JPS58157963A - 高融点金属又は金属化合物から成る層の製造方法 - Google Patents
高融点金属又は金属化合物から成る層の製造方法Info
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- JPS58157963A JPS58157963A JP2840983A JP2840983A JPS58157963A JP S58157963 A JPS58157963 A JP S58157963A JP 2840983 A JP2840983 A JP 2840983A JP 2840983 A JP2840983 A JP 2840983A JP S58157963 A JPS58157963 A JP S58157963A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/507—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using external electrodes, e.g. in tunnel type reactors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/14—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using spraying techniques to apply the conductive material, e.g. vapour evaporation
- H05K3/146—By vapour deposition
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ガス状の金属化合物を含む雰囲気中で減圧下
にグロー放電により金属又は金属化合物を分解し、低い
基材温度で反応ガスに対して不活°性の基板上に沈殿さ
せる形式の、金属又は金属化合物を蒸気相から析出させ
ることにより高融点の金属又は金属化合物から、特に電
子デバイス及び電子回路用として使用されるような層を
製造する方法に関する。
にグロー放電により金属又は金属化合物を分解し、低い
基材温度で反応ガスに対して不活°性の基板上に沈殿さ
せる形式の、金属又は金属化合物を蒸気相から析出させ
ることにより高融点の金属又は金属化合物から、特に電
子デバイス及び電子回路用として使用されるような層を
製造する方法に関する。
薄膜及び半導体技術において金属層は抵抗として、コン
デンサ用電極として、また導電路としてパターン形成さ
れた箪導体結晶板におけるインダクタンスとして使用さ
れる。更に金属被−は耐食及び耐摩材として複雑に成形
された加工材に使用される。
デンサ用電極として、また導電路としてパターン形成さ
れた箪導体結晶板におけるインダクタンスとして使用さ
れる。更に金属被−は耐食及び耐摩材として複雑に成形
された加工材に使用される。
この種の層を製造するには種々の方法１例えば電気析出
法、、ＩＩＩ法、イオンメッキ法、又はスパッタリング
法が使用される。これらのすべての層製造法は、材料を
その融点に比して低い温度（最高３５０℃）でまた電気
メツキ法の場合には異原）の存在下で析出させる点で共
通している。低温は例えば電気析出法で可能である。し
かしこの種の析出法は高融点金属１例えばタンタル、ダ
ンゲステン及びモリブデンの場合には実施することがで
きない。それというのもこれらの金属は電気的に析出し
得ないからである。
法、、ＩＩＩ法、イオンメッキ法、又はスパッタリング
法が使用される。これらのすべての層製造法は、材料を
その融点に比して低い温度（最高３５０℃）でまた電気
メツキ法の場合には異原）の存在下で析出させる点で共
通している。低温は例えば電気析出法で可能である。し
かしこの種の析出法は高融点金属１例えばタンタル、ダ
ンゲステン及びモリブデンの場合には実施することがで
きない。それというのもこれらの金属は電気的に析出し
得ないからである。
パターン形成された半導体結晶板上・＼の層の形成で最
も重要なのは稜部の被覆である。ＣＶＤ法を用いた場合
すぐれた稜部被覆を得ることができ。
も重要なのは稜部の被覆である。ＣＶＤ法を用いた場合
