスプレイ用のカラー受儂管
に内装するシャドウマスクはこの一面に対応するように
電子ビーム通過孔部の孔径及びピッチも極めて微細なも
のが使用される。−例としてデルタ！１に円形電子ビー
ム通過孔部の穿設され九シャドウ１スクではピッチ０５
２゜■、電子銃側の孔径は直径０．１０ ｗｍ＠ｇとな
っている。
一般に純鉄軟鋼板が多く使用されているが、高精密、高
細度の画面が要求されるディスプレイ用のカラー受儂管
に内装するシャドウマスクはこの一面に対応するように
電子ビーム通過孔部の孔径及びピッチも極めて微細なも
のが使用される。−例としてデルタ！１に円形電子ビー
ム通過孔部の穿設され九シャドウ１スクではピッチ０５
２゜■、電子銃側の孔径は直径０．１０ ｗｍ＠ｇとな
っている。
シャドウマスクを内装するカラー受健管の最本重要な特
性は電子銃より発射された電子ビームをシャドウマスク
の電子ビーム通過孔部を通過して忠実に螢光面を形成す
る所定の螢光体層に射突させることである。しかしなが
ら、稼動中のシャドウマスクは時間の経過と共に電子ビ
ームの射突による温度上昇を伴い、熱膨張を起し、その
結果、電子ビームの軌跡と螢光体層との位置が合致しな
くなシ、所謂ミスランディングを生じて色ずれ現象を起
すととＫなる。
性は電子銃より発射された電子ビームをシャドウマスク
の電子ビーム通過孔部を通過して忠実に螢光面を形成す
る所定の螢光体層に射突させることである。しかしなが
ら、稼動中のシャドウマスクは時間の経過と共に電子ビ
ームの射突による温度上昇を伴い、熱膨張を起し、その
結果、電子ビームの軌跡と螢光体層との位置が合致しな
くなシ、所謂ミスランディングを生じて色ずれ現象を起
すととＫなる。
、このこと社カラー受偉管としての致命的欠陥となる丸
め、解決方法として線膨張係数の極めて小さなアンバー
材を使用してシャドウマスクを作ることが最適であるこ
とは周知である。このアンバー材はニッケル鋼の一種で
あ抄、標準組成ａＣ＜０．２−１Ｍ、０．５ ％、Ｎｉ
３６９Ｇ、残りがＦ８からな夛、線膨張係数が０〜４０
℃間で約Ｉ Ｘ １０−’／ｄｅｇと小さいことが特徴
である。この値は従来のシャドウマスク素材の純鉄軟鋼
材の約１／１０で、この特性は普通の熱膨張と磁気的体
積収縮との重ね合せＫよに現れるものと考えられている
。
め、解決方法として線膨張係数の極めて小さなアンバー
材を使用してシャドウマスクを作ることが最適であるこ
とは周知である。このアンバー材はニッケル鋼の一種で
あ抄、標準組成ａＣ＜０．２−１Ｍ、０．５ ％、Ｎｉ
３６９Ｇ、残りがＦ８からな夛、線膨張係数が０〜４０
℃間で約Ｉ Ｘ １０−’／ｄｅｇと小さいことが特徴
である。この値は従来のシャドウマスク素材の純鉄軟鋼
材の約１／１０で、この特性は普通の熱膨張と磁気的体
積収縮との重ね合せＫよに現れるものと考えられている
。
しかるにアンバー材などの鉄及びニッケルを主成分とす
る合金材は通常塩化第２鉄溶液をエツテング液として、
スプレィ法により電子ビーム通過孔部を穿設するが、こ
の鳩舎、塩化第２鉄溶液中の遊離塩酸量をある範囲より
多くすると非エツチングｓＫ被着されている感光膜レジ
ストの耐蝕性がもたず不所望部までエツチングされるし
、ま九少なくすると第１図に示すように電子ビーム通過
孔部（１）の周縁にぎざぎざ（２）が発生し、微細な寸
法ばらつきを生じ寸法管理が困難とな妙、を九二ニフオ
ミテイも劣りむらのある画面しか得られない問題点があ
る。
る合金材は通常塩化第２鉄溶液をエツテング液として、
スプレィ法により電子ビーム通過孔部を穿設するが、こ
の鳩舎、塩化第２鉄溶液中の遊離塩酸量をある範囲より
多くすると非エツチングｓＫ被着されている感光膜レジ
ストの耐蝕性がもたず不所望部までエツチングされるし
、ま九少なくすると第１図に示すように電子ビーム通過
孔部（１）の周縁にぎざぎざ（２）が発生し、微細な寸
法ばらつきを生じ寸法管理が困難とな妙、を九二ニフオ
ミテイも劣りむらのある画面しか得られない問題点があ
る。
ま丸環化第２鉄溶液中のＦ＋十をある範囲以上にすると
エツチング速度の制御が困難となると同時に電子ビーム
通過孔部が同じく第１図に示すような形状になり、遊離
塩酸量の場合と同様に微細な寸法管理が困難となる問題
点がある。
エツチング速度の制御が困難となると同時に電子ビーム
通過孔部が同じく第１図に示すような形状になり、遊離
塩酸量の場合と同様に微細な寸法管理が困難となる問題
点がある。
ま丸環化第２鉄溶液の温度も常温以下では生産性が悪く
なるため設備が大きくなるし、ある温度以上では感光膜
レジストの耐蝕性が劣化し、不所望部までエツチングさ
