JPS58142609A - Fet電力増幅器の低電圧駆動方法 - Google Patents
Fet電力増幅器の低電圧駆動方法Info
- Publication number
- JPS58142609A JPS58142609A JP57025173A JP2517382A JPS58142609A JP S58142609 A JPS58142609 A JP S58142609A JP 57025173 A JP57025173 A JP 57025173A JP 2517382 A JP2517382 A JP 2517382A JP S58142609 A JPS58142609 A JP S58142609A
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- Japan
- Prior art keywords
- drain
- voltage
- bias
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- power amplifier
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、電界効果トランジスタ(この明細肖では1F
・ET」という、−、)を増幅素子とするrljl増力
器に関する。特に、電力増幅器を低いドレイン市、圧に
より駆動する方法VC関する1゜〔従来技術の説明〕 従来の高効率電力増幅器t:1、いわゆる8級あるいけ
C級動作といわれる動作によって実現され、ドレイン用
の電源電圧は、出力最大重1+」:り大きく設定しなけ
tlばならない。これを電力増幅器に用いられるF K
Tの直流特性と時間に対するドレイン電流波形により
説明する。−例とし7て、GaAθhues FBTの
ノーマリ・オン型F K Tについて、その直流特性を
第1図に示す4、 第1図は、横軸にドレイン・ソース間型++−C■I)
S)をとり、縦軸にドレイン電流(1,、)をとる。)
くわを−■このFliiTの動作を決める負荷直線であ
る。At、1゛このB・刊Tのドレイン市、圧電流、特
性曲線−(゛、ドレイン電流が最大になることを示す。
・ET」という、−、)を増幅素子とするrljl増力
器に関する。特に、電力増幅器を低いドレイン市、圧に
より駆動する方法VC関する1゜〔従来技術の説明〕 従来の高効率電力増幅器t:1、いわゆる8級あるいけ
C級動作といわれる動作によって実現され、ドレイン用
の電源電圧は、出力最大重1+」:り大きく設定しなけ
tlばならない。これを電力増幅器に用いられるF K
Tの直流特性と時間に対するドレイン電流波形により
説明する。−例とし7て、GaAθhues FBTの
ノーマリ・オン型F K Tについて、その直流特性を
第1図に示す4、 第1図は、横軸にドレイン・ソース間型++−C■I)
S)をとり、縦軸にドレイン電流(1,、)をとる。)
くわを−■このFliiTの動作を決める負荷直線であ
る。At、1゛このB・刊Tのドレイン市、圧電流、特
性曲線−(゛、ドレイン電流が最大になることを示す。
この曲線Aと負荷直#j!町、との交点をPlとし、こ
の負荷直線と横111との交点を1)5と(2、点P1
とP3とのほぼ中間に点P2を定め、この点L“2を通
るこのp’ u; ’rのドレイン市、汗′市Mt1時
性曲iをBとする3、この1(′ITの動作点をP5に
するならI:□1゛、トレイン1iL月。
の負荷直線と横111との交点を1)5と(2、点P1
とP3とのほぼ中間に点P2を定め、この点L“2を通
るこのp’ u; ’rのドレイン市、汗′市Mt1時
性曲iをBとする3、この1(′ITの動作点をP5に
するならI:□1゛、トレイン1iL月。
はV5に、動作点をP2Vこするならば、ドレイン甫I
Ftゴv2に設定(7々ければならない。
Ftゴv2に設定(7々ければならない。
ノーマリ・オン型y +a Tを用いて、A級増幅動作
をさせようとするならば、その増幅器の動作点すなわち
ゲート・ソース間に加えるバイアス甫j1・(V、8)
は点Pal/j7設定する7、このときのドレイン・ソ
ース間に加える′屯源霜、lt・< v、うI+ )
i、I■2となる。し7たがって通常t」ゲート・ソー
ス間の′Mf FI−(V、8)は−1,0〜−−5,
0[V :] T’、 市、 $ド市):t、 (VI
H) )は5〜ui[v]皆度になり、11−負の2つ
の電、源が必快である1、 trErの電源効率を上げる場合に1.+、クー 1ソ
一ス間に加えるバイアス電圧(V、s ) O動作、壱
P5に設′定し、そのときの市諒市、圧(vI)−IC
)を−1’173となる。このときのドレイン電流の時
間に利16波形は第2図のように々す、いわゆるBM動
作と々6oさらに?IV源効率を上げる場合V(7r−
1、ゲ−1・、バイアスをさらに深くして、0納動作を
さし1/・1゜この場合にもトレイン市圧V13である
。この、[うeへ、B級徒た+t O級動作をさせると
、電飾電圧(VDl+ )がv3となるのC、ト記へ級
動作の場合、しり電源室Lfi (”I)I) )はさ
らに旨くなり、通常8−20vとなる。このように従来
