JPS58142283A - 放射線検出器 - Google Patents
放射線検出器Info
- Publication number
- JPS58142283A JPS58142283A JP57024311A JP2431182A JPS58142283A JP S58142283 A JPS58142283 A JP S58142283A JP 57024311 A JP57024311 A JP 57024311A JP 2431182 A JP2431182 A JP 2431182A JP S58142283 A JPS58142283 A JP S58142283A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiation
- unit detection
- semiconductor substrate
- radiation detector
- spacer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/29—Measurement performed on radiation beams, e.g. position or section of the beam; Measurement of spatial distribution of radiation
- G01T1/2914—Measurement of spatial distribution of radiation
- G01T1/2921—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions; Radio-isotope cameras
- G01T1/2928—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions; Radio-isotope cameras using solid state detectors
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術会費〕
この発明は放射線検出器Ｃ：関する。
本発明藝；関係が深い従来技術例をｌｉｔ■葎１．伽）
纏二本す＊ ＩＩ Ｚ ＩＩ（ａ）は−次元多チャンネ
ル放射線検出器の動作ブロック図で、４図（ｂｌは単位
検出素子（Ａｕ −ｎ８ム一ム１１表面障壁型）を表わ
している。
纏二本す＊ ＩＩ Ｚ ＩＩ（ａ）は−次元多チャンネ
ル放射線検出器の動作ブロック図で、４図（ｂｌは単位
検出素子（Ａｕ −ｎ８ム一ム１１表面障壁型）を表わ
している。
図中、１は半導体検出素子、２はＷコリメータ板、３は
多チヤンネル増幅器、４はデータ処理装置、ｓ線放射線
強度分布表示装置、６はｍ−８４，７はＡｕ 電極、
８はム１電極を示している。Ｗ−ｘ９メーク板２は各検
出素子間１：挿入されているため、検出素子内部で生ず
る散乱歓射線の隣接する検出素子への入射が抑制され、
放射線強度分布を正確に計測することができる。しかし
ながら多数の検出要素が必要な場舎、以下のような間層
点が生ずる。
多チヤンネル増幅器、４はデータ処理装置、ｓ線放射線
強度分布表示装置、６はｍ−８４，７はＡｕ 電極、
８はム１電極を示している。Ｗ−ｘ９メーク板２は各検
出素子間１：挿入されているため、検出素子内部で生ず
る散乱歓射線の隣接する検出素子への入射が抑制され、
放射線強度分布を正確に計測することができる。しかし
ながら多数の検出要素が必要な場舎、以下のような間層
点が生ずる。
（１）多数の検出素子とコリメータ板を精度よく配列す
る作業が必要であり、量産性に乏しい。
る作業が必要であり、量産性に乏しい。
（２）単位検出素子が独立しているので１寸法が微小−
一なると製造Ｃ；困離が伴う。
一なると製造Ｃ；困離が伴う。
この発明は゛上述した放射線検出器の欠点を改良したも
ので、量産が可能で製造コストの低い放射線検出器を提
供する事を目的とする。
ので、量産が可能で製造コストの低い放射線検出器を提
供する事を目的とする。
本発鳴は、放射線に対する阻止能力が高い物質で充填さ
れている溝１；より分離されている複数の単位検出領域
を有する半導体基板を基本構成要素とする腋射線検出器
である。
れている溝１；より分離されている複数の単位検出領域
を有する半導体基板を基本構成要素とする腋射線検出器
である。
本発明による主たる効果は次の点であ養。
（１） 一枚の半導体基板上Ｃ；複黴個の単位検出領
域を配験す墨ので各検出領域間の均一性がよく。
域を配験す墨ので各検出領域間の均一性がよく。
その上製造時間も短縮されて量直Ｃ；遍す番。
（２）単位検出要素が半導体基板上に一律的に構成でき
るので、単位検出領域の微小化が行いやすい。
るので、単位検出領域の微小化が行いやすい。
〔発明の実施例〕
本発明の実施例をＳ８園及びｌＩ纂−を帛いて説明する
。第２図は斜視■、第ｓａａは第冨■のム一１″け６断
画■ゞあ６・ｓ：Ｊ、、＊＊＊“電極・１０はｎ−８１
，１３はム１電極％１１ｍＷ（？ｙゲステン）スペーサ
（絶縁度膜付）、１３はＷ（タングステン）マウント板
、１４はフラットケーブル、１ｉは信号電極接続線、１
６は信号ラインをそれぞれ示す、このような構造Ｃ二よ
り単位検出領域はＷスペーサによって仕切られて散乱放
射線（二よるクロストークが抑えられる。しかも、Ｗス
ペーサは半導体基板Ｃ；溝切り加工によって掘られた溝
へ挿入するだけでよ（量産性および製造７１１面ですぐ
れ、単位検出要素の縮小化も容具である。
。第２図は斜視■、第ｓａａは第冨■のム一１″け６断
画■ゞあ６・ｓ：Ｊ、、＊＊＊“電極・１０はｎ−８１
，１３はム１電極％１１ｍＷ（？ｙゲステン）スペーサ
（絶縁度膜付）、１３はＷ（タングステン）マウント板
、１４はフラットケーブル、１ｉは信号電極接続線、１
６は信号ラインをそれぞれ示す、このような構造Ｃ二よ
り単位検出領域はＷスペーサによって仕切られて散乱放
射線（二よるクロストークが抑えられる。しかも、Ｗス
ペーサは半導体基板Ｃ；溝切り加工によって掘られた溝
へ挿入するだけでよ（量産性および製造７１１面ですぐ
れ、単位検出要素の縮小化も容具である。
上記の実施例では８１ を素材とする半導体基板を使用
しているが、ＧａＡｓ 、 ＣｄＴｅ 、 Ｇｅ、
ＨｇＩ。
しているが、ＧａＡｓ 、 ＣｄＴｅ 、 Ｇｅ、
ＨｇＩ。
など他の素材も使用することができる。この他、検出器
の種類としてＰａ接合型も可能であるし、溝の配設位置
や充填物質の種類も適宜選択可能である。第４図乃至第
７図にこのような例を示す。
の種類としてＰａ接合型も可能であるし、溝の配設位置
や充填物質の種類も適宜選択可能である。第４図乃至第
７図にこのような例を示す。
