JPS5814409A - コンデンサ - Google Patents
コンデンサInfo
- Publication number
- JPS5814409A JPS5814409A JP11201881A JP11201881A JPS5814409A JP S5814409 A JPS5814409 A JP S5814409A JP 11201881 A JP11201881 A JP 11201881A JP 11201881 A JP11201881 A JP 11201881A JP S5814409 A JPS5814409 A JP S5814409A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitor
- sample
- resin
- dielectric
- complex salt
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Organic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
仁の発明はコンデンサＩ【関する。 、近呻電気機
器の小ｗｉやにとへない、そこに使用されるコンデンサ
としても小型化、・高性能化が要求されるようになって
きた。従来のコンデンサでは、たとえばＩリブロビジン
、ｌリスチジン等の高分子材料が薄葉−電体として広く
使用されているが、−電率が２〜４といった低い値であ
るた、め、これをもってしては、コンデンサの充分な小
型化は来し得ない。
器の小ｗｉやにとへない、そこに使用されるコンデンサ
としても小型化、・高性能化が要求されるようになって
きた。従来のコンデンサでは、たとえばＩリブロビジン
、ｌリスチジン等の高分子材料が薄葉−電体として広く
使用されているが、−電率が２〜４といった低い値であ
るた、め、これをもってしては、コンデンサの充分な小
型化は来し得ない。
仁の発明は上述の事柄に鑑みて提案されたも、の、で、
誘電率が大基な高分子誘電体を用いた新規なコンデンサ
である。
誘電率が大基な高分子誘電体を用いた新規なコンデンサ
である。
この発明は１．３−ジチアシクロヘキサン−２−イにウ
ムカチオン−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタ
ン複雑塩を、絶縁性ポリマーに分散してなる高分子誘電
体を備えたことを特徴とする。
ムカチオン−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタ
ン複雑塩を、絶縁性ポリマーに分散してなる高分子誘電
体を備えたことを特徴とする。
前記１．３−ジチアシクロヘキサン−２−イミニウムカ
チオン７、７． ａ ８−テトラシアノキノジメタン複
雑塩（以下ξ、れを単に褌雑塩と略称する。）の一般式
を示せば次の通りである。゛ ・ ■ま ただし、几はアルキル基又はフェニル基を、又ＴＣＮＱ
は一般式 ％式％ ブージンドする絶縁性ポリマーとしては、熱可田性又は
熱硬化性樹脂のい量れ！もよい。熱硬化性樹脂としては
、耐すエチレン、ポリブ四ピレン等のポリオレフィン樹
脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタ
レート等のプリエステル樹謄或いはポリ塩化ビニル、ポ
リビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリスチ
レン、ナイロン、ポリメチルペンテン、ポリスルホン等
が使用できる。又熱硬化性樹脂としてはポリエステル樹
脂、フェノール樹脂、工４キシ樹脂等が使用できる。
チオン７、７． ａ ８−テトラシアノキノジメタン複
雑塩（以下ξ、れを単に褌雑塩と略称する。）の一般式
を示せば次の通りである。゛ ・ ■ま ただし、几はアルキル基又はフェニル基を、又ＴＣＮＱ
