JPS58160056A - 研摩装置 - Google Patents
研摩装置Info
- Publication number
- JPS58160056A JPS58160056A JP57042168A JP4216882A JPS58160056A JP S58160056 A JPS58160056 A JP S58160056A JP 57042168 A JP57042168 A JP 57042168A JP 4216882 A JP4216882 A JP 4216882A JP S58160056 A JPS58160056 A JP S58160056A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- surface plate
- polishing
- wafer
- holding body
- wafers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は研摩装置に係り、特に板厚のことなる複数枚の
ウェーハの主表面を同時にかつ均一に研摩するウェーハ
研摩装置に関する。
ウェーハの主表面を同時にかつ均一に研摩するウェーハ
研摩装置に関する。
最近の著しいＬＳＩ技術の進展に伴い、ＭＯＳデバイス
の高速化や三次元化等を目指し、例えばレーザービーム
を用いて非晶質絶縁体上にシリコン単結晶膜を形成する
研究が盛んに行われるようになった。このよへなレーザ
ビームアニールによる単結晶化は、例えば石英ガラス基
板の主表面ｊ、に多結晶シリコン膜を堆積しておき、ア
ルゴンレーザビームを照射してこの多結晶シリコン膜を
溶融して単結晶化する方法が用いられる。このようす方
法では、レーザビームアニール後のシリコン膜表面は大
きな凹凸金有し、著しく平坦性が損われている。このよ
うな表面凹凸はＭＯＳデバイス等の製造を困難なものに
し、ＬＳＩへの実用化をさまたげている。
の高速化や三次元化等を目指し、例えばレーザービーム
を用いて非晶質絶縁体上にシリコン単結晶膜を形成する
研究が盛んに行われるようになった。このよへなレーザ
ビームアニールによる単結晶化は、例えば石英ガラス基
板の主表面ｊ、に多結晶シリコン膜を堆積しておき、ア
ルゴンレーザビームを照射してこの多結晶シリコン膜を
溶融して単結晶化する方法が用いられる。このようす方
法では、レーザビームアニール後のシリコン膜表面は大
きな凹凸金有し、著しく平坦性が損われている。このよ
うな表面凹凸はＭＯＳデバイス等の製造を困難なものに
し、ＬＳＩへの実用化をさまたげている。
このような表面凹凸を低減する１つの方法として、シリ
コン膜表面のボリシングがあるが、従来の研摩装置を用
いて一度に複数枚のウェーハの主表面を同時にかつ均一
にボリシングすることは非常に困難となる。第１図に、
従来の研摩装置を用すた例を示す。第１図に示すごとく
、従来用いられている研摩装置では、複数枚のウェーハ
即ち主表面にシリコン膜３を有する石英ガラス基板２を
一枚の定板１にワックスで接着して研摩を行う。
コン膜表面のボリシングがあるが、従来の研摩装置を用
いて一度に複数枚のウェーハの主表面を同時にかつ均一
にボリシングすることは非常に困難となる。第１図に、
従来の研摩装置を用すた例を示す。第１図に示すごとく
、従来用いられている研摩装置では、複数枚のウェーハ
即ち主表面にシリコン膜３を有する石英ガラス基板２を
一枚の定板１にワックスで接着して研摩を行う。
この接着は、液状ワックスを用い、これを一定時間加熱
加圧することＶＣより、０．５μｍ以内の均一な薄層を
形成することができる。しがし、研摩すべきシリコン膜
表面の高さは、石英ガラス基板２の厚さのバラツキに依
存しているからウェハーにより異なる。このような研摩
装置は、シリコンウェハーのボリシング等に良く用いら
れており、この場合には、ウェハーごとに板厚が若干異
なっていても、シリコンウェハー表面がボリシングされ
ていれば良く、加工量がウェハーごとに少々ことなって
いても特に問題はない。
加圧することＶＣより、０．５μｍ以内の均一な薄層を
形成することができる。しがし、研摩すべきシリコン膜
表面の高さは、石英ガラス基板２の厚さのバラツキに依
存しているからウェハーにより異なる。このような研摩
装置は、シリコンウェハーのボリシング等に良く用いら
れており、この場合には、ウェハーごとに板厚が若干異
なっていても、シリコンウェハー表面がボリシングされ
ていれば良く、加工量がウェハーごとに少々ことなって
いても特に問題はない。
しかしながら１石英ガラス基板上のレーザビームアニー
ルしたシリコン膜表面を研摩する場合には、７リコンウ
エハーを研摩す・る場合と事情が大きくことなる。まず
