JPS58161366A - 複合半導体装置 - Google Patents
複合半導体装置Info
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- JPS58161366A JPS58161366A JP57043757A JP4375782A JPS58161366A JP S58161366 A JPS58161366 A JP S58161366A JP 57043757 A JP57043757 A JP 57043757A JP 4375782 A JP4375782 A JP 4375782A JP S58161366 A JPS58161366 A JP S58161366A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/1443—Devices controlled by radiation with at least one potential jump or surface barrier
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明は、波長１．０μｍ乃至１．７μｍの帯域に対応
する受光素子と、トランジスタとを単一半導体基板上に
形成した複合半導体装置に関する。
する受光素子と、トランジスタとを単一半導体基板上に
形成した複合半導体装置に関する。
（ｂ） 技術の背景
光フアイバ通信方式の実用化によって知られるように、
光フアイバ自身の進歩とともに各種の光デバイス技術が
開発されている。す彦わち、光を導波路内ｌことし込め
て扱う固体化された元デバイス、例えば半導体レーザな
どの発光装置、フォトダイオードなどの受光装置、元ス
イッチ、光コネクタ等が開発され、これらの元デバイス
によって構成されたシステムは性能はもとより、信頼性
及び経済性が大幅に改善されている。
光フアイバ自身の進歩とともに各種の光デバイス技術が
開発されている。す彦わち、光を導波路内ｌことし込め
て扱う固体化された元デバイス、例えば半導体レーザな
どの発光装置、フォトダイオードなどの受光装置、元ス
イッチ、光コネクタ等が開発され、これらの元デバイス
によって構成されたシステムは性能はもとより、信頼性
及び経済性が大幅に改善されている。
この元デバイス技術は、単一の機能を有する個別のデバ
イスを提供する段階に止まらず、さらに高性能化、小形
化、高信頼化を進めるために、機能を異にする複数の素
子を複合、集積することを志向している。その−の方向
として、光入力信号音一旦電気信号に変換して、増幅、
波形整形、論理演算もしくは変後調等全行い、更に光出
力信号を制御する場合などに必要とされる元１変換回路
や電子回路全回−基板土に形成することが試みられてい
る。
イスを提供する段階に止まらず、さらに高性能化、小形
化、高信頼化を進めるために、機能を異にする複数の素
子を複合、集積することを志向している。その−の方向
として、光入力信号音一旦電気信号に変換して、増幅、
波形整形、論理演算もしくは変後調等全行い、更に光出
力信号を制御する場合などに必要とされる元１変換回路
や電子回路全回−基板土に形成することが試みられてい
る。
これらの元デバイスの対象とする光信号の波長としては
、元ファイバの化学気相成長法等による損失低減の結果
、その伝送損失の極小が波長１．５５μｍへ移行し、１
だ波長１．３μｍでは元ファイノくの材料分散が零とな
る特徴を有するために、波長１．０μｍ乃至１．７μｍ
程度の範囲の実用化が推進されている。
、元ファイバの化学気相成長法等による損失低減の結果
、その伝送損失の極小が波長１．５５μｍへ移行し、１
だ波長１．３μｍでは元ファイノくの材料分散が零とな
る特徴を有するために、波長１．０μｍ乃至１．７μｍ
程度の範囲の実用化が推進されている。
この波長１．０μｍ以上の帯域ｌこおける半導体受光素
子ｌこは、シリコン（Ｓｔ）よりバンドギャップの狭い
半導体材料が必要となりその候補としてはゲルマニウム
（Ｇｅ）やＩ ｎＧａＡ ｓ、ＩｎＧａＡｓＰなどの三
元もしくは四元ｌ−■族化合物半導体があげられる。
子ｌこは、シリコン（Ｓｔ）よりバンドギャップの狭い
半導体材料が必要となりその候補としてはゲルマニウム
（Ｇｅ）やＩ ｎＧａＡ ｓ、ＩｎＧａＡｓＰなどの三
元もしくは四元ｌ−■族化合物半導体があげられる。