の方法でC1高効率重力増幅器を実現する場合にt−1
、それぞれに応[しC高い′市川の電源を用いなければ
ならない。
をさせようとするならば、その増幅器の動作点すなわち
ゲート・ソース間に加えるバイアス甫j1・(V、8)
は点Pal/j7設定する7、このときのドレイン・ソ
ース間に加える′屯源霜、lt・< v、うI+ )
i、I■2となる。し7たがって通常t」ゲート・ソー
ス間の′Mf FI−(V、8)は−1,0〜−−5,
0[V :] T’、 市、 $ド市):t、 (VI
H) )は5〜ui[v]皆度になり、11−負の2つ
の電、源が必快である1、 trErの電源効率を上げる場合に1.+、クー 1ソ
一ス間に加えるバイアス電圧(V、s ) O動作、壱
P5に設′定し、そのときの市諒市、圧(vI)−IC
)を−1’173となる。このときのドレイン電流の時
間に利16波形は第2図のように々す、いわゆるBM動
作と々6oさらに?IV源効率を上げる場合V(7r−
1、ゲ−1・、バイアスをさらに深くして、0納動作を
さし1/・1゜この場合にもトレイン市圧V13である
。この、[うeへ、B級徒た+t O級動作をさせると
、電飾電圧(VDl+ )がv3となるのC、ト記へ級
動作の場合、しり電源室Lfi (”I)I) )はさ
らに旨くなり、通常8−20vとなる。このように従来
の方法でC1高効率重力増幅器を実現する場合にt−1
、それぞれに応[しC高い′市川の電源を用いなければ
ならない。
〔発明の目的〕 ・
本発明は低い′電源電圧を用いて、高効率電力増幅器を
実現することを目的とする。
実現することを目的とする。
〔発明の要点]
本発明V1、ゲートバイアスを−″Aiセ飽第1ビ市帷
の流れる電14とし、かつ、市1源電1トをFETのド
【/イン軍、流が飽和する最低電圧付近に設定すること
により、入力交流の負電圧成分(nチャンネルEl’E
Tの場合)、あるいは正電圧成分(pチャンイルFmT
(1)場合)を増幅動作させることを特徴とする。
の流れる電14とし、かつ、市1源電1トをFETのド
【/イン軍、流が飽和する最低電圧付近に設定すること
により、入力交流の負電圧成分(nチャンネルEl’E
Tの場合)、あるいは正電圧成分(pチャンイルFmT
(1)場合)を増幅動作させることを特徴とする。
第6図は本発明方法を実施した増幅器の一実施例構成図
である。II’ l!j ’r10のソース電極1接地
し、ドレイン電極はインダクタ11を介して電源12に
接続する、ゲート電極は入力インピーダンス整合回路1
3に接伏し、ドレイン電極は出力インピーダンス整合回
路14に接続する。15は増幅すべき入力信号源、16
はその信号源のインピーダンスを表わす。17は出力負
荷インピーダンスを表わす。インダクタ11は信号源1
5の周波数に対して、十分に人さAインピーダンスを有
するように運ぶ、 ここで?三T 10に与えるバイアスと動作点<つめて
説明すると、第4図に不発明実施例回路DFETについ
て、ドレイン・ソース間の電圧V、、−に河して、ドレ
イン電流稲を示す電圧電流特性図である、第4図でRL
は弁荷線であり、曲@Aはゲートバイアスをある程度大
きい特定の値に定めたときのドレイン特性を示す、 すなわち不発明の特徴は、負荷線孔との又点すなわち動
作点が、曲線Aのようにドレイン電流が飽和状態となる
電圧のうち、最低電圧付近の点となるように選ぶ。点P
oはちょうどそのような点であり、動作点が点Poとな
るように、ゲ−1・′市惨およびドレイン市、極に直流
バイアスを与え負荷抵抗を設定する。
である。II’ l!j ’r10のソース電極1接地
し、ドレイン電極はインダクタ11を介して電源12に
接続する、ゲート電極は入力インピーダンス整合回路1
3に接伏し、ドレイン電極は出力インピーダンス整合回
路14に接続する。15は増幅すべき入力信号源、16
はその信号源のインピーダンスを表わす。17は出力負
荷インピーダンスを表わす。インダクタ11は信号源1
5の周波数に対して、十分に人さAインピーダンスを有
するように運ぶ、 ここで?三T 10に与えるバイアスと動作点<つめて
説明すると、第4図に不発明実施例回路DFETについ
て、ドレイン・ソース間の電圧V、、−に河して、ドレ
イン電流稲を示す電圧電流特性図である、第4図でRL
は弁荷線であり、曲@Aはゲートバイアスをある程度大
きい特定の値に定めたときのドレイン特性を示す、 すなわち不発明の特徴は、負荷線孔との又点すなわち動
作点が、曲線Aのようにドレイン電流が飽和状態となる
電圧のうち、最低電圧付近の点となるように選ぶ。点P
oはちょうどそのような点であり、動作点が点Poとな
るように、ゲ−1・′市惨およびドレイン市、極に直流
バイアスを与え負荷抵抗を設定する。
このような動作点の設定により、入力信号を与えるとF
feT]0のドレインW、 fJ−および回流ej1第
4図に示す負荷=r<、に沿つて移動する4、揚幅が大
きいときにd、点Pnと点P5との間を移動する。さら
に詳しく説明すると、人力(g Mが室のときの動作点
はPaであるから、入力信ちとして交番電圧を与えると
、ドレイン電流が減少するような半サイクルについてれ
