JPS5814540A - 薄膜作製方法及び作製装置 - Google Patents
薄膜作製方法及び作製装置Info
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- JPS5814540A JPS5814540A JP11084081A JP11084081A JPS5814540A JP S5814540 A JPS5814540 A JP S5814540A JP 11084081 A JP11084081 A JP 11084081A JP 11084081 A JP11084081 A JP 11084081A JP S5814540 A JPS5814540 A JP S5814540A
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- thin film
- plasma
- substrate
- evaporation
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/62—Plasma-deposition of organic layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0605—Carbon
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- Plasma & Fusion (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、基板上に蒸着膜、四時蒸膚膜及びプラズマ重
合膜、微粒子分散プラズマｉ合膜の薄膜を作製し積層す
る薄膜作製方法及びそれに用いる装置に関するものであ
る。
合膜、微粒子分散プラズマｉ合膜の薄膜を作製し積層す
る薄膜作製方法及びそれに用いる装置に関するものであ
る。
従来この株の作製法は第１図（Ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏｆ
Ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇ７ ｓＭａｉ
ｓａｅｌ ａｎｄ Ｇｌａｎｇ 。
Ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇ７ ｓＭａｉ
ｓａｅｌ ａｎｄ Ｇｌａｎｇ 。
Ｍｃ、ＧＲＡＷ−Ｈｌｌｌ Ｂｏｏｋ Ｃｏｍｐａｎ７
審Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ Ｉ −９０より引用ンに示され
る構成の装置Ｋよって作製されていた。
審Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ Ｉ −９０より引用ンに示され
る構成の装置Ｋよって作製されていた。
基板５ＵＢＫは蒸発源から蒸着物質Ｔ＋ −Ｔ＊が蒸発
しｓ Ｔａなる薄膜が作製されていた。ところがシール
ド板Ｓで蒸着源は分離されているがｓ ’ｒ、 ＃ ’
ｒ＊の蒸発速度が極端に異なると蒸発源間でのまわり込
みや汚染が生じやすく、任意の割合の共蒸着物質を得る
ことは困難であった。
しｓ Ｔａなる薄膜が作製されていた。ところがシール
ド板Ｓで蒸着源は分離されているがｓ ’ｒ、 ＃ ’
ｒ＊の蒸発速度が極端に異なると蒸発源間でのまわり込
みや汚染が生じやすく、任意の割合の共蒸着物質を得る
ことは困難であった。
また基板上に作製できる薄膜（Ｔ１）も＠１図に示され
るように周辺部ではＴ、とＴ鵞の組成比が大幅に異なる
欠点を持っていた。
るように周辺部ではＴ、とＴ鵞の組成比が大幅に異なる
欠点を持っていた。
薄膜作製技術の１つとしてプラズマ重合法がある。プラ
ズマ重合中に蒸着を同時に行なうとプラズマ重合膜中に