れる問題点がある。
なるため設備が大きくなるし、ある温度以上では感光膜
レジストの耐蝕性が劣化し、不所望部までエツチングさ
れる問題点がある。
また温度にともなう液比型は低すぎると化学的に活性と
なり電子ビーム通過孔部が第１図に示すような形状にな
り、遊離塩酸量の場合と同様に微細な寸法管理が困難と
なり問題点がある。この化学的な活性は温度の上昇時に
粘度が低下するので塩化第２鉄溶液が金属表面を移動す
る速度が大きくなるためである。
なり電子ビーム通過孔部が第１図に示すような形状にな
り、遊離塩酸量の場合と同様に微細な寸法管理が困難と
なり問題点がある。この化学的な活性は温度の上昇時に
粘度が低下するので塩化第２鉄溶液が金属表面を移動す
る速度が大きくなるためである。
また塩化第２鉄溶液のスプレィ液圧も高すぎるとエツチ
ング中に感光膜レジストが物理的に破壊されるし、一方
低すぎるとスプレイノ署ターンが不均一となシエッチン
グが平均に進行しない問題点がある。
ング中に感光膜レジストが物理的に破壊されるし、一方
低すぎるとスプレイノ署ターンが不均一となシエッチン
グが平均に進行しない問題点がある。
本発明は前述した諸問題に鑑みなされたものであや、ア
ンバー材などの鉄及びニッケルを主成分とする合金材か
らなるシャドウマスク素材に塩化第２鉄溶液をスプレィ
法により吹きつけシャドウマスクを製造する場合、塩化
第２鉄溶液の緒特性を限定することにより極めて品質の
よいシャドウマスクを得ることが可能なシャドウマスク
の製造方法を提供することを目的としている。
ンバー材などの鉄及びニッケルを主成分とする合金材か
らなるシャドウマスク素材に塩化第２鉄溶液をスプレィ
法により吹きつけシャドウマスクを製造する場合、塩化
第２鉄溶液の緒特性を限定することにより極めて品質の
よいシャドウマスクを得ることが可能なシャドウマスク
の製造方法を提供することを目的としている。
即ち、本発明は鉄及びニッケルを主成分とする合金材か
らなるシャドウマスク素材に塩化第２鉄溶液をスプレィ
法によ抄吹きつけ微細精密な電子ビーム通過孔部を穿設
するシャドウマスクの製造方法において、塩化第２鉄溶
液が遊離塩酸量０．２０±０．１０％、Ｆｅ”１０１以
下、液温２０〜６５℃、２０℃時の比重１．４９５〜１
，５３５．６５℃時の比重ＩＡ６０〜１．４８０、液圧
ｉ、 ｏ〜２．０ ｋｇ／ｄの範囲にあるように制御さ
れていることを特徴としている。
らなるシャドウマスク素材に塩化第２鉄溶液をスプレィ
法によ抄吹きつけ微細精密な電子ビーム通過孔部を穿設
するシャドウマスクの製造方法において、塩化第２鉄溶
液が遊離塩酸量０．２０±０．１０％、Ｆｅ”１０１以
下、液温２０〜６５℃、２０℃時の比重１．４９５〜１
，５３５．６５℃時の比重ＩＡ６０〜１．４８０、液圧
ｉ、 ｏ〜２．０ ｋｇ／ｄの範囲にあるように制御さ
れていることを特徴としている。
次に本発明の一実施例を説明する。
先ず発明者らは種々の塩化第２鉄溶液を使用し、実際に
アン、６−材から々るシャドウマスク素材に電子ビーム
通過孔部を穿設し、この電子ビーム通過孔部の形状、感
光膜レジストの状態などを検査する方法を用いて塩化第
２鉄溶液の温度と遊離塩酸量の関係における安全域を調
査し第２図の安全域αυ、即ち２０℃〜６５℃まで遊離
塩酸量は０．１０チ〜０．３０チが安全域住υとなる。
アン、６−材から々るシャドウマスク素材に電子ビーム
通過孔部を穿設し、この電子ビーム通過孔部の形状、感
光膜レジストの状態などを検査する方法を用いて塩化第
２鉄溶液の温度と遊離塩酸量の関係における安全域を調
査し第２図の安全域αυ、即ち２０℃〜６５℃まで遊離
塩酸量は０．１０チ〜０．３０チが安全域住υとなる。
これは０．２０±０、１０ ％が最適であることを示し
ている。この安全域Ｑ０に遊離塩酸量をおさえることに
より、感光膜レジストは浸蝕されないし、また電子ビー
ム通過孔部の形状も完全円形となり、寸法のばらつきも
少なく、結果としてユニフオミテイ屯よく、画面のむら
もなくなる。
ている。この安全域Ｑ０に遊離塩酸量をおさえることに
より、感光膜レジストは浸蝕されないし、また電子ビー
ム通過孔部の形状も完全円形となり、寸法のばらつきも
少なく、結果としてユニフオミテイ屯よく、画面のむら
もなくなる。
次に同様な検査方法を用いて塩化第２鉄溶液の温度とＦ
＋＋の関係を調査し九結果第３図の安全域ａの即ち全温
度でＦ＋＋を１〇−以下とすることＫより最適結果が得
られ友。そしてこの安全域ＱＪＫＦ”をおさえるととＫ
よシエッチング速度の制御ができると共に電子ビーム通
過孔部の形状も完全円形とすることが可能となる。
