JPS58166767A - 過電圧保護付きサイリスタの製造方法 - Google Patents
過電圧保護付きサイリスタの製造方法Info
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- JPS58166767A JPS58166767A JP3839883A JP3839883A JPS58166767A JP S58166767 A JPS58166767 A JP S58166767A JP 3839883 A JP3839883 A JP 3839883A JP 3839883 A JP3839883 A JP 3839883A JP S58166767 A JPS58166767 A JP S58166767A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/74—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
- H01L29/7424—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action having a built-in localised breakdown/breakover region, e.g. self-protected against destructive spontaneous, e.g. voltage breakover, firing
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の関連する技術分野
この発明は、一般的にパワー半導体素子の分野にあり、
特に過電圧保護付きサイリスタの製造方法に向けられる
。
特に過電圧保護付きサイリスタの製造方法に向けられる
。
従来技術の説明
従来は、サイリスタを点弧するためのゲート領域にアバ
ランシュ電流を流して過電圧保護を行っていた。アバラ
ンシュ電流を流すために、アルミニウムの拡散後でガリ
ウムの拡散前にゲート領域に約Ｏ，コｊ４Ｉｍ（１０ミ
ル）の深いくぼみをエツチングで形成した。アバランシ
ュ電圧はエツチングしたくぼみの深さおよび形状で決定
される。
ランシュ電流を流して過電圧保護を行っていた。アバラ
ンシュ電流を流すために、アルミニウムの拡散後でガリ
ウムの拡散前にゲート領域に約Ｏ，コｊ４Ｉｍ（１０ミ
ル）の深いくぼみをエツチングで形成した。アバランシ
ュ電圧はエツチングしたくぼみの深さおよび形状で決定
される。
アバランシュ電圧が素子のエツジ・ブレイクダウン電圧
よりも低いか或は高いかによって自己保瞳のためのアバ
ランシュは成凄したりしなかったりする。
よりも低いか或は高いかによって自己保瞳のためのアバ
ランシュは成凄したりしなかったりする。
アバランシュを使用すると、必然的１ｃｍ子の電気パラ
メータの定格を下げる。特ζζ順阻止電圧ｖＤＲＭの定
格が下るに伴って同−ｖＤＲＭに対する順方向電圧降下
ｖＦが増大する。
メータの定格を下げる。特ζζ順阻止電圧ｖＤＲＭの定
格が下るに伴って同−ｖＤＲＭに対する順方向電圧降下
ｖＦが増大する。
エツチングでくぼみを形成する保護方法の主な欠点は、
サイリスタの阻止性能を測定できる前のウェーハ製造プ
ロセスの比較的早い段階でくぼみを形成しなければなら
ないことである。
サイリスタの阻止性能を測定できる前のウェーハ製造プ
ロセスの比較的早い段階でくぼみを形成しなければなら
ないことである。
−１００ボルトでアバランシュ状態となる深いくぼみは
、２７００ボルトでエツジ・ブレイクダウンをうけるサ
イリスタを保護しない。他方１．２ｔｏｏボルトのアバ
ランシュは１．３２０θボルトヲ阻止できるサイリスタ
にとっては低すぎる。
、２７００ボルトでエツジ・ブレイクダウンをうけるサ
イリスタを保護しない。他方１．２ｔｏｏボルトのアバ
ランシュは１．３２０θボルトヲ阻止できるサイリスタ
にとっては低すぎる。
深いくぼみを使用するアバランシュ方法は、定格が大巾
