JPS58159251A - 半導体レ−ザ保護方法 - Google Patents
半導体レ−ザ保護方法Info
- Publication number
- JPS58159251A JPS58159251A JP57042232A JP4223282A JPS58159251A JP S58159251 A JPS58159251 A JP S58159251A JP 57042232 A JP57042232 A JP 57042232A JP 4223282 A JP4223282 A JP 4223282A JP S58159251 A JPS58159251 A JP S58159251A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- terminal
- output
- circuit
- becomes
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
- G11B7/126—Circuits, methods or arrangements for laser control or stabilisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06825—Protecting the laser, e.g. during switch-on/off, detection of malfunctioning or degradation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ｔａｌ 発明の技術分野
本発明は半導体レーザを光源として用いた印刷装置の半
導体レーザに過大電流が流れて破壊する事を防止する半
導体レーザ保護方法に関する。
導体レーザに過大電流が流れて破壊する事を防止する半
導体レーザ保護方法に関する。
ｔｂｌ 技術の背景
光源にレーザビームを用い多面鏡を回転させて該光源の
光を反射し、感光体に投射して潜儂を作り現儂して紙に
転写し印刷する装置は既に開発されているが、レーザビ
ーム発生源としてガスレーザが用いられてお９．半導体
レーザを用いるものは従来、あ★り用いられていなかっ
た。半導体レーザがガスレーダと異なり光変調器を必要
とせず直接変調することが可能で光量の制御も容易であ
るが、半導体レーザの駆動回路の制御系の障害で過電流
が流れると破壊される丸め、その保■が重要であ妙、対
策の実現が望まれている。
光を反射し、感光体に投射して潜儂を作り現儂して紙に
転写し印刷する装置は既に開発されているが、レーザビ
ーム発生源としてガスレーザが用いられてお９．半導体
レーザを用いるものは従来、あ★り用いられていなかっ
た。半導体レーザがガスレーダと異なり光変調器を必要
とせず直接変調することが可能で光量の制御も容易であ
るが、半導体レーザの駆動回路の制御系の障害で過電流
が流れると破壊される丸め、その保■が重要であ妙、対
策の実現が望まれている。
ｔｅｌ 発明の目的
本発明の目的は上記要望に基づき、半導体レーザ駆動回
路の制御系の障害に対して半導体レーザに過電流の流れ
ることのない半導体レーザ保一方法を提供することにあ
る。
路の制御系の障害に対して半導体レーザに過電流の流れ
ることのない半導体レーザ保一方法を提供することにあ
る。
ｔｄＪ 発明の構成
そして、この目的は本発明によれば、半導体レーザ、該
半導体レーザの駆動及び停止を行なう駆動手財、該半導
体レーザの発光量を一定にするための制御信号を諌駆動
手段に出力する制御回路、該半導体レーザの走査同期信
号を検出する走査同期信号検出手段とを真備してなり、
該走査同期信号が所定の時間内に検出できない場合、該