＋＋の関係を調査し九結果第３図の安全域ａの即ち全温
度でＦ＋＋を１〇−以下とすることＫより最適結果が得
られ友。そしてこの安全域ＱＪＫＦ”をおさえるととＫ
よシエッチング速度の制御ができると共に電子ビーム通
過孔部の形状も完全円形とすることが可能となる。
次に同様な検査方法を用いて塩化第２鉄溶液の温度と比
重の関係を調査し九結果第４図の安全域０簿即ち液温２
０℃時の比重が１．４９５〜１．５３５．６５℃時の比
重が１．４６０〜１．４８０の範囲にすることＫよ抄感
光膜の耐蝕性が劣化することもなく、設備を増加するこ
とがない。更に電子ビーム通過孔部が完全円形となるこ
とは勿論のこと寸法管理も極めて容易にできる。
重の関係を調査し九結果第４図の安全域０簿即ち液温２
０℃時の比重が１．４９５〜１．５３５．６５℃時の比
重が１．４６０〜１．４８０の範囲にすることＫよ抄感
光膜の耐蝕性が劣化することもなく、設備を増加するこ
とがない。更に電子ビーム通過孔部が完全円形となるこ
とは勿論のこと寸法管理も極めて容易にできる。
最後に同様な検査方法を用いて塩化第２鉄溶液の温度と
スプレィ時の液圧を調査し第５図の安全域１１即ち、６
０°円錐噴霧形状ノズルを使用して液圧ｌ〜２に４Ｉ／
ｃ１１でスプレィした場合、感光膜レジストの物理的破
壊がなくなるし、スプレィ／ぞターンが均一にな９エツ
チングが平均に進行し、極めて良好な電子ビー、ム通過
孔部を穿設することが可能となつ九。
スプレィ時の液圧を調査し第５図の安全域１１即ち、６
０°円錐噴霧形状ノズルを使用して液圧ｌ〜２に４Ｉ／
ｃ１１でスプレィした場合、感光膜レジストの物理的破
壊がなくなるし、スプレィ／ぞターンが均一にな９エツ
チングが平均に進行し、極めて良好な電子ビー、ム通過
孔部を穿設することが可能となつ九。
前述のようにアンバーなど、鉄及びニッケルを主成分と
する合金材からなるシャドウマスク素材に塩化第２鉄溶
液をスプレィ法によ砂吹きつけ電子ビーム通過孔部を穿
設する時、塩化第２鉄溶液中の遊離塩酸量、Ｆｅ＋＋、
温度、比重、スプレィ時の液圧を制御することＫより微
細、精密な電子ビーム通過孔部を穿設することが可能と
なるのでその工業的価値は極めて大である。
する合金材からなるシャドウマスク素材に塩化第２鉄溶
液をスプレィ法によ砂吹きつけ電子ビーム通過孔部を穿
設する時、塩化第２鉄溶液中の遊離塩酸量、Ｆｅ＋＋、
温度、比重、スプレィ時の液圧を制御することＫより微
細、精密な電子ビーム通過孔部を穿設することが可能と
なるのでその工業的価値は極めて大である。
第１図は周縁にぎざぎざのある電子ビーム通過孔部を示
す説明図、第２図は塩化第２鉄溶液の温度と遊離塩酸量
との安全域を示すグラフ、第３図は塩化第２鉄溶液の温
度とＦ＋十量との安全域を示すグラフ、第４図は塩化第
２鉄溶液の温度と比重との安全域を示すグラフ、第５図
は塩化第２鉄溶液の温度と液圧との安全域を示すグラフ
である。 １・・・電子ビーム通過孔部 １１．１２，１３，１４・・・安全域 代理人 弁理士 井 上 −男 −顯凌鴨溢！ら −」酬 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １、事件の表示 昭和５７年特許願第０４８９７４号 ２、発明の名称 シャドウマスクの製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （３０７） ！［京芝浦電気株式会社 ４、代理人 〒１４４ 東京都大田区蒲田４丁目４１番１１号 第−津野田ビル 補正の対象 ＃４ｍ書全文 Ｂ）図 面 ６、 補正の内容 Ａ）別紙の通シ Ｂ）＠２図、第３図、第４図及び＠５図を別紙嬉２図、
第３図、第４図と差換える。 以 上 訂 正 明 細 書 １、発明の名称 シャドウマスクの製造方法 ２、特許請求の範囲 鉄及びニッケルを主成分とする合金材からなるシャドウ
マスク素材に塩化第２鉄溶液をスプレィ法によ炒吹きっ
け微細精密な電子ビー五通過孔部を穿設するシャドウマ
スクの製造方法において、前記塩化＃Ｉ２鉄溶液が遊離
塩酸量０．３０±０．２０％ ＋ （Ｆｅ ” ” 、
Ｎ＋ ＋＋）合わせて１５Ｉｓ以下、液温４０”Ｃ響
□□轡轡り□ −□−□□□等□□□□〜□□嗣
□ −□−−□□〜−−□□〜７０ｐｇ−ｑ；、−ｔ”
ａ３瀘ニー、Ｑ１７４．６３Ｘ１０−’ＸＴ−１，９６
Ｘ１０ ＸＴ”と１．５５２＋７．’７９ Ｘ １０
−”Ｔ−１，１８Ｘ １０−’ＸＴ”（−（−！シーー
東卑つ４μ４に囲も些邊範囲にあるように制御されてい
ることを特徴とするシャドウマスクの１！１ｉ１ｊｉ！
ｉ方法。 ３、発明の詳細な説明 〔発明の技術分野〕 本発明はシャドウマスクの製造方法に係り、特ｔＣ＊及