すぐれた稜部被覆を得ることができ。
これは特に高い電流密度が導体路に生じるＶＬＳＩ技術
にとって大きな意義を有するが、高融点の金−例えばニ
オブ及びタンタルに対する析出は高温でのみ可能であり
、これは多層配線の場合すでに製造されているデバイス
が敏感であることから実施不能である。層厚が部分的に
薄くなっている場合通電の際当該個所（過熱点）で許容
できない程温度が上昇し、電子及び熱移動による早期欠
落が生じる。
にとって大きな意義を有するが、高融点の金−例えばニ
オブ及びタンタルに対する析出は高温でのみ可能であり
、これは多層配線の場合すでに製造されているデバイス
が敏感であることから実施不能である。層厚が部分的に
薄くなっている場合通電の際当該個所（過熱点）で許容
できない程温度が上昇し、電子及び熱移動による早期欠
落が生じる。
従来ＣＶＤ法で部分的に必要とされる高温は該方法の使
用分野を制限する。すでにパターン形成されているＩＣ
板（多層配線）並びに低融点材料及び合成樹脂の場合、
被覆温度が高すぎることからこれまでＣＶＤ法は断念し
なければならなかった。
用分野を制限する。すでにパターン形成されているＩＣ
板（多層配線）並びに低融点材料及び合成樹脂の場合、
被覆温度が高すぎることからこれまでＣＶＤ法は断念し
なければならなかった。
蒸着及びスパッタリングのような現行の方法は平坦な基
材を低温で被層するのに使用される。特にＶＬＳＩ技術
にあっては良好な稜部被覆が必要であることから、物理
的被覆法（蒸暑、スパッタリング）の場合遊星運動を行
なう試料保持体を用いて処理する。
材を低温で被層するのに使用される。特にＶＬＳＩ技術
にあっては良好な稜部被覆が必要であることから、物理
的被覆法（蒸暑、スパッタリング）の場合遊星運動を行
なう試料保持体を用いて処理する。
極めて良好な稜部の被覆を提供するＣＶＤ法の場合、析
出を低い基材温度で実施することができるようにするこ
とは有意義である。このような被層のため、有機合鴨出
発化合物（カルボニル又はアセチルアセトネート）を使
用することによって又はエネルギー源として高周波プラ
ズマを使用ｌすることによって反応温度を低下させるｃ
ｖＤの変法が提案されている。有機金属出発化合物を使
用することによって（” ５ｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔ
ｅｃｈｎｏ−１ｏｇｙ ｏｆ ５ｕｒｆａｃｅ Ｃｏａ
ｔｉｎｇｓ ” ＡｃａｄｅｍｉｅＰｒｅｓｓ、 Ｌ
ｏｎｄｏｎ ａｎｄ Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ、 １９７４
年。
出を低い基材温度で実施することができるようにするこ
とは有意義である。このような被層のため、有機合鴨出
発化合物（カルボニル又はアセチルアセトネート）を使
用することによって又はエネルギー源として高周波プラ
ズマを使用ｌすることによって反応温度を低下させるｃ
ｖＤの変法が提案されている。有機金属出発化合物を使
用することによって（” ５ｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔ
ｅｃｈｎｏ−１ｏｇｙ ｏｆ ５ｕｒｆａｃｅ Ｃｏａ
ｔｉｎｇｓ ” ＡｃａｄｅｍｉｅＰｒｅｓｓ、 Ｌ
ｏｎｄｏｎ ａｎｄ Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ、 １９７４
年。
第１５９頁〜第１６８頁参照）、金属及びその化合物例
えば酸化物、窒化物及び炭化物を製造することができる
力ζこの場合被層に際して、有機成分によって生じる不
純物が入り込む。
えば酸化物、窒化物及び炭化物を製造することができる
力ζこの場合被層に際して、有機成分によって生じる不
純物が入り込む。
エネルギー源として高周波プラズマを使用した場合、ヨ
ーロッパ特許出願第３４７０６号明細書に記載されてい
るように高岡ｅ（ｋＨｚ・・・・・ＭＩＴｚの範囲）を
印加することによって、低い反応圧（１，３Ｘ１０”Ｐ
ａＪ２Ｌ下） で強力な化学結合をも破壊し得るプラズ
マが得られる。この方法で現在例えば太陽電池用の無定
形ケイ素並びにその化合物例えば酸化ケイ累、窒化ケイ
累等が製造されている。