前記半導体材料のうち、Ｇｅは既にアバランシェ・フォ
トダイオード（ＡＰＤ）として実用化されているが、暗
電流及び雑音の点で材料物性に起因する限界がある。一
方Ｉ−ｖ族化合物半導体はその組成ｌこよって波長域が
選択でき、また表面状態密度も低いことが予想されてい
て受光感度の大きい素子が期待できる。これを実現する
ために、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ系を主とする化
合物半導体受光素子に関して既に多くの提案がなされて
いる。
トダイオード（ＡＰＤ）として実用化されているが、暗
電流及び雑音の点で材料物性に起因する限界がある。一
方Ｉ−ｖ族化合物半導体はその組成ｌこよって波長域が
選択でき、また表面状態密度も低いことが予想されてい
て受光感度の大きい素子が期待できる。これを実現する
ために、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ系を主とする化
合物半導体受光素子に関して既に多くの提案がなされて
いる。
更にこれらの波長帯域１．０μｍ乃至１．７μｍ程度に
対応する化合物半導体受光素子を含む受光装置の性能を
向上し、小形化、高信頼化を進めるためｌこは、先に述
べた如くトランジスタ等の素子を複合・集積することが
望ましい。この目的に対して既に二、三の研究結果が報
告されているが、本発明はこの目的ζこ対して一つの提
案をなすものである。
対応する化合物半導体受光素子を含む受光装置の性能を
向上し、小形化、高信頼化を進めるためｌこは、先に述
べた如くトランジスタ等の素子を複合・集積することが
望ましい。この目的に対して既に二、三の研究結果が報
告されているが、本発明はこの目的ζこ対して一つの提
案をなすものである。
（ｃ） 発明の目的
本発明は、波長１μｍ以上の帯域に対応する化合物半導
体受光素子とトランジスタとを、簡明な３− 構成音もって、単一半導体基板上に形成することによっ
て、受光装置の特性全向上し、その小形化。
体受光素子とトランジスタとを、簡明な３− 構成音もって、単一半導体基板上に形成することによっ
て、受光装置の特性全向上し、その小形化。
高信頼化を進める複合半導体装置ＩグｔφＩＩ造ｊ法を
提供することを目的とする。
提供することを目的とする。
（ｄ） 発明の構成
本発明の前記目的は、第一導電型を有するインジウム・
リン（ＩｎＰ）基板、前記インジウム・リン基板と、当
該基板の一方の主面上に選択的に配設された第二導電型
を有するインジウム・ガリウム・ヒ素ｅリン（Ｉｎ１−
ｘＧａｘＡｇｌ−ｙＰｙｓＯ（ｘ（１，０≦ｙく１）層
とからなるＰＮ接合から構成される受光素子、及び前記
インジウム・リン基板の前記主面上に互いに離隔して配
設された第２の第二導電型を有するインジウム・ガリウ
ム・ヒ素・リン（Ｉｎ＊−ｚＧａｘＡｓｌ−３’ ｐｙ
＋０（ｘ（１，０≦ｙく１）層と、当該第２のインジウ
ム・ガリウム・ヒ素・９７１層上１こ選択的に配設され
たｍｌ及び第２の第二導電型を有するインジウム・リン
（ＩｎＰ）層と、前記第１及び第２のインジウム・リン
層間の前記第２のインジウー ル − ム・ガリウム・ヒ素・リン層に配設された第一導電型を
有するゲート領域とを含む複合牛導体装置ζこよって達
成される。
リン（ＩｎＰ）基板、前記インジウム・リン基板と、当
該基板の一方の主面上に選択的に配設された第二導電型
を有するインジウム・ガリウム・ヒ素ｅリン（Ｉｎ１−
ｘＧａｘＡｇｌ−ｙＰｙｓＯ（ｘ（１，０≦ｙく１）層
とからなるＰＮ接合から構成される受光素子、及び前記
インジウム・リン基板の前記主面上に互いに離隔して配
設された第２の第二導電型を有するインジウム・ガリウ
ム・ヒ素・リン（Ｉｎ＊−ｚＧａｘＡｓｌ−３’ ｐｙ
＋０（ｘ（１，０≦ｙく１）層と、当該第２のインジウ
ム・ガリウム・ヒ素・９７１層上１こ選択的に配設され
たｍｌ及び第２の第二導電型を有するインジウム・リン
（ＩｎＰ）層と、前記第１及び第２のインジウム・リン
層間の前記第２のインジウー ル − ム・ガリウム・ヒ素・リン層に配設された第一導電型を
有するゲート領域とを含む複合牛導体装置ζこよって達
成される。
（ｅ） 発明の実施例
以下本発明を実施例１こより、図面を参照して具体的に
説明する。Ｉ−Ｖ族化合物半導体層をエピタキシャル成
長させる単結晶基板としては、比較的に結晶欠陥の少い