びニッケルを主成分とする例えばアンバーからなるシャ
ドウマスク素材に塩化第２鉄溶液をスプレィ法によシ吹
きつ社黴細精密な電子ビーム通過孔部を穿設するシャド
ウマスクの製造方法に関するものである。 例えばカラー受像管に内装するシャドウマスクとしては
一般に純鉄軟鋼板が多く使用されているが、高精密、高
精細度の一面が要求されるディスプレイ用の力２−受倫
管に内装するシャドウマスクはこの画面に対応するよう
に電子ビーム通過孔部の孔径及びピッチも極めて微細な
ものが使用される。−例としてデルタ型に円形電子ビー
ム通過孔部の穿設されたシャドウマスクではピッチ０．
２０鴎、電子銃側の孔径は直径０．１ＯｌＳ度となって
いる。 シャドウマスクを内装するカラー受像管の最４重要な特
性は電子銃より発射された電子ビームをシャドウマスク
の電子ビーム通過孔部を４遇して忠実に蛍光ｔｉｒｅ形
成する所定の蛍光体層罠射突させることである。しかし
ながら、稼動中のシャドウマスクは時間の経過と共に電
子ビームの射突による温度上昇を伴い、熱膨張を起し、
その結果、電子ビームの軌跡と蛍光体層との位置が合致
しなくなり、所膓ミスランディ／グを生じて色ずれ現象
を起すことになる。 この仁とはカラー受像管としての致命的欠陥となるため
、解決方法として線膨張係数の極めて小さないわゆるア
ンバー材を使用してシャドウマスクを作ることも提案さ
れている。このアンバー材はニッケル事の一檀であり、
標準組成ＦｉＣ＜ ０．２チ、Ｍ、 ０．５％ 、 Ｎ
ｉ ３６ ％、残りがＦｅからな抄、線膨張係数がθ〜
４０′Ｃ間で約Ｉ Ｘ ］ Ｑ−＠／ ｄｅｇと小さい
ことが特徴である。この線膨張係数の値は従来のシャド
ウマスク素材の純鉄軟鋼材の約１／１０で、この特性は
普通の熱膨張と磁気的体積収縮との重ね合せにより現れ
るものと考えられている。 〔背景技術の問題点〕 しかるにアンバー材などの鉄及びニッケルを主成分とす
る合金材は通常塩化第２鉄溶液をエツチング液として、
スプレィ法により電子ビーム通過孔部を穿設するが、こ
の場合、塩化第２鉄溶液中の遊離塩酸ｉｔをある範囲よ
り多くすると非エツチング部に被着されている感光膜レ
ジストの耐蝕性がもたず不所望部までエツチングされる
し、また少なくすると水酸化ニッケル及び水酸化鉄が生
成され、これがエツチング部（沈着するため第１図に示
すように電子ビーム通過孔部（１）の周縁にぎざぎざ（
２）が発生し、微細な寸法ばらつきを生じ寸法管理が困
難となり、またユニフォ２ティ本劣りむらのあるｌｌｌ
ｉｉ面しか得られない問題点がある。 また塩化第２鉄溶液中のエツチングに寄与しないＦｅ”
十及びＮｉ＋十がある範囲以上になるとエツチング界面
でのエツチング液オ７ （Ｆ、十＋＋）の交換速度がば
らつきエツチング速饗の制御が困−となると同時に電子
ビーム通過孔部が同じく第１図に示すような形状になる
ため、遊離塩酸量の場合と同様に微細な寸法管理が国難
となる問題点がある。 ｉた塩化第２鉄溶液の温度４ある温度以下では生産性が
悪くなるため設備が大きくなるし、ある温度以上では感
光膜レジストの膨潤により耐蝕性が劣化し、不所望部ま
でエツチングされる問題点がある。 また温度と液比重との間には相関性があるが、液比重が
低すぎた場合液粘度が低下し、エツチングイオンの拡散
速度が一律である鉄−ニッケル合金のエツチングではエ
ツチング速度が非常に速くなる。この結果様々な結晶面
を有する多結晶の鉄−ニッケル合金Ｆｉ溶解され易い面
が優先的にエツチングされ、電子ビーム通過孔部が第１
図に示すような形状になね、遊離塩酸量の場合と同様に
微細な寸法管理が困難な問題点がある。逆に液比重が高
すぎた場合、液粘度が上り過ぎエツチングイオンの移動
が抑制される念めエツチング速度が低下し過ぎ量産に適
さない間亀点がある。この結果量産面とマスク品質との
両面からある温度と比重の範囲を決める必要がある。 〔発明の目的〕 本発明は前述した諸問題に鑑みなされたものであゆ、ア
ンバー材などの鉄及びニッケルを生成物とする合金材か
らなるシャドウマスク素材に塩化第２鉄浴液をスプレィ
法によシ吹きつけシャドウマスクを製造する場合、塩化
第２鉄溶液の緒特性を限定することにょ９極めて品質の
よいシャドウマスクを得ることが可能なシャドウ１スク
の製造方法を提供することを目的としている。 〔発明の概賛〕 即ち、本発明は鉄及びニッケルを主成分とする合金材か
らなるシャドウマスク素材に塩化第２鉄溶液をスプレィ
法により吹きつけ微細精密な電子ビー人通過孔部を穿設
するシャドウマスクの製造方法において、塩化＠２鉄溶