蒸発物質を微粒子状態で分散させることが口」能である
が、蒸発源から均一に飛散蒸発する蒸発物とガスやプラ
ズマ自体に分布を生じるプラズマ重合膜との同時作製は
従来の方法では非常に困難であった０ 薄膜を積層する方法は第１図に示した従来の装置を用い
ても、蒸発源ｔｇ互に加熱することによって遣せられる
。しかし一方あ蒸発源が冷却停止するまでの時間と及び
ｌＡＭエネルギ供給源（電子銃、抵抗加熱用電源）の高
速な切替えが困難であるため、極端に薄い層（数〜数十
λ）１に積層してゆくためには長い作製時間が必要であ
った。
ズマ重合中に蒸着を同時に行なうとプラズマ重合膜中に
蒸発物質を微粒子状態で分散させることが口」能である
が、蒸発源から均一に飛散蒸発する蒸発物とガスやプラ
ズマ自体に分布を生じるプラズマ重合膜との同時作製は
従来の方法では非常に困難であった０ 薄膜を積層する方法は第１図に示した従来の装置を用い
ても、蒸発源ｔｇ互に加熱することによって遣せられる
。しかし一方あ蒸発源が冷却停止するまでの時間と及び
ｌＡＭエネルギ供給源（電子銃、抵抗加熱用電源）の高
速な切替えが困難であるため、極端に薄い層（数〜数十
λ）１に積層してゆくためには長い作製時間が必要であ
った。
このような理由のため同時蒸着膜、微粒子プラズマ重合
属及びこれらの積層膜を実用的な嵩子に応用することは
困難とされ、仁のような薄膜技術の発展紘作製法上の制
約面から不必要に妨けられてきた。
属及びこれらの積層膜を実用的な嵩子に応用することは
困難とされ、仁のような薄膜技術の発展紘作製法上の制
約面から不必要に妨けられてきた。
本発明は以上に述べた従来の薄膜作製法の欠点を解決す
る九め同時蒸着膜、微粒子分散プラズマ重合膜、積層膜
の新しい作製方法及びそれに用いる装置を提供するもの
である。
る九め同時蒸着膜、微粒子分散プラズマ重合膜、積層膜
の新しい作製方法及びそれに用いる装置を提供するもの
である。
以下図面について本発明の実施例を詳細に説明する。
おいて２１は円筒形の重合容器であって。
内Ｓは仕切板２１２によって３つのチャンノく−に区画
されている０２２は円板状の基板支持体であって、前記
のチャンバーの、渋方に軸（−示せず）により回転可能
に設けられているＯテヤンノ＜−ＡＫは高周滅電源ＴＩ
に接続されている高周波コイル易が設けられ、又蒸発用
電源２１１ Ｋ接続されている１着ボートあるいはルツ
ボ届が設けられている。父上方には膜厚測定ヘッド２１
３が設けられ、さらに膜厚修正膜２４及びシャッタｎが
設けられている。又チャンバーの下部にはモノマガス導
入口２１５が設けられている。チャンバーＢには蒸着ボ
ート又はルツボ拠か設けられ、蒸着ボー）２６の上方ｒ
ｃＦｉ反射率測定用ミラー２１４．Ｊ［厚測定子ヘッド
２１３が設けられ、チャンバーＢの下部にはロータリポ
ン１２９に連結された拡散ポンプあが連結されている０
次にこの装ｋｔ作動させ本発明による薄膜作製法を行な
うには以下の手Ｉ［を用いる００）基板ホルダｎに基板
を装着する０ （ロ）重合容器２１内を希望の真空度まで排気する０（
ハ）基板ホルダ２２ｖｉ？回転させ、定速で各チャンノ
（−を横切るようにする０ に）モノマ導入口２１５からモノマガスを容器内へ入れ
、＾周波コイル器に高周波を印加し、プラズマ重合を開
始する。
されている０２２は円板状の基板支持体であって、前記
のチャンバーの、渋方に軸（−示せず）により回転可能
に設けられているＯテヤンノ＜−ＡＫは高周滅電源ＴＩ
に接続されている高周波コイル易が設けられ、又蒸発用
電源２１１ Ｋ接続されている１着ボートあるいはルツ
ボ届が設けられている。父上方には膜厚測定ヘッド２１
３が設けられ、さらに膜厚修正膜２４及びシャッタｎが
設けられている。又チャンバーの下部にはモノマガス導
入口２１５が設けられている。チャンバーＢには蒸着ボ