ｌこ低下したが生産高が高いのと、定格がわずかに低下
するが生産高が低いのとどちらが良いかと云う選択の余
地をプロセス・エンジニーヤに残す。
ｌこ低下したが生産高が高いのと、定格がわずかに低下
するが生産高が低いのとどちらが良いかと云う選択の余
地をプロセス・エンジニーヤに残す。
泣盟Φ鼠示
この発明の目的は、サイリスタの改良した製造方法を提
供することである。
供することである。
この発明は、その広い意味で、サイリスタのゲート領域
のほり中央に少なくともｌっのレーザ光パルスを当て、
前記サイリスタの阻止電圧を変えることから成る過電圧
保護付きサイリスタの製造方法に在る。
のほり中央に少なくともｌっのレーザ光パルスを当て、
前記サイリスタの阻止電圧を変えることから成る過電圧
保護付きサイリスタの製造方法に在る。
この発明をもつとも良く理解するために、以下の詳細な
説明および添付図面を参照されたい。
説明および添付図面を参照されたい。
望ましい実施例
第１図にサイリスタ／θを示す。
このサイリスタ１０は当業者に周知の無形的なサイリス
タである。シリコンから成るサイリスタ１０は、１０”
〜ｊｔＸ１０２１個原子／ＣＣの濃度マチドープされ
たＮ十型のカソード・エミッタ領域／２を持つ。代表的
な例では、カソード・エミッタ領域／２の厚みは／ｊ−
，２Ｑミクロンである。カソード・エミッタ領域／２に
隣接してカソード・ベース領域／ＩＩがある。このカソ
ード・ベース領域滓は、Ｐ型でありかつ１０１６〜１０
１７個厘子／ＣＣの濃１１．１ 度までドープされる。代表的な例では、カソード・ベー
ス領域／４ｔの厚みは７ｏ−ｑｏミクロンであるカソー
ド・エミッタ領域／コとカソード・ベース領域／夕の間
にＰＮ接合／４がある。
タである。シリコンから成るサイリスタ１０は、１０”
〜ｊｔＸ１０２１個原子／ＣＣの濃度マチドープされ
たＮ十型のカソード・エミッタ領域／２を持つ。代表的
な例では、カソード・エミッタ領域／２の厚みは／ｊ−
，２Ｑミクロンである。カソード・エミッタ領域／２に
隣接してカソード・ベース領域／ＩＩがある。このカソ
ード・ベース領域滓は、Ｐ型でありかつ１０１６〜１０
１７個厘子／ＣＣの濃１１．１ 度までドープされる。代表的な例では、カソード・ベー
ス領域／４ｔの厚みは７ｏ−ｑｏミクロンであるカソー
ド・エミッタ領域／コとカソード・ベース領域／夕の間
にＰＮ接合／４がある。
カソード・ベース領域／ダに隣接するのはアノード・ベ
ース領域／ｆである。このアノード参ベース領域ｌＳは
Ｎ型でありかつ１０ ・−１０個原子／ｃ ｃの濃度ま
でドープされる。アノード・ベース領域／ｌの厚ろは、
サイリスタに所望されるブレイクダウン電圧性能に依存
する。代表的な例では、アノード・ベース領域７ｇは所
望のブレイクダウン電圧の各／θボルト毎に７ミクロン
の厚みを持つ。
ース領域／ｆである。このアノード参ベース領域ｌＳは
Ｎ型でありかつ１０ ・−１０個原子／ｃ ｃの濃度ま
でドープされる。アノード・ベース領域／ｌの厚ろは、
サイリスタに所望されるブレイクダウン電圧性能に依存
する。代表的な例では、アノード・ベース領域７ｇは所
望のブレイクダウン電圧の各／θボルト毎に７ミクロン
の厚みを持つ。
カソード・ベース領域／亭とアノードΦベース領域／ｇ
の間にＰＮ接合２０がある。
の間にＰＮ接合２０がある。
γノード争エミッタ領域ココはアノード・ベース領域／
ｇに隣接する。アノード−エミッタ領域ココはＰ十型で
ありかつ１０ −！×１０ 個原子／ｃ ｃの濃度才
でドープされる。代表的な例では、アノード・ベース領
域／ｌの厚みは７０〜！θミクロンである。
ｇに隣接する。アノード−エミッタ領域ココはＰ十型で
ありかつ１０ −！×１０ 個原子／ｃ ｃの濃度才
でドープされる。代表的な例では、アノード・ベース領
域／ｌの厚みは７０〜！θミクロンである。
アノード・ベース領域／ｇとアノード・エミッタ領域コ
コの間にはＰ）ｉ接合−２４Ｉがある。
コの間にはＰ）ｉ接合−２４Ｉがある。
カソード・ベース領域／４（中にカソード働エミッタ領