ーロッパ特許出願第３４７０６号明細書に記載されてい
るように高岡ｅ（ｋＨｚ・・・・・ＭＩＴｚの範囲）を
印加することによって、低い反応圧（１，３Ｘ１０”Ｐ
ａＪ２Ｌ下） で強力な化学結合をも破壊し得るプラズ
マが得られる。この方法で現在例えば太陽電池用の無定
形ケイ素並びにその化合物例えば酸化ケイ累、窒化ケイ
累等が製造されている。
一層低い基材温度で高融点金属な被層する他の方法は西
ドイツ特許出願公開第３１４１５６７号公報に提案され
ている。こめ場合被曝のために大きな親和力相互作用を
有する出発化合物を使用する。
ドイツ特許出願公開第３１４１５６７号公報に提案され
ている。こめ場合被曝のために大きな親和力相互作用を
有する出発化合物を使用する。
本発明の目的は、特にパターン形成された半導体結晶板
上への多層配線に使用されるような高融点の純粋な金属
層を特進することにある。この場合良好な綾部の被覆の
故にＣＶＤ法を低い基材温度で使用することができ、ま
た種々の材料特性並びに異種組成の表面部分を有する基
材への被層が可能となるべきである。
上への多層配線に使用されるような高融点の純粋な金属
層を特進することにある。この場合良好な綾部の被覆の
故にＣＶＤ法を低い基材温度で使用することができ、ま
た種々の材料特性並びに異種組成の表面部分を有する基
材への被層が可能となるべきである。
この目的は本発明によれば最初に記載した形式の方法に
より、グロー放電を高周波エネルギーの誘導結合により
生ぜしめ、その際プラズマを、被層すべき基材が陰極グ
ローの範囲内にあるように調整することによって達成さ
れる。
より、グロー放電を高周波エネルギーの誘導結合により
生ぜしめ、その際プラズマを、被層すべき基材が陰極グ
ローの範囲内にあるように調整することによって達成さ
れる。
本発明方法の実施にあたっては、周波数を０．４〜１４
ＭＨｚ の範囲内に、高周波発生器の出力をＯ，ａ〜
５ｋＷの範囲内に調整し、その際基材は一１００■へ＋
５０ｖの電位にあるようにする。更に基材温度は析出中
２００へ４５０℃の範囲内にまた圧力は６０〜１３５０
Ｐａの範囲内に維持する。出発化合物の分解に必要なエ
ネルギーはその大部分が交番磁界から得られることシニ
より、基材温度は例えば金属ハロゲン化物の還元に際し
て約４００℃に減少する。この方法によりデバイスの電
気特性が熱の作用により変化されることなく高融点金属
の最も純粋な層をパターン形成されたケイ素板上にＣＶ
Ｄ法により析出させることが初め七可能となる。
ＭＨｚ の範囲内に、高周波発生器の出力をＯ，ａ〜
５ｋＷの範囲内に調整し、その際基材は一１００■へ＋
５０ｖの電位にあるようにする。更に基材温度は析出中
２００へ４５０℃の範囲内にまた圧力は６０〜１３５０
Ｐａの範囲内に維持する。出発化合物の分解に必要なエ
ネルギーはその大部分が交番磁界から得られることシニ
より、基材温度は例えば金属ハロゲン化物の還元に際し
て約４００℃に減少する。この方法によりデバイスの電
気特性が熱の作用により変化されることなく高融点金属
の最も純粋な層をパターン形成されたケイ素板上にＣＶ
Ｄ法により析出させることが初め七可能となる。
例えばアルミニウム／ケイ素の公知のスノ（ツタリング
法に比しての顕著な利点はプラズマ活性化されたＣＶＤ
法の一層良好な稜部の被覆である。
法に比しての顕著な利点はプラズマ活性化されたＣＶＤ
法の一層良好な稜部の被覆である。
この利点は数μ鴫の段階高度が生じる多層配線の場合特
に効果的である。この方法ではアルミニウム又は金の他
に低オームの高融点金属（例えばモリブデン、タングス
テン、ニオブ、タンタル）も析出し得ることから、ＶＬ
ＳＩ技術で予期される高い電流密度によっても（例えば
電子移動により）ＩＩｌ壊されない材料をメッキす名こ
とができる。
に効果的である。この方法ではアルミニウム又は金の他
に低オームの高融点金属（例えばモリブデン、タングス
テン、ニオブ、タンタル）も析出し得ることから、ＶＬ
ＳＩ技術で予期される高い電流密度によっても（例えば
電子移動により）ＩＩｌ壊されない材料をメッキす名こ
とができる。
例えば金属ハロゲン化物（ＭｅＸ ）から出発して本
発明による原理に基づきメッキした場合次のよう（二進
行する。
発明による原理に基づきメッキした場合次のよう（二進