は一般式 ％式％ ブージンドする絶縁性ポリマーとしては、熱可田性又は
熱硬化性樹脂のい量れ！もよい。熱硬化性樹脂としては
、耐すエチレン、ポリブ四ピレン等のポリオレフィン樹
脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタ
レート等のプリエステル樹謄或いはポリ塩化ビニル、ポ
リビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリスチ
レン、ナイロン、ポリメチルペンテン、ポリスルホン等
が使用できる。又熱硬化性樹脂としてはポリエステル樹
脂、フェノール樹脂、工４キシ樹脂等が使用できる。
複雑塩を熱可塑性樹脂にブレンドするには、複雑塩のみ
を溶解する溶剤を用い熱可塑性樹脂の溶融物あるいは溶
解物と混合してもよいし、又両者を溶解し得る溶剤を用
い、両者の所定量を混合しキャスト法、インフレーショ
ン法、テンター法等によりフィルム状の高分子誘電体を
得ればよい。
を溶解する溶剤を用い熱可塑性樹脂の溶融物あるいは溶
解物と混合してもよいし、又両者を溶解し得る溶剤を用
い、両者の所定量を混合しキャスト法、インフレーショ
ン法、テンター法等によりフィルム状の高分子誘電体を
得ればよい。
前記溶剤としては、ジメチルホルムアミド、ジメチルア
セトアミド系の溶媒、ジクロルメタンなどのハロゲン系
有機溶剤を単独又は混合して用いるとよい。要は前記両
成分を混合できるものであれば何れのものでもよい。熱
硬化性樹脂にブレンドするには、溶剤たとえばジメチル
ホルムアミドで前記複雑塩を溶解し、これを樹脂に混入
し、かく拌混合してから、加熱減圧で溶剤を飛散除去し
、そのあと樹脂硬化剤を添加して所定の高分子誘電体を
得ればよい。
セトアミド系の溶媒、ジクロルメタンなどのハロゲン系
有機溶剤を単独又は混合して用いるとよい。要は前記両
成分を混合できるものであれば何れのものでもよい。熱
硬化性樹脂にブレンドするには、溶剤たとえばジメチル
ホルムアミドで前記複雑塩を溶解し、これを樹脂に混入
し、かく拌混合してから、加熱減圧で溶剤を飛散除去し
、そのあと樹脂硬化剤を添加して所定の高分子誘電体を
得ればよい。
なお、複雑塩の混合割合は、これとブレンドする絶縁性
ポリマーの種類や、高分子誘電体を用いるコンデンサの
用途定格なｉ融縫違するが、一般的暑ζは０．５〜４ｗ
ｔ％の範囲とするのが好ましい。こｎは、その混合割合
がｏ、ｓ ｖｒｔ ＊未満では誘電率向上効果が少なく
、又４．ＯＷｔ＊を越えると比抵抗が１０１Ｏオーム１
未満に低下してしまい誘電体として好ましくなるためで
ある。
ポリマーの種類や、高分子誘電体を用いるコンデンサの
用途定格なｉ融縫違するが、一般的暑ζは０．５〜４ｗ
ｔ％の範囲とするのが好ましい。こｎは、その混合割合
がｏ、ｓ ｖｒｔ ＊未満では誘電率向上効果が少なく
、又４．ＯＷｔ＊を越えると比抵抗が１０１Ｏオーム１
未満に低下してしまい誘電体として好ましくなるためで
ある。
次にこの発明の実施例について説明する。以下に示すよ
うな構造式をもつ複雑塩とポリプロピレン樹脂とを第１
表に示した配合割合で添加し、均一に混合したのち、イ
ンフレーション法によす作った厚さ１８μｍの高分子誘
電体を３枚重ね合わせて薄葉誘電体層とし、これとアル
ミニウム酒を巻回したコンデンサ素子に鉱物油を含浸し
て電力用のオールフィルムコンデンサである供試品（ム
１〜６）を製作した。
うな構造式をもつ複雑塩とポリプロピレン樹脂とを第１
表に示した配合割合で添加し、均一に混合したのち、イ
ンフレーション法によす作った厚さ１８μｍの高分子誘
電体を３枚重ね合わせて薄葉誘電体層とし、これとアル
ミニウム酒を巻回したコンデンサ素子に鉱物油を含浸し
て電力用のオールフィルムコンデンサである供試品（ム
１〜６）を製作した。
第１表
第１表の右欄には、前記−試品（ｌＩ＆１〜６）の誘電