域７．２から離れて補助エミッタ領域すなわち浮遊ゲー
ト領域２６も形成されている◎この補助エミッタ領域２
ルはＮ十型でありかつＩＱ” −ｊ Ｘ １０”個原子
／ｃ ｃの濃度までドープされる。補助エミッタ領域コ
ロとカソード・ベース領域／ダの間にＰＮＮ接合コブあ
る。
域７．２から離れて補助エミッタ領域すなわち浮遊ゲー
ト領域２６も形成されている◎この補助エミッタ領域２
ルはＮ十型でありかつＩＱ” −ｊ Ｘ １０”個原子
／ｃ ｃの濃度までドープされる。補助エミッタ領域コ
ロとカソード・ベース領域／ダの間にＰＮＮ接合コブあ
る。
アルミニウムのオーミック・コンタクト（カソード・エ
ミッタ・コンタクトと云う）−８はサイリスタ／θの頂
面３０でカソード・エミッタ領域／−へ付着される。
ミッタ・コンタクトと云う）−８はサイリスタ／θの頂
面３０でカソード・エミッタ領域／−へ付着される。
アルミニウムの別なオーミック・コンタクト３コはサイ
リスタ１０の頂面３０で補助エミッタ領域２４へ付着さ
れる。このオーミック・コンタクト３コは、補助エミッ
タ領域−２６とカソード・ベース−＠＃／りの両方とオ
ーミック電気接触し、かつＰＮＮ接合コブ頂面Ｊ０と交
差する所でＰＮＮ接合コブ硬結する。
リスタ１０の頂面３０で補助エミッタ領域２４へ付着さ
れる。このオーミック・コンタクト３コは、補助エミッ
タ領域−２６とカソード・ベース−＠＃／りの両方とオ
ーミック電気接触し、かつＰＮＮ接合コブ頂面Ｊ０と交
差する所でＰＮＮ接合コブ硬結する。
ゲート・コンタクト３亭は頂面３θに配置されてカソー
ド・ベース領域ｌグとオーミック電気接触する。
ド・ベース領域ｌグとオーミック電気接触する。
コンタクトｉｇ 、３２および３４Ｉは、サイリスタ１
０の頂面３０に全て配置され、かつ第１図に示したよう
に互に離される。
０の頂面３０に全て配置され、かつ第１図に示したよう
に互に離される。
モリブデンで作ることが望ましいアノード・エミッタ・
コンタクト３６はサイリスタ１０の底面Ｊｔへ付着され
てアノード・エミッタ領域ココとオーミック電気接触す
る。
コンタクト３６はサイリスタ１０の底面Ｊｔへ付着され
てアノード・エミッタ領域ココとオーミック電気接触す
る。
今まで説明して来たサイリスタは総体的にエツジ・ファ
イヤ式のサイリスタである。
イヤ式のサイリスタである。
この発明を実施する場合、スコープ・トレーサすなわち
カーブ・トレーサＩＩＱはエミッタ・コンタクトコｔと
アノード・エミッタ・コンタクト３６との間に導体ｑ２
によって電気的に接続される。
カーブ・トレーサＩＩＱはエミッタ・コンタクトコｔと
アノード・エミッタ・コンタクト３６との間に導体ｑ２
によって電気的に接続される。
サイリスタＩＯの１７％性はカーブ−トレーサ亭０を使
用して測定される。
用して測定される。
その後、レーザ（図示しない）を使用してサイリスタ１
０のカソード・ベース領域／ダのほり中央に、すなわち
ゲート領域のほり中央にレーザ光パルスを当て、そして
阻止電圧を決定するために各レーザ光パルスの後でサイ
リスタ／ＱのＩＶ特性が測定される。レーザ光パルスは
所望の阻止電圧が得られるまで続けられる。
０のカソード・ベース領域／ダのほり中央に、すなわち
ゲート領域のほり中央にレーザ光パルスを当て、そして
阻止電圧を決定するために各レーザ光パルスの後でサイ
リスタ／ＱのＩＶ特性が測定される。レーザ光パルスは
所望の阻止電圧が得られるまで続けられる。
この発明を実施する際に使用されるレーザはルビー・レ
ーザ、Ｃｏ、レーザ、アルゴン・レーザまたはＹＡＧレ
ーザであり得る。
ーザ、Ｃｏ、レーザ、アルゴン・レーザまたはＹＡＧレ
ーザであり得る。
約２０μ秒〜約１００秒のパルス幅およびルビー・レー
ザでのコ００ミリ・ジュール−００，２トザでのＷＯＯ
ワットのエネルギー７シルスで満足のいく結果が得られ
た。
ザでのコ００ミリ・ジュール−００，２トザでのＷＯＯ
ワットのエネルギー７シルスで満足のいく結果が得られ
た。
パルス幅およびエネルギー／パルスが重要でないのは、
