JPS5815954B2 - 半導体整流装置の製造方法 - Google Patents

半導体整流装置の製造方法

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Publication number
JPS5815954B2
JPS5815954B2 JP49134413A JP13441374A JPS5815954B2 JP S5815954 B2 JPS5815954 B2 JP S5815954B2 JP 49134413 A JP49134413 A JP 49134413A JP 13441374 A JP13441374 A JP 13441374A JP S5815954 B2 JPS5815954 B2 JP S5815954B2
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JP
Japan
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conductive plate
mold
pin
heat sink
insulator
Prior art date
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Expired
Application number
JP49134413A
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English (en)
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JPS5160956A (en
Inventor
安藤勝
窪田功彦
小川和男
沢野隆洋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority to JP49134413A priority Critical patent/JPS5815954B2/ja
Publication of JPS5160956A publication Critical patent/JPS5160956A/ja
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  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体整流装置の製造方法に係り、特にモー
ルド絶縁物層に埋設導電板を適切に形成することにより
、信頼性の向上を図ったものである。
従来の一例の回路基板に導電板の両生面にモールドによ
って絶縁板をクラッドしてなるものがある。
か\る回路基板の製造には一例として第1図に示す如き
装置が用いられる。
即ち第1図aに縦断面図、図すに横断面図で示すモール
ド用型1は上型1aと下型1bとからなり、この内部に
導電板2を装入し該導電板は上型および下型の内部に植
設されて夫々の先端間で導電板を挾持するピン群3a、
3a’、 3b、3b’・・・・・・がある。
また上型および下型にはそのいづれかに絶縁材料(モー
ルド材)を圧入するだめのモールド材圧入口4、および
排気口(特に図示せず)がある。
上記装置を用いてモールド材圧入口より一例の合成樹脂
体を圧入すれば導電板の両生面に絶縁材がクラッドされ
るが製造方法は次の如く行なわれる。
まづ下型1bに導電板2を装置したのち上型1aを下型
に合わせて装着する。
このとき導電板2は両端部で上型と下型とで挾持され、
型内では下型と上型に互に対応する如く植設されたピン
3 a p 3 a’y3b、3b’によって支持され
る。
次にモールド材圧入口4よりモールド型内 うる。
上記導電板は一例として銅板、モールド材はガラス繊維
配合のポリエヌテル樹脂を適用して成型され、次の第2
図に示す一例の半導体整流装置の一部の回路基板となる
第2図において、5は半導体素子でその両生面に異なる
電極5a、5bがあり前者5aはクラツド板の導電板2
に、後者5bは電極導出をかねる放熱板6に接続される
前記一方の電極の導電板2と、他方の電極の導出をかね
る放熱板6との間はモールド成型された絶縁体7によっ
て絶縁される如くなるが、上記モールドのさい、モール
ド型内にて導電板を支持したピンのあとが絶縁体7に透
孔8を形成し、核部は導電板が露出する。
このため透孔内に侵入したたとえば水分、埃等によって
導電板2と放熱板6との聞に電気的漏洩、短絡等を生じ
やすいという重大な欠点がある。
即ち、半導体朱子に放熱板ならびに導電板を利用して供
電するに当り、モールド成型によって複数の絶縁物を形
成し、これらの各絶縁物層を結び且つその内部に埋設し
た導電板を前記放熱板とほぼ平行関係に形成し、この絶
縁物層を前記放熱板に接触させる。
一方この放熱板の1部に半導体素子を固着しその他面に
被着した電極と前記各絶縁物を結ぶ導電板とを1体にす
る。
前記導電板を絶縁物層内に埋設するに当り、1対のモー
ルド型に導電板を差渡し、その両面に長短のピンを設け
る。
一面に長ピン他面に短ピンを設置し、この短ピン側より
樹脂を注入してその圧力で導電板を長ピンに当接させ、
短ピンと導電板との間隙にも樹脂を流し込む。
この結果モールド型より取出された成型品には、導電板
の短ピン当接部分に絶縁物層が形成され、これを前記放
熱板と対向させて短絡を防止する。
次に本発明の一実施例について詳細に説明する。
一例の回路基板に、導電板の両生面にモールドによって