1、角葡線R,、I−を・点P5の方向に移動するが、
ドレイン電流が増加する方向の半サイクルについてti
t 、とのFETの静特性VCより制限されて、点Pa
にとどまる。。
feT]0のドレインW、 fJ−および回流ej1第
4図に示す負荷=r<、に沿つて移動する4、揚幅が大
きいときにd、点Pnと点P5との間を移動する。さら
に詳しく説明すると、人力(g Mが室のときの動作点
はPaであるから、入力信ちとして交番電圧を与えると
、ドレイン電流が減少するような半サイクルについてれ
1、角葡線R,、I−を・点P5の方向に移動するが、
ドレイン電流が増加する方向の半サイクルについてti
t 、とのFETの静特性VCより制限されて、点Pa
にとどまる。。
したがって、ドレイン電流工。の時間に対する波形は第
5図のようになる1、 このときドレインに供給する直流′fIjL源12の電
圧(Vr、lD )について考えると、その動作点PQ
I/(対応する市1圧VOに、インダクタ11の市1F
1−降゛ト分を加えた飴で十分である。インタフタ11
の電IJゝ降下分はほとんど零とすることができるから
、実効十t:l電圧Voでよい。こノ1け、実際のF
FG Tについ−C考えると、IV−,5Vの範囲にあ
り、きわめ−(低い電源電圧−r゛、11” m T増
幅器を8級あるいし10級に相当する動作をさせること
ができることにな/10、 さらに、ノーマリ・オン形の11’ k Tr111第
4図に万くず特性曲線A il、クーi・バイアス電圧
(Vgs )がほぼ零のときの特性曲線になるので、F
1!ITのゲート側回路にV1直流バイアスを与える必
曹がなく、ドレインl1. +4−をりえる市#t12
のみによって、−に連のような動作点ケ設定することが
Cさる。
5図のようになる1、 このときドレインに供給する直流′fIjL源12の電
圧(Vr、lD )について考えると、その動作点PQ
I/(対応する市1圧VOに、インダクタ11の市1F
1−降゛ト分を加えた飴で十分である。インタフタ11
の電IJゝ降下分はほとんど零とすることができるから
、実効十t:l電圧Voでよい。こノ1け、実際のF
FG Tについ−C考えると、IV−,5Vの範囲にあ
り、きわめ−(低い電源電圧−r゛、11” m T増
幅器を8級あるいし10級に相当する動作をさせること
ができることにな/10、 さらに、ノーマリ・オン形の11’ k Tr111第
4図に万くず特性曲線A il、クーi・バイアス電圧
(Vgs )がほぼ零のときの特性曲線になるので、F
1!ITのゲート側回路にV1直流バイアスを与える必
曹がなく、ドレインl1. +4−をりえる市#t12
のみによって、−に連のような動作点ケ設定することが
Cさる。
以上iJ’ F iij T 、特に、ノーマリ オン
形のfl’ )!j Tを用いて説明したが、この動作
点の設定t:1、他のりし式のF lii Tについて
同様に実施することができる。この場合に、TI’ l
ij Tの釉頻によってIjl ケート回路に別%L源
によるグー1−バイアス回路を設りることが必侠と々る
。′□f fc、 、 xr゛n; Tの棹類に、[
つてtj、ゲ−l−”tM、 bIf、が(Arれるこ
とにより、ゲート領埴の発熱が問題となることが考えら
〕するが、こ11ら0、電iAt値の選び方、素子の而
(熱例宿を劣td t−。
形のfl’ )!j Tを用いて説明したが、この動作
点の設定t:1、他のりし式のF lii Tについて
同様に実施することができる。この場合に、TI’ l
ij Tの釉頻によってIjl ケート回路に別%L源
によるグー1−バイアス回路を設りることが必侠と々る
。′□f fc、 、 xr゛n; Tの棹類に、[
つてtj、ゲ−l−”tM、 bIf、が(Arれるこ
とにより、ゲート領埴の発熱が問題となることが考えら
〕するが、こ11ら0、電iAt値の選び方、素子の而
(熱例宿を劣td t−。
て設計することが+3]能である。
ドレイン電極とドレイン直流バイアス電圧用の電源との
間に挿入される回路についてQ」、インダクタのほか、
トランス巻線、インダクターまたtit l・ランス巻
線と4jt 4nとの組合せ、その他の入カイ= ”3
^流周波数に対1.−C^いインピーダンスを早[7直
流に対して低い抵4’A値を呈する回路であハげよい。
間に挿入される回路についてQ」、インダクタのほか、
トランス巻線、インダクターまたtit l・ランス巻
線と4jt 4nとの組合せ、その他の入カイ= ”3
^流周波数に対1.−C^いインピーダンスを早[7直
流に対して低い抵4’A値を呈する回路であハげよい。
上述のよう々!fi11作府の設定し1、バイポーラ・
トランジスタについても適用することができる。1〔効
果の説明〕 り上HI?明したように、本発明の方法によjl PI
’、F’ETO尚効率重力増幅器を1〜3V程ルの電源
により実現することができる。tl’ETがノーマリ・
オン形でfbねば′出線を1系統にでへる6、本発明の
方法Q1、′酸油電源により動作する移動無線通信装置
の電力四幅器に実mj L−で、電源の小形化および経
俗化に1:11するところが大きい1.