液が、遊離塩酸量０．３０±０．２０ ％ 、 （Ｆｅ
＋＋、 Ｎｉ”）合わせて１５−以下、液温４０〜７０
℃の範囲で比重が、１．４６１−４．６３ Ｘ１Ｏ−４
ＸＴ −１，９６Ｘ１０−’ＸＴ”と１．５５２＋７．
７９Ｘ１０−’ＸＴ−１，１８Ｘ１０−”ＸＴ”の式Ｋ
ｌｆｉまれ九（Ｔｔｉ液温）範囲にあるように制御され
てぃ−ることｔ−特徴としている。 〔発明の実施例〕 次に本発明の一実施例を説明する。 先ず本発明者らＦｉ種々の塩化第２鉄溶液を使用し、実
際（アンバー材からなるシャドウマスク素材に電子ビー
ム通過孔部を穿設し、この電子ビーム通過孔部の形状、
感光膜レリストの状簾などを検査する方法を用いて塩化
第２鉄溶液の温度と遊啼塩ｓｉｔの関係における安全域
を調査し第２図の安全域Ｕυ、即ち４０℃〜７０″ｃｔ
で遊離塩酸量は０、ｌＯ−〜０．５０−が安全域ａυと
なる。これは０．３０±０．１０−が最適であることを
示している。 この安全域ａυに遊離塩酸量をおさえることＫより、感
光膜レジストは浸蝕されない１７、ｔた電子ビーム通過
孔部の形状も完全円形となり、寸法のばらつきも少なく
、結果としてユニフォミティもよく、−１面のむらもな
くなる。 次に同様な検査方法を用いて塩化第２鉄溶液の温度とＦ
＋十とＮｉ”＋の関係を調査した結果第３図の安全域ａ
々即ら全温度でＦ＋十とＮｉ”十を合わせて１５−以下
とすることにょシ最適結果が得られた。そしてこの安全
域ｕ’４ＫＦ”＋をおさえることＫよりエツチング速度
の制御ができると共に電子ビーム通過孔部の形状も完全
円形とすることが可能となる。 次に同様な検査方法を用いて塩化第２鉄溶液の温度と比
重の関係を調査した結果第４図の安全域Ｕ漕即ら液温４
０℃〜７０ ’Ｃの間で１．４６１−４．６３Ｘ１０−
’Ｘ Ｔ−１，９６Ｘ １０−＠Ｘ Ｔ”と１．５５２
＋７．７９Ｘ １Ｏ−ＸＴ −１，１８ＸＩＯ−’ＸＴ
”の式に囲まれた（Ｔけ液ｍ＞範囲にすること和より感
光膜の耐蝕性が劣化することもなく。 設備を増加することがない。更に電子ビーム通過孔部が
完全円形となることは勿論のこと寸法管理も極めて容易
にできる。 〔発明の効果〕 前述゛のようにア／ノ（−など、鉄及びニッケルを主成
分とする合金材からなるシャドウマスク素材に塩化第２
鉄溶液をスプレィ法により吹精っけ電子ビーム通過孔部
を穿設する時、塩化第２鉄溶液中の遊離塩酸量、Ｆｅ＋
＋、ＮＩ＋＋、温度、比重、を制御することにより微細
、精密な電子ビーム通過孔部を穿設することが可能とな
るのでその工業的価値は極めて大である。 ４、図面の簡単な説明 第１図は周縁にぎざぎざのある電子ビーム通過孔部を示
す説明図、第２図は塩化第２鉄婢液の温度と遊離塩酸量
との安全域を示すグラフ、第３図は塩化第２鉄解液の温
度とＦ”＋Ｎｉ”＋奮との安全緘を示すグラフ、第４図
は塩化第２鉄溶液の温度と北東との安全域を示すグラフ
である。 ｌ・・・電子ビーム通過孔部 １１．１２，１３．Ｈ′・・・安全域 代理人 弁理士 井 上 −男第 ２
図
す説明図、第２図は塩化第２鉄溶液の温度と遊離塩酸量
との安全域を示すグラフ、第３図は塩化第２鉄溶液の温
度とＦ＋十量との安全域を示すグラフ、第４図は塩化第
２鉄溶液の温度と比重との安全域を示すグラフ、第５図
は塩化第２鉄溶液の温度と液圧との安全域を示すグラフ
である。 １・・・電子ビーム通過孔部 １１．１２，１３，１４・・・安全域 代理人 弁理士 井 上 −男 −顯凌鴨溢！ら −」酬 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １、事件の表示 昭和５７年特許願第０４８９７４号 ２、発明の名称 シャドウマスクの製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （３０７） ！［京芝浦電気株式会社 ４、代理人 〒１４４ 東京都大田区蒲田４丁目４１番１１号 第−津野田ビル 補正の対象 ＃４ｍ書全文 Ｂ）図 面 ６、 補正の内容 Ａ）別紙の通シ Ｂ）＠２図、第３図、第４図及び＠５図を別紙嬉２図、
第３図、第４図と差換える。 以 上 訂 正 明 細 書 １、発明の名称 シャドウマスクの製造方法 ２、特許請求の範囲 鉄及びニッケルを主成分とする合金材からなるシャドウ
マスク素材に塩化第２鉄溶液をスプレィ法によ炒吹きっ
け微細精密な電子ビー五通過孔部を穿設するシャドウマ
スクの製造方法において、前記塩化＃Ｉ２鉄溶液が遊離
塩酸量０．３０±０．２０％ ＋ （Ｆｅ ” ” 、
Ｎ＋ ＋＋）合わせて１５Ｉｓ以下、液温４０”Ｃ響
□□轡轡り□ −□−□□□等□□□□〜□□嗣
□ −□−−□□〜−−□□〜７０ｐｇ−ｑ；、−ｔ”