所望の結果が得られるまでレーザ光パルスを繰り返せる
からである。
所望の結果が得られるまでレーザ光パルスを繰り返せる
からである。
第２図はレーザによって１回以上レーザ光パルスが与え
られた後のサイリスタ１０を示す。
られた後のサイリスタ１０を示す。
レーザ光パルスはアルミニウムのゲート争コンタクト３
４Ｉを溶かして溶けたアルミニウムがシリコンを若干溶
かし、その後レーザ光パルスがシリコンを若干溶かす。
４Ｉを溶かして溶けたアルミニウムがシリコンを若干溶
かし、その後レーザ光パルスがシリコンを若干溶かす。
その結果、シリコンの融解および再凝固のせいでＰＮ接
合−１Ｏはゲート領域ｌＩ＋の中央でシリコン本体へ更
にドライブされる。ＰＮ接合２ｏのこの再形成は、表面
ブレイクダウン電圧よりも少し低い電圧でサイリスタＩ
Ｏにアバランジューブレイクダウンを受けさせる。
合−１Ｏはゲート領域ｌＩ＋の中央でシリコン本体へ更
にドライブされる。ＰＮ接合２ｏのこの再形成は、表面
ブレイクダウン電圧よりも少し低い電圧でサイリスタＩ
Ｏにアバランジューブレイクダウンを受けさせる。
レーザ光パルスは順阻止接合であるＰＮ接合−〇のゲー
ト領域ｌＩｑ中に局部的な弱いスポットを生じる。レー
ザ光パルスで誘起させられた弱いスポットはゲート領域
り亭の中央でＷｊＡ阻止接合をブレイクダウンさせ、そ
してサイリスタ／Ｑは過電圧から保護される。
ト領域ｌＩｑ中に局部的な弱いスポットを生じる。レー
ザ光パルスで誘起させられた弱いスポットはゲート領域
り亭の中央でＷｊＡ阻止接合をブレイクダウンさせ、そ
してサイリスタ／Ｑは過電圧から保護される。
第３図および第ｙ図は、この発明で処理されたサイリス
タのｒｖ％性を示す。
タのｒｖ％性を示す。
第３図および第ダ図に示す１７％性を持つサイリスタは
、第１図に示した形状にした。
、第１図に示した形状にした。
カソード・エミッタ領域は、／ｊミクロンの厚みを持ち
、Ｎ十型で、／θ２０個原子／ ｃ ｃの表面濃度にド
ープされた。
、Ｎ十型で、／θ２０個原子／ ｃ ｃの表面濃度にド
ープされた。
カソード・ベース領域は、り５ミクロンの厚みを持ち、
ｐｇで、１０１′個原子／ Ｑ Ｑの濃度にドープされ
た。
ｐｇで、１０１′個原子／ Ｑ Ｑの濃度にドープされ
た。
アノード番ベース領域は、１２０ミクロンの厚みを持ち
、Ｎ型で１．ｔＸ１０１３個原子／ｃｃ の濃度にドー
プされた。
、Ｎ型で１．ｔＸ１０１３個原子／ｃｃ の濃度にドー
プされた。
アノード−エミッタ領域は、７３ミクロンの厚みを持ち
、Ｐ型で、７０１７個原子／ｃｃの濃度薔こドープされ
た。
、Ｐ型で、７０１７個原子／ｃｃの濃度薔こドープされ
た。
サイリスタは、厚み／ｊｆミクロンで７０２０個原子／
ＣＣの表面濃度にドープされたＮ型の補助エミッタ領
域を有する。
ＣＣの表面濃度にドープされたＮ型の補助エミッタ領
域を有する。
サイリスタは第１図に示したようにカーブ・トレーサへ
接続されて 工ｖ特性が測定された。測定結果は第３図
に示されている。サイリスタの順阻止電圧は約／／４０
ボルトだった。
接続されて 工ｖ特性が測定された。測定結果は第３図
に示されている。サイリスタの順阻止電圧は約／／４０
ボルトだった。
その後、１０Ｏμ秒のパルス幅および一〇Ｑミリ・ジュ
ールのエネルギー・レベルヲ持つルビー・レーサカらサ
イリスタに３回し−サ゛光パルスが当てられた。最初の
２つのレーザ光パルスを当てた後でも何等の変化は無か
ったが、第ｑ図に示したように３つ目のレーザ光パルス
の後ではサイリスタの順阻止電圧が約ｇｏｏボルトまで
低下した。
ールのエネルギー・レベルヲ持つルビー・レーサカらサ
イリスタに３回し−サ゛光パルスが当てられた。最初の
２つのレーザ光パルスを当てた後でも何等の変化は無か
ったが、第ｑ図に示したように３つ目のレーザ光パルス
の後ではサイリスタの順阻止電圧が約ｇｏｏボルトまで
低下した。
レーザ光パルスはアルミニウムのゲー）−コンタクト３
ダを若干溶かし、その上溶けたゲート・コンタクトがレ
ーザ光パルスを若干散乱させることができる。