行する。
この場合ＭｅＸ 成分用キャリヤガスとしてはＨｌ並び
１＝不活性ガス（例えばＡｒ ＊ Ｋｒ ＊ Ｎｔ−１
を使用することができる。被層すべき試料が発光縁によ
って囲まれるように反応空間内で誘導結合によりプラズ
マを調整する。更に高周波の誘導結合は、プラズマが無
電極で得られるという利点をもたらす。これにより１例
えば容量結合で可能のような電極材料による不純化は完
全に除かれる。
１＝不活性ガス（例えばＡｒ ＊ Ｋｒ ＊ Ｎｔ−１
を使用することができる。被層すべき試料が発光縁によ
って囲まれるように反応空間内で誘導結合によりプラズ
マを調整する。更に高周波の誘導結合は、プラズマが無
電極で得られるという利点をもたらす。これにより１例
えば容量結合で可能のような電極材料による不純化は完
全に除かれる。
基材の加熱は直接高周波コイルによってまた付加的な加
熱によって行なうことができる。
熱によって行なうことができる。
例えば金属ハロゲン化物（ＭｅＸ）から出発して純粋な
金属を製造することの他に、適当なケイ素化合物でも金
属化合物１例えばケイ化ニオブ（（ＮｂＳｉり のよ
うなケイ化物を析出することができる。
金属を製造することの他に、適当なケイ素化合物でも金
属化合物１例えばケイ化ニオブ（（ＮｂＳｉり のよ
うなケイ化物を析出することができる。
ＮｂＣ１，、ガ幻＋２ＳｉＨｔＣ１ｔ（＃、）＋２．５
Ｈ２＜亦）複層プロセスを上記のように実施した場合基
材上に層が成長する。それというのも搬出効果が水素イ
オン、ハロゲンイオン及び金属イオンによって著しく減
少するからである。予想に反して析出−は反応パートナ
−（例えば水素）の減少又はその不存在においても生じ
る。これにより例えば水素によって生じ得る脆化を阻止
することができる。
Ｈ２＜亦）複層プロセスを上記のように実施した場合基
材上に層が成長する。それというのも搬出効果が水素イ
オン、ハロゲンイオン及び金属イオンによって著しく減
少するからである。予想に反して析出−は反応パートナ
−（例えば水素）の減少又はその不存在においても生じ
る。これにより例えば水素によって生じ得る脆化を阻止
することができる。
次の応用分野が得られる。
■、 金属の析出（例えばアルミニウム、モリブデンタ
ングステン、ニオブ、タンタル）。
ングステン、ニオブ、タンタル）。
２ 金属化合物の析出。
８ 種々の基材の使用：ケイ素、酸化ケイ素、窒化ケイ
素：ａｌ気に敏感な材料：温度に安定な合成樹脂１例え
ばポリイミド。
素：ａｌ気に敏感な材料：温度に安定な合成樹脂１例え
ばポリイミド。
表 半導体工業以外の使用：ＲＣ回路用導電路及び接点
材料、薄膜誘電体上の電極鴫１合成ＷＲ＠部材の金属メ
ッキ、反射層及び吸収層。
材料、薄膜誘電体上の電極鴫１合成ＷＲ＠部材の金属メ
ッキ、反射層及び吸収層。
以下図面について本発明の実施例を説明する。
図面は例えばケイ化ニオブ（ＮｂＳ ｉｔ ） を析
出する一実施例を記載するものである。
出する一実施例を記載するものである。
グロー放電で高融点のケイ化金属−８を製造するために
配置した１例えば塩化ニオブ（ＮｂＣｌ５ ）及びジク
ロルシラン（Ｓ ｉＨ＊ Ｃ５）から成るガス状化合物
を矢印１で示した個所から反応器２に導入′シ１次いで
これを予め例えばｌ０Ｐａの圧力に真空化し、基材を２
００〜４５０℃の温度に加熱した。真空ポンプへの接合
は矢印３で示されている。真空ポンプの吸引力は１反応
器内の反応ガス圧が６０〜１３５８Ｐａの範囲内にある
ように調整する。矢印１で導入された反応ガス（これは
キャリヤガスとしての水素と混合されていてもよい）は
反応器２の外に配置された誘導コイル５によリグロー放
電によって分解され、加熱された基材保持体６上に存在
する基材７（これは例えばデバイス構造を有するケイ素
結晶板から成る）にケイ化ニオブ層８として沈殿する。
配置した１例えば塩化ニオブ（ＮｂＣｌ５ ）及びジク
ロルシラン（Ｓ ｉＨ＊ Ｃ５）から成るガス状化合物
を矢印１で示した個所から反応器２に導入′シ１次いで
これを予め例えばｌ０Ｐａの圧力に真空化し、基材を２
００〜４５０℃の温度に加熱した。真空ポンプへの接合
は矢印３で示されている。真空ポンプの吸引力は１反応
器内の反応ガス圧が６０〜１３５８Ｐａの範囲内にある