ート又はルツボ拠か設けられ、蒸着ボー）２６の上方ｒ
ｃＦｉ反射率測定用ミラー２１４．Ｊ［厚測定子ヘッド
２１３が設けられ、チャンバーＢの下部にはロータリポ
ン１２９に連結された拡散ポンプあが連結されている０
次にこの装ｋｔ作動させ本発明による薄膜作製法を行な
うには以下の手Ｉ［を用いる００）基板ホルダｎに基板
を装着する０ （ロ）重合容器２１内を希望の真空度まで排気する０（
ハ）基板ホルダ２２ｖｉ？回転させ、定速で各チャンノ
（−を横切るようにする０ に）モノマ導入口２１５からモノマガスを容器内へ入れ
、＾周波コイル器に高周波を印加し、プラズマ重合を開
始する。
に）Ｓ着ボート邪に蒸発物質を入れ、蒸着を行なうＯ
（へ）膜厚測定ヘッド２１３及び反射ｉ ’） −２１
４ｉｌらの光反射ｖｃ工って、薄膜上作製しながら、薄
膜の膜厚測定を行なうＯ （ト）基板上に所定の膜厚の薄膜を作製する。
４ｉｌらの光反射ｖｃ工って、薄膜上作製しながら、薄
膜の膜厚測定を行なうＯ （ト）基板上に所定の膜厚の薄膜を作製する。
に）及び（ホ）の操作は独立に行うと蒸着膜、プラス！
重合膜が作製でき同時に行なうと蒸発物微粒子力五分散
したプラズマ重合膜が作製可能であるらまた、（ホ）を
２樵の異なるボートで同時に行なうと基板には同時蒸着
膜が作製されるＯこのような操作を繰り返すと、各種の
薄膜を容易に積層することカニできる０ 纂３図は同時蒸着膜の断面を示し、 ３１は基板、羽は
作製した同時蒸着膜を示している。第４図は微粒子分散
プラズマ重合膜で、４１は基板、４２ｒｉプラズマ重合
展、４３は微粒子を各々示している０第５図は４層の積
層膜の断面を示している０図中の５１に基板、５２，５
３，５４．恥は各々第１層、第２層。
重合膜が作製でき同時に行なうと蒸発物微粒子力五分散
したプラズマ重合膜が作製可能であるらまた、（ホ）を
２樵の異なるボートで同時に行なうと基板には同時蒸着
膜が作製されるＯこのような操作を繰り返すと、各種の
薄膜を容易に積層することカニできる０ 纂３図は同時蒸着膜の断面を示し、 ３１は基板、羽は
作製した同時蒸着膜を示している。第４図は微粒子分散
プラズマ重合膜で、４１は基板、４２ｒｉプラズマ重合
展、４３は微粒子を各々示している０第５図は４層の積
層膜の断面を示している０図中の５１に基板、５２，５
３，５４．恥は各々第１層、第２層。
第３層゛、第４層膜であるＯ各蒸発成分の膜厚は水晶振
動子式膜厚モニタ、反射率式膜厚モニタを用いて行なえ
ばよい。プラズマ重合等放電ノイズｔ発生する場合は反
射率式膜厚モニタが有効で、水晶振動子式ａｌｌ厚モニ
タには例えばインフイコン社ＩＩＸＴ−Ｍ等ノイズフィ
ルタを備えた膜厚モニタを用いればＮ贋の１い膜厚測定
が行なえる。
動子式膜厚モニタ、反射率式膜厚モニタを用いて行なえ
ばよい。プラズマ重合等放電ノイズｔ発生する場合は反
射率式膜厚モニタが有効で、水晶振動子式ａｌｌ厚モニ
タには例えばインフイコン社ＩＩＸＴ−Ｍ等ノイズフィ
ルタを備えた膜厚モニタを用いればＮ贋の１い膜厚測定
が行なえる。
＠６１Ｓ！Ｌ＠７ａｉ！１は上記の水晶振動子式膜厚測
定ａｔ−用いて本薄膜作製法で薄膜厚さを制御した例を
示す。第６図中６１はプラズマ重合Ｊ［Ｋ対する膜厚モ
ニタと＊側膜厚の関係を示す検量線である０１１ＩＥ７
図中のｎは微粒子分散プラズマ重合膜に対する膜厚モニ
タと実測膜厚の検量ＩＩＩｆ：示す０グラズマ重合膜、
微粒子分散プラズマ重合膜とも精度の＾い制御が行えた
。
定ａｔ−用いて本薄膜作製法で薄膜厚さを制御した例を
示す。第６図中６１はプラズマ重合Ｊ［Ｋ対する膜厚モ
ニタと＊側膜厚の関係を示す検量線である０１１ＩＥ７
図中のｎは微粒子分散プラズマ重合膜に対する膜厚モニ
タと実測膜厚の検量ＩＩＩｆ：示す０グラズマ重合膜、
微粒子分散プラズマ重合膜とも精度の＾い制御が行えた
。