、レーザビームアニールされたシリコン膜表面の凹凸は
１μｍ程度存在し、かつシリコン膜の平均犀さけ０．５
μｍ程度と非常にうすい。石英ガラス基板２の厚さは基
板によって若干のバラツキが存在し１通常３５０μｍ程
度の厚さに対して±１０μｍ程度ある、。このような石
英ガラス基板２上のシリコン膜３表面を研摩する場合に
は、定板１に対するシリコン膜３の高さが異なるため、
各ウェハーに対して研摩加工蓋が異なり、あるウェハー
のシリコン膜表面は研摩されるが、他のものは研摩され
ないといった事態が生じ、結局すべてのウェハー表面を
均一にボリシングすることが困難となる。
ルしたシリコン膜表面を研摩する場合には、７リコンウ
エハーを研摩す・る場合と事情が大きくことなる。まず
、レーザビームアニールされたシリコン膜表面の凹凸は
１μｍ程度存在し、かつシリコン膜の平均犀さけ０．５
μｍ程度と非常にうすい。石英ガラス基板２の厚さは基
板によって若干のバラツキが存在し１通常３５０μｍ程
度の厚さに対して±１０μｍ程度ある、。このような石
英ガラス基板２上のシリコン膜３表面を研摩する場合に
は、定板１に対するシリコン膜３の高さが異なるため、
各ウェハーに対して研摩加工蓋が異なり、あるウェハー
のシリコン膜表面は研摩されるが、他のものは研摩され
ないといった事態が生じ、結局すべてのウェハー表面を
均一にボリシングすることが困難となる。
本発明の目的はこのような従来の研摩の欠点を改善し念
研摩装置を提供することにある。
研摩装置を提供することにある。
本発明は、各ウェハーが各々独立した支持体にとりつけ
られ、これら複数の支持体がさらに共通の定板にとりつ
けられている事’に％徴とする研摩板直にある。
られ、これら複数の支持体がさらに共通の定板にとりつ
けられている事’に％徴とする研摩板直にある。
本発明によれば、各ウェハーの板厚がたとえ異っていて
も、定板に対するウェハー表面の高石をそろえることが
てきるので、謔数枚のウェハー表面金同時ＶＣかつ均一
に研摩することができる。
も、定板に対するウェハー表面の高石をそろえることが
てきるので、謔数枚のウェハー表面金同時ＶＣかつ均一
に研摩することができる。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
本発明の一実施例を第２図に示す。ウェハー即ちシリコ
ン膜３を主表面に有する石英ガラス基板２が一枚毎にそ
れぞれ独立した支持体４にとりっけられる。この支持体
４は、ステンレスからなる円柱状のもので、大きさは石
英ガラス基板２の大金さよりやや大きい。例えば２イン
チの石英ガラ綜基板の場合には直径６０ｍ１のものが用
いられる。
ン膜３を主表面に有する石英ガラス基板２が一枚毎にそ
れぞれ独立した支持体４にとりっけられる。この支持体
４は、ステンレスからなる円柱状のもので、大きさは石
英ガラス基板２の大金さよりやや大きい。例えば２イン
チの石英ガラ綜基板の場合には直径６０ｍ１のものが用
いられる。
このような複数の支持体４は、１つの定板１にとりつけ
られる。定板１は、支持体４の挿入が可能な複数の円形
の穴を有し、第２図に示すごとく、ネジ６により支持体
４はコイル状のバネ５ｔ−介して定板１に固定される。
られる。定板１は、支持体４の挿入が可能な複数の円形
の穴を有し、第２図に示すごとく、ネジ６により支持体
４はコイル状のバネ５ｔ−介して定板１に固定される。
このような機構を用いることにより石英ガラス基板２の
厚さが±１０μｍ程度あるいはそれ以上ことなっていて
も、各支持体４を定板ｌにとりつける際に、ネジ６で支
持体４の位置を調整することにより、定板１に対するシ
リコン膜表面の尚さを±２μｍ以下にそろえることがで
きる。第３図は第２図の定板１の裏面方向からみた平面
図で、定板１．支持体４．シリコン膜３の関係を示す。
厚さが±１０μｍ程度あるいはそれ以上ことなっていて
も、各支持体４を定板ｌにとりつける際に、ネジ６で支
持体４の位置を調整することにより、定板１に対するシ
リコン膜表面の尚さを±２μｍ以下にそろえることがで
きる。第３図は第２図の定板１の裏面方向からみた平面
図で、定板１．支持体４．シリコン膜３の関係を示す。
このような研摩装置を用いて直径２インチ、厚さ約３５
０μｍの石英ガラス基板上のレーザビームアニールされ
たシリコン膜表面を９軟量時にボリシングする。研摩液
としては、シリカ（８１０２）の微粉末を弱アルカリ液
に懸濁させたものを用いる。実験結果では、石英ガラス
基板２の厚さが基板間で±１０μｍｌ！度と大きいにも
かかわらず。
０μｍの石英ガラス基板上のレーザビームアニールされ
たシリコン膜表面を９軟量時にボリシングする。研摩液
としては、シリカ（８１０２）の微粉末を弱アルカリ液