率、１０’秒後における交流耐電圧電位傾度（人ＣＬ）
及びコンデンサ素子の体積比を示す。なお、同表には参
考のために複雑塩を添加していない従来のポリプロピレ
ンフィルムを用いた電力用のオールフィルムコンデンサ
（従来例）の特性も併示した。又、表中のコンデンサ素
子の体積比は、ＪＮｉ″（ただし、Ｂ＝ＡＣＬ）で計算
した値を求め、従来例（ＪＫ７ ）を１００％とし、前
記供試品（４１〜６）の比率を明示したものである。
率、１０’秒後における交流耐電圧電位傾度（人ＣＬ）
及びコンデンサ素子の体積比を示す。なお、同表には参
考のために複雑塩を添加していない従来のポリプロピレ
ンフィルムを用いた電力用のオールフィルムコンデンサ
（従来例）の特性も併示した。又、表中のコンデンサ素
子の体積比は、ＪＮｉ″（ただし、Ｂ＝ＡＣＬ）で計算
した値を求め、従来例（ＪＫ７ ）を１００％とし、前
記供試品（４１〜６）の比率を明示したものである。
第１表から理解されるように複雑塩を添加した高分子誘
電体を用いた供試品（Ｉ＆１〜４６）は、従来例（轟７
）に比べＡＣＬが低いが、誘電率が大きいことから、コ
ンデンサ素子の体積をきわめて小さくすることができる
。
電体を用いた供試品（Ｉ＆１〜４６）は、従来例（轟７
）に比べＡＣＬが低いが、誘電率が大きいことから、コ
ンデンサ素子の体積をきわめて小さくすることができる
。
次に乙の発明の他の実施例について説明する。
前記した構造式（１）、（ｂ）の複雑塩とポリプロピレ
ン樹脂とを第２表に示した配合割合で添加し、均一に混
合したのち、インフレーション法によす作った厚さ１８
μｍの高分子誘電体を３枚重ね合わせて薄葉誘電体層と
し、これとアルｔ−ｆウム箔を巻回したコンデンサ素子
に鉱物油を含浸して直流用のオールフィルムコンデンサ
である供試品（Ａへ°９）を製作した。
ン樹脂とを第２表に示した配合割合で添加し、均一に混
合したのち、インフレーション法によす作った厚さ１８
μｍの高分子誘電体を３枚重ね合わせて薄葉誘電体層と
し、これとアルｔ−ｆウム箔を巻回したコンデンサ素子
に鉱物油を含浸して直流用のオールフィルムコンデンサ
である供試品（Ａへ°９）を製作した。
第２表
第２表の右欄には、前記供試品（Ａａ９）の誘電率、非
振動波形を１０４回印加時の直流充電電位傾度（ＤＣＬ
）及びコンデンサのエネルギー密度比を示す。なお、同
表には参考のために複雑塩を添加していない従来のポリ
プロピレンフィルムを用いた直流用のオールフィルムコ
ンデンサ（従来例）の特性も併示した。又、表中のコン
デンサのエネルギー密度比は、ｇｌｉｉ″（ただし、１
！＝ＤＣＬ）で計算した値を求め、従来例（４１０）を
１．０とし、前記供試品（Ａａ９）の比率を明示したも
のである。
振動波形を１０４回印加時の直流充電電位傾度（ＤＣＬ
）及びコンデンサのエネルギー密度比を示す。なお、同
表には参考のために複雑塩を添加していない従来のポリ
プロピレンフィルムを用いた直流用のオールフィルムコ
ンデンサ（従来例）の特性も併示した。又、表中のコン
デンサのエネルギー密度比は、ｇｌｉｉ″（ただし、１
！＝ＤＣＬ）で計算した値を求め、従来例（４１０）を
１．０とし、前記供試品（Ａａ９）の比率を明示したも
のである。
第２表から理解されるように複雑塩を添加した高分子誘
電体を用いた供試品（Ａａ９）は、従来例υ１０）に比
べてＤＣＬが低いが、誘電率が大番いことから、コンデ
ンサのエネルギー密度が大きくなる。逆にそのエネルギ
ー密度を従来と同一とすれば、この種コンデンサの小型
化が図れる。
電体を用いた供試品（Ａａ９）は、従来例υ１０）に比
べてＤＣＬが低いが、誘電率が大番いことから、コンデ
ンサのエネルギー密度が大きくなる。逆にそのエネルギ
ー密度を従来と同一とすれば、この種コンデンサの小型
化が図れる。
次にこの発明の更に他の実施例について説明する。前記
した構造式（１）、（ｂ）の複雑塩とポリエチレンテレ
フタレート樹脂とを第３表に示した配合割合で添加し、