半導体ｔｅｌ 発明の実施例 第１図は、本発明Ｋかかる半導体レーザ保護方法を説明
するための図である。
半導体レーザの駆動及び停止を行なう駆動手財、該半導
体レーザの発光量を一定にするための制御信号を諌駆動
手段に出力する制御回路、該半導体レーザの走査同期信
号を検出する走査同期信号検出手段とを真備してなり、
該走査同期信号が所定の時間内に検出できない場合、該
半導体ｔｅｌ 発明の実施例 第１図は、本発明Ｋかかる半導体レーザ保護方法を説明
するための図である。
図において、ｌは半導体レーザ、２は着信が形成される
感光体、３はレンズ、４は半導体レーずｌからの光を感
光体２上に走査させる多面鏡ミラー、５は多面鏡ミラー
４を回転する丸めのモータ、６は反射鏡、７は受光素子
、６はモータ５の不回転を検出する回転検出手段、９は
半導体レーザ１の駆動及び停止を行なう駆動手段、５１
は受光素子７が受光する半導体レーザｌの走査同期信号
を検出する同期信号検出手段、５２は走査同期信号が所
定の時間内に発生しているかを検出する検出手段を示す
。
感光体、３はレンズ、４は半導体レーずｌからの光を感
光体２上に走査させる多面鏡ミラー、５は多面鏡ミラー
４を回転する丸めのモータ、６は反射鏡、７は受光素子
、６はモータ５の不回転を検出する回転検出手段、９は
半導体レーザ１の駆動及び停止を行なう駆動手段、５１
は受光素子７が受光する半導体レーザｌの走査同期信号
を検出する同期信号検出手段、５２は走査同期信号が所
定の時間内に発生しているかを検出する検出手段を示す
。
以上説明したような構成でありて、半導体レーザｌよ抄
出た光は多面鏡ミラー４によりレンズ３これと同時に半
導体レーザ１からの光は反射鏡６により反射し受光素子
７に入り、走査同期信号となる。
出た光は多面鏡ミラー４によりレンズ３これと同時に半
導体レーザ１からの光は反射鏡６により反射し受光素子
７に入り、走査同期信号となる。
ここで、多面鏡ミラー４を回転させるモータが何らかの
原因で回転してないことを回転検出手段８が検出した場
合は半導体レーザ駆動停止信号人を出力し、半導体レー
ザ駆動子Ｒ９に入力し、半導体レーずｌの駆動を停止す
る。
原因で回転してないことを回転検出手段８が検出した場
合は半導体レーザ駆動停止信号人を出力し、半導体レー
ザ駆動子Ｒ９に入力し、半導体レーずｌの駆動を停止す
る。
また、半導体レーザｌが駆動しているＫもかかわらず、
受光素子７が光を受光できず、同期信号検出手段５１が
走査同期信号を検出で亀なかつ九場合、同期信号検出子
ＷＩｔ５１は半導体レーず駆動停止信号Ａを出力し、半
導体レーザ駆動手段９に入力し、半導体レーザ１の駆動
を停止する。
受光素子７が光を受光できず、同期信号検出手段５１が
走査同期信号を検出で亀なかつ九場合、同期信号検出子
ＷＩｔ５１は半導体レーず駆動停止信号Ａを出力し、半
導体レーザ駆動手段９に入力し、半導体レーザ１の駆動
を停止する。
次に、半導体レーザｌからの光を受光素子７が受光し、
同期信号検出子Ｒ５１が走査同期信号を検出しているけ
れども、検出手段５２が走査同期信号を所定の時間内に
検出できない場合、検出手段５２は半導体レーザ厘動停
止信号人を出方し、半導体レーザ駆動手段９に入力し、
半導体レーザｌの駆動を停止トする。
同期信号検出子Ｒ５１が走査同期信号を検出しているけ
れども、検出手段５２が走査同期信号を所定の時間内に
検出できない場合、検出手段５２は半導体レーザ厘動停
止信号人を出方し、半導体レーザ駆動手段９に入力し、
半導体レーザｌの駆動を停止トする。
第２図は本発明の一実施例を示す回路図である１、電源
が投入されると端子入は・０・とな９ＮＵＴ回路２２の
出力は”ｌｏとなる。多面鏡４を駆動するモータ５（第
１図）が回転すると端子Ｂにはモーター回転で回転軸に
取付けであるタコメータより矩形波が入力するがフリラ