ａ３瀘ニー、Ｑ１７４．６３Ｘ１０−’ＸＴ−１，９６
Ｘ１０ ＸＴ”と１．５５２＋７．’７９ Ｘ １０
−”Ｔ−１，１８Ｘ １０−’ＸＴ”（−（−！シーー
東卑つ４μ４に囲も些邊範囲にあるように制御されてい
ることを特徴とするシャドウマスクの１！１ｉ１ｊｉ！
ｉ方法。 ３、発明の詳細な説明 〔発明の技術分野〕 本発明はシャドウマスクの製造方法に係り、特ｔＣ＊及
びニッケルを主成分とする例えばアンバーからなるシャ
ドウマスク素材に塩化第２鉄溶液をスプレィ法によシ吹
きつ社黴細精密な電子ビーム通過孔部を穿設するシャド
ウマスクの製造方法に関するものである。 例えばカラー受像管に内装するシャドウマスクとしては
一般に純鉄軟鋼板が多く使用されているが、高精密、高
精細度の一面が要求されるディスプレイ用の力２−受倫
管に内装するシャドウマスクはこの画面に対応するよう
に電子ビーム通過孔部の孔径及びピッチも極めて微細な
ものが使用される。−例としてデルタ型に円形電子ビー
ム通過孔部の穿設されたシャドウマスクではピッチ０．
２０鴎、電子銃側の孔径は直径０．１ＯｌＳ度となって
いる。 シャドウマスクを内装するカラー受像管の最４重要な特
性は電子銃より発射された電子ビームをシャドウマスク
の電子ビーム通過孔部を４遇して忠実に蛍光ｔｉｒｅ形
成する所定の蛍光体層罠射突させることである。しかし
ながら、稼動中のシャドウマスクは時間の経過と共に電
子ビームの射突による温度上昇を伴い、熱膨張を起し、
その結果、電子ビームの軌跡と蛍光体層との位置が合致
しなくなり、所膓ミスランディ／グを生じて色ずれ現象
を起すことになる。 この仁とはカラー受像管としての致命的欠陥となるため
、解決方法として線膨張係数の極めて小さないわゆるア
ンバー材を使用してシャドウマスクを作ることも提案さ
れている。このアンバー材はニッケル事の一檀であり、
標準組成ＦｉＣ＜ ０．２チ、Ｍ、 ０．５％ 、 Ｎ
ｉ ３６ ％、残りがＦｅからな抄、線膨張係数がθ〜
４０′Ｃ間で約Ｉ Ｘ ］ Ｑ−＠／ ｄｅｇと小さい
ことが特徴である。この線膨張係数の値は従来のシャド
ウマスク素材の純鉄軟鋼材の約１／１０で、この特性は
普通の熱膨張と磁気的体積収縮との重ね合せにより現れ
るものと考えられている。 〔背景技術の問題点〕 しかるにアンバー材などの鉄及びニッケルを主成分とす
る合金材は通常塩化第２鉄溶液をエツチング液として、
スプレィ法により電子ビーム通過孔部を穿設するが、こ
の場合、塩化第２鉄溶液中の遊離塩酸ｉｔをある範囲よ
り多くすると非エツチング部に被着されている感光膜レ
ジストの耐蝕性がもたず不所望部までエツチングされる
し、また少なくすると水酸化ニッケル及び水酸化鉄が生
成され、これがエツチング部（沈着するため第１図に示
すように電子ビーム通過孔部（１）の周縁にぎざぎざ（
２）が発生し、微細な寸法ばらつきを生じ寸法管理が困
難となり、またユニフォ２ティ本劣りむらのあるｌｌｌ
ｉｉ面しか得られない問題点がある。 また塩化第２鉄溶液中のエツチングに寄与しないＦｅ”
十及びＮｉ＋十がある範囲以上になるとエツチング界面
でのエツチング液オ７ （Ｆ、十＋＋）の交換速度がば
らつきエツチング速饗の制御が困−となると同時に電子
ビーム通過孔部が同じく第１図に示すような形状になる
ため、遊離塩酸量の場合と同様に微細な寸法管理が国難
となる問題点がある。 ｉた塩化第２鉄溶液の温度４ある温度以下では生産性が
悪くなるため設備が大きくなるし、ある温度以上では感
光膜レジストの膨潤により耐蝕性が劣化し、不所望部ま
でエツチングされる問題点がある。 また温度と液比重との間には相関性があるが、液比重が
低すぎた場合液粘度が低下し、エツチングイオンの拡散
速度が一律である鉄−ニッケル合金のエツチングではエ
ツチング速度が非常に速くなる。この結果様々な結晶面
を有する多結晶の鉄−ニッケル合金Ｆｉ溶解され易い面
が優先的にエツチングされ、電子ビーム通過孔部が第１
図に示すような形状になね、遊離塩酸量の場合と同様に
微細な寸法管理が困難な問題点がある。逆に液比重が高
すぎた場合、液粘度が上り過ぎエツチングイオンの移動
が抑制される念めエツチング速度が低下し過ぎ量産に適
さない間亀点がある。この結果量産面とマスク品質との
両面からある温度と比重の範囲を決める必要がある。 〔発明の目的〕 本発明は前述した諸問題に鑑みなされたものであゆ、ア
ンバー材などの鉄及びニッケルを生成物とする合金材か
らなるシャドウマスク素材に塩化第２鉄浴液をスプレィ
法によシ吹きつけシャドウマスクを製造する場合、塩化
第２鉄溶液の緒特性を限定することにょ９極めて品質の