均一に混合したのち、キャスト法により作った厚さ６μ
ｍの高分子誘電体にＡＪを蒸着し、これを巻回したコン
デンサ素子からなる金属蒸着コンデンサである供試品（
４１１，１２）を製作した。
した構造式（１）、（ｂ）の複雑塩とポリエチレンテレ
フタレート樹脂とを第３表に示した配合割合で添加し、
均一に混合したのち、キャスト法により作った厚さ６μ
ｍの高分子誘電体にＡＪを蒸着し、これを巻回したコン
デンサ素子からなる金属蒸着コンデンサである供試品（
４１１，１２）を製作した。
隋３表
！１！３表の右欄には、前記供試品（４１１，１２）の
誘電率、人ＣＬ及びコンデンサ素子の体積比を示す。
誘電率、人ＣＬ及びコンデンサ素子の体積比を示す。
なお、同表には参考のために複雑塩を添加していない従
来のポリエチレンテレフタレートを用いた金属蒸着コン
デンサ（従来例）の特性も併示した。
来のポリエチレンテレフタレートを用いた金属蒸着コン
デンサ（従来例）の特性も併示した。
又、表中のコンデンサ素子の体積比は、１が（ただし、
Ｉ＝ＡＣＬ）で計算した値を求め、従来例（Ａ１３）を
１００％とし、前記供試品（Ａ１１．１２）の比率を明
示したものである。
Ｉ＝ＡＣＬ）で計算した値を求め、従来例（Ａ１３）を
１００％とし、前記供試品（Ａ１１．１２）の比率を明
示したものである。
第３表から理解されるように複雑塩を添加した高分子誘
電体を用いた供試品（ＪＫｌｌ、１２）は、従来例（＆
１５ ）に比べλＣＬが低いが、誘電率が大きい仁と
から、コンデンサ素子の体積をきわめて小さくする仁と
ができる。
電体を用いた供試品（ＪＫｌｌ、１２）は、従来例（＆
１５ ）に比べλＣＬが低いが、誘電率が大きい仁と
から、コンデンサ素子の体積をきわめて小さくする仁と
ができる。
以上詳述の通り、この発明によれば複雑塩を絶線性ポリ
マーに分散してなる高分子誘電体を用いることにより、
この種コンデンサの小型化あるいはエネルギー密度の向
上を図ることができる。
マーに分散してなる高分子誘電体を用いることにより、
この種コンデンサの小型化あるいはエネルギー密度の向
上を図ることができる。
特許出願人
日新電機株式会社
Claims (1)
- １．６−シチアシクロヘキサンー２−、イミニウムカチ
オン−７、７，、ａ ８−テトラシアノキノジメタン複
雑塩を、絶縁性ブリ、マー修ζ分散してな・る高分子誘
電体を備えたコンデンサ。 −
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11201881A JPS5814409A (ja) | 1981-07-16 | 1981-07-16 | コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11201881A JPS5814409A (ja) | 1981-07-16 | 1981-07-16 | コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5814409A true JPS5814409A (ja) | 1983-01-27 |
Family
ID=14575913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11201881A Pending JPS5814409A (ja) | 1981-07-16 | 1981-07-16 | コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5814409A (ja) |
-
1981
- 1981-07-16 JP JP11201881A patent/JPS5814409A/ja active Pending
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