第８図は反射率式膜厚モニタをプラズマ重合膜厚の測定
と制御に用いた例を示す。図中＄１ｅ−ｊ反射光強度の
強＊１示し、８２ｔｌｉ光源波長を用いて膜厚を求めた
値と実測値との検量線を示している。これも１１＃Ｒ度
の膜厚制御が本作製法で得られる結果を示している０ 第９図ＶＣ＃ｉ本薄膜作製法で用いた膜厚修正板の形状
例を示す。９１ａ４分割した仕切り板を示し、９２社膜
厚幣、止板を示しているＯこの形状は修正板なしの状態
で得られる膜厚分布ｔもとＫ１１１．合チャンバーと回
転基板ホルダとの接触時間上反比例させて補正するもの
で、容−形状等に拘らず容易に設計できる０ 第１０図は本薄膜作製法において膜厚修正効果を示す例
で図に示されるように、修正板挿入により顕著な均一性
の膜が得られることを示しているＯ図中１０１ ｔｉｔ
膜厚修正板止板前の薄膜の膜厚分布、１０２は挿入後の
膜厚分布を示している０薄膜作製の実施例を以下に示す
Ｏ 〔実施例１〕 ガラス基板を用い二硫化炭素（Ｃ８ｍ）’ｔガス圧４．
５ Ｘ １０−”Ｔｏｒｒ ｅ流量Ｘ）ｃｅ／分、放電
／＜ワー２００Ｗの条件でプラズマ重合を行ったｏＩＬ
合速度は７．５＾／秒であった０同時にＴｅｔ４，５λ
／秒の、蒸着速度で蒸発させるとＴｅ黴粒子が体積比３
８チでＣ８ｔプラズマ重合躾に分散した薄膜が作製でき
た。 □膜厚分布は第１０図の１０２ Ｋ示したもの
で非常に均一なＴ・微粒子分散膜が得られたＯ 〔実施例２〕 ガラス円板上にＡＬｔ−蒸着し、その上にＣＳｍプラズ
マ重合膜を〔実施例１〕と同条件で０．３０＃Ｒ作製し
、さらにその上にＴｅ黴微粒ｔ９０体積−含んだＣ８ｍ
プラズマ重合膜１００λ厚を積層した◇この３層の積層
膜は最上層Ｔｏ微粒子分散ＣＢ、プラスマ重合属と下層
Ｍ膜間で光干渉により無反射構造となり、液長８２５
ｎｒｎの半導体レーザで記錯−再生を行なったところ記
録前反射率５−記録後反射率８〇−で記録閾値１０ ｍ
Ｊ ／−のすぐれたレーザ記ａＳ性が得られた。
と制御に用いた例を示す。図中＄１ｅ−ｊ反射光強度の
強＊１示し、８２ｔｌｉ光源波長を用いて膜厚を求めた
値と実測値との検量線を示している。これも１１＃Ｒ度
の膜厚制御が本作製法で得られる結果を示している０ 第９図ＶＣ＃ｉ本薄膜作製法で用いた膜厚修正板の形状
例を示す。９１ａ４分割した仕切り板を示し、９２社膜
厚幣、止板を示しているＯこの形状は修正板なしの状態
で得られる膜厚分布ｔもとＫ１１１．合チャンバーと回
転基板ホルダとの接触時間上反比例させて補正するもの
で、容−形状等に拘らず容易に設計できる０ 第１０図は本薄膜作製法において膜厚修正効果を示す例
で図に示されるように、修正板挿入により顕著な均一性
の膜が得られることを示しているＯ図中１０１ ｔｉｔ
膜厚修正板止板前の薄膜の膜厚分布、１０２は挿入後の
膜厚分布を示している０薄膜作製の実施例を以下に示す
Ｏ 〔実施例１〕 ガラス基板を用い二硫化炭素（Ｃ８ｍ）’ｔガス圧４．
５ Ｘ １０−”Ｔｏｒｒ ｅ流量Ｘ）ｃｅ／分、放電
／＜ワー２００Ｗの条件でプラズマ重合を行ったｏＩＬ
合速度は７．５＾／秒であった０同時にＴｅｔ４，５λ
／秒の、蒸着速度で蒸発させるとＴｅ黴粒子が体積比３
８チでＣ８ｔプラズマ重合躾に分散した薄膜が作製でき
た。 □膜厚分布は第１０図の１０２ Ｋ示したもの
で非常に均一なＴ・微粒子分散膜が得られたＯ 〔実施例２〕 ガラス円板上にＡＬｔ−蒸着し、その上にＣＳｍプラズ
マ重合膜を〔実施例１〕と同条件で０．３０＃Ｒ作製し
、さらにその上にＴｅ黴微粒ｔ９０体積−含んだＣ８ｍ
プラズマ重合膜１００λ厚を積層した◇この３層の積層
膜は最上層Ｔｏ微粒子分散ＣＢ、プラスマ重合属と下層
Ｍ膜間で光干渉により無反射構造となり、液長８２５
ｎｒｎの半導体レーザで記錯−再生を行なったところ記
録前反射率５−記録後反射率８〇−で記録閾値１０ ｍ
Ｊ ／−のすぐれたレーザ記ａＳ性が得られた。