単結晶が得易いＩ ｎＰｅ使用する。更薯こ、このＩｎ
Ｐ基板にエピタキシャル成長させ得て、最大波長１．６
μｍ乃至１．７μｍ程度の光吸収層を構成し得る化合物
子導体としては、Ｉｎ０．５３ＧａＯ，４７Ａｓ （以
下ＩｎＧａＡｓと略称する）があげられ、このＩｎＧａ
ＡｓはＩｎＰよりもキャリアの移動度が大きく、トラン
ジスタの能動層にも適している。
説明する。Ｉ−Ｖ族化合物半導体層をエピタキシャル成
長させる単結晶基板としては、比較的に結晶欠陥の少い
単結晶が得易いＩ ｎＰｅ使用する。更薯こ、このＩｎ
Ｐ基板にエピタキシャル成長させ得て、最大波長１．６
μｍ乃至１．７μｍ程度の光吸収層を構成し得る化合物
子導体としては、Ｉｎ０．５３ＧａＯ，４７Ａｓ （以
下ＩｎＧａＡｓと略称する）があげられ、このＩｎＧａ
ＡｓはＩｎＰよりもキャリアの移動度が大きく、トラン
ジスタの能動層にも適している。
複合されるトランジスタとしては、製作工程数が少ない
電界効果トランジスタ（以下ＦＥＴと略称する）が適し
ており、本発明においては接合形ＦＥＴとする。ＩｎＧ
ａＡｓのキャリアの移動度は、電子ではμｐ＝ ７００
０ｃｆ／Ｉ／Ｖ −Ｓｅｅ、正孔ではμｐ＝１００ａＡ
／Ｖ、Ｓｅｅ程度であって高周波特性の点から前記Ｆ’
ＥＴはｎチャネル形とすることが有利である。
電界効果トランジスタ（以下ＦＥＴと略称する）が適し
ており、本発明においては接合形ＦＥＴとする。ＩｎＧ
ａＡｓのキャリアの移動度は、電子ではμｐ＝ ７００
０ｃｆ／Ｉ／Ｖ −Ｓｅｅ、正孔ではμｐ＝１００ａＡ
／Ｖ、Ｓｅｅ程度であって高周波特性の点から前記Ｆ’
ＥＴはｎチャネル形とすることが有利である。
第１図乃至第３図は不発明の実施例會示す断面図である
。
。
第１図に示す如く、キャリア濃度が４ＸＩＯ”。−８程
度のｐ十−Ｉ ｎＰ基板１上に、ｎ−ＩｎＧａＡｓ層２
及びｎ＋−Ｉ ｎ ＰＨ３ｋｌｋ４次エピタキシャル成
長させる。本実施例１こおいては、液相エピタキシャル
成長法によって、キャリア濃度５Ｘ１０”ｍ−” 程
度のｎ−ＩｎＧａＡｓ層２を厚さ２乃至３μｍｌこ、キ
ャリア濃度４ Ｘ １０”ｃｍ”−” 程度のｎ＋−Ｉ
ｎＰ層３を厚さ１μｍ程度ｌこ成長させる。
度のｐ十−Ｉ ｎＰ基板１上に、ｎ−ＩｎＧａＡｓ層２
及びｎ＋−Ｉ ｎ ＰＨ３ｋｌｋ４次エピタキシャル成
長させる。本実施例１こおいては、液相エピタキシャル
成長法によって、キャリア濃度５Ｘ１０”ｍ−” 程
度のｎ−ＩｎＧａＡｓ層２を厚さ２乃至３μｍｌこ、キ
ャリア濃度４ Ｘ １０”ｃｍ”−” 程度のｎ＋−Ｉ
ｎＰ層３を厚さ１μｍ程度ｌこ成長させる。
尚、液相エピタキシャル成長法の代わりζこ気相エピタ
キシャル成長法もしくは分子線エピタキシャル成長法な
どｌこよってもよい。
キシャル成長法もしくは分子線エピタキシャル成長法な
どｌこよってもよい。
エピタキシャル成長層２．３を形成１．た後、接合形Ｆ
ＥＴのゲートヲ形成すべき領域のｎ＋−ＩｎＰ層３及び
ｎ−ＩｎＧａＡｓ層２の一部全エッチン次いで第２図に
示す如く前記凹部ｌこ開口部がパターニングされたマス
ク４全設け、先ｌこｎ＋−ＩｎＰ層３全３全除去前記ゲ
ートを形成すべき領域に前記マスク４を介して不純物を
拡散してｎ−ＩｎＧａＡｓ層２内ｌこｐ中領域５を形成
する。
ＥＴのゲートヲ形成すべき領域のｎ＋−ＩｎＰ層３及び
ｎ−ＩｎＧａＡｓ層２の一部全エッチン次いで第２図に
示す如く前記凹部ｌこ開口部がパターニングされたマス
ク４全設け、先ｌこｎ＋−ＩｎＰ層３全３全除去前記ゲ
ートを形成すべき領域に前記マスク４を介して不純物を
拡散してｎ−ＩｎＧａＡｓ層２内ｌこｐ中領域５を形成
する。
本実施例においては、マスク４としてはプラズマ化学気
相成長法によって形成した窒化シリコン（Ｓｉ１Ｎｎ）
膜を用い、またｐ中領域５はＣｄＰ。
相成長法によって形成した窒化シリコン（Ｓｉ１Ｎｎ）
膜を用い、またｐ中領域５はＣｄＰ。
による温度５００℃、時間１時間８夏のｌｄ拡散によっ
てキャリア濃度を３Ｘ１０” ｃＩｎ−ｊ程度とした。
てキャリア濃度を３Ｘ１０” ｃＩｎ−ｊ程度とした。
更（こ第３図ζこ示す如く、受光素子部及び接合形ＦＥ
Ｔ部會それぞれメサ形に分離するエツチング全ｎ−Ｉｎ
Ｐ基板１に達する深さまで実施し、６電＆を形成する。
Ｔ部會それぞれメサ形に分離するエツチング全ｎ−Ｉｎ
Ｐ基板１に達する深さまで実施し、６電＆を形成する。