グフロッグ（以ｉＦＦと略ｔ）ｌ ＯとＮｕＴ回ｊｌｌ
１７ｔびＦＦ １２とＡＮＤ回路１３により該矩形波
の立下りを検出しＦＦ１４の出力は′″１”となる。続
いてＤ端子に印字指令が入って＠１”となるとＮ ｄ
Ｔ回路３４の出力は”０”となる。端子Ｅは印字指令に
続いてｌ真分の印字指令が端子Ｆにはビデオ信号が入る
が、Ｄ端子に印字指令の入った時はＥ１ド端子は“０”
のためＮＡＮＤ回路３６の出力はドでありＡＮＤ回路３
５の出力は“ｌｏとなる。ＦＦ４５の出力は”１７の丸
めＮＡＮＤ回路４６の出力は−０−となり第１駆動回路
２７は動作可能となる。印字指令の来る前はＮ ｏ ’
ｒ回路３４の出力は１１″のためＦはｌ”となる。ＮＡ
ＮＤ回路１６の出力は一〇・ｌのためＦ Ｆ １７のＱ
端子は′″ｌ′となりＱ端子は“０＃となるため第２駆
動回路２８は動作可能となる。
が投入されると端子入は・０・とな９ＮＵＴ回路２２の
出力は”ｌｏとなる。多面鏡４を駆動するモータ５（第
１図）が回転すると端子Ｂにはモーター回転で回転軸に
取付けであるタコメータより矩形波が入力するがフリラ
グフロッグ（以ｉＦＦと略ｔ）ｌ ＯとＮｕＴ回ｊｌｌ
１７ｔびＦＦ １２とＡＮＤ回路１３により該矩形波
の立下りを検出しＦＦ１４の出力は′″１”となる。続
いてＤ端子に印字指令が入って＠１”となるとＮ ｄ
Ｔ回路３４の出力は”０”となる。端子Ｅは印字指令に
続いてｌ真分の印字指令が端子Ｆにはビデオ信号が入る
が、Ｄ端子に印字指令の入った時はＥ１ド端子は“０”
のためＮＡＮＤ回路３６の出力はドでありＡＮＤ回路３
５の出力は“ｌｏとなる。ＦＦ４５の出力は”１７の丸
めＮＡＮＤ回路４６の出力は−０−となり第１駆動回路
２７は動作可能となる。印字指令の来る前はＮ ｏ ’
ｒ回路３４の出力は１１″のためＦはｌ”となる。ＮＡ
ＮＤ回路１６の出力は一〇・ｌのためＦ Ｆ １７のＱ
端子は′″ｌ′となりＱ端子は“０＃となるため第２駆
動回路２８は動作可能となる。
半導体レーザ２９ｑ第２駆動回路の固定電流によね発光
し第１図反射＃１６により反射した光は受光素子７によ
シ同期信号となって端子０より増幅器２３を経て比較器
３０に入る。比較器３０の出力はに’ Ｆ ３７とＦＦ
３ｓ及びＡＮＤ回路３９により腋同期信号の立下りを検
出してｋ”ｉｉ’４１の出力は１７となる。カウンタ４
２，４３はプリセットさ代 れだ針数値をｌｉ’Ｆ４１の出力で計−し、ＡＮＤ回路
４４を経てＦＦ４１をリセツトする。ＦＦ４５はＡＮＬ
）回路４４の出力でＮ入ＮＤ回路４６の出力を”ｌ”と
して第１駆動回路２７の動作を止めるが、カウンタ４３
の出力で再度出力を１１”とし、ＮＡＮＩＪ回路４６の
出力を“０”として第１駆動回路２７を動作可能とする
。ＦＦ４８のＱ端子はカウンタ４３の出力で”１″とな
りカウンタ４９を動作させプリセットされた針数値を計
数させる。次の同期信号が０端子より入るとＮＡＮＤ回
路４０の出力が０″となりＮ入ＮＤ回路４７を経てＦＦ
４８をリセットする。従ってカウンタ４９は計数を中止
し、ＮＯＴ回路５０の出力は“０°のまやである。ＦＦ
１７のＱ端子が′″ピでＡＮＤ回路３９の出力がｌ”の
ためＡＮＩ）回路３３の出力は＠ｌ”でＮＯＴ回路３４
の出力は“θ″のためＦＦ３２のＱ端子は反転して“０
”となるが、このためＡＮＤ回路１５の出力が・０″と
なり、ＮＡＮＩ）回路４０の出力が”０”でＤ端子が“
ｌ”のためＮＡＮＤ回路１６の出力は“ｌ”となり、Ｆ
Ｆ１７のＱ端子−〇−Ｑ端子は１ドとなり、第２駆動回
ｗｒ２＆は動作を停止する。ｋ′Ｆ３２のＱ端子は前記
の如く１０″となる丸めアナログスイッチ２５を駆動し
同期信号を増幅する増幅器２４の出力をｆａ３駆動回路
２６に導き半導体レーザ２９を第３駆動回路２６と縞ｌ
駆動回路２７で駆動する。ｌｌ５３駆動回路２６は同期