よいシャドウマスクを得ることが可能なシャドウ１スク
の製造方法を提供することを目的としている。 〔発明の概賛〕 即ち、本発明は鉄及びニッケルを主成分とする合金材か
らなるシャドウマスク素材に塩化第２鉄溶液をスプレィ
法により吹きつけ微細精密な電子ビー人通過孔部を穿設
するシャドウマスクの製造方法において、塩化＠２鉄溶
液が、遊離塩酸量０．３０±０．２０ ％ 、 （Ｆｅ
＋＋、 Ｎｉ”）合わせて１５−以下、液温４０〜７０
℃の範囲で比重が、１．４６１−４．６３ Ｘ１Ｏ−４
ＸＴ −１，９６Ｘ１０−’ＸＴ”と１．５５２＋７．
７９Ｘ１０−’ＸＴ−１，１８Ｘ１０−”ＸＴ”の式Ｋ
ｌｆｉまれ九（Ｔｔｉ液温）範囲にあるように制御され
てぃ−ることｔ−特徴としている。 〔発明の実施例〕 次に本発明の一実施例を説明する。 先ず本発明者らＦｉ種々の塩化第２鉄溶液を使用し、実
際（アンバー材からなるシャドウマスク素材に電子ビー
ム通過孔部を穿設し、この電子ビーム通過孔部の形状、
感光膜レリストの状簾などを検査する方法を用いて塩化
第２鉄溶液の温度と遊啼塩ｓｉｔの関係における安全域
を調査し第２図の安全域Ｕυ、即ち４０℃〜７０″ｃｔ
で遊離塩酸量は０、ｌＯ−〜０．５０−が安全域ａυと
なる。これは０．３０±０．１０−が最適であることを
示している。 この安全域ａυに遊離塩酸量をおさえることＫより、感
光膜レジストは浸蝕されない１７、ｔた電子ビーム通過
孔部の形状も完全円形となり、寸法のばらつきも少なく
、結果としてユニフォミティもよく、−１面のむらもな
くなる。 次に同様な検査方法を用いて塩化第２鉄溶液の温度とＦ
＋十とＮｉ”＋の関係を調査した結果第３図の安全域ａ
々即ら全温度でＦ＋十とＮｉ”十を合わせて１５−以下
とすることにょシ最適結果が得られた。そしてこの安全
域ｕ’４ＫＦ”＋をおさえることＫよりエツチング速度
の制御ができると共に電子ビーム通過孔部の形状も完全
円形とすることが可能となる。 次に同様な検査方法を用いて塩化第２鉄溶液の温度と比
重の関係を調査した結果第４図の安全域Ｕ漕即ら液温４
０℃〜７０ ’Ｃの間で１．４６１−４．６３Ｘ１０−
’Ｘ Ｔ−１，９６Ｘ １０−＠Ｘ Ｔ”と１．５５２
＋７．７９Ｘ １Ｏ−ＸＴ −１，１８ＸＩＯ−’ＸＴ
”の式に囲まれた（Ｔけ液ｍ＞範囲にすること和より感
光膜の耐蝕性が劣化することもなく。 設備を増加することがない。更に電子ビーム通過孔部が
完全円形となることは勿論のこと寸法管理も極めて容易
にできる。 〔発明の効果〕 前述゛のようにア／ノ（−など、鉄及びニッケルを主成
分とする合金材からなるシャドウマスク素材に塩化第２
鉄溶液をスプレィ法により吹精っけ電子ビーム通過孔部
を穿設する時、塩化第２鉄溶液中の遊離塩酸量、Ｆｅ＋
＋、ＮＩ＋＋、温度、比重、を制御することにより微細
、精密な電子ビーム通過孔部を穿設することが可能とな
るのでその工業的価値は極めて大である。 ４、図面の簡単な説明 第１図は周縁にぎざぎざのある電子ビーム通過孔部を示
す説明図、第２図は塩化第２鉄婢液の温度と遊離塩酸量
との安全域を示すグラフ、第３図は塩化第２鉄解液の温
度とＦ”＋Ｎｉ”＋奮との安全緘を示すグラフ、第４図
は塩化第２鉄溶液の温度と北東との安全域を示すグラフ
である。 ｌ・・・電子ビーム通過孔部 １１．１２，１３．Ｈ′・・・安全域 代理人 弁理士 井 上 −男第 ２
図
Claims (1)
- 鉄及びニッケルを主成分とする合金材から壜るシャドウ
マスク素材に塩化第２鉄溶液なスプレィ法により吹きつ
け微細精密な電子ビーム通過孔部を穿設するシャドウマ
スクの製造方法において、前記塩化第２鉄溶液が遊離塩
酸量０．２０±０．１０１１、Ｆ、” １０％以下、液
量２０〜６５℃、２０℃時の比重１．４９５〜１．５３
５．６５℃時の比重１．４６０−１．４８０゜液圧１．
０〜２゜Ｏｋｇ／ｃｄの範囲にあるように制御されてい
ることを特徴とするシャドウマスクの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57048974A JPS58167770A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | シヤドウマスクの製造方法 |