ように調整する。矢印１で導入された反応ガス（これは
キャリヤガスとしての水素と混合されていてもよい）は
反応器２の外に配置された誘導コイル５によリグロー放
電によって分解され、加熱された基材保持体６上に存在
する基材７（これは例えばデバイス構造を有するケイ素
結晶板から成る）にケイ化ニオブ層８として沈殿する。
反応器２内は誘導結合により析出中プラズマを、被１す
べき基材７が発ｙｔ、縁９（陰極グロー）により囲まれ
るように調整する。ケイ化ニオブを析出する場合発生器
の周波数は３ＭＨｚ にまたその出力は３ｋＷに調整
する。この場合基材７は一５０Ｖの電位にある。
べき基材７が発ｙｔ、縁９（陰極グロー）により囲まれ
るように調整する。ケイ化ニオブを析出する場合発生器
の周波数は３ＭＨｚ にまたその出力は３ｋＷに調整
する。この場合基材７は一５０Ｖの電位にある。
基材７を４０θ℃に加熱するには高周波コイル５によっ
てまた反応器２内に配設された基材保持体６の付加的な
加熱材１０によって行なうことが′できる。基材７の加
熱は熱電対１１によって制御する。反応器２内の圧力は
析出中６００Ｐａに維持する。基材温度が３５０ へ４
２０℃の範囲内にある場合成長速度は８ ｎｒｎ／ｍｉ
ｎである。層厚の変動は直径７５ｍ１ｌＩの基材で測定
した場合５％よりも小さい。
てまた反応器２内に配設された基材保持体６の付加的な
加熱材１０によって行なうことが′できる。基材７の加
熱は熱電対１１によって制御する。反応器２内の圧力は
析出中６００Ｐａに維持する。基材温度が３５０ へ４
２０℃の範囲内にある場合成長速度は８ ｎｒｎ／ｍｉ
ｎである。層厚の変動は直径７５ｍ１ｌＩの基材で測定
した場合５％よりも小さい。
図面は例えばケイ化ニオブな析出する一実施例を示す略
本図である。′ ２・・・反応器、５・・・誘導コイル、６・・・基材保
持体、 ７・・・基材、 ８・・・ケイ化ニオブ層。 ９・・・発光縁、 １０・・・加熱体、 １１・・・
熱電対。
本図である。′ ２・・・反応器、５・・・誘導コイル、６・・・基材保
持体、 ７・・・基材、 ８・・・ケイ化ニオブ層。 ９・・・発光縁、 １０・・・加熱体、 １１・・・
熱電対。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １） ガス状の金属化合物を含む雰囲気（２）中で減圧
下にグロー放電により金属又は金属化合物を分解させ、
低い基材温度で反応ガスに苅して不活性の基材（７）上
に沈殿させる形式の、金属又は金属化合物を蒸気相から
析出させることにより高融点の金属又は金属化合物から
、特に電子デバイス及び電Ｐ回路用として使用されるよ
うな層（８）を製造する方法において、グロー放電を高
周波エネルギー（５）の誘導結合により生ぜしめ、その
際プラズマを、被層すべき基材（７）が陰極グロー（９
）の範囲内にあるように調整することを特徴とする高融
点金属又は金属化合物から成る−の製造方法。 ２）周波数が０．４へ１４ＶＩＨｚ の範囲内にあり
。 高周波発生器の出力がＯ，Ｓ〜５ ｋＷの範囲内にあり
、この場合基材（７）が−１Ｏ０ｖ〜＋５０ｖの電位に
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の方法
。 ３）析出中基材温度が２００〜４５０℃の範囲内にあり
、圧力がｑＯ〜１３５０Ｐａの範囲内にあることを特徴
とする特許請求の範囲第１項又は第ｚ項記戦の方法。 ４）基材（７）を高周波コイルを介して加熱することを
特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれ
かに記載の方法。 ５）出発材料として、アルミニウム、モリブデン、タン
グステン、ニオブ、タンタル、金及びケイ素のハロゲン
化物、及びケイ素のノ＼ロゲン化水素化合物を使用する
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第４項の
いずれかに記載の方法。 ６） 基材（７）として１部分的にか又は全体的に酸化
、ケイ素（Ｓｉｎｔ）、窒化ケイ素を有するか又は合成
樹脂ラッカを有するパターン形成されたケイ素結晶板を
使用することを特徴とする特許請求の範囲ＩＪ！１項な
いし第５項のいずれかに記載の方法。 ７） 基材（７）としてセラミック又は磁気材料又は例