トランジスタについても適用することができる。1〔効
果の説明〕 り上HI?明したように、本発明の方法によjl PI
’、F’ETO尚効率重力増幅器を1〜3V程ルの電源
により実現することができる。tl’ETがノーマリ・
オン形でfbねば′出線を1系統にでへる6、本発明の
方法Q1、′酸油電源により動作する移動無線通信装置
の電力四幅器に実mj L−で、電源の小形化および経
俗化に1:11するところが大きい1.
第1図は従来例方法の動作説、明図。
第2図d従来例の8級−f & r、J−0級のドレイ
ン′市原波形を示す図。 第3図は本発明実施例増幅器の回路構成図3゜第4図は
本発明実施例方法の動作点のn9明図1、第5図は本発
明実施例のドレイン電流波形を示す図。 10・・・?″ET、11・・・インダクタ、12 ・
・電源、13.14・・インピーダンス整合回路、15
・・・□1m号諒1I6・信号源インじ一タ′ンス、1
7・・・出力負荷インビルダンス。 特許出願人 日本電信電話公ネ1 代j71人 弁理士 井 出 直 孝 ハ 2 図
ン′市原波形を示す図。 第3図は本発明実施例増幅器の回路構成図3゜第4図は
本発明実施例方法の動作点のn9明図1、第5図は本発
明実施例のドレイン電流波形を示す図。 10・・・?″ET、11・・・インダクタ、12 ・
・電源、13.14・・インピーダンス整合回路、15
・・・□1m号諒1I6・信号源インじ一タ′ンス、1
7・・・出力負荷インビルダンス。 特許出願人 日本電信電話公ネ1 代j71人 弁理士 井 出 直 孝 ハ 2 図
Claims (1)
- (1) ゲート・ソース間にはドレイン電流が飽和状
態になるように直流バイアスを与え、ドレイン・ソース
間にはドレイン電流が飽和状態になる電圧のうち最低電
圧付近の直流1バイ−rス宵1圧を与え、ドレイン電極
とこのドレイン直流、バイアス電圧用の電源との間に入
力信号交流周波数に対して高いインピーダンスを呈し直
流に対して低い抵抗値を呈する回路を接続し、ゲート・
ソース間に入力信号を与え、ドレイン電流の変化から出
力信号を取出すFF1T電力増幅器の低電圧駆動方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57025173A JPS58142609A (ja) | 1982-02-17 | 1982-02-17 | Fet電力増幅器の低電圧駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57025173A JPS58142609A (ja) | 1982-02-17 | 1982-02-17 | Fet電力増幅器の低電圧駆動方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58142609A true JPS58142609A (ja) | 1983-08-24 |
Family
ID=12158609
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57025173A Pending JPS58142609A (ja) | 1982-02-17 | 1982-02-17 | Fet電力増幅器の低電圧駆動方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58142609A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58168308A (ja) * | 1982-03-29 | 1983-10-04 | Nec Corp | 広帯域高効率増幅器 |
US5103189A (en) * | 1989-08-18 | 1992-04-07 | Thomson Composants Microondes | High-efficiency amplifier |
-
1982
- 1982-02-17 JP JP57025173A patent/JPS58142609A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58168308A (ja) * | 1982-03-29 | 1983-10-04 | Nec Corp | 広帯域高効率増幅器 |
JPH0572764B2 (ja) * | 1982-03-29 | 1993-10-13 | Nippon Electric Co | |
US5103189A (en) * | 1989-08-18 | 1992-04-07 | Thomson Composants Microondes | High-efficiency amplifier |
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