ダを若干溶かし、その上溶けたゲート・コンタクトがレ
ーザ光パルスを若干散乱させることができる。
従って、時には、サイリスタにレーザ光パルスを当てた
後でゲート・コンタクトを付着させることが望ましい。
後でゲート・コンタクトを付着させることが望ましい。
発明の効果
この発明では、拡散工程の途中でくぼみを形成する必要
が無いので、過電圧保饅のためのアバランシュ電圧の制
御が容易である。
が無いので、過電圧保饅のためのアバランシュ電圧の制
御が容易である。
ｔｌＥ／ｖＡはこの発明で処理中のサイリスタの側断面
図、第一図はレーザ光パルスを当てた後のサイリスタの
側断面図、第３図および第９図は処理前と処理後のサイ
リスタの工Ｖ特性曲線図である。 １０はサイリスタ、＜＜＋はゲート領域、ｑｏはカーブ
争トレーサ、−一はアノード・エミッタ領域、２ｇはカ
ソード・エミッタ領域である。 特許出願人代理人 曽 我 道 ％へ’ｉ）ｊ４２ ＦＩＧ ３ ＦＩＧ、 ４
図、第一図はレーザ光パルスを当てた後のサイリスタの
側断面図、第３図および第９図は処理前と処理後のサイ
リスタの工Ｖ特性曲線図である。 １０はサイリスタ、＜＜＋はゲート領域、ｑｏはカーブ
争トレーサ、−一はアノード・エミッタ領域、２ｇはカ
ソード・エミッタ領域である。 特許出願人代理人 曽 我 道 ％へ’ｉ）ｊ４２ ＦＩＧ ３ ＦＩＧ、 ４
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｌ サイリスタのゲート領域のはゾ中夫に少なくとも１
つのレーザ光パルスを当て、前記サイリスタの阻止電圧
を変えることから成る過電圧保護付きサイリスクの製造
方法。 ユ レーザ光が、ルビー・レーザ光、ＣＯ２レーザ光、
ＹＡＧレーザ光およびアルゴン・レーザ光から成る群か
ら選ばれる特許請求の範囲第１項記載の過電圧保護付き
サイリスタの製造方法。 ユ レーザ光パルスの幅が、２０〜１００μ秒である特
許請求の範囲第１項記載の過電圧保護付きサイリスタの
製造方法。 弘各レーザ光パルスのエネルギーが約ｔｏ。 ミリ・ジュールである特許請求の範囲第１項記載の過電
圧保護付きサイリスタの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US35710682A | 1982-03-11 | 1982-03-11 | |
| US357106 | 1982-03-11 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58166767A true JPS58166767A (ja) | 1983-10-01 |
Family
ID=23404319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3839883A Pending JPS58166767A (ja) | 1982-03-11 | 1983-03-10 | 過電圧保護付きサイリスタの製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0088967B1 (ja) |
| JP (1) | JPS58166767A (ja) |
| BR (1) | BR8301120A (ja) |
| CA (1) | CA1191974A (ja) |
| DE (1) | DE3374972D1 (ja) |
| IE (1) | IE54111B1 (ja) |
| IN (1) | IN156292B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03129879A (ja) * | 1989-10-16 | 1991-06-03 | Toshiba Corp | 過電圧保護機能付半導体装置及びその製造方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4514898A (en) * | 1983-02-18 | 1985-05-07 | Westinghouse Electric Corp. | Method of making a self protected thyristor |