| US06/478,544 US4420366A (en) | 1982-03-29 | 1983-03-24 | Method for manufacturing shadow mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57048974A JPS58167770A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | シヤドウマスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58167770A true JPS58167770A (ja) | 1983-10-04 |
Family
ID=12818234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57048974A Pending JPS58167770A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | シヤドウマスクの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4420366A (ja) |
| JP (1) | JPS58167770A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60200985A (ja) * | 1984-03-26 | 1985-10-11 | Toshiba Corp | シヤドウマスクの製造方法 |
| US4754737A (en) * | 1984-05-08 | 1988-07-05 | Mitsubishi Jidosha Kogyo Kabushiki Kaisha | Fuel injection pump device and method for settling the same |
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|---|---|---|---|---|
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| US4482426A (en) * | 1984-04-02 | 1984-11-13 | Rca Corporation | Method for etching apertures into a strip of nickel-iron alloy |
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| US5718874A (en) * | 1996-12-19 | 1998-02-17 | Thomson Consumer Electronics, Inc. | Solvent extraction method of separating ferric chloride from nickel chloride |
Family Cites Families (2)
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|---|---|---|---|---|
| US2684892A (en) * | 1953-01-14 | 1954-07-27 | Rca Corp | Ferric chloride etching solutions |
| US3824136A (en) * | 1972-10-06 | 1974-07-16 | Us Army | Etching of aluminum fluidic devices |
-
1982
- 1982-03-29 JP JP57048974A patent/JPS58167770A/ja active Pending
-
1983
- 1983-03-24 US US06/478,544 patent/US4420366A/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60200985A (ja) * | 1984-03-26 | 1985-10-11 | Toshiba Corp | シヤドウマスクの製造方法 |
| US4754737A (en) * | 1984-05-08 | 1988-07-05 | Mitsubishi Jidosha Kogyo Kabushiki Kaisha | Fuel injection pump device and method for settling the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4420366A (en) | 1983-12-13 |
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