〔実施例３〕
アクリル基板を用い２つの蒸着ボートからフルオレセイ
ンとＴ＠ｔ−蒸着した。フルオレセインの蒸着速度性５
λ／秒、Ｔ・の蒸着速度は５Ａ／秒とした０１板上には
Ｔｅ黴粒子が団体積−含まれたフルオレセイン膜が作製
できた。この薄膜はレーザ光記鍮媒体として用いると３
０ｍＪ／ａｆの高感ｔな記―閾値を示した０ 〔実施例４〕 アクリル基板を用い、スチレンをガス圧５Ｘ１０−’Ｔ
ｏｒｒ 、流量１５ｃｃ／分、放電ノ（ワー１００ Ｗ
の条件でプラズマ重合を行なった０重合速度は１０１７
秒であった◎同時ＫＢｉｔ−２λ／秒の速度で蒸着した
。
ンとＴ＠ｔ−蒸着した。フルオレセインの蒸着速度性５
λ／秒、Ｔ・の蒸着速度は５Ａ／秒とした０１板上には
Ｔｅ黴粒子が団体積−含まれたフルオレセイン膜が作製
できた。この薄膜はレーザ光記鍮媒体として用いると３
０ｍＪ／ａｆの高感ｔな記―閾値を示した０ 〔実施例４〕 アクリル基板を用い、スチレンをガス圧５Ｘ１０−’Ｔ
ｏｒｒ 、流量１５ｃｃ／分、放電ノ（ワー１００ Ｗ
の条件でプラズマ重合を行なった０重合速度は１０１７
秒であった◎同時ＫＢｉｔ−２λ／秒の速度で蒸着した
。
アクリル基板にはＢ１微粒子が１７体積−の比で分散さ
れたスチレンプラズマ重合膜が作製できた。このＢ１１
層子分散スチレンプラズマ重合膜扛レーザ光記鎌媒体と
して用いられ５０＊Ｊ／−の記録閾値を示した０ 〔実施例５〕 ネサ透別電極付ガラス基１［Ｋｉｌ化カドミニウム（Ｃ
ｄＳ）とイオン（Ｓ） ｔ−各々独立した蒸着ボートか
ら蒸発させＣｄＳとＳの同時蒸着換金作製した０Ｃｄ８
の蒸着速度（２００λ／秒）、Ｓの速度は５Ａ／秒とし
た。通常Ｃｄ８の単独蒸着では蒸着膜の組成はＳが失な
われてＣｄ１Ｂ（１−ｓ） （１＞ ａ ＞ ０ ）と
なりＣｄＳ蒸着膜にｒｉｇ欠陥が発生する。しかし本実
施例５ ノ！ ｊ Ｋ ＣｄＳ ト８１２）１８１５１
３１着１１ｔＩＣｄ、Ｓｌノ組成でＴｏｐ、電気的特性
の良好なＣｄＳ薄膜が得られたＯ 以上説明したように本発明による薄膜作製方法は同時蒸
着膜、プラズマ重合膜、微粒子分散プラズｉ重合膜を容
易に作製できる。また各種の薄膜を積層することも簡単
に短時間で行なえる。例えば反射防止用多層膜コーティ
ングなど光学用部品に要求されるマルチコート技術、基
板上に大面積に均一な薄膜作製技術を景するレーザ光記
録媒体の作製に用いると、多層の薄膜を迅速に製作する
ことができる利点を持っている。
れたスチレンプラズマ重合膜が作製できた。このＢ１１
層子分散スチレンプラズマ重合膜扛レーザ光記鎌媒体と
して用いられ５０＊Ｊ／−の記録閾値を示した０ 〔実施例５〕 ネサ透別電極付ガラス基１［Ｋｉｌ化カドミニウム（Ｃ
ｄＳ）とイオン（Ｓ） ｔ−各々独立した蒸着ボートか
ら蒸発させＣｄＳとＳの同時蒸着換金作製した０Ｃｄ８
の蒸着速度（２００λ／秒）、Ｓの速度は５Ａ／秒とし
た。通常Ｃｄ８の単独蒸着では蒸着膜の組成はＳが失な
われてＣｄ１Ｂ（１−ｓ） （１＞ ａ ＞ ０ ）と
なりＣｄＳ蒸着膜にｒｉｇ欠陥が発生する。しかし本実
施例５ ノ！ ｊ Ｋ ＣｄＳ ト８１２）１８１５１
３１着１１ｔＩＣｄ、Ｓｌノ組成でＴｏｐ、電気的特性
の良好なＣｄＳ薄膜が得られたＯ 以上説明したように本発明による薄膜作製方法は同時蒸
着膜、プラズマ重合膜、微粒子分散プラズｉ重合膜を容
易に作製できる。また各種の薄膜を積層することも簡単
に短時間で行なえる。例えば反射防止用多層膜コーティ
ングなど光学用部品に要求されるマルチコート技術、基
板上に大面積に均一な薄膜作製技術を景するレーザ光記
録媒体の作製に用いると、多層の薄膜を迅速に製作する
ことができる利点を持っている。
特に光の干渉効果を用いたレーザ光記録媒体は薄膜の積
層によって構成されるが、干渉効果管用いるため各層の
精度の高い膜厚制御技術と媒体面での広い面積にわたる