本実施例においては受光素子部のｎ側電極６及び接合形
ＦＥＴのソース・ドレイン電極９．９′はＡｕＧｅで構
成し、ｐ側電極７及びゲート電極８はＡｕＺｎで構成す
る。
ＦＥＴのソース・ドレイン電極９．９′はＡｕＧｅで構
成し、ｐ側電極７及びゲート電極８はＡｕＺｎで構成す
る。
上記の如くにして形成された受光素子部におい ７−
では、ｎ”−ＩｎＰ層３は元透過層及びコンタクト層、
ｎ−ＩｎＧａＡｓ層２は元吸収層全構成する。電極６及
び７間にＰｇＴ要のバイアス電圧を印加することｔこよ
り、ｎ−ＩｎＧａＡｓＪＱ１２全体に空乏層全延ばし７
て高い蓋子効率を得ることができる。
ｎ−ＩｎＧａＡｓ層２は元吸収層全構成する。電極６及
び７間にＰｇＴ要のバイアス電圧を印加することｔこよ
り、ｎ−ＩｎＧａＡｓＪＱ１２全体に空乏層全延ばし７
て高い蓋子効率を得ることができる。
また接合ＦＥＴ部ζこおいては、ｎ”−ＩｎＰ層３はキ
ャリア濃度が高く、ソース・トレイン電極９．９′のコ
ンタクト層を構成する。またｎ−ＩｎＧａＡｓ層２は電
流制御層を構成し、ｐ中領域５の拡散深さ音制御するこ
と等により、所要の特性を与えることができる。なお、
ｎ−ＩｎＧａＡｓノー２とｐ＋−Ｉ ｎＰ基８ｉ１とは
その導電型が反対で凌）るためにその界面付近に空乏層
を形成して、ＦＥＴ部を素子分離することが可能である
。
ャリア濃度が高く、ソース・トレイン電極９．９′のコ
ンタクト層を構成する。またｎ−ＩｎＧａＡｓ層２は電
流制御層を構成し、ｐ中領域５の拡散深さ音制御するこ
と等により、所要の特性を与えることができる。なお、
ｎ−ＩｎＧａＡｓノー２とｐ＋−Ｉ ｎＰ基８ｉ１とは
その導電型が反対で凌）るためにその界面付近に空乏層
を形成して、ＦＥＴ部を素子分離することが可能である
。
次に、本実施例の構造を有する複合装置の動作を説明す
る。第４図は受光素子とＦＥＴを組み合わせて光検出器
を形成する場合の結線図である。
る。第４図は受光素子とＦＥＴを組み合わせて光検出器
を形成する場合の結線図である。
同Ｍに於いて、Ｒ，は第１のバイアス抵抗、Ｒ１は第２
のバイアス抵抗、Ｒ１は負荷抵抗をそれぞれ示す。
のバイアス抵抗、Ｒ１は負荷抵抗をそれぞれ示す。
８−
受光素子に元が入射されていない状態では、第１のバイ
アス抵抗Ｒ，と第２のバイアス抵抗Ｒ８との分圧比に相
当する電圧がゲート電極８に印加されている。しかし、
光が受光素子へ入射されると、受光素子のＰＮ接合部で
光起電力が発生し、受光素子ｌこキャリアが流れる為、
受光素子での見かけ上の抵抗が下がる。即ち、ゲート電
極８にかかる電圧が低下してＦＥＴでの増幅度が低下す
る。
アス抵抗Ｒ，と第２のバイアス抵抗Ｒ８との分圧比に相
当する電圧がゲート電極８に印加されている。しかし、
光が受光素子へ入射されると、受光素子のＰＮ接合部で
光起電力が発生し、受光素子ｌこキャリアが流れる為、
受光素子での見かけ上の抵抗が下がる。即ち、ゲート電
極８にかかる電圧が低下してＦＥＴでの増幅度が低下す
る。
これより、負荷抵抗Ｒ３の両端にかかる出力電圧が小さ
くなり、元が受光素子へ入射されたことを検出出来る。
くなり、元が受光素子へ入射されたことを検出出来る。
以上の如く受光装置を構成した結果、波長帯域１．０μ
ｍ乃至１．６５μｍｔこおいて良好な性能を有する小形
の受光装置が実現された。
ｍ乃至１．６５μｍｔこおいて良好な性能を有する小形
の受光装置が実現された。
以上の実施例はＩｎＯ，５３Ｇａ０．４７Ａｓ三元化合
物半導体によって活性層全形成したが、この活性層ｉ
１Ｊンを含む四元化合物半導体Ｉｎ１−ｚＱａｘＡｓ＋
−ｙＰ）’によって形成することも可能である。
物半導体によって活性層全形成したが、この活性層ｉ
１Ｊンを含む四元化合物半導体Ｉｎ１−ｚＱａｘＡｓ＋
−ｙＰ）’によって形成することも可能である。
また以上説明した実施例は、接合形ＦＥＴをｎチャネル
形としたが、基板及びエピタキシャル成長層の導電形を
反転しｎ十領域を形成して、ｐチャネル形のＦＥＴ’に
設けた複合半導体装置全構成することも同様に可能であ
る。
形としたが、基板及びエピタキシャル成長層の導電形を
反転しｎ十領域を形成して、ｐチャネル形のＦＥＴ’に
設けた複合半導体装置全構成することも同様に可能であ
る。
（ｆ） 発明の効果
本発明は以上説明した如く、波長帯域１０μｍ乃至１．
７μｍ程ｌｉｔこ対応した受光素子とトランジスタとの