| EP0310836A3 (de) * | 1987-10-08 | 1989-06-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Halbleiterbauelement mit einem planaren pn-Übergang |
| DE4215378C1 (de) * | 1992-05-11 | 1993-09-30 | Siemens Ag | Thyristor mit Durchbruchbereich |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55115364A (en) * | 1979-02-28 | 1980-09-05 | Nec Corp | Manufacturing method of semiconductor device |
| JPS5643665A (en) * | 1979-09-18 | 1981-04-22 | Minolta Camera Co Ltd | Electrophotographic receptor |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4087834A (en) * | 1976-03-22 | 1978-05-02 | General Electric Company | Self-protecting semiconductor device |
| US4075037A (en) * | 1976-05-17 | 1978-02-21 | Westinghouse Electric Corporation | Tailoring of recovery charge in power diodes and thyristors by irradiation |
| DE2928685A1 (de) * | 1978-07-20 | 1980-01-31 | Electric Power Res Inst | Thyristor mit gesteuertem strom bei spannungsdurchbruch und verfahren zur begrenzung des durchbruchstroms in durchlassrichtung durch einen thyristor |
-
1983
- 1983-02-10 IE IE26683A patent/IE54111B1/en unknown
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- 1983-03-08 BR BR8301120A patent/BR8301120A/pt unknown
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55115364A (en) * | 1979-02-28 | 1980-09-05 | Nec Corp | Manufacturing method of semiconductor device |
| JPS5643665A (en) * | 1979-09-18 | 1981-04-22 | Minolta Camera Co Ltd | Electrophotographic receptor |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03129879A (ja) * | 1989-10-16 | 1991-06-03 | Toshiba Corp | 過電圧保護機能付半導体装置及びその製造方法 |
Also Published As
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