膜厚分布の均一性が必要とされる０本発明による薄膜作
製方法は膜厚制御と均一性の両方を容易に満たすことが
でき、非常に嵐質なレーザ光記録媒体の作製を簡便に行
なうことができる。
層によって構成されるが、干渉効果管用いるため各層の
精度の高い膜厚制御技術と媒体面での広い面積にわたる
膜厚分布の均一性が必要とされる０本発明による薄膜作
製方法は膜厚制御と均一性の両方を容易に満たすことが
でき、非常に嵐質なレーザ光記録媒体の作製を簡便に行
なうことができる。
第１図は従来の同時蒸着装置の断面図、第２図拡本発明
に用いる薄膜作製装置の例を示す０第３図は本発明によ
る薄膜作製法で作製した同時蒸着膜の断面図、第４図は
本発明による薄膜作製法で作製した微粒子分散膜の断面
図、第５図は本薄膜作製法で作製した４次積層展の断面
図、第６図は本薄膜作製法で用いた膜厚制御法の例、第
７図は本薄膜作製方法で用いた膜厚制御法の例、＠８図
（イ）、（０）は本薄膜作製装置で用いた膜厚制御法の
例で（（）は実測膜厚、−）は反射光強度、第９図はプ
ラズマ重合膜用膜厚分布補正板形状、＠１０図は膜厚分
布修正板の効果を示す０ ２１・・・・・・重合容暢ｓ ２２”・・・・・基板ホ
ルタ、ム・・・・・、７ヤツタ、為・・・・・・膜厚修
正板、怒・・・・・・高周波コイル。 瀝・・・・・・蒸着用ボー）、２７−−−−−・高周波
電源、四・・・・・・拡散ポンプ、器・・・・・・ロー
タリーポンプ、２１１・・・・・・蒸着用電源、２１２
・・・・・・仕切板、ｚ１３・・・・・・膜厚測定ヘッ
ド、２１４・・・・・・反射率式展厚毛゛ニタ用ミラー
、２１５・・・・・・モノマガス導入口、３１・・・・
・・基板、羽・・・・・・同時蒸着膜、４１・・・・・
・基板、招・・・・・・プラズマ重合膜、 Ｃ・・
・・・・微粒子、５１・・・・・・基板、９１・・・・
・・仕切板、９２・・・・・・・・・膜厚修正膜 才化 １ 一、ｙ く 」 ↑ ７ｒ３図 ′°” ７．ツ ー叫：；
に用いる薄膜作製装置の例を示す０第３図は本発明によ
る薄膜作製法で作製した同時蒸着膜の断面図、第４図は
本発明による薄膜作製法で作製した微粒子分散膜の断面
図、第５図は本薄膜作製法で作製した４次積層展の断面
図、第６図は本薄膜作製法で用いた膜厚制御法の例、第
７図は本薄膜作製方法で用いた膜厚制御法の例、＠８図
（イ）、（０）は本薄膜作製装置で用いた膜厚制御法の
例で（（）は実測膜厚、−）は反射光強度、第９図はプ
ラズマ重合膜用膜厚分布補正板形状、＠１０図は膜厚分
布修正板の効果を示す０ ２１・・・・・・重合容暢ｓ ２２”・・・・・基板ホ
ルタ、ム・・・・・、７ヤツタ、為・・・・・・膜厚修
正板、怒・・・・・・高周波コイル。 瀝・・・・・・蒸着用ボー）、２７−−−−−・高周波
電源、四・・・・・・拡散ポンプ、器・・・・・・ロー
タリーポンプ、２１１・・・・・・蒸着用電源、２１２
・・・・・・仕切板、ｚ１３・・・・・・膜厚測定ヘッ
ド、２１４・・・・・・反射率式展厚毛゛ニタ用ミラー
、２１５・・・・・・モノマガス導入口、３１・・・・
・・基板、羽・・・・・・同時蒸着膜、４１・・・・・
・基板、招・・・・・・プラズマ重合膜、 Ｃ・・
・・・・微粒子、５１・・・・・・基板、９１・・・・
・・仕切板、９２・・・・・・・・・膜厚修正膜 才化 １ 一、ｙ く 」 ↑ ７ｒ３図 ′°” ７．ツ ー叫：；
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （υ 真空蒸着、プラズマ１合を同時にかつ蝕立に行な
うことができる複数の仕切板によって仕切られたチャン
バーを有する容器中で、基板を回転させながら真空蒸看
、プラズマ重合を行なうことＫより基板上に１６層膜、
プラズマ１合膜あるいはこれらの複合層を作製すること
を特徴とする薄膜作製方法。 （２）有機物蒸着と無機物蒸層會同時に行なうことに１