図中、ｌγは？−８１．ＩＩはｓｉｏ、ｇ、１ ｇはＰ
ｂ。
ｂ。
２０はｎ −１ｊｉ、 ２１はムｌ電極、２２はＷ−ｒ
ラント板、３！富はムＵ電極、２４はＣｕマウント板、
！５はＷｘスペーサ絶縁度膜付）、２６はｎ”−８ｉを
それぞれ示す。
ラント板、３！富はムＵ電極、２４はＣｕマウント板、
！５はＷｘスペーサ絶縁度膜付）、２６はｎ”−８ｉを
それぞれ示す。
二次元放射線検出器への応用としては、複数−の半導体
１板をつみ重ねる構造（二よって可能である。１１８図
にＩＩａ図の形式を利用した二次元放射線検出器の構成
例を示す。
１板をつみ重ねる構造（二よって可能である。１１８図
にＩＩａ図の形式を利用した二次元放射線検出器の構成
例を示す。
１１８図は従来例を示す図、１１２図は本発明の一実施
例の斜視図、第３図は本発明の一実施例の断面図、１１
４図乃至１１１７図は本発明の他の実施例を示す図、＠
８図はその応用例を示す図である。 ９−−−Ａｕ電極 １ｅ−ｍ −８１１１・
・・４電＠ １！・・・Ｗスペーサ（絶縁
度膜付） ｔｓ・・・Ｗマクｙト板１４
−・フラットケーブル １ｓ−・信号電極接続線１６・
・信号ライン １７・・・Ｐｉ１１１＝−８１０
，ｌ１１９・・・Ｐｂ ２Ｏ−−−−ｎ−８４２１，、、ムｌ電極２２−−−Ｗ
マクｙ ）板 ！３・・・ムｕｌｌｌｉ工４・・・
Ｃｕマウント板 ２ｓ・・・Ｗスペーサ（絶縁度膜
付）−２６・・・ｎ＋−組 代理人 弁理士 則 近 憲 佑（ほか１名）第８図 第４図 第６図
例の斜視図、第３図は本発明の一実施例の断面図、１１
４図乃至１１１７図は本発明の他の実施例を示す図、＠
８図はその応用例を示す図である。 ９−−−Ａｕ電極 １ｅ−ｍ −８１１１・
・・４電＠ １！・・・Ｗスペーサ（絶縁
度膜付） ｔｓ・・・Ｗマクｙト板１４
−・フラットケーブル １ｓ−・信号電極接続線１６・
・信号ライン １７・・・Ｐｉ１１１＝−８１０
，ｌ１１９・・・Ｐｂ ２Ｏ−−−−ｎ−８４２１，、、ムｌ電極２２−−−Ｗ
マクｙ ）板 ！３・・・ムｕｌｌｌｉ工４・・・
Ｃｕマウント板 ２ｓ・・・Ｗスペーサ（絶縁度膜
付）−２６・・・ｎ＋−組 代理人 弁理士 則 近 憲 佑（ほか１名）第８図 第４図 第６図
Claims (1)
- （１）半導体基板を放射線検出要素とす纂放射線検出器
において、前記半導体基板は空間的に分離された単位検
出領域を有し、＠記各単位検出領域関Ｃ二は溝が掘られ
ており、その中に放射線に対する阻止能力の高い物質が
設けられていることを特徴とする放射線検出器。 偉）半導体基板は放射線に対する阻止能力の高いコリメ
ータ板ロマウントされて複数個つみ重ねて構成されてお
り、放射線を前記半導体基板６：平行に入射させること
を特徴とする特許請求の範−箒１項記載の放射線検出器
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57024311A JPS58142283A (ja) | 1982-02-19 | 1982-02-19 | 放射線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57024311A JPS58142283A (ja) | 1982-02-19 | 1982-02-19 | 放射線検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58142283A true JPS58142283A (ja) | 1983-08-24 |
Family
ID=12134626
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57024311A Pending JPS58142283A (ja) | 1982-02-19 | 1982-02-19 | 放射線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58142283A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010004453A3 (en) * | 2008-06-16 | 2010-06-10 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Radiation detector and a method of manufacturing a radiation detector |
| CN101788680A (zh) * | 2009-01-24 | 2010-07-28 | Ge医疗系统环球技术有限公司 | 探测器模组 |
| JP2012508375A (ja) * | 2008-11-10 | 2012-04-05 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 放射線検出器用のコンバータ・エレメント |
-
1982
- 1982-02-19 JP JP57024311A patent/JPS58142283A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010004453A3 (en) * | 2008-06-16 | 2010-06-10 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Radiation detector and a method of manufacturing a radiation detector |
| JP2011525238A (ja) * | 2008-06-16 | 2011-09-15 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 放射線検出器及び放射線検出器を製造する方法 |
| US8564084B2 (en) | 2008-06-16 | 2013-10-22 | Koninklijke Philips N.V. | Radiation detection and a method of manufacturing a radiation detector |
| JP2012508375A (ja) * | 2008-11-10 | 2012-04-05 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 放射線検出器用のコンバータ・エレメント |
| CN101788680A (zh) * | 2009-01-24 | 2010-07-28 | Ge医疗系统环球技术有限公司 | 探测器模组 |
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