JPS58142751A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPS58142751A JPS58142751A JP57025427A JP2542782A JPS58142751A JP S58142751 A JPS58142751 A JP S58142751A JP 57025427 A JP57025427 A JP 57025427A JP 2542782 A JP2542782 A JP 2542782A JP S58142751 A JPS58142751 A JP S58142751A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scanning
- sample panel
- ion
- angle
- intersection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 title claims abstract description 6
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 abstract description 4
- 230000005465 channeling Effects 0.000 abstract 1
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 101001052394 Homo sapiens [F-actin]-monooxygenase MICAL1 Proteins 0.000 description 1
- 102100024306 [F-actin]-monooxygenase MICAL1 Human genes 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000011017 operating method Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、イオン注入装置のメカニカル（ＭＥ−ＣＨＡ
ＮＩＣＡＬ）走査に関するものである。従来、イオン注
入装置においては、ビームを走査する方法として靜電走
査法とメカニカル走査法の二種類があり、メカニカル走
査法は主に高濃度注入用に適している。しかしメカニカ
ル走査法では、注入角度を変える必要が生じた揚合いに
、真空を破って角度を変えることを行っていたため作業
性にかける欠点があった。第■図は従来方法で任意の角
度θをつけた場合の操作方法について説明するためのも
のである。任意の角度θをつけられたビーム１１は、試
料盤１２に焦点１３を結ばせても試料盤１２を走査１４
′するとビーム焦点１３によりはずれるため、ビーム径
が走査位置によっては大きくなって１３′しまった。あ
るいは、試料の大形化、処理数の増加に伴ってビーム形
状の変化がより大きくなってしまうなどのため、試料盤
１４の走査範囲を大きくしなければならない欠点があっ
た。
ＮＩＣＡＬ）走査に関するものである。従来、イオン注
入装置においては、ビームを走査する方法として靜電走
査法とメカニカル走査法の二種類があり、メカニカル走
査法は主に高濃度注入用に適している。しかしメカニカ
ル走査法では、注入角度を変える必要が生じた揚合いに
、真空を破って角度を変えることを行っていたため作業
性にかける欠点があった。第■図は従来方法で任意の角
度θをつけた場合の操作方法について説明するためのも
のである。任意の角度θをつけられたビーム１１は、試
料盤１２に焦点１３を結ばせても試料盤１２を走査１４
′するとビーム焦点１３によりはずれるため、ビーム径
が走査位置によっては大きくなって１３′しまった。あ
るいは、試料の大形化、処理数の増加に伴ってビーム形
状の変化がより大きくなってしまうなどのため、試料盤
１４の走査範囲を大きくしなければならない欠点があっ
た。
本発明の目的は、このような従来の欠点を除去せしめて
任意の注入角度を持ってして走査してもビーム径が変化
しないようなメカニカル走査機構を備えたイオン注入装
置を提供することにある。
任意の注入角度を持ってして走査してもビーム径が変化
しないようなメカニカル走査機構を備えたイオン注入装
置を提供することにある。
本発明によれば、メカニカル走査を用いるイオン注入装
置において、ビームと試料盤との交点に注入角度を変え
るための支点を有し、かつこの交点を通るように少なく
とも試料盤を直線的に連動させてメカニカル走査をさせ
る機構を備えたことを特徴とするイオン注入装置が得ら
れる。
置において、ビームと試料盤との交点に注入角度を変え
るための支点を有し、かつこの交点を通るように少なく
とも試料盤を直線的に連動させてメカニカル走査をさせ
る機構を備えたことを特徴とするイオン注入装置が得ら
れる。
第２図は本発明の一実施例を説明するための図で、電磁
レンズで引き出され質量分析を受け加速されたのち、静
電レンズにて成形されたイオンビーム１１が、試料盤２
１上に到達する様子を示す。
レンズで引き出され質量分析を受け加速されたのち、静
電レンズにて成形されたイオンビーム１１が、試料盤２
１上に到達する様子を示す。
試料盤２１とビーム１１との交点２２には、注入角度を
変えることが出来る支点軸２３を有し、チャンネリング
防止のための角度づけは、第２図（ａ）に示す様に真空
室外部から支点軸２３を回転することにより任意の角度
θをつけることが出来る。
変えることが出来る支点軸２３を有し、チャンネリング
防止のための角度づけは、第２図（ａ）に示す様に真空
室外部から支点軸２３を回転することにより任意の角度
θをつけることが出来る。
一方、試料盤の走査については第２図（ｂ）に示すよう
に試料盤２１を交点２２を通るように直線運動２１′さ
せてメカニカル走査することにより焦点２２のビーム径
を変化させることなくイオン注入出来る。さらに、試料
盤の走査は直線運動のみならず、円形の試料盤を用いて
回転運動を加えることも容易に出来る。
に試料盤２１を交点２２を通るように直線運動２１′さ
せてメカニカル走査することにより焦点２２のビーム径
を変化させることなくイオン注入出来る。さらに、試料
盤の走査は直線運動のみならず、円形の試料盤を用いて
回転運動を加えることも容易に出来る。
このように、本発明を用いることにより、任意の注入角
度で注入した場合でも試料盤はビームの焦点位置に常に
保持されながらメカニカル走査を受るために、ビームを
絞った状態で常にイオン注入出来したがって走査範囲を
最底限必要な範囲に小さく出来、その結果装置のターゲ
ット部を小さくすることが出来うる。
度で注入した場合でも試料盤はビームの焦点位置に常に
保持されながらメカニカル走査を受るために、ビームを
絞った状態で常にイオン注入出来したがって走査範囲を
最底限必要な範囲に小さく出来、その結果装置のターゲ