複合牛導体装置を、ＩｎＧａＡａ等の化合物半導体によ
る簡明な構造によって提供するものであって、光フアイ
バ伝送ｌこおいて最適とされる波長帯域全カバーし、特
性及び信頼性の向上と装置の小型化を可能にするもので
あって、元ファイバ通信の進展ｌこ大きく寄与するもの
である。
７μｍ程ｌｉｔこ対応した受光素子とトランジスタとの
複合牛導体装置を、ＩｎＧａＡａ等の化合物半導体によ
る簡明な構造によって提供するものであって、光フアイ
バ伝送ｌこおいて最適とされる波長帯域全カバーし、特
性及び信頼性の向上と装置の小型化を可能にするもので
あって、元ファイバ通信の進展ｌこ大きく寄与するもの
である。
第１図乃至第３図は本発明の実施例を示す断面図、第４
図は実施例の結線図である。 図において、１はｐ”−ＩｎＰ基板、２はｎ−ＩｎＧａ
Ａｓ層、３はｎ＋−ＩｎＰＪｍ、４はマスク、５はｐ十
領域、６はｎ側電極、７はｐ側電極、８はゲート電極、
９．９′はソース・ドレイン電極全示す。 １１− 夷 １ 図 晃 ２ 図 １２−
図は実施例の結線図である。 図において、１はｐ”−ＩｎＰ基板、２はｎ−ＩｎＧａ
Ａｓ層、３はｎ＋−ＩｎＰＪｍ、４はマスク、５はｐ十
領域、６はｎ側電極、７はｐ側電極、８はゲート電極、
９．９′はソース・ドレイン電極全示す。 １１− 夷 １ 図 晃 ２ 図 １２−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 第一導電型ヲ有するインジウム・リン（ＩｎＰ）基板、
前記インジウム・リン基板と、当該基板の一方の主面上
に選択的齋こ配設された第二導電型を有するインジウム
・カリウム・ヒ素・リン（Ｉｎｌ−ｘＧａｘＡｓｌ−ｙ
ｐｙ；ｏ＜ｘ＜１．０≦ｙ＜ｉ）ノーとからなるＰＮ接
合から構成される受光素子、及び前記インジウム・リン
基板の前記主面上に互いに離隔して配設された第２の第
二導電型を有すコ るインジウム・カリウム・ヒ素・リン（Ｉｎ承−ｘＧａ
ｘＡ ｓｌ ’！Ｐ Ｙ ＋ ０＜Ｘ＜ １ 、
Ｏ≦ｙ＜１）。 ｔ＝と、当該第２のインジウム・ガリウム・ヒ素・リン
１層上に選択的に配設された第１及び第２の第二導電型
に！するインジウム・リン（ＩｎＰ）層と、前記第１及
び第２のインジウム・リン層間の前記第２のインジウム
・ガリウム・ヒ素・リン層に配設された第一導電型を有
するゲート領域とを含むことを特徴とする複合半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57043757A JPS58161366A (ja) | 1982-03-19 | 1982-03-19 | 複合半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57043757A JPS58161366A (ja) | 1982-03-19 | 1982-03-19 | 複合半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58161366A true JPS58161366A (ja) | 1983-09-24 |
Family
ID=12672627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57043757A Pending JPS58161366A (ja) | 1982-03-19 | 1982-03-19 | 複合半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58161366A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0162541A1 (en) * | 1984-03-28 | 1985-11-27 | International Standard Electric Corporation | Integrated heterojunction FET and photodiode |
| JPS62501883A (ja) * | 1985-02-11 | 1987-07-23 | エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション | 集積光検出器−増幅器装置 |