えばポリイミド箔などの合成樹脂部材を使用することを
特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第５項のいずれ
かに記載の方法。 ８） 反応ガス（１）が付加的に水素を含むことを特徴
とする特許請求の範囲第１項ないし第７項のいずれかに
記載の方法。 ９） 金属化合物用キャリヤガスとして不活性ガスを使
用することを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第
７項のいずれかに記載の方法。 １０） 集積半導体回路における多層配線、ＲＣ回路
燭接触導電路、薄ｌＩｎ電体上への電極層。 合成樹脂部材の金属メッキ及び反射層及び吸収層の製造
に使用することを特徴とする特許請求の範囲第１項ない
し第９項のいずれかに
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE32064217 | 1982-02-23 | ||
| DE19823206421 DE3206421A1 (de) | 1982-02-23 | 1982-02-23 | Verfahren zum herstellen von schichten aus hochschmelzenden metallen bzw. metallverbindungen durch abscheidung aus der dampfphase |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58157963A true JPS58157963A (ja) | 1983-09-20 |
Family
ID=6156445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2840983A Pending JPS58157963A (ja) | 1982-02-23 | 1983-02-22 | 高融点金属又は金属化合物から成る層の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0087151A3 (ja) |
| JP (1) | JPS58157963A (ja) |
| DE (1) | DE3206421A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06337052A (ja) * | 1993-05-27 | 1994-12-06 | Makino Milling Mach Co Ltd | 送り装置 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3425468A1 (de) * | 1984-07-11 | 1986-01-23 | Battelle-Institut E.V., 6000 Frankfurt | Verfahren zur herstellung von goldfarbenen titannitrid-schichten |
| DE3717955A1 (de) * | 1987-05-25 | 1988-12-08 | Schering Ag | Verfahren zur herstellung von duennen molybdaen-filmen durch abscheidung in glimmentladungszonen |
| DE3842919C2 (de) * | 1988-12-21 | 1995-04-27 | Calor Emag Elektrizitaets Ag | Schaltstück für einen Vakuumschalter |
| US6294466B1 (en) * | 1998-05-01 | 2001-09-25 | Applied Materials, Inc. | HDP-CVD apparatus and process for depositing titanium films for semiconductor devices |
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