信号より得られる信号レベルに従い半導体レーザ２９の
駆動量を変化させるため、同期信号が検出されぬ場合は
半導体レーザ２９を破壊する恐れがある。
し第１図反射＃１６により反射した光は受光素子７によ
シ同期信号となって端子０より増幅器２３を経て比較器
３０に入る。比較器３０の出力はに’ Ｆ ３７とＦＦ
３ｓ及びＡＮＤ回路３９により腋同期信号の立下りを検
出してｋ”ｉｉ’４１の出力は１７となる。カウンタ４
２，４３はプリセットさ代 れだ針数値をｌｉ’Ｆ４１の出力で計−し、ＡＮＤ回路
４４を経てＦＦ４１をリセツトする。ＦＦ４５はＡＮＬ
）回路４４の出力でＮ入ＮＤ回路４６の出力を”ｌ”と
して第１駆動回路２７の動作を止めるが、カウンタ４３
の出力で再度出力を１１”とし、ＮＡＮＩＪ回路４６の
出力を“０”として第１駆動回路２７を動作可能とする
。ＦＦ４８のＱ端子はカウンタ４３の出力で”１″とな
りカウンタ４９を動作させプリセットされた針数値を計
数させる。次の同期信号が０端子より入るとＮＡＮＤ回
路４０の出力が０″となりＮ入ＮＤ回路４７を経てＦＦ
４８をリセットする。従ってカウンタ４９は計数を中止
し、ＮＯＴ回路５０の出力は“０°のまやである。ＦＦ
１７のＱ端子が′″ピでＡＮＤ回路３９の出力がｌ”の
ためＡＮＩ）回路３３の出力は＠ｌ”でＮＯＴ回路３４
の出力は“θ″のためＦＦ３２のＱ端子は反転して“０
”となるが、このためＡＮＤ回路１５の出力が・０″と
なり、ＮＡＮＩ）回路４０の出力が”０”でＤ端子が“
ｌ”のためＮＡＮＤ回路１６の出力は“ｌ”となり、Ｆ
Ｆ１７のＱ端子−〇−Ｑ端子は１ドとなり、第２駆動回
ｗｒ２＆は動作を停止する。ｋ′Ｆ３２のＱ端子は前記
の如く１０″となる丸めアナログスイッチ２５を駆動し
同期信号を増幅する増幅器２４の出力をｆａ３駆動回路
２６に導き半導体レーザ２９を第３駆動回路２６と縞ｌ
駆動回路２７で駆動する。ｌｌ５３駆動回路２６は同期
信号より得られる信号レベルに従い半導体レーザ２９の
駆動量を変化させるため、同期信号が検出されぬ場合は
半導体レーザ２９を破壊する恐れがある。
若しモータが回転せずＢ端子に矩形波が入力しない場合
ＦＦ１４の出力は′″０１のｔ＼である。従ってＮＡＮ
Ｄ回路２０の出力は＠１″となυＦＦ２１のＱ端子は“
ｌ″となってＧ端子に警報を送出する。一方ＡＮＤ回路
１５の出力は“Ｏ”でＦＦ１７Ｑ端子はｌ”となり第２
駆動回路２８は動作不能である。ＦＦ１７のＱ端子は０
”でＯＲ回路３３の出力は“０”、ＮＯＴ回路３４の出
力は“ｌ”のためＦ Ｆ ３２はＱ端子が′″０”でＱ
端子は“ｌ“となりアナログスイッチ２５は動作せず第
３駆動回路２６も動作しない。ＮＯＲ回路１＆の入力は
いずれも“ｌ“のため出力は１０”となりＮＡＮＤ回路
１９の出力もｆｉ”Ｆ３２のＱ４子が１０”のためｌ“
となりＮＡＮｌ）回路２０の出力を°ｌ”としてＦＦ２
１のＱ端子を“ｌ”として警報を送出する。
ＦＦ１４の出力は′″０１のｔ＼である。従ってＮＡＮ
Ｄ回路２０の出力は＠１″となυＦＦ２１のＱ端子は“
ｌ″となってＧ端子に警報を送出する。一方ＡＮＤ回路
１５の出力は“Ｏ”でＦＦ１７Ｑ端子はｌ”となり第２
駆動回路２８は動作不能である。ＦＦ１７のＱ端子は０
”でＯＲ回路３３の出力は“０”、ＮＯＴ回路３４の出
力は“ｌ”のためＦ Ｆ ３２はＱ端子が′″０”でＱ
端子は“ｌ“となりアナログスイッチ２５は動作せず第
３駆動回路２６も動作しない。ＮＯＲ回路１＆の入力は
いずれも“ｌ“のため出力は１０”となりＮＡＮＤ回路
１９の出力もｆｉ”Ｆ３２のＱ４子が１０”のためｌ“
となりＮＡＮｌ）回路２０の出力を°ｌ”としてＦＦ２
１のＱ端子を“ｌ”として警報を送出する。
モータが回転してＢ端子に矩形波が入ると前記の如く第
１駆動回路２７と第２駆動回路２８は動作り能となり半