に懸濁させたものを用いる。実験結果では、石英ガラス
基板２の厚さが基板間で±１０μｍｌ！度と大きいにも
かかわらず。
すべてのシリコン膜表面の凹凸’ｉ ０．１μｍ以下に
低減することができた。
低減することができた。
以上の説明では、石英ガラス基板上のシリコン薄膜表面
を研摩する場合を実施例にとったが、このようなシリコ
ンに限らず他の半導体薄膜あるいは誘電体、磁性体薄膜
等の研摩に対しても本発明が有効である。
を研摩する場合を実施例にとったが、このようなシリコ
ンに限らず他の半導体薄膜あるいは誘電体、磁性体薄膜
等の研摩に対しても本発明が有効である。
以上述べたように、本発明によれば、ウェハー間の板厚
むらがありても各ウェハー表面を同時にかつ均一に研摩
でき、従来の研摩装置では困難でありた大量研摩処理が
可能となり、マイクロエレクトロニクス分野に多大に貢
献するという効果が得られる。
むらがありても各ウェハー表面を同時にかつ均一に研摩
でき、従来の研摩装置では困難でありた大量研摩処理が
可能となり、マイクロエレクトロニクス分野に多大に貢
献するという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は複数のウェハーの主表面を同時に研摩する従来
の研摩装置を示す側面図、第２図は本発明の一実施例の
研摩装置を示す側面図、第３図は本発明の一実施例の研
摩装置を示す平面図である。 面図において、１・・・・・・定板、２・・・・・・石
英ガラス基板、３・・・・・・シリコン膜、４・・・・
・・支持体、５・・・・・・バネ、６・・・・・・ネジ
。 、−６
の研摩装置を示す側面図、第２図は本発明の一実施例の
研摩装置を示す側面図、第３図は本発明の一実施例の研
摩装置を示す平面図である。 面図において、１・・・・・・定板、２・・・・・・石
英ガラス基板、３・・・・・・シリコン膜、４・・・・
・・支持体、５・・・・・・バネ、６・・・・・・ネジ
。 、−６
Claims (1)
- 複数のウェーハの主表面を同時に研摩する“研摩装置に
おいて、前記おのおののウェーハがそれぞれとりつけら
れる支持体と、これら複数の支持体がとりつけられる共
通の定板とを有することを特徴とする研摩装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57042168A JPS58160056A (ja) | 1982-03-17 | 1982-03-17 | 研摩装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57042168A JPS58160056A (ja) | 1982-03-17 | 1982-03-17 | 研摩装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58160056A true JPS58160056A (ja) | 1983-09-22 |
Family
ID=12628434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57042168A Pending JPS58160056A (ja) | 1982-03-17 | 1982-03-17 | 研摩装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58160056A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108044501A (zh) * | 2017-12-06 | 2018-05-18 | 上海复合材料科技有限公司 | 一种用于太阳电池阵基板绝缘衬套和环套加工的磨削装置 |
| WO2019100461A1 (zh) * | 2017-11-23 | 2019-05-31 | 北京创昱科技有限公司 | 单面抛光用多晶片厚度补偿装置及研磨设备和研磨方法 |
-
1982
- 1982-03-17 JP JP57042168A patent/JPS58160056A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019100461A1 (zh) * | 2017-11-23 | 2019-05-31 | 北京创昱科技有限公司 | 单面抛光用多晶片厚度补偿装置及研磨设备和研磨方法 |
| CN108044501A (zh) * | 2017-12-06 | 2018-05-18 | 上海复合材料科技有限公司 | 一种用于太阳电池阵基板绝缘衬套和环套加工的磨削装置 |
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