JPS5815362U - 高耐圧半導体整流素子 - Google Patents
高耐圧半導体整流素子Info
- Publication number
- JPS5815362U JPS5815362U JP10937981U JP10937981U JPS5815362U JP S5815362 U JPS5815362 U JP S5815362U JP 10937981 U JP10937981 U JP 10937981U JP 10937981 U JP10937981 U JP 10937981U JP S5815362 U JPS5815362 U JP S5815362U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage semiconductor
- high voltage
- semiconductor rectifier
- rectifying element
- drum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Rectifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第1図、第2図は従来構造を示す断面図、第3図、第4
図は本考案の実施例構造を示す断面図である。 図において、1は高耐圧整流素子の各単位体、1a〜1
dはダイオードペレット、1e〜1hはベース電極、2
はリード線、2′及び2’ a、 2′bはリード線端
子部、2″は回り止め部、3は表面保護材、4は鼓状接
続子、4′及び4’ a〜4’ dは鼓状接続子端子部
、5は封止樹脂、6は表面保護材の沿面距離である。
図は本考案の実施例構造を示す断面図である。 図において、1は高耐圧整流素子の各単位体、1a〜1
dはダイオードペレット、1e〜1hはベース電極、2
はリード線、2′及び2’ a、 2′bはリード線端
子部、2″は回り止め部、3は表面保護材、4は鼓状接
続子、4′及び4’ a〜4’ dは鼓状接続子端子部
、5は封止樹脂、6は表面保護材の沿面距離である。
Claims (1)
- 複数個の半導体整流ベレットを同一整流方向に積層した
整流素子単位体を所要耐圧に応じて複数個鼓状接続子を
用いて直列接続してなる高耐圧半導体整流素子において
前記鼓状接続子の端子部周縁に溝もしくは凹部を設けた
ことを特徴とする高耐圧半導体整流素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10937981U JPS5815362U (ja) | 1981-07-23 | 1981-07-23 | 高耐圧半導体整流素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10937981U JPS5815362U (ja) | 1981-07-23 | 1981-07-23 | 高耐圧半導体整流素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5815362U true JPS5815362U (ja) | 1983-01-31 |
Family
ID=29903759
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10937981U Pending JPS5815362U (ja) | 1981-07-23 | 1981-07-23 | 高耐圧半導体整流素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5815362U (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61173403U (ja) * | 1985-04-17 | 1986-10-28 | ||
JPS61173402U (ja) * | 1985-04-17 | 1986-10-28 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5128463A (ja) * | 1974-09-03 | 1976-03-10 | Nippon Electric Co | Toranjisutakairo |
JPS5145981A (ja) * | 1974-10-17 | 1976-04-19 | Matsushita Electronics Corp | Kotaiatsuseiryusoshi |
JPS522597A (en) * | 1975-06-24 | 1977-01-10 | Glory Ltd | Liquid discharging machine |
JPS532167B2 (ja) * | 1973-08-07 | 1978-01-26 |
-
1981
- 1981-07-23 JP JP10937981U patent/JPS5815362U/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS532167B2 (ja) * | 1973-08-07 | 1978-01-26 | ||
JPS5128463A (ja) * | 1974-09-03 | 1976-03-10 | Nippon Electric Co | Toranjisutakairo |
JPS5145981A (ja) * | 1974-10-17 | 1976-04-19 | Matsushita Electronics Corp | Kotaiatsuseiryusoshi |
JPS522597A (en) * | 1975-06-24 | 1977-01-10 | Glory Ltd | Liquid discharging machine |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61173403U (ja) * | 1985-04-17 | 1986-10-28 | ||
JPS61173402U (ja) * | 1985-04-17 | 1986-10-28 |
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