導体レーザ２９ｉ′ｉ発光し同期信号が得られる筈であ
るが、該同期信号が検出されないとＡＮＩ）回路３９の
出力は“０”であり、ＡＮＤ回路３３の出力は＠０″の
ままとなり、Ｄ端子に印字指令が入ってＮ （Ｊ Ｔ回
路３４の出力が′″０°となってもｋ” Ｆ ３２のＱ
端子は０１″のｔ＼であり、アナログスィッチ２５Ｆ′
ｉ動作しない。従って第３駆動回路２６は動作しない丸
め半導体レーザ２９は第２駆動回路２８と第１駆動回路
２７で駆動され限定された電流しか流れないため破壊さ
れることはない。ＡＮＤ回路３９の出力が“０”のま＼
の九めＮＡＮＤ回路３１の出力は＠ＩＩＩであり、ＮＯ
ＯＲ回路１８出力は“Ｏ”となる。ＦＦ３２のＱ端子も
”０″のためＮＡＮＤ回路１９の出力は“ｌ”となりＮ
入ＮＤ回路２０の出力も“１”となってＦＦ２１のＱ端
子をｌ”として警報を送出する。
１駆動回路２７と第２駆動回路２８は動作り能となり半
導体レーザ２９ｉ′ｉ発光し同期信号が得られる筈であ
るが、該同期信号が検出されないとＡＮＩ）回路３９の
出力は“０”であり、ＡＮＤ回路３３の出力は＠０″の
ままとなり、Ｄ端子に印字指令が入ってＮ （Ｊ Ｔ回
路３４の出力が′″０°となってもｋ” Ｆ ３２のＱ
端子は０１″のｔ＼であり、アナログスィッチ２５Ｆ′
ｉ動作しない。従って第３駆動回路２６は動作しない丸
め半導体レーザ２９は第２駆動回路２８と第１駆動回路
２７で駆動され限定された電流しか流れないため破壊さ
れることはない。ＡＮＤ回路３９の出力が“０”のま＼
の九めＮＡＮＤ回路３１の出力は＠ＩＩＩであり、ＮＯ
ＯＲ回路１８出力は“Ｏ”となる。ＦＦ３２のＱ端子も
”０″のためＮＡＮＤ回路１９の出力は“ｌ”となりＮ
入ＮＤ回路２０の出力も“１”となってＦＦ２１のＱ端
子をｌ”として警報を送出する。
同期信号が検出された印字動作中モータ９回転に異常が
発生し同期信号の検出タイｉングがずれた場合はＦＦ４
Ｂをリセットする時間が遅れるためカウンタ４９が計
数完了してしまうとＮＵＴ回路５０の出力を°ｌ”とす
る。Ｎ０ｉ４回路１８の出力は０”となり前記同様ＦＦ
２１のＱ端子を＠ｌ”とし、て警報を送出すると共にＦ
Ｆ２１のＱ端子を“０”としてＦＦ１４．ＦＦ１７．Ｆ
Ｆ３２をリセットし、第１駆動回路２７、第３駆動回路
の動作を停止させ半導体レーザ２９を保護する。
発生し同期信号の検出タイｉングがずれた場合はＦＦ４
Ｂをリセットする時間が遅れるためカウンタ４９が計
数完了してしまうとＮＵＴ回路５０の出力を°ｌ”とす
る。Ｎ０ｉ４回路１８の出力は０”となり前記同様ＦＦ
２１のＱ端子を＠ｌ”とし、て警報を送出すると共にＦ
Ｆ２１のＱ端子を“０”としてＦＦ１４．ＦＦ１７．Ｆ
Ｆ３２をリセットし、第１駆動回路２７、第３駆動回路
の動作を停止させ半導体レーザ２９を保護する。
ｆｆｌ 発明の効果
以−ト説明した如く本発明は半導体レーザを光源として
用いた印刷装置に於て、半導体レーザに過電流を流して
破壊する恐れのある多面鏡回転用モータ回転の異常に対
し、半導体レーザ駆動回路の動作を阻止することが可能
であり、その効果は大なるものがある。
用いた印刷装置に於て、半導体レーザに過電流を流して
破壊する恐れのある多面鏡回転用モータ回転の異常に対
し、半導体レーザ駆動回路の動作を阻止することが可能
であり、その効果は大なるものがある。
第１図は本発明の適用される印刷装置の厚珊図で９２図
は本発明の一実施例を示す回路図である。 ｌは半導体レーザ、２は感光体、３はレンズ、４は多面
鏡、５はモータ、６は反射鏡、７は受光素子、８は回転
検出手段、９は半導体レーザ駆動手段、１０，１２，１
７，２１，３２，３７，３１３，４１゜４５．４８はフ
リップフロップ、４２，４３．４９はカウンタ、２５は
アナログスイッチ、２６は第３駆動回路、２７は第１駆