ット部を小さくすることが出来うる。
第１図は従来のメカニカル操作法を説明するための図、
第２図（ａ），（ｂ）は本発明によるメカニカル走査法
を説明するための図である。 図において。 １１はイオンビーム、１２は試料盤、１３はビーム焦点
、１３′は捜査中のビーム径、１４′は走査範囲、２１
は試料盤、２１′は走査中の試料盤位置、２２はビーム
焦点、２３は角度づけの支点軸、２３′は走査中の支点
軸の位置をそれぞれ示す。
第２図（ａ），（ｂ）は本発明によるメカニカル走査法
を説明するための図である。 図において。 １１はイオンビーム、１２は試料盤、１３はビーム焦点
、１３′は捜査中のビーム径、１４′は走査範囲、２１
は試料盤、２１′は走査中の試料盤位置、２２はビーム
焦点、２３は角度づけの支点軸、２３′は走査中の支点
軸の位置をそれぞれ示す。
Claims (1)
- メカニカル（ＭＥＣＨＡＮＩＣＡＬ）走査を用いるイオ
ン注入装置において、ビームと試料盤との交点に注入角
度を変えるための支点を有し、かつこの支点を通るよう
に試料盤を少なくとも直線的に運動さぜてメカニカル走
査する機構を備えたことを特徴とするイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57025427A JPS58142751A (ja) | 1982-02-18 | 1982-02-18 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57025427A JPS58142751A (ja) | 1982-02-18 | 1982-02-18 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58142751A true JPS58142751A (ja) | 1983-08-24 |
Family
ID=12165661
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57025427A Pending JPS58142751A (ja) | 1982-02-18 | 1982-02-18 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58142751A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63109166A (ja) * | 1986-10-23 | 1988-05-13 | イオネツクス／エツチイ−アイ コ−ポレ−シヨン | イオンインプランテ−ション装置 |
| JPS6427955U (ja) * | 1987-08-08 | 1989-02-17 | ||
| JPS6427954U (ja) * | 1987-08-08 | 1989-02-17 |
-
1982
- 1982-02-18 JP JP57025427A patent/JPS58142751A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63109166A (ja) * | 1986-10-23 | 1988-05-13 | イオネツクス／エツチイ−アイ コ−ポレ−シヨン | イオンインプランテ−ション装置 |
| JPS6427955U (ja) * | 1987-08-08 | 1989-02-17 | ||
| JPS6427954U (ja) * | 1987-08-08 | 1989-02-17 | ||
| JPH0723900Y2 (ja) * | 1987-08-08 | 1995-05-31 | 日新電機株式会社 | イオン処理装置 |
| JPH0728690Y2 (ja) * | 1987-08-08 | 1995-06-28 | 日新電機株式会社 | イオン処理装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7722818B2 (en) | Apparatus and method for preparing samples | |
| US7078712B2 (en) | In-situ monitoring on an ion implanter | |
| US5065034A (en) | Charged particle beam apparatus | |
| US20080078750A1 (en) | Directed Multi-Deflected Ion Beam Milling of a Work Piece and Determining and Controlling Extent Thereof | |
| US10636615B2 (en) | Composite beam apparatus | |
| JPH11213935A (ja) | Ｆｉｂ−ｓｅｍ装置における試料断面観察方法およびｆｉｂ−ｓｅｍ装置 | |
| JPH0286036A (ja) | イオンマイクロアナライザ | |
| EP0445964A2 (en) | Apparatus and methods relating to scanning ion beams | |
| EP1071112A3 (en) | Scanning charged-particle beam instrument | |
| JPS58142751A (ja) | イオン注入装置 | |
| JPH05314941A (ja) | Ｆｉｂ／ｅｂ複合装置 | |
| JPH07105901A (ja) | イオン注入装置 | |
| JPH0773843A (ja) | イオン打込装置及びイオン打込方法 | |
| EP0190251B1 (en) | Method and apparatus for the micro-analysis or imaging of samples | |
| KR200340240Y1 (ko) | 이온주입기의이온빔입사각제어장치 | |
| JP2708002B2 (ja) | イオン注入装置 | |
| KR20050097395A (ko) | 이온 주입 설비의 스캔 시스템 및 방법 | |
| JPS6164055A (ja) | 走査形電子顕微鏡 | |
| JPS6396855A (ja) | イオン打込方法及びイオン打込装置 | |
| JPS6343253A (ja) | イオン打込装置 | |
| JPH02260361A (ja) | イオン注入装置 | |
| JPS61271738A (ja) | 機械走査とビーム走査を併用したイオン打ち込み装置 | |
| JP2003142018A (ja) | 走査型表面観測装置 | |
| JPH0517915U (ja) | イオン注入装置 | |
| JP2008111777A (ja) | 顕微鏡用試料作成装置 |