JPS6081665U - 積層型半導体高圧整流素子 - Google Patents
積層型半導体高圧整流素子Info
- Publication number
- JPS6081665U JPS6081665U JP1983173945U JP17394583U JPS6081665U JP S6081665 U JPS6081665 U JP S6081665U JP 1983173945 U JP1983173945 U JP 1983173945U JP 17394583 U JP17394583 U JP 17394583U JP S6081665 U JPS6081665 U JP S6081665U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- high voltage
- semiconductor high
- voltage rectifier
- stacked semiconductor
- insulator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Details Of Television Systems (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第1図は積層型半導体高圧整流素子の概念図、第2図は
従来の積層型半導体高圧整流素子の等価回路図、第3図
は第2図の回路における電圧分布線図、第4図は本考案
の一実施例の素子の絶縁体の一部を残しての断面図、第
5図は第4図に示す素子の等価回路図である。− L law lbt・・・・・・1n・・・ダイオ
ードチップ、2・・・・・・アノードリード、3・・・
・・・カソードリード、4・・・・・・絶縁体、12.
13・・・・・・導体層。
従来の積層型半導体高圧整流素子の等価回路図、第3図
は第2図の回路における電圧分布線図、第4図は本考案
の一実施例の素子の絶縁体の一部を残しての断面図、第
5図は第4図に示す素子の等価回路図である。− L law lbt・・・・・・1n・・・ダイオ
ードチップ、2・・・・・・アノードリード、3・・・
・・・カソードリード、4・・・・・・絶縁体、12.
13・・・・・・導体層。
Claims (1)
- 複数個のダイオードチップを一体に積層して直列接続し
、その両端にリードを接続して絶縁体により封止したも
のにおいて、絶縁体の表面上にそれぞれ両リードに接触
し、周方向に閉じて互に接近する方向に延びる導体層を
備えたことを特徴とする積層型半導体高圧整流素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1983173945U JPS6081665U (ja) | 1983-11-10 | 1983-11-10 | 積層型半導体高圧整流素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1983173945U JPS6081665U (ja) | 1983-11-10 | 1983-11-10 | 積層型半導体高圧整流素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6081665U true JPS6081665U (ja) | 1985-06-06 |
Family
ID=30378807
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1983173945U Pending JPS6081665U (ja) | 1983-11-10 | 1983-11-10 | 積層型半導体高圧整流素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6081665U (ja) |
-
1983
- 1983-11-10 JP JP1983173945U patent/JPS6081665U/ja active Pending
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