絶縁板をクラッドしてなるものがある。
かかる回路基板を製造するには一例として第3図に例示
する如き装置が用いられる。
同図aは縦断面図、図すは横断面図を示し、11はモー
ルド型で上型11aと下型11bとからなり、夫々の内
部には互に対向する如く植設されたピン群13a。
13a、13b、13b’・・・・・・がある。
前記ピン群の先端間距離は上型と下型の合わせ目の平面
とほぼ一致する如く挿入された導電板12を遊びをもっ
て支持する。
即ちピン先端間の距離は導電板厚により犬に形成される
また下型には絶縁材料(モールド材)を導電板の片主面
側より圧入するためのモールド材圧入口14、および特
に図示しないが排便口(モールド材圧入のさいモールド
型内に存在する気体を脱出せしめる)がある。
上記装置を用いてモールド材圧入口より一例の合成樹脂
を圧入すれば導電板の両生面に絶縁材がクラッドされる
が、その製造は次の如く行なう。
まづ下型11bに導電板12を装着したのち上型11a
を下型に合わせて装着する。
このとき導電板は両端部が上型と下型とで挾持され、型
内ではピン群によって遊びをもって支持される。
次にモールド材圧入口14よりモールド材を圧入してク
ラツド板をうる。
上記導電板は一例として銅板、モールド材はガラス繊維
配合のポリエヌテル樹脂を適用し、圧入圧は例えば30
0 kg/−でよく、モールド型内では導電板はモール
ド材圧入によって上型のピン群の先端に押付けられ、下
型のピン群の先端には間隙21を生じ、ここにもモール
ド材が充填される。
この充填されたモールド材を充填絶縁物とし、全体のモ
ールド絶縁物を絶縁物17とする。
したがって型から取出したものは第4図に示す如く、一
例の半導体整流装置の一部の回路基板となる。
第4図において、15は半導体素子でその両生面に異な
る電極15a、15bがあり、前者15aはクラツド板
の導電板12に、後者15bは電極導出をかねる放熱板
16に接続される。
前記一方の電極の導出体である導電板12と、他方の電
極の導出をかねる放熱板16との間はモールド成型され
た絶縁体17によって絶縁され、本発明の場合モールド
のさい下型のピンにより絶縁体につくられた孔18はあ
るが、導電体の主面が露出することはない。
したがって上記孔18内に水分、埃等が流入しても導電
板と放熱板との間の電気的絶縁が損ぜられることが皆無
であるという顕著な利点がある。
更に、前記導電板はモールド型内に設けたピンにより、
モールド工程時に適正な位置に配置され前記放熱板とほ
ぼ平行な関係に維持される。
したがって半導体素子に形成した電極15aに無理なく
固着可能となり、信頼性を損うことはない。
更に又、前記放熱板と前記導電板との短絡防止が前記充
填絶縁物によって達成される。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のモールド型のaは縦断面図、bは横断面
図、第2図は半導体整流装置の一部の断面図、第3図図
は本発明の一実施例のモールド型のaは縦断面図、bは
横断面図、第4図は本願一実施例の製造方法によって形
成された回路基板を適用した半導体整流装置の一部の断
面図である。 なお図中同一符号は同一または相当部分を示すものとす
る。 ユニ・・・モールド型、12・・・導電板、13a、1
3a’。 13 bll 3b’・・・・・・・・ピン群、14・
・・モールド材圧入口、15・・・半導体素子、21・
・・間隙、16・・・放熱板、22・・・充填絶縁層。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 直線状に複数個を設置した1対のモールド型に共通
    して差渡した導電板の1表面にピンを当接し、この導電
    板の地表面側に離隔して他のピンを配置し、この他のピ
    ン側より注入した絶縁物を前記離隔したピンと前記導電
    板の地表面との間にも充填後、このモールド型より取出
    した絶縁物層内の露出した充填絶縁物を、1部に半導体
    素子を固着した放熱板と対面させると共に、前記各絶縁
    物を結ぶ導電板と前記半導体素子の地表面に設けた電板
    とを1体とすることを特徴とする半導体整流装置の製造
    方法。
JP49134413A 1974-11-25 1974-11-25 半導体整流装置の製造方法 Expired JPS5815954B2 (ja)

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JPS5160956A JPS5160956A (en) 1976-05-27
JPS5815954B2 true JPS5815954B2 (ja) 1983-03-28

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ID=15127791

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH0818197A (ja) * 1995-02-10 1996-01-19 Hitachi Cable Ltd モールド成形回路基板の製造方法

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JPS5160956A (en) 1976-05-27

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