動回路、２８は第２駆動回路、５１は同期信号検出手段
、５２は検出手段である。 死１図
は本発明の一実施例を示す回路図である。 ｌは半導体レーザ、２は感光体、３はレンズ、４は多面
鏡、５はモータ、６は反射鏡、７は受光素子、８は回転
検出手段、９は半導体レーザ駆動手段、１０，１２，１
７，２１，３２，３７，３１３，４１゜４５．４８はフ
リップフロップ、４２，４３．４９はカウンタ、２５は
アナログスイッチ、２６は第３駆動回路、２７は第１駆
動回路、２８は第２駆動回路、５１は同期信号検出手段
、５２は検出手段である。 死１図
Claims (1)
- 半導体レーザ、誼半導体レーザの駆動及び停止を行なう
駆動手段、該半導体レーザの発光量を一定にするための
制御信号を該駆動手段に出力する制御回路、該半導体レ
ーザの走査同期信号を検出する走査同期信号検出手段と
を具備してなり、該走査同期信号が所定の時間内に検出
できない場合、
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57042232A JPS58159251A (ja) | 1982-03-17 | 1982-03-17 | 半導体レ−ザ保護方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57042232A JPS58159251A (ja) | 1982-03-17 | 1982-03-17 | 半導体レ−ザ保護方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58159251A true JPS58159251A (ja) | 1983-09-21 |
Family
ID=12630282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57042232A Pending JPS58159251A (ja) | 1982-03-17 | 1982-03-17 | 半導体レ−ザ保護方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58159251A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0267453U (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-22 | ||
| JPH0359241U (ja) * | 1989-10-16 | 1991-06-11 | ||
| JP2005209759A (ja) * | 2004-01-21 | 2005-08-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ加熱装置およびレーザ加工機 |
-
1982
- 1982-03-17 JP JP57042232A patent/JPS58159251A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0267453U (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-22 | ||
| JPH0359241U (ja) * | 1989-10-16 | 1991-06-11 | ||
| JP2005209759A (ja) * | 2004-01-21 | 2005-08-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ加熱装置およびレーザ加工機 |
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