９、有機物中ＶＣ無機物微粒子を分散させた薄膜を作製
することを特徴とする特許請求の範囲＃！１項記載の薄
膜作製方法。 （３） プラズマ車台と無機物の蒸着を同時１０行な
うことによって、プラズマ１合膜中に無機物微粒子が分
散された薄膜を基板上に作製する特ＩＦＦ結氷の範囲第
１項記載の薄膜作製方法。 （４）無機物を同＃ｆｒｃ蒸発させることにより基板上
に無機物の同時蒸着膜を作製する特ｌＦＦ１ｉｊｔ求の
範ＷＩＵ第１項記載の薄膜作製方法。 （５）排気口及びモノマガス導入口を設け、かつ内部を
仕切板によって区画して複数のチャンノく−を形成せし
めた容器と、前記のテヤンノ（−内に設けられた真空蒸
上装置又はプラズマ菖台装ば又は両装置と、前記のチャ
ンノ（−に対して回転自在に設けられ′ｆｃ−ｈ板取付
用支持体とを備えることを特徴とする薄層作製装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11084081A JPS5814540A (ja) | 1981-07-17 | 1981-07-17 | 薄膜作製方法及び作製装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11084081A JPS5814540A (ja) | 1981-07-17 | 1981-07-17 | 薄膜作製方法及び作製装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5814540A true JPS5814540A (ja) | 1983-01-27 |
Family
ID=14545991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11084081A Pending JPS5814540A (ja) | 1981-07-17 | 1981-07-17 | 薄膜作製方法及び作製装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5814540A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6080251U (ja) * | 1983-11-07 | 1985-06-04 | エクセン株式会社 | 棒状インナ−コンクリ−トバイブレ−タのキヤブタイヤコ−ド引出部のコ−ド圧着構造 |
| EP0376333A2 (en) * | 1988-12-29 | 1990-07-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing polyimide thin film and apparatus |
| WO2021120540A1 (zh) * | 2019-12-18 | 2021-06-24 | 江苏菲沃泰纳米科技有限公司 | 镀膜设备及其镀膜方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5350973A (en) * | 1976-10-20 | 1978-05-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Vapor phase growth method and vapor phase growth apparatus |
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-
1981
- 1981-07-17 JP JP11084081A patent/JPS5814540A/ja active Pending
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