| US4884119A (en) * | 1988-04-22 | 1989-11-28 | American Telephone & Telegraph Company | Integrated multiple quantum well photonic and electronic devices |
| US4982269A (en) * | 1988-05-10 | 1991-01-01 | Thomson Hybrides Et Microondes | Blanar-type microwave integrated circuit with at least one mesa component, method of fabrication thereof |
| CN108701738A (zh) * | 2016-02-09 | 2018-10-23 | 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司 | 接收器模块 |
| EP3444851A1 (de) * | 2017-08-16 | 2019-02-20 | AZUR SPACE Solar Power GmbH | Empfängerbaustein |
-
1982
- 1982-03-19 JP JP57043757A patent/JPS58161366A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0162541A1 (en) * | 1984-03-28 | 1985-11-27 | International Standard Electric Corporation | Integrated heterojunction FET and photodiode |
| JPS62501883A (ja) * | 1985-02-11 | 1987-07-23 | エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション | 集積光検出器−増幅器装置 |
| US4884119A (en) * | 1988-04-22 | 1989-11-28 | American Telephone & Telegraph Company | Integrated multiple quantum well photonic and electronic devices |
| US4982269A (en) * | 1988-05-10 | 1991-01-01 | Thomson Hybrides Et Microondes | Blanar-type microwave integrated circuit with at least one mesa component, method of fabrication thereof |
| US5102822A (en) * | 1988-05-10 | 1992-04-07 | Thomson Hybrides Et Microondes | Planar-type microwave integrated circuit with at least one mesa component, method of fabrication thereof |
| CN108701738A (zh) * | 2016-02-09 | 2018-10-23 | 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司 | 接收器模块 |
| EP3444851A1 (de) * | 2017-08-16 | 2019-02-20 | AZUR SPACE Solar Power GmbH | Empfängerbaustein |
| CN109427825A (zh) * | 2017-08-16 | 2019-03-05 | 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司 | 接收器模块 |
| US10388819B2 (en) | 2017-08-16 | 2019-08-20 | Azur Space Solar Power Gmbh